專利名稱：陣列基板、液晶面板及顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、液晶面板及顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，隨著數(shù)字化電視的普及，傳統(tǒng)的陰極射線管(CRT，Cathode Ray Tube)顯示由于數(shù)字化困難以及體積大、重量大、有輻射等缺點(diǎn)，逐漸被新一代顯示技術(shù)所替代。液晶顯示器OXD，LiLuid Crystal Display)具有重量輕、體積小、功耗低、無(wú)輻射、顯示分辨率高等優(yōu)點(diǎn)，逐漸成為主流產(chǎn)品。LCD的主體結(jié)構(gòu)包括對(duì)盒的陣列基板和彩膜基板，陣列基板的具體構(gòu)成如圖Ia所示，此外圖Ib為沿圖Ia中現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板俯視圖沿A-A’線提取的截面圖。其中陣列基板包括玻璃基板101，通過(guò)在玻璃基板101上覆蓋柵金屬膜，基于覆蓋的柵金屬膜形成的柵電極102、柵極掃描線103和存儲(chǔ)電容電極104，在柵電極102和柵極掃描線103上覆蓋有絕緣層105，在絕緣層105上覆蓋有源層106和數(shù)據(jù)線109，在有源層106上分別設(shè)置有源電極107和漏電極108，其中源電極107與漏電極108相對(duì)設(shè)置，且源電極107的一端與數(shù)據(jù)線109接觸；在覆蓋有源層106和數(shù)據(jù)線109的絕緣層105上覆蓋有鈍化層110，在鈍化層110上形成有像素電極111，像素電極111通過(guò)鈍化層110上設(shè)置的數(shù)個(gè)第一過(guò)孔 112之一與漏電極108連接?，F(xiàn)有技術(shù)中，在IXD陣列基板的制造過(guò)程中，由于像素電極111與柵極掃描線103 之間、像素電極111與數(shù)據(jù)線107之間、數(shù)據(jù)線107與柵極掃描線103之間的交叉交疊從而使陣列基板存在寄生電容。寄生電容是指非設(shè)計(jì)而產(chǎn)生的電容，因?yàn)樵摷纳娙莸拇嬖?，便?huì)產(chǎn)生源信號(hào)的延遲，進(jìn)而由于源信號(hào)的延遲而使LCD的顯示亮度發(fā)生改變，同時(shí)因?yàn)樵葱盘?hào)的延遲產(chǎn)生的垂直串?dāng)_，使會(huì)LCD的顯示圖像產(chǎn)生閃爍、圖像暫留或圖像亮度不均勻等問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板，用以提高LCD的顯示效果。一種陣列基板，包括數(shù)據(jù)線和柵極掃描線，所述數(shù)據(jù)線與柵極掃描線之間存在交疊區(qū)域，所述數(shù)據(jù)線上覆蓋有鈍化層，所述數(shù)據(jù)線在與柵極掃描線交疊的至少一個(gè)區(qū)域內(nèi)的寬度，較在與柵極掃描線非交疊的區(qū)域內(nèi)的寬度窄；所述鈍化層上在數(shù)據(jù)線寬窄變化的過(guò)渡區(qū)域分別設(shè)置有至少一個(gè)過(guò)孔；數(shù)據(jù)線變窄區(qū)域的上方沉積有像素電極材料，所述像素電極材料通過(guò)所述過(guò)孔與數(shù)據(jù)線導(dǎo)通?！N液晶面板，包括使用本實(shí)用新型提供的陣列基板。一種顯示設(shè)備，包括使用本實(shí)用新型提供的液晶面板。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板，由于數(shù)據(jù)線在與柵極掃描線交疊的區(qū)域內(nèi)的寬度，較在與柵極掃描線非交疊的區(qū)域內(nèi)的寬度變小，從而避免了現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板中由于存在大量寄生電容，會(huì)影響LCD顯示效果的問(wèn)題，因此基于本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板可以提高IXD的顯示效果。

