專利名稱：一種大功率mosfet逆變半橋器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及串聯(lián)型感應(yīng)加熱電源技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種大功率 MOSFET逆變半橋器件。
背景技術(shù)：
大功率 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, M0SFET，金氧半場效晶體管)逆變半橋器件應(yīng)用在頻率為50KHZ-2MHZ以 MOS^etal-Oxide-Semiconductor，絕緣性場效應(yīng)管)管為開關(guān)器件的串聯(lián)型感應(yīng)加熱電源。串聯(lián)型感應(yīng)加熱電源的逆變側(cè)要求直流供電電源為低內(nèi)阻電壓源，功率器件的阻容吸收電路要求引線電感小，結(jié)構(gòu)緊湊，雜散電感小。原電源結(jié)構(gòu)的逆變器輸入輸出距離較遠， 阻容吸收用絞線連接到MOS管，雜散電感較大，影響器件的工作特性，并且多管并聯(lián)實現(xiàn)大功率時很困難。因此，如何提高逆變半橋器件的散熱效果，降低雜散電感，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。

實用新型內(nèi)容有鑒于此，本實用新型提供了一種大功率MOSFET逆變半橋器件，以提高逆變半橋器件的散熱效果，降低雜散電感。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案一種大功率MOSFET逆變半橋器件，包括兩組對稱設(shè)置的MOS管、二極管和阻容吸收器件，還包括第一水冷板和第二水冷板，兩組所述MOS管、二極管和阻容吸收器件分別設(shè)置在所述第一水冷板和第二水冷板上；兩組所述MOS管、二極管和阻容吸收器件的供電部分通過連接片分別與所述第一水冷板和第二水冷板相連；所述第一水冷板和第二水冷板分別為直流供電電源的導(dǎo)電正、負極板。優(yōu)選的，在上述大功率MOSFET逆變半橋器件中，所述第一水冷板和第二水冷板的背面均焊接有冷卻用銅管。優(yōu)選的，在上述大功率MOSFET逆變半橋器件中，所述第一水冷板和第二水冷板之間設(shè)有多個高頻濾波電容。優(yōu)選的，在上述大功率MOSFET逆變半橋器件中，所述第一水冷板和第二水冷板均為銅板。從上述的技術(shù)方案可以看出，本實用新型以水冷板作為直流供電電源的正、負極板，將MOS管、二極管、阻容吸收器件也安裝在此水冷板上，水冷板既作為直流的導(dǎo)電極板， 同時又作為功率器件的散熱器。本實用新型省掉了原結(jié)構(gòu)的直流供電電源極板，使結(jié)構(gòu)更加緊湊，由于水冷板的面積很大，導(dǎo)電性能優(yōu)異，使得雜散電感降到了最低。
圖1為本實用新型實施例提供的大功率MOSFET逆變半橋器件的主視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實用新型實施例提供的大功率MOSFET逆變半橋器件去掉連接板后的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖1-圖2中，1為電容；2為高頻濾波電容；3為電阻片；4為二極管；5為連接板； 6為MOS管；7為冷卻用銅管；81為第一水冷板；82為第二水冷板；91為第一未連接點引線； 92為第二未連接點引線。
具體實施方式
本實用新型公開了一種大功率MOSFET逆變半橋器件，以提高逆變半橋器件的散熱效果，降低雜散電感。下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。請參閱圖1和圖2，圖1為本實用新型實施例提供的大功率MOSFET逆變半橋器件的主視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實用新型實施例提供的大功率MOSFET逆變半橋器件去掉連接板后的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。