專利名稱：多層陶瓷電子元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種多層陶瓷電子元件，尤其涉及一種多層陶瓷電容器件結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，大多數(shù)的模組封裝產(chǎn)品都會使用電阻、多層陶瓷電容(Multi-layer Ceramic Chip Capacitor,MLCC)等被動(dòng)元件。多層陶瓷電子元件因其表面較光滑，封裝后， 其上下表面與封膠體之間容易形成微小分層。封裝模組在回流焊過程中，多層陶瓷電容的兩端的錫會再次融化。若多層陶瓷電容的兩端錫量較多，在毛細(xì)管力的作用下，融化的錫會順著所述微小分層流動(dòng)，從而使得所述多層陶瓷電容的兩端的錫連接而造成所述多層陶瓷電容短路，使產(chǎn)品失效。

實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，需提供一種多層陶瓷電子元件，可避免模組產(chǎn)品在封裝后電子元件與封膠體之間形成微小分層，產(chǎn)品在回流焊過程中能防止電子元件兩端的融化的錫流至電子元件與封裝體之間，從而可避免電子產(chǎn)品短路，以提高產(chǎn)品性能。本實(shí)用新型提供的多層陶瓷電子元件包括陶瓷基體及設(shè)于所述陶瓷基體的兩端的外部電極。所述陶瓷基體內(nèi)埋有與所述外部電極電連接的內(nèi)部電極。所述陶瓷基體于所述兩外部電極之間的外表面設(shè)有突出的阻焊層。優(yōu)選地，所述阻焊層包括多個(gè)阻焊條。優(yōu)選地，所述阻焊條均勻分布于所述陶瓷基體于所述兩外部電極之間的外表面。優(yōu)選地，所述阻焊條錯(cuò)落分布于所述陶瓷基體于所述兩外部電極之間的外表面。優(yōu)選地，所述阻焊層為方形凸塊。優(yōu)選地，所述阻焊層為菱形凸塊。優(yōu)選地，所述阻焊層為圓形凸塊。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型提供的多層陶瓷電子元件，通過在所述電子元件的外表面設(shè)置阻焊層，所述阻焊層與所述電子元件的表面形成階梯結(jié)構(gòu)，模組產(chǎn)品在封裝過程中，所述阻焊層的設(shè)置有效避免封膠體與電子元件表面之間形成微小分層。產(chǎn)品在回流焊過程中所述阻焊層能防止電子元件兩端的融化的錫流動(dòng)結(jié)合為一體，從而避免電子產(chǎn)品短路，以提高產(chǎn)品性能。

圖1是本實(shí)用新型第一具體實(shí)施方式
中多層陶瓷電子元件的示意圖。圖2是圖1中多層陶瓷電子元件的截面圖。圖3是本實(shí)用新型第二具體實(shí)施方式
中多層陶瓷電子元件的示意圖。圖4是本實(shí)用新型第三具體實(shí)施方式
中多層陶瓷電子元件的示意圖。主要元件符號說明[0017]多層陶瓷電子元件 100[0018]陶瓷基體10[0019]外表面11[0020]外部電極20[0021]內(nèi)部電極13[0022]第一內(nèi)部電極131[0023]第二內(nèi)部電極 132[0024]阻焊層30[0025]阻焊條31[0026]如下具體實(shí)施方式
將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說明本實(shí)用新型。
具體實(shí)施方式
[0027]請同時(shí)參照圖1及圖2。本實(shí)用新型提供的多層陶瓷電子元件100包括具有光滑外表面11的陶瓷基體10、設(shè)于所述陶瓷基體10兩端的外部電極20、內(nèi)埋于所述陶瓷基體 10內(nèi)且與所述外部電極20電連接的內(nèi)部電極13及突設(shè)于所述陶瓷基體10于所述兩外部電極20之間的外表面11的阻焊層30。阻焊層30與陶瓷基體10的外表面11形成階梯狀。[0028]陶瓷基體10內(nèi)埋有多個(gè)與外部電極20連接的內(nèi)部電極13。內(nèi)部電極13包括相互交錯(cuò)分布并分別與陶瓷基體10兩端的外部電極20連接的多個(gè)第一內(nèi)部電極131及多個(gè)第二內(nèi)部電極132。[0029]本實(shí)施方式中，所述外部電極20的材料為錫。阻焊層30的材料為絕緣材料。多層陶瓷電子元件100在封裝的過程中，由于阻焊層30的設(shè)置，且阻焊層30與陶瓷基體10 的外表面11形成階梯狀，使得封膠體與陶瓷基體10的外表面11結(jié)合更加緊密，可有效防止封膠體與陶瓷基體10的外表面11形成微小分層，從而可以避免封裝好的模組產(chǎn)品在回流焊過程中，兩外部電極20融化的錫流入所述微小分層中并結(jié)合一體，以防止所述多層陶瓷電子元件100出現(xiàn)短路。