圖Ia為現(xiàn)有技術(shù)中的LCD陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)圖；圖Ib為沿圖Ia中現(xiàn)有技術(shù)中的LCD陣列基板俯視圖沿A-A’線提取的截面圖；圖加為本實(shí)用新型實(shí)施例中LCD陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)圖；圖2b為沿圖加中本實(shí)用新型實(shí)施例中的LCD陣列基板俯視結(jié)構(gòu)圖沿A-A’線提取的截面圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提出的陣列基板制造方法流程圖；圖如為本實(shí)用新型實(shí)施例提出的玻璃基板上形成柵電極、柵極掃描線和存儲(chǔ)電容電極后的陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)圖；圖4b為對(duì)圖如中所示的陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)圖沿A-A’線提取的截面圖；圖fe為本實(shí)用新型實(shí)施例提出的設(shè)置絕緣層的陣列基板俯視結(jié)構(gòu)圖；圖恥為對(duì)圖fe中所示的陣列基板俯視結(jié)構(gòu)圖沿A-A’線提取的截面圖；圖6a為本實(shí)用新型實(shí)施例提出的覆蓋鈍化層后的陣列基板俯視結(jié)構(gòu)圖；圖6b為對(duì)圖6a所示的陣列基板俯視結(jié)構(gòu)圖沿A_A’線提取的截面圖。
具體實(shí)施方式
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中LCD陣列基板上由于寄生電容產(chǎn)生的源信號(hào)延遲，進(jìn)而由于該源信號(hào)延遲而使IXD的顯示亮度發(fā)生改變，同時(shí)因?yàn)楦脑葱盘?hào)延遲產(chǎn)生的垂直串?dāng)_，使IXD的顯示圖像產(chǎn)生閃爍、圖像暫留或圖像亮度不均勻等問(wèn)題，從而影響到了 LCD的顯示效果，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板，通過(guò)減小數(shù)據(jù)線與柵極掃描線之間的交疊面積，進(jìn)而減小由于數(shù)據(jù)線與柵極掃描線之間的交疊而產(chǎn)生的寄生電容，從而使得基于本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板制作的LCD的顯示效果可以得到較好的提高。本實(shí)用新型實(shí)施例提出的陣列基板組成結(jié)構(gòu)如圖加所示，此外圖2b為沿圖加中本實(shí)用新型實(shí)施例提出的陣列基板俯視圖沿A-A’線提取的截面圖，其中本實(shí)用新型提出的陣列基板包括玻璃基板101，通過(guò)在玻璃基板101上覆蓋柵金屬膜，基于覆蓋的柵金屬膜形成的柵電極102、柵極掃描線103和存儲(chǔ)電容電極104，在柵電極102和柵極掃描線103上覆蓋有絕緣層105，在絕緣層105上覆蓋有源層106和數(shù)據(jù)線109，在有源層106上分別設(shè)置有源電極107和漏電極108，其中源電極107與漏電極108相對(duì)設(shè)置，且源電極107的一端與數(shù)據(jù)線109接觸；在覆蓋有源層106和數(shù)據(jù)線109的絕緣層105上覆蓋有鈍化層110， 在鈍化層110上形成有像素電極111，像素電極111通過(guò)鈍化層110上設(shè)置的數(shù)個(gè)第一過(guò)孔 112之一與漏電極108連接。其中在現(xiàn)有技術(shù)中，在數(shù)據(jù)線109與柵極掃描線103之間交疊的區(qū)域中數(shù)據(jù)線109 的寬度，與在數(shù)據(jù)線109與柵極掃描線103之間非交疊的區(qū)域中數(shù)據(jù)線109的寬度相同，這樣就會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)線109與柵極掃描線103之間的交疊區(qū)域較大，從而會(huì)產(chǎn)生較大的寄生電容。由于在現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板上，設(shè)置在絕緣層105上的數(shù)據(jù)線109和設(shè)置在玻璃基板101上的柵極掃描線103之間的交疊區(qū)域部分會(huì)產(chǎn)生寄生電容，根據(jù)寄生電容的計(jì)算公式Cgd = ε 0 ε nA/d其中，Cgd代表寄生電容，^ci示真空介電常數(shù)，ε 表示介質(zhì)的介電常數(shù)，A表示柵極掃描線103和數(shù)據(jù)線109的交疊區(qū)域面積，d表示柵極掃描線103和數(shù)據(jù)線109之間的
