專利名稱：一種功率晶體管芯片保護結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種晶體管，特別涉及一種晶體管芯片保護結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管后道封裝包括劃片、粘片、焊線、包封、后固化、去廢、電鍍、切筋、測試等工序過程，其中決定晶體管成品內(nèi)在電參數(shù)質(zhì)量的工序主要是粘片、焊線；粘片過程是在一定放入溫度下通過一定的壓力將芯片的背面與框架的表面粘接起來，形成良好的歐姆接觸。粘片方式可根據(jù)產(chǎn)品性能要求有共晶、焊料等。其不足之處在于由于晶體管封裝成成品后，其芯片、框架、包封料等是不同材質(zhì)組成的，其塑封體內(nèi)各種材料的熱膨脹系數(shù)的不匹配所產(chǎn)生的應(yīng)力容易造成芯片斷裂，失效主要表現(xiàn)為開路，短路以及漏電流過大。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種功率晶體管芯片保護結(jié)構(gòu)，避免了芯片斷裂而導(dǎo)致的開路，提高了晶體管芯片的工作穩(wěn)定性。本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的一種功率晶體管芯片保護結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置在塑封體內(nèi)的安裝框架，所述安裝框架上粘接晶體管芯片的位置設(shè)置有一凹槽，凹槽的中心處設(shè)置有晶體管芯片，所述凹槽內(nèi)晶體管芯片的外周分布有將晶體管芯片固定在凹槽內(nèi)的焊料，所述晶體管芯片與安裝框架之間還通過焊絲相連接。本實用新型中，晶體管芯片通過焊料與框架粘接在一起，增加了晶體管芯片與安裝框架之間的緩沖層，從而減少材料之間的應(yīng)力，避免芯片斷裂現(xiàn)象的發(fā)生，提高了晶體管芯片工作的穩(wěn)定性。本實用新型可用于功率晶體管中。作為本實用新型的進一步改進，所述凹槽外側(cè)還設(shè)置有保護層。進一步增強了晶體管芯片的穩(wěn)定性，避免因擠壓導(dǎo)致的斷裂。

圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1晶體管芯片，2焊料，3保護層，4塑封體，5焊絲，6安裝框架。
具體實施方式
如圖1所示的一種功率晶體管芯片保護結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置在塑封體4內(nèi)的安裝框架 6，安裝框架6上粘接晶體管芯片1的位置設(shè)置有一凹槽，凹槽的中心處設(shè)置有晶體管芯片 1，凹槽內(nèi)晶體管芯片1的外周分布有將晶體管芯片1固定在凹槽內(nèi)的焊料2，晶體管芯片1 與安裝框架6之間還通過焊絲5相連接，凹槽外側(cè)還設(shè)置有保護層3。本實用新型中，晶體管芯片1通過焊料2與框架粘接在一起，增加了晶體管芯片1與安裝框架6之間的緩沖層，從而減少材料之間的應(yīng)力，避免晶體管芯片1斷裂現(xiàn)象的發(fā)生，提高了晶體管芯片1工作的穩(wěn)定性，在凹槽外側(cè)設(shè)置一層保護層3能進一步增強晶體管芯片1工作的穩(wěn)定性。 本實用新型并不局限于上述實施例，在本實用新型公開的技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)所公開的技術(shù)內(nèi)容，不需要創(chuàng)造性的勞動就可以對其中的一些技術(shù)特征作出一些替換和變形，這些替換和變形均在本實用新型的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種功率晶體管芯片保護結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置在塑封體內(nèi)的安裝框架，其特征在于，所述安裝框架上粘接晶體管芯片的位置設(shè)置有一凹槽，凹槽的中心處設(shè)置有晶體管芯片，所述凹槽內(nèi)晶體管芯片的外周分布有將晶體管芯片固定在凹槽內(nèi)的焊料，所述晶體管芯片與安裝框架之間還通過焊絲相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率晶體管芯片保護結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽外側(cè)還設(shè)置有保護層。
專利摘要本實用新型公開了晶體管領(lǐng)域內(nèi)的一種功率晶體管芯片保護結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置在塑封體內(nèi)的安裝框架，安裝框架上粘接晶體管芯片的位置設(shè)置有一凹槽，凹槽的中心處設(shè)置有晶體管芯片，凹槽內(nèi)晶體管芯片的外周分布有將晶體管芯片固定在凹槽內(nèi)的焊料，晶體管芯片與安裝框架之間還通過焊絲相連接。本實用新型通過在安裝框架上開設(shè)的凹槽內(nèi)固定晶體管芯片，增加了晶體管芯片與安裝框架之間的緩沖層，減少了材料之間的應(yīng)力，避免晶體管芯片斷裂現(xiàn)象的發(fā)生，從而提高了晶體管芯片工作的穩(wěn)定性。本實用新型可用于功率晶體管中。
文檔編號H01L23/28GK202159656SQ201120289180
公開日2012年3月7日 申請日期2011年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月10日
發(fā)明者高潮 申請人:揚州江新電子有限公司