專利名稱：微型貼片二極管的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及二極管技術領域，具體涉及一種微型貼片二極管。
背景技術：
微型貼片二極管，它是普通二極管封裝的發(fā)展趨勢，尺寸更小、厚度更薄的微型貼片二極管才能滿足市場對電子設備不斷小型化的需求。安森美作為半導體行業(yè)內的龍頭之一，率先開發(fā)出了 S0D123-FL封裝的微型貼片二極管，并處于領先地位。國內僅有紹興旭昌等幾家開發(fā)出了類似的產品。比較而言， S0D123-FL封裝的瓦特/mm2熱性能比S0D-123提高達149%，比SMA提高達90. 5 %，比 PowerMite提高達26. 5%0 S0D123-FL厚度(最大為I. 3mm)與標準S0D-123封裝相當，非常適宜講究電路板空間的便攜應用。傳統(tǒng)的銅框架引線結構如圖I所示，芯片本體I的上表面和下表面均設有焊錫層 2，正極引腳3的一端與焊錫層2焊接后經多次折彎后引出到塑封體5的外部，負極引腳4從芯片本體I中部引出，折彎后包裹至本體底部，厚度較大。S0D123-FL的微型貼片二極管封裝，采用金絲球焊接工藝，封裝體積小、厚度薄，但其對設備要求很高，設備投資大。而且，由于其采用的金絲直徑僅有數十微米，抗正向浪涌能力差，散熱效果不佳。芯片厚度方面，目前國內二極管業(yè)界普遍采用厚度260微米左右的芯片，太厚會增加單顆芯粒成本；厚度太薄，封裝過程中芯粒容易受應力擠壓而破碎。焊錫層厚度方面，預焊工藝受焊接效果影響， 焊錫量較難控制，焊錫層厚度離散性大，在封裝過程中容易產生破管。
發(fā)明內容針對上述問題，本實用新型的目的是提供一種體積小、厚度薄的微型貼片二極管。實現本實用新型的技術方案如下微型貼片二極管，包括芯片、焊錫層、正極引腳、負極引腳以及塑封體，所述正極引腳的一端與位于芯片上表面的焊錫層焊接，正極引腳經過第一次轉折和第二次轉折后延伸到塑封體的外部，負極引腳的一端與位于芯片下表面的焊錫層焊接，負極引腳的另一端經兩次轉折后延伸到塑封體的外部。所述芯片的厚度為180-220微米。采用了上述方案，該微型貼片二極管以獨有的引腳結構以及最佳功效的線夾設計，允許低正向電壓。附帶線夾的內部設計比引線粘結封裝具有更優(yōu)秀的浪涌電流能力，成為瞬態(tài)電壓抑制應用的理想封裝選擇。在新型封裝內采用低泄漏電流硅技術，可以更好地節(jié)省能量。并以環(huán)保、無鉛的封裝平臺提供更佳性能。微型貼片二極管，它是普通二極管封裝的發(fā)展趨勢，尺寸更小、厚度更薄的微型貼片二極管才能滿足市場對電子設備不斷小型化的需求。
以下結合附圖和具體實施方式
對本實用新型作進一步說明。
圖1為現有貼片二極管的結構示意圖；圖2為本實用新型的貼片二極管的結構示意圖；圖中，10為芯片，20為焊錫層，30為正極引腳，40為負極引腳，50為塑封體。
具體實施方式
參照圖2，本實用新型的微型貼片二極管，包括芯片10、焊錫層20、正極引腳30、負極引腳40以及塑封體50。芯片10的厚度為180-220微米，優(yōu)選為200微米。正極引腳30 呈Z字型，正極引腳30的一端與位于芯片10上表面的焊錫層20焊接，正極引腳經過第一次轉折和第二次轉折后延伸到塑封體的外部。負極引腳呈Z字型，負極引腳40的一端與位于芯片下表面的焊錫層焊接，負極引腳40的另一端經兩次轉折后延伸到塑封體的外部。
權利要求1.微型貼片二極管，包括芯片、焊錫層、正極引腳、負極引腳以及塑封體，其特征在于 所述正極引腳的一端與位于芯片上表面的焊錫層焊接，正極引腳經過第一次轉折和第二次轉折后延伸到塑封體的外部，負極引腳的一端與位于芯片下表面的焊錫層焊接，負極引腳的另一端經兩次轉折后延伸到塑封體的外部。
2.根據權利要求I所述的微型貼片二極管，其特征在于所述芯片的厚度為180-220 微米。
3.根據權利要求I所述的微型貼片二極管，其特征在于所述負極引腳呈Z字型。
專利摘要本實用新型涉及一種微型貼片二極管，包括芯片、焊錫層、正極引腳、負極引腳以及塑封體，所述正極引腳的一端與位于芯片上表面的焊錫層焊接，正極引腳經過第一次轉折和第二次轉折后延伸到塑封體的外部，負極引腳的一端與位于芯片下表面的焊錫層焊接，負極引腳的另一端經兩次轉折后延伸到塑封體的外部。本實用新型具有體積小、厚度薄的優(yōu)點。
文檔編號H01L29/861GK202352653SQ201120488440
公開日2012年7月25日 申請日期2011年11月30日 優(yōu)先權日2011年11月30日
發(fā)明者梁楓 申請人:常州星海電子有限公司