專利名稱:改進型晶片封裝結構的制作方法
技術領域:
本實用新型涉及一種半導體元件,尤其是一種解決黏著層溢流污染焊線電性連接區(qū)域問題的改進型晶片封裝結構。
背景技術:
集成電路中的晶片是由晶圓制作、電路設計、光罩制作以及切割晶圓等步驟而完成,每一顆由晶圓切割所形成的晶片,在經(jīng)由晶片上的焊墊與外部訊號電性連接后,再以膠 體材料將晶片包覆,,其封裝的目的在于防止晶片受到濕氣、熱量、雜訊的影響,并提供晶片與外部電路的間電性連接的媒介?,F(xiàn)有的封裝結構包括晶片,線路基板,黏著層、多條焊線和膠體,晶片通過有環(huán)氧樹脂制成的黏著層接合于線路基板上,晶片上表面上的多個焊墊通過多個焊線與線路基板電性連接,膠體包覆晶片、黏著層和該些焊線。由于黏著層具有流動性,黏著層的加壓容易使得黏著層溢流至線路基板的其他區(qū)域,甚至污染線路基板與該些焊線電性連接的區(qū)域,造成降低封裝的良率。因此,現(xiàn)有技術有待于改進和提聞。
發(fā)明內(nèi)容針對現(xiàn)有技術存在的不足之處,本發(fā)明的目的是提供一種解決黏著層溢流污染焊線電性連接區(qū)域問題的改進型晶片封裝結構。為實現(xiàn)上述目的,本實用新型是通過以下技術手段來實現(xiàn)的一種改進型晶片封裝結構,包括線路基板,兩階段熱固性黏著層,晶片和膠體,所述的線路基板的上表面中部黏著有兩階段熱固性黏著層,該兩階段熱固性黏著層的上表面設有晶片;所述的線路基板還設有一貫孔,對應于貫孔的晶片的下表面設有焊墊,該焊墊通過貫孔由焊線電性連接線路基板的下表面,所述的膠體包覆晶片,并填入貫孔包覆晶片和焊線。與現(xiàn)有技術相比,本實用新型的有益效果是由于本實用新型的晶片封裝結構的兩階段熱固性黏著層可預先固化為固態(tài)或凝膠態(tài)的熱固性黏著層,因此在進行后續(xù)將晶片壓合至線路基板或?qū)⒕瑝汉现亮硪痪闹瞥滩襟E時,兩階段熱固性黏著層不會溢流至線路基板或另一晶片的其他區(qū)域,進而污染線路基板或另一晶片與焊線電性連接的區(qū)域。本實用新型結構簡單、設計合理,具有廣泛的市場價值和巨大的市場潛力。
附圖I為本實用新型改進型晶片封裝結構的結構示意圖。圖中各標號分別是(I)線路基板,(2)兩階段熱固性黏著層,(3)晶片,(4)膠體,
(5)焊墊,(6)焊線,(7)貫孔。
具體實施方式
[0010]
以下結合附圖對本實用新型作進一步的詳細說明參看圖1,本實用新型一種改進型晶片封裝結構,包括線路基板1,兩階段熱固性黏著層2,晶片3和膠體4,所述的線路基板I的上表面中部黏著有兩階段熱固性黏著層2,該兩階段熱固性黏著層2的上表面設有晶片3 ;所述的線路基板I還設有一貫孔7,對應于貫孔7的晶片3的下表面設有焊墊5,該焊墊5通過貫孔7由焊線6電性連接線路基板I的下表面,所述的膠體4包覆晶片3,并填入貫孔7包覆晶片3和焊線6。 以上所述,僅是本實用新型的較佳實施例而已,并非對本實用新型作任何形式上的限制,任何熟悉本專業(yè)的技術人員可能利用上述揭示的技術內(nèi)容加以變更或修飾為等同變化的等效實施例,但是凡未脫離本實用新型技術方案內(nèi)容,依據(jù)本實用新型的技術實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本實用新型技術方案的范圍內(nèi)。
權利要求1.一種改進型晶片封裝結構,包括線路基板,兩階段熱固性黏著層,晶片和膠體,其特征在于所述的線路基板的上表面中部黏著有兩階段熱固性黏著層,該兩階段熱固性黏著層的上表面設有晶片;所述的線路基板還設有一貫孔,對應于貫孔的晶片的下表面設有焊墊,該焊墊通過貫孔由焊線電性連接線路基板的下表面,所述的膠體包覆晶片,并填入貫孔包覆晶片和焊線。
專利摘要本實用新型公開了一種改進型晶片封裝結構,包括線路基板,兩階段熱固性黏著層,晶片和膠體,所述的線路基板的上表面中部黏著有兩階段熱固性黏著層,該兩階段熱固性黏著層的上表面設有晶片;所述的線路基板還設有一貫孔,對應于貫孔的晶片的下表面設有焊墊,該焊墊通過貫孔由焊線電性連接線路基板的下表面,所述的膠體包覆晶片,并填入貫孔包覆晶片和焊線。本實用新型結構簡單、設計合理,具有廣泛的市場價值和巨大的市場潛力。
文檔編號H01L23/00GK202363442SQ20112048805
公開日2012年8月1日 申請日期2011年11月30日 優(yōu)先權日2011年11月30日
發(fā)明者彭蘭蘭 申請人:彭蘭蘭