當(dāng)然，即使在封裝過程中，陶瓷基體10的外表面11與封膠體之間形成微小分層，當(dāng)封裝后的模組在回流焊過程中，由于阻焊層30突設(shè)于所述陶瓷基體10 的外表面11且位于所述兩外部電極20之間，能夠有效隔開陶瓷基體10的兩端的外部電極 20融化的錫，阻止二者結(jié)合為一體，從而可以避免所述電子元件100出現(xiàn)短路的現(xiàn)象，提高了產(chǎn)品的性能。本實(shí)施方式中，所述多層陶瓷電子元件100為多層陶瓷電容器件。[0030]本實(shí)施方式中，阻焊層30為方形凸塊，在其它實(shí)施方式中，阻焊層30亦可以為菱形凸塊或圓形凸塊等其它形狀。[0031]請參照圖3。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，阻焊層30包括多個(gè)阻焊條31。每一個(gè)阻焊條31環(huán)繞包圍于陶瓷基體10于兩外部電極20之間的外表面11。所述阻焊條31的設(shè)置使得陶瓷基體10的外表面11形成多層階梯狀，從而可使陶瓷基體10的外表面11與封膠體結(jié)合地更加緊密，能有效避免封膠體與陶瓷基體10的外表面11形成微小分層，且能阻擋陶瓷基體10的兩外部電極20融化的錫結(jié)合為一體，從而可以避免所述電子元件100 出現(xiàn)短路的現(xiàn)象。本實(shí)施方式中，所述阻焊條31均勻分布于陶瓷基體10于所述兩外部電極20之間的外表面11。在其它實(shí)施方式中，所述阻焊條31錯(cuò)落分布于陶瓷基體10于所述兩外部電極20之間的外表面11，如圖4所示，所述分布方式可節(jié)省阻焊層30的使用材料。[0032] 本實(shí)用新型提供的多層陶瓷電子元件結(jié)構(gòu)，通過在所述電子元件的表面設(shè)置阻焊層，所述阻焊層與所述電子元件的表面形成階梯結(jié)構(gòu)，模組產(chǎn)品在封裝過程中，所述阻焊層的設(shè)置可有效避免封膠體與電子元件表面之間形成微小分層。產(chǎn)品在回流焊過程中能防止電子元件的外部電極融化的錫結(jié)合為一體，從而可避免電子元件短路，以提高產(chǎn)品性能。
權(quán)利要求1.一種多層陶瓷電子元件，包括陶瓷基體及設(shè)于所述陶瓷基體的兩端的外部電極，所述陶瓷基體內(nèi)埋有與所述外部電極電連接的內(nèi)部電極，其特征在于所述陶瓷基體于所述兩外部電極之間的外表面設(shè)有突出的阻焊層。
2.如權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其特征在于，所述阻焊層包括多個(gè)阻焊條。
3.如權(quán)利要求2所述的多層陶瓷電子元件，其特征在于，所述阻焊條均勻分布于所述陶瓷基體于所述兩外部電極之間的外表面。
4.如權(quán)利要求2所述的多層陶瓷電子元件，其特征在于，所述阻焊條錯(cuò)落分布于所述陶瓷基體于所述兩外部電極之間的外表面。
5.如權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其特征在于，所述阻焊層為方形凸塊。
6.如權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其特征在于，所述阻焊層為菱形凸塊。
7.如權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其特征在于，所述阻焊層為圓形凸塊。
專利摘要一種多層陶瓷電子元件，包括陶瓷基體及設(shè)于所述陶瓷基體兩端的外部電極。所述陶瓷基體內(nèi)埋有與所述外部電極電連接的內(nèi)部電極。所述陶瓷基體于所述兩個(gè)外部電極之間的外表面設(shè)有突出的阻焊層。本實(shí)用新型提供的多層陶瓷電子元件在封裝過程中，所述阻焊層的設(shè)置有效避免封膠體與電子元件表面之間形成微小分層。產(chǎn)品在回流焊過程中所述阻焊層能防止電子元件兩端融化的錫流動(dòng)結(jié)合為一體，從而避免產(chǎn)品短路，以提高產(chǎn)品性能。
文檔編號H01G4/002GK202275713SQ20112033988
公開日2012年6月13日 申請日期2011年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月9日
發(fā)明者肖俊義 申請人:國碁電子(中山)有限公司