專利名稱：新型高壓二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種二極管。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的高壓二極管，其芯片采用12層較高電阻率的芯片組成，體積大，正向通態(tài)電壓降高。特別我國(guó)微波爐生產(chǎn)行業(yè)通常的是12KV/0. 5A的高壓二極管，該器件的實(shí)際反向電壓在20-22KV之問(wèn)，正向電壓降在10-12V之間，因而器件的正向功耗功率在5-6W。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)合理，正向通態(tài)電壓降低的新型高壓二極管。本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案是一種新型高壓二極管，包括管體、芯片，其特征是芯片為8層低電阻率芯片形式。管體的剖面長(zhǎng)度為9. 5mm,高度為5mm。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)合理，產(chǎn)品具有高度的的抗反向浪涌能力，極低的正向通態(tài)電壓降，特別適宜在微波爐等高壓大電流工作環(huán)境的高壓二極管器件的生產(chǎn)。采用本實(shí)用新型高壓二極管同樣使用在微波爐生產(chǎn)行業(yè)，只采用6KV/0. 5A設(shè)計(jì)，其中器件的正向通態(tài)電壓只有5-6V ；器件的正向功耗功率不到3W，大幅度降低器件的工作結(jié)溫，提高了器件的工作可靠性。同時(shí)采用低壓設(shè)計(jì)也大幅度節(jié)約了芯片數(shù)量，降低了生產(chǎn)成本。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。

圖1是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示圖。
具體實(shí)施方式
一種新型高壓二極管，包括管體1、芯片2，芯片為8層低電阻率芯片形式。管體的剖面長(zhǎng)度為9. 5mm,高度為5mm。
權(quán)利要求1.一種新型高壓二極管，包括管體、芯片，其特征是芯片為8層低電阻率芯片形式。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型高壓二極管，其特征是管體的剖面長(zhǎng)度為9.5mm，高度為 5mm0
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種新型高壓二極管，包括管體、芯片，芯片為8層低電阻率芯片形式。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)合理，產(chǎn)品具有高度的抗反向浪涌能力，極低的正向通態(tài)電壓降，特別適宜在微波爐等高壓大電流工作環(huán)境的高壓二極管器件的生產(chǎn)。
文檔編號(hào)H01L29/861GK202259284SQ20112031915
公開(kāi)日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2011年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月29日
發(fā)明者李海濤 申請(qǐng)人:李海濤