本實用新型提供的大功率MOSFET逆變半橋器件，包括兩組對稱設(shè)置的MOS管6、二極管4和阻容吸收器件(由電阻片3和電容1組成)，本實用新型的重點在于還包括第一水冷板81和第二水冷板82，兩組MOS管6、二極管4和阻容吸收器件分別設(shè)置在第一水冷板81和第二水冷板82上，即第一水冷板81和第二水冷板82上均設(shè)有MOS 管6、二極管4和阻容吸收器件。第一水冷板81和第二水冷板82上MOS管6、二極管4和阻容吸收器件通過連接片和連接板5相連。兩組MOS管6、二極管4和阻容吸收器件的供電部分通過連接片分別與第一水冷板 81和第二水冷板82相連。第一水冷板81和第二水冷板82分別為直流供電電源的導(dǎo)電正、 負極板，驅(qū)動板通過第一絕緣支柱設(shè)置于鋁托板上。第一水冷板81和第二水冷板82可優(yōu)選為散熱效果較好的銅板。第一水冷板81和第二水冷板82上的第一未連接點引線91和第二未連接點引線92分別與其各自的驅(qū)動板相連。本實用新型以水冷板(第一水冷板81和第二水冷板82)作為直流供電電源的正、 負極板，將MOS管6、二極管4、阻容吸收器件也安裝在此水冷板上，水冷板既作為直流的導(dǎo)電極板，同時又作為功率器件的散熱器。本實用新型省掉了原結(jié)構(gòu)的直流供電電源極板，使結(jié)構(gòu)更加緊湊，由于水冷板的面積很大，導(dǎo)電性能優(yōu)異，使得雜散電感降到了最低。第一水冷板81和第二水冷板82的背面均焊接有冷卻用銅管7，M0S管6、二極管4 和阻容吸收器件在工作中產(chǎn)生的熱量被第一水冷板81和第二水冷板82及冷卻用銅管7內(nèi)的冷卻水帶走，以提高其散熱效果。第一水冷板81和第二水冷板82之間設(shè)有多個高頻濾波電容2，使直流電源的工作電壓更平穩(wěn)，保證了直流側(cè)的電壓源特性，便于實現(xiàn)逆變橋的大功率化。[0026]本說明書中各個實施例采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實用新型。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本實用新型將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求1.一種大功率MOSFET逆變半橋器件，包括兩組對稱設(shè)置的MOS管(6)、二極管(4)和阻容吸收器件，其特征在于，還包括第一水冷板(81)和第二水冷板(82)，兩組所述MOS管(6)、二極管(4)和阻容吸收器件分別設(shè)置在所述第一水冷板(81)和第二水冷板(8 上；兩組所述MOS管(6)、二極管(4)和阻容吸收器件的供電部分通過連接片分別與所述第一水冷板(81)和第二水冷板(8 相連；所述第一水冷板(81)和第二水冷板(8 分別為直流供電電源的導(dǎo)電正、負極板。
2.如權(quán)利要求1所述的大功率MOSFET逆變半橋器件，其特征在于，所述第一水冷板 (81)和第二水冷板(8 的背面均焊接有冷卻用銅管(7)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的大功率MOSFET逆變半橋器件，其特征在于，所述第一水冷板(81)和第二水冷板(8 之間設(shè)有多個高頻濾波電容O)。
4.如權(quán)利要求1或2所述的大功率MOSFET逆變半橋器件，其特征在于，所述第一水冷板(81)和第二水冷板(8 均為銅板。
專利摘要本實用新型公開了一種大功率MOSFET逆變半橋器件，包括兩組對稱設(shè)置的MOS管、二極管和阻容吸收器件，兩組MOS管、二極管和阻容吸收器件分別設(shè)置在第一水冷板和第二水冷板上；兩組MOS管、二極管和阻容吸收器件的供電部分通過連接片分別與第一水冷板和第二水冷板相連；第一水冷板和第二水冷板分別為直流供電電源的導(dǎo)電正、負極板。本實用新型以水冷板作為直流供電電源的正、負極板，將MOS管、二極管、阻容吸收器件也安裝在此水冷板上，水冷板既作為直流的導(dǎo)電極板，同時又作為功率器件的散熱器。本實用新型省掉了原結(jié)構(gòu)的直流供電電源極板，使結(jié)構(gòu)更加緊湊，由于水冷板的面積很大，導(dǎo)電性能優(yōu)異，使得雜散電感降到了最低。
文檔編號H01L25/18GK202168004SQ201120285048
公開日2012年3月14日 申請日期2011年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月4日
發(fā)明者彭詠龍, 甄幸祿 申請人:保定三伊天星電氣有限公司