垂直距離；由上述寄生電容的計(jì)算公式可知，要想減小寄生電容可以通過(guò)減小絕緣層105上的數(shù)據(jù)線109和玻璃基板101上的柵極掃描線103之間的交疊區(qū)域面積A或者增加?xùn)艠O掃描線103和數(shù)據(jù)線109之間的垂直距離d來(lái)達(dá)到減小寄生電容Cgd的目的，本實(shí)用新型實(shí)施例這里提出的陣列基板通過(guò)減小在絕緣層105上的數(shù)據(jù)線109與玻璃基板101上的柵極掃描線103之間的交疊區(qū)域面積A來(lái)實(shí)現(xiàn)減小寄生電容Cgd的目的。具體地，本實(shí)用新型實(shí)施例提出將在數(shù)據(jù)線109與柵極掃描線103之間交疊的區(qū)域中數(shù)據(jù)線109的寬度，較在數(shù)據(jù)線109與柵極掃描線103之間非交疊的區(qū)域中數(shù)據(jù)線109的寬度變窄，從而減小數(shù)據(jù)線109 與柵極掃描線103之間的交疊區(qū)域面積，進(jìn)而減小數(shù)據(jù)線109與柵極掃描線103之間由于交疊區(qū)域較大的原因產(chǎn)生的寄生電容，從而提高LCD的顯示效果。更為具體地，數(shù)據(jù)線109在與柵極掃描線103交疊的區(qū)域內(nèi)的寬度，較在與柵極掃描線103非交疊的區(qū)域內(nèi)的寬度變小，其中在鈍化層110中在數(shù)據(jù)線109中寬度小的部分與寬度大的部分的過(guò)渡區(qū)域分別設(shè)置有第二過(guò)孔113，進(jìn)而在鈍化層110上分別設(shè)置的第二過(guò)孔113上沉積有像素電極材料，從而實(shí)現(xiàn)像素電極材料與數(shù)據(jù)線109的寬度變小區(qū)域的導(dǎo)通，這樣就可以補(bǔ)償由于數(shù)據(jù)線109的寬度減小而使電阻增大的效應(yīng)，同時(shí)覆蓋在數(shù)據(jù)線109寬窄變化的過(guò)渡區(qū)域上的像素電極材料，并不會(huì)與數(shù)據(jù)線109之間形成寄生電容。上述實(shí)施例中提出的數(shù)據(jù)線109與柵極掃描線103之間交疊的區(qū)域中數(shù)據(jù)線109 的寬度變窄，數(shù)據(jù)線109變窄的寬度可以但不限于為數(shù)據(jù)線109與柵極掃描線103之間非交疊的區(qū)域中數(shù)據(jù)線109的寬度的三分之一，數(shù)據(jù)線109中寬度小的部分與寬度大的部分的過(guò)渡區(qū)域的形狀可以是矩形，也可以是其它形狀，如圓角矩形、弧形等。本實(shí)用新型實(shí)施例提出的陣列基板，是基于最優(yōu)實(shí)現(xiàn)方式實(shí)現(xiàn)的，其中，調(diào)整數(shù)據(jù)線109在與柵極掃描線103之間交疊的區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)線109的寬度，具體可以將數(shù)據(jù)線109 與柵極掃描線103之間所有交疊的區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)線109的寬度變窄，也可以只將其中一個(gè)交疊區(qū)域或幾個(gè)交疊區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)線109的寬度變窄。更具體地，可以將陣列基板的數(shù)據(jù)線109與柵極掃描線103之間所有交疊的區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)線109的寬度變小至相同的寬度， 也可以將陣列基板的數(shù)據(jù)線109與柵極掃描線103之間所有交疊的區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)線109的寬度變小至不同的寬度，此外，在鈍化層110中在數(shù)據(jù)線109中寬度小的部分與寬度大的部分的過(guò)渡區(qū)域可以分別設(shè)置一個(gè)或者多個(gè)第二過(guò)孔113，這樣就可以達(dá)到不同寬度的數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)減小的寄生電容也不相同，技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要做不同的調(diào)整，以達(dá)到最佳效果。在上述方案中，可以將數(shù)據(jù)線109變窄區(qū)域的上方沉積的像素電極材料的寬度設(shè)置為等于或小于數(shù)據(jù)線109變窄區(qū)域的寬度，優(yōu)選為將數(shù)據(jù)線109變窄區(qū)域的上方沉積的像素電極材料的寬度設(shè)置為等于數(shù)據(jù)線109變窄區(qū)域的寬度，此時(shí)可以在數(shù)據(jù)線109變窄區(qū)域?qū)挾纫欢ǖ那闆r下，最大限度地減小該區(qū)域的電阻，提高顯示效果。[0032]相應(yīng)地，這里還提出了一種陣列基板的制造方法，如圖3所示，為制造該陣列基板的方法流程圖，具體包括步驟31，在玻璃基板101上沉積一層?xùn)沤饘俦∧?