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阻抗為50ω氮化鋁陶瓷基板80瓦負載片的制作方法

文檔序號:6942621閱讀:278來源:國知局
專利名稱:阻抗為50ω氮化鋁陶瓷基板80瓦負載片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉一種氮化鋁陶瓷基板負載片,特別涉及一種阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板80瓦負載片。
背景技術(shù)
氮化鋁陶瓷基板負載片主要用于在通信基站中吸收通信部件中反向輸入的功率, 如果不能承受要求的功率,負載就會燒壞,可能導致整個設(shè)備燒壞。負載片要求基本的尺寸越來越小,而需要吸收的功率越來越大,產(chǎn)品的特性也就是VSWR(駐波比)要越小越好,市場基礎(chǔ)需要滿足1. 25 1以內(nèi).隨著頻段的增高,產(chǎn)品的VSWR也就會越高.目前國內(nèi)的負載片要達到對應的功率,都選用尺寸較大的ALN基板,或者選擇有毒的Beo (氧化鈹)基板,不能滿足環(huán)?;蛘咄ㄐ谢拘⌒突囊?。

實用新型內(nèi)容針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種能夠承受 80W的功率,駐波需要能滿足目前3G以及3G以內(nèi)頻段的駐波比小于1.25 1的氮化鋁陶瓷基板負載片。為解決上述技術(shù)問題,本實用新型采用如下技術(shù)方案一種阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板80瓦負載片,其包括一 5. 0*5. 0*1. Omm的氮化鋁基板,所述氮化鋁基板的背面印刷有背導層,所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導線, 所述導線連接所述電阻形成負載電路,所述負載電路的接地端與所述背導層電連接,所述電阻上印刷有玻璃保護膜。優(yōu)選的,所述導線及玻璃保護膜的上表面還印刷有一層黑色保護膜。優(yōu)選的,所述背導層及導線由導電銀漿印刷而成,所述電阻由電阻漿料印刷而成。上述技術(shù)方案具有如下有益效果該結(jié)構(gòu)在原有的設(shè)計方案基礎(chǔ)上進一步優(yōu)化, 在更小的尺寸上實現(xiàn)的80瓦的功率要求,符合元器件領(lǐng)域的小型化發(fā)展趨勢,進而擴大了產(chǎn)品的應用領(lǐng)域.該結(jié)構(gòu)的阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板80瓦負載片具有良好的VSWR性能,在5. 0*5. 0*1. Omm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達到80W,同時使其特性達到了 3G,滿足了目前國內(nèi)3G網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)需求,使該尺寸的氮化鋁陶瓷基板使用范圍更廣,也更加能夠與設(shè)備進行良好的匹配。上述說明僅是本實用新型技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本實用新型的技術(shù)手段,并可依照說明書的內(nèi)容予以實施,以下以本實用新型的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本實用新型的具體實施方式
由以下實施例及其附圖詳細給出。

圖1為本實用新型實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本實用新型的優(yōu)選實施例進行詳細介紹。如圖1所示,該阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板80瓦負載片包括一 5. 0*5. 0*1. Omm 的氮化鋁基板1,氮化鋁基板1的背面印刷有背導層,氮化鋁基板1的正面印刷有電阻3及導線2,導線2連接電阻3形成負載電路,負載電路的接地端與背導層通過銀漿連接,從而使負載電路接地導通。背導層及導線2由導電銀漿印刷而成,電阻3由電阻漿料印刷而成。 電阻3上印刷有玻璃保護膜4。導線2及玻璃保護膜4的上表面還印刷有一層黑色保護膜 5。該結(jié)構(gòu)的阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板80瓦負載片具有良好的VSWR性能,在 5. 0*5. 0*1. Omm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達到80W,在更小的尺寸上實現(xiàn)的80瓦的功率要求,符合元器件領(lǐng)域的小型化發(fā)展趨勢,進而擴大了產(chǎn)品的應用領(lǐng)域.同時使其特性達到了 3G,使該尺寸的氮化鋁陶瓷基板使用范圍更廣,也更加能夠與設(shè)備進行良好的匹配。據(jù)檢測該氮化鋁陶瓷基板負載片能承受的功率非常穩(wěn)定,能夠完全達到通信期間吸收所需要功率的要求,以上對本實用新型實施例所提供的一種阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板80瓦負載片進行了詳細介紹,對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員,依據(jù)本實用新型實施例的思想,在具體實施方式
及應用范圍上均會有改變之處,綜上所述,本說明書內(nèi)容不應理解為對本實用新型的限制,凡依本實用新型設(shè)計思想所做的任何改變都在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板80瓦負載片,其特征在于其包括一 5. 0*5. 0*1. Omm的氮化鋁基板,所述氮化鋁基板的背面印刷有背導層,所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導線,所述導線連接所述電阻形成負載電路,所述負載電路的接地端與所述背導層電連接,所述電阻上印刷有玻璃保護膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板80瓦負載片,其特征在于所述導線及玻璃保護膜的上表面還印刷有一層黑色保護膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板80瓦負載片,其特征在于所述背導層及導線由導電銀漿印刷而成,所述電阻由電阻漿料印刷而成。
專利摘要本實用新型公開了一種阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板80瓦負載片,其包括一5.0*5.0*1.0mm的氮化鋁基板,所述氮化鋁基板的背面印刷有背導層,所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導線,所述導線連接所述電阻形成負載電路,所述負載電路的接地端與所述背導層電連接,所述電阻上印刷有玻璃保護膜。該結(jié)構(gòu)的阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板80瓦負載片具有良好的VSWR性能,在5.0*5.0*1.0mm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達到80W,同時使其特性突破了3G,使該尺寸的氮化鋁陶瓷基板使用范圍更廣,也更加能夠與設(shè)備進行良好的匹配。
文檔編號H01P1/22GK202178363SQ201120324870
公開日2012年3月28日 申請日期2011年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月1日
發(fā)明者郝敏 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司
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