專利名稱：阻抗為50ω氮化鋁陶瓷基板60瓦負(fù)載片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片，特別涉及一種阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板60瓦負(fù)載片。
背景技術(shù)：
氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片主要用于在通信基站中吸收通信部件中反向輸入的功率， 之前小功率產(chǎn)品都是用氧化鋁陶瓷作為基板，大功率產(chǎn)品都是用氧化鈹陶瓷作為基板，氮化鋁陶瓷基板的大功率負(fù)載片屬于新興產(chǎn)業(yè)，所以國(guó)內(nèi)外存在著負(fù)載片尺寸規(guī)格的相對(duì)集中的現(xiàn)象，沒(méi)有呈現(xiàn)客戶導(dǎo)向的多元化生產(chǎn)，導(dǎo)致了市場(chǎng)上普遍使用較高規(guī)格等級(jí)來(lái)替代較低規(guī)格的需求，比如需要50W或者60W的負(fù)載片時(shí)，就使用主流的100W負(fù)載片。而同時(shí)生產(chǎn)制造企業(yè)在基板尺寸上也普遍選用比較單一的尺寸完成各自不同的設(shè)計(jì)，這帶來(lái)的弊病就是價(jià)格優(yōu)勢(shì)的相對(duì)削弱和產(chǎn)品選擇的相對(duì)單一性。同時(shí)限制了客戶產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，因?yàn)樨?fù)載片擺放位置的尺寸背限制了，然而隨著不斷的發(fā)展，客戶要求自身產(chǎn)品設(shè)計(jì)的多樣性， 這就要求負(fù)載片的尺寸規(guī)格需要呈現(xiàn)多樣性發(fā)展。同時(shí)用更小的尺寸達(dá)到更大的功率也是目前市場(chǎng)的一個(gè)需要。

實(shí)用新型內(nèi)容針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種能夠承受 60W功率的氮化鋁基板負(fù)載片，尺寸要求能滿足4*4*lmm，性能要求能夠滿足目前市場(chǎng)需求，在原來(lái)50W尺寸不變的情況下達(dá)到60W的功率。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板60瓦負(fù)載片，其包括一 4*4*lmm的氮化鋁基板， 所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述接地端設(shè)在焊盤側(cè)邊，而不是對(duì)面，留出更多的空間增加了電阻的面積，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。優(yōu)選的，所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。優(yōu)選的，所述背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。上述技術(shù)方案具有如下有益效果憑借成熟的設(shè)計(jì)能力使該結(jié)構(gòu)的阻抗為50 Ω 氮化鋁陶瓷基板60瓦負(fù)載片具有良好的VSWR性能，在4*4*lmm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達(dá)到60W，性能滿足了市場(chǎng)需求，豐富了氮化鋁產(chǎn)品規(guī)格，實(shí)現(xiàn)了氮化鋁產(chǎn)品間不同功率的銜接，并通過(guò)基板的尺寸縮小降低了成本，使得客戶有更多的選擇得到了性價(jià)比更高的
女口
廣 PFt ο上述說(shuō)明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。
圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。如圖1所示，該阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板60瓦負(fù)載片包括一 4*4*lmm的氮化鋁基板1，氮化鋁基板1的背面印刷有背導(dǎo)層，氮化鋁基板1的正面印刷有電阻3及導(dǎo)線2， 導(dǎo)線2連接電阻3形成負(fù)載電路，負(fù)載電路的接地端與背導(dǎo)層通過(guò)銀漿電連接，從而使負(fù)載電路接地導(dǎo)通。背導(dǎo)層及導(dǎo)線2由導(dǎo)電銀漿印刷而成，電阻3由電阻漿料印刷而成。電阻 3上印刷有玻璃保護(hù)膜4。導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜4的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜5。該結(jié)構(gòu)的阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板60瓦負(fù)載片具有良好的VSWR性能，在 4*4*lmm的氮化鋁陶瓷基板上把接地端設(shè)在焊盤側(cè)邊，而不是對(duì)面，留出更多的空間增加了電阻的面積，使功率達(dá)到60W，性能滿足了市場(chǎng)需求，豐富了氮化鋁產(chǎn)品規(guī)格，實(shí)現(xiàn)了氮化鋁產(chǎn)品間不同功率的銜接，并通過(guò)基板的尺寸縮小降低了成本，使得客戶有更多的選擇得到了性價(jià)比更高的產(chǎn)品。據(jù)檢測(cè)該氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片能承受的功率較為穩(wěn)定，能夠完全達(dá)到通信期間吸收所需要功率的要求，以上對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種阻抗為50 Ω氮化鋁陶瓷基板60瓦負(fù)載片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制，凡依本實(shí)用新型設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板60瓦負(fù)載片，其特征在于其包括一 4*4*lmm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接， 所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板60瓦負(fù)載片，其特征在于所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板60瓦負(fù)載片，其特征在于所述背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板60瓦負(fù)載片，其包括一4*4*1mm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。該結(jié)構(gòu)的阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板60瓦負(fù)載片通過(guò)在50W負(fù)載片的設(shè)計(jì)上進(jìn)一步優(yōu)化而來(lái)，接地端設(shè)在焊盤側(cè)邊，而不是對(duì)面，留出更多的空間增加了電阻的面積，在同樣尺寸的基板上將功率提升了20％，相比于同功率的氮化鋁負(fù)載片普遍尺寸縮小了接近三分之一，同時(shí)具有良好的VSWR性能，滿足了市場(chǎng)的需求。就目前氮化鋁陶瓷基板的負(fù)載片生產(chǎn)尺寸規(guī)格比較集中無(wú)變化的情況下，更注重于市場(chǎng)導(dǎo)向，以不同的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了氮化鋁產(chǎn)品間不同功率的銜接，向提供客戶提供了多種選擇，體現(xiàn)了高性價(jià)比以及產(chǎn)品多樣化的優(yōu)勢(shì)。
文檔編號(hào)H01P1/22GK202259628SQ20112033546
公開(kāi)日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2011年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月8日
發(fā)明者郝敏 申請(qǐng)人:蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司