，基于?gòu)圖工藝在沉積的柵金屬薄膜上形成柵電極102、柵極掃描線103的圖案和存儲(chǔ)電容電極104 ；如圖如所示，為本實(shí)用新型實(shí)施例提出的在玻璃基板上形成柵電極102、柵極掃描線103和存儲(chǔ)電容電極104后的陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)圖，圖4b為對(duì)圖如中所示的陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)圖沿A-A’線提取的截面圖。其中玻璃基板101上覆蓋的柵金屬薄膜可以但不限于為AINd、Al、Cu、Mo、Moff或 Cr的單層膜，或者為AINd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。步驟32，在步驟31處理后的形成有柵電極102、柵極掃描線103的圖案和存儲(chǔ)電容電極104的玻璃基板101上，沉積絕緣層105和有源層106，基于構(gòu)圖工藝在沉積的絕緣層105薄膜上形成數(shù)據(jù)線109、源電極107、和漏電極108 ；如圖如所示，為本實(shí)用新型實(shí)施例提出的設(shè)置絕緣層的陣列基板俯視結(jié)構(gòu)圖，圖恥為對(duì)圖如所示的陣列基板俯視結(jié)構(gòu)圖沿A-A’線提取的截面圖?；诓襟E31處理后的形成有柵電極102、柵極掃描線103的圖案和存儲(chǔ)電容電極104的玻璃基板101上，沉積有源層106和絕緣層105，并在絕緣層105上設(shè)置源電極107、漏電極108、和數(shù)據(jù)線109，源電極107的一端位于玻璃基板101上的柵電極102的上方，另一端與數(shù)據(jù)線109接觸，漏電極 108的一端位于玻璃基板101上的柵電極102上方，與源電極107相對(duì)設(shè)置，源電極107與漏電極108之間的溝道露出有源層106。并通過(guò)構(gòu)圖工藝在數(shù)據(jù)線109與柵極掃描線103 之間交疊的區(qū)域，將數(shù)據(jù)線109的寬度縮小至數(shù)據(jù)線109與柵極掃描線103之間非交疊的區(qū)域的數(shù)據(jù)線109寬度的三分之一。其中，覆蓋柵電極102和柵極掃描線103、絕緣層105的金屬膜層可以但不限于為 SiNx, SiOx或SiOxNy的單層膜，或者為SiNx、SiOx或SiOxNy之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜，絕緣層105上的源電極107和漏電極108的金屬膜層可以但不限于為Mo、MoW或Cr 的單層膜，或者為Mo、Moff或Cr之一或任意組合所構(gòu)成復(fù)合膜。步驟33，基于步驟32處理后的陣列基板沉積鈍化層110，并在鈍化層110上開設(shè)多個(gè)過(guò)孔；如圖6a所示，為本實(shí)用新型實(shí)施例提出的覆蓋鈍化層110的陣列基板俯視結(jié)構(gòu)圖，圖6b為對(duì)圖6a所示的陣列基板俯視結(jié)構(gòu)圖沿A-A’線提取的截面圖，在鈍化層上設(shè)置數(shù)個(gè)第一過(guò)孔，第一過(guò)孔的形狀可以但不限于為圓形，直徑以不超過(guò)數(shù)據(jù)線109的寬度為宜。 例如在鈍化層110上靠近絕緣層105上的漏電極108 —側(cè)設(shè)置的第一過(guò)孔112。此外上述已經(jīng)描述，在數(shù)據(jù)線109與柵極掃描線103之間交疊的區(qū)域中數(shù)據(jù)線109的寬度較非交疊區(qū)域中數(shù)據(jù)線109的寬度變窄，則這里在鈍化層110上，處于數(shù)據(jù)線109寬度由寬變窄或由窄變寬的過(guò)渡區(qū)域中分別設(shè)置第二過(guò)孔113。其中，形成鈍化層110的金屬膜可以但不限于為PVX膜。步驟34，基于步驟33處理后的陣列基板，沉積一層透明導(dǎo)電薄膜，基于構(gòu)圖工藝在沉積的透明導(dǎo)電薄膜上形成像素電極111 ；這樣像素電極111就可以通過(guò)數(shù)個(gè)第一過(guò)孔 112與絕緣層上的漏電極108連接，并通過(guò)數(shù)個(gè)第二過(guò)孔113實(shí)現(xiàn)像素電極材料的沉積導(dǎo)通，并由于像素電極材料覆蓋在數(shù)據(jù)線109上寬窄變化的過(guò)渡區(qū)域上，這樣就可以補(bǔ)償由于數(shù)據(jù)線109寬度減小而使電阻增大的效應(yīng)，同時(shí)覆蓋在數(shù)據(jù)線109寬窄變化的過(guò)渡區(qū)域上的像素電極材料，并不會(huì)與數(shù)據(jù)線109之間形成寄生電容。所述像素電極材料可以但不限于為ΙΤ0、IZO的單層膜，或者為ΙΤ0、IZO所構(gòu)成的
