專利名稱：一種簡單可靠的低功耗延時電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種延時電路，具體是一種簡單可靠的低功耗延時電路。
背景技術(shù)：
延時電路的延時時間主要是通過改變R或C的大小來調(diào)整，但由于延時電路簡單，存在著延時時間短和精確度不高的缺點(diǎn)。對于需要延時時間較長且要求準(zhǔn)確的場合來說，簡單的RC電路根本不能滿足要求，此時就需要借助繼電器來實(shí)現(xiàn)。繼電器是一種用電流控制的開關(guān)裝置，是各種自動控制電路中必不可少的執(zhí)行器件。繼電器的工作原理是，當(dāng)繼電器線圈通電后，線圈中的鐵芯產(chǎn)生強(qiáng)大的電磁力，吸動銜鐵帶動簧片，使觸點(diǎn)1、2斷開，1、3 接通。當(dāng)線圈斷電后，彈簧使簧片復(fù)位，使觸點(diǎn)1、2接通，1、3斷開。我們只要把需要控制的電路接在觸點(diǎn)1、2間(1、2稱為常閉觸點(diǎn))或觸點(diǎn)1、3間(稱為常開觸點(diǎn))，就可以利用繼電器電路的延時。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供了一種簡單可靠的低功耗延時電路，解決了以往延時電路延時時間短，精確度不聞的問題。本實(shí)用新型為解決技術(shù)問題主要通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種簡單可靠的低功耗延時電路，包括依次串聯(lián)的電源端口 P、二極管D1、電阻R1、電阻R2、電容Cl以及繼電器J，繼電器J包括兩個常開觸點(diǎn)Kl和K2，二極管Dl和電容Cl的輸入端并聯(lián)有相互串聯(lián)的雙向可控硅SI和雙向二極管S2，常開觸點(diǎn)Kl并聯(lián)在雙向可控硅SI的兩端，常開觸點(diǎn)K2與電阻R4串聯(lián)后并聯(lián)在電容Cl的兩端。常開觸點(diǎn)Kl與電源端口 P之間接延時電器W，比如，冰箱、照明設(shè)備等。所述電阻R2與電容Cl的兩端并聯(lián)有電容C2。所述電容C2的兩端并聯(lián)有二極管D2。所述雙向二極管S2與常開觸點(diǎn)Kl之間連接有電阻R3。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)和有益效果本實(shí)用新型采用繼電器來實(shí)現(xiàn)延時功能，首先是對電容Cl充電，當(dāng)達(dá)到雙向二極管S2的轉(zhuǎn)折電壓后，雙向二極管S2導(dǎo)通并觸發(fā)雙向可控硅SI導(dǎo)通，使繼電器J吸合，常開觸點(diǎn)Kl、K2閉合，延時電器W導(dǎo)通開始工作，延時時間可以通過改變電阻R2和電容Cl的大小來調(diào)整，這樣，不僅可以獲得所需的延遲時間，還提高了延遲的精確度。

圖I為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。實(shí)施例如圖I所示，本實(shí)用新型包括依次串聯(lián)的電源端口 P、二極管D1、電阻R1、電阻R2、電容Cl以及繼電器J，繼電器J包括兩個常開觸點(diǎn)Kl和K2，二極管Dl和電容Cl的輸入端并聯(lián)有相互串聯(lián)的雙向可控硅SI和雙向二極管S2，常開觸點(diǎn)Kl并聯(lián)在雙向可控硅SI的兩端，常開觸點(diǎn)K2與電阻R4串聯(lián)后并聯(lián)在電容Cl的兩端。本實(shí)施例的電阻R2與電容Cl的兩端并聯(lián)有電容C2。本實(shí)施例的電容C2的兩端并聯(lián)有二極管D2。本實(shí)施例的雙向二極管S2與常開觸點(diǎn)Kl之間連接有電阻R3?！け緦?shí)用新型的工作原理為首先，接通電源，整個電路對電容Cl進(jìn)行充電，當(dāng)電容Cl兩端的電壓達(dá)到雙向二極管S2的轉(zhuǎn)折電壓后，雙向二極管S2導(dǎo)通并觸發(fā)雙向可控硅SI導(dǎo)通，使繼電器J吸合，于是常開觸點(diǎn)Kl、K2閉合，雙向可控硅SI被短路，延時電器W導(dǎo)通開始工作，延時時間可以通過改變電阻R2和電容Cl的大小來調(diào)整。如上所述，則能很好地實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。
權(quán)利要求1.一種簡單可靠的低功耗延時電路，其特征在于包括依次串聯(lián)的電源端ロ P、ニ極管D1、電阻R1、電阻R2、電容Cl以及繼電器J，繼電器J包括兩個常開觸點(diǎn)Kl和K2，ニ極管Dl和電容Cl的輸入端并聯(lián)有相互串聯(lián)的雙向可控硅SI和雙向ニ極管S2，常開觸點(diǎn)Kl并聯(lián)在雙向可控硅SI的兩端，常開觸點(diǎn)K2與電阻R4串聯(lián)后并聯(lián)在電容Cl的兩端。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種簡單可靠的低功耗延時電路，其特征在于所述電阻R2與電容Cl的兩端并聯(lián)有電容C2。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ー種簡單可靠的低功耗延時電路，其特征在于所述電容C2的兩端并聯(lián)有ニ極管D2。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種簡單可靠的低功耗延時電路，其特征在于所述雙向ニ極管S2與常開觸點(diǎn)Kl之間連接有電阻R3。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種簡單可靠的低功耗延時電路，包括依次串聯(lián)的電源端口P、二極管D1、電阻R1、電阻R2、電容C1以及繼電器J，繼電器J包括兩個常開觸點(diǎn)K1和K2，二極管D1和電容C1的輸入端并聯(lián)有相互串聯(lián)的雙向可控硅S1和雙向二極管S2，常開觸點(diǎn)K1并聯(lián)在雙向可控硅S1的兩端，常開觸點(diǎn)K2與電阻R4串聯(lián)后并聯(lián)在電容C1的兩端。本實(shí)用新型采用上述結(jié)構(gòu)，能獲得所需的延遲時間，同時提高延遲的精確度。
文檔編號H01H47/18GK202423135SQ20112045591
公開日2012年9月5日 申請日期2011年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月17日
發(fā)明者李勝峰 申請人:四川藍(lán)訊寶邇電子科技有限公司