復(fù)合膜。具體地，上述所述的構(gòu)圖工藝包括但不限于為光刻膠涂覆、掩膜、曝光、刻蝕等工藝。相應(yīng)地，本實(shí)用新型實(shí)施例還提出了一種使用本實(shí)用新型實(shí)施例中提出的陣列基板制造的液晶面板，即基于本實(shí)用新型上述提出的新的陣列基板制造的液晶面板也在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。本實(shí)用新型還提供一種顯示設(shè)備，使用了上述的液晶面板。所述顯示設(shè)備可以為液晶電視、筆記本電腦、手機(jī)、平板電腦等。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括數(shù)據(jù)線和柵極掃描線，所述數(shù)據(jù)線與柵極掃描線之間存在交疊區(qū)域，所述數(shù)據(jù)線上覆蓋有鈍化層，其特征在于所述數(shù)據(jù)線在與柵極掃描線交疊的至少一個(gè)區(qū)域內(nèi)的寬度，較在與柵極掃描線非交疊的區(qū)域內(nèi)的寬度窄；所述鈍化層上在數(shù)據(jù)線寬窄變化的過(guò)渡區(qū)域分別設(shè)置有至少一個(gè)過(guò)孔；數(shù)據(jù)線變窄區(qū)域的上方沉積有像素電極材料，所述像素電極材料通過(guò)所述過(guò)孔與數(shù)據(jù)線導(dǎo)通。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線在與柵極掃描線交疊的至少一個(gè)區(qū)域內(nèi)的寬度，是在與柵極掃描線非交疊的區(qū)域內(nèi)的寬度的三分之一。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線在與柵極掃描線交疊的每一區(qū)域內(nèi)的寬度，較在與柵極掃描線非交疊的區(qū)域內(nèi)的寬度窄。
4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線在與柵極掃描線交疊的至少一個(gè)區(qū)域內(nèi)的部分的形狀為矩形、圓角矩形或弧形。
5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述鈍化層上在數(shù)據(jù)線寬窄變化的過(guò)渡區(qū)域分別設(shè)置有一個(gè)過(guò)孔。
6.如權(quán)利要求1 5任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述過(guò)孔為圓形、三角形或正方形。
7.如權(quán)利要求1 5任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，數(shù)據(jù)線變窄區(qū)域的上方沉積的像素電極材料的寬度等于或小于數(shù)據(jù)線變窄區(qū)域的寬度。
8.如權(quán)利要求1 5任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極為銦錫金屬氧化物ITO或鋯錫金屬氧化物IZO的單層膜，或者為ITO和IZO所構(gòu)成的復(fù)合膜。
9.一種液晶面板，其特征在于，包括權(quán)利要求1 8任一項(xiàng)所述的陣列基板。
10.一種顯示設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求9所述的液晶面板。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種陣列基板，包括數(shù)據(jù)線和柵極掃描線，所述數(shù)據(jù)線與柵極掃描線之間存在交疊區(qū)域，所述數(shù)據(jù)線上覆蓋有鈍化層，所述數(shù)據(jù)線在與柵極掃描線交疊的至少一個(gè)區(qū)域內(nèi)的寬度，較在與柵極掃描線非交疊的區(qū)域內(nèi)的寬度窄；所述鈍化層上在數(shù)據(jù)線寬窄變化的過(guò)渡區(qū)域分別設(shè)置有至少一個(gè)過(guò)孔；在數(shù)據(jù)線變窄區(qū)域的上方沉積有像素電極材料，所述像素電極材料通過(guò)所述過(guò)孔與數(shù)據(jù)線導(dǎo)通。使用本實(shí)用新型提供的陣列基板，可以減小數(shù)據(jù)線與柵極掃描線之間的寄生電容，提高LCD的顯示效果。
文檔編號(hào)H01L27/02GK202142534SQ20112028892
公開日2012年2月8日 申請(qǐng)日期2011年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月10日
發(fā)明者姜曉輝, 徐少穎, 李田生, 謝振宇, 閻長(zhǎng)江 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司