專利名稱：基于陶瓷基板的發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種固體發(fā)光器件，尤其是一種基于陶瓷基板的具有高發(fā)光效率的發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
隨著發(fā)光二極管(LED)的發(fā)光效率不斷提高，LED無(wú)疑成為近幾年來(lái)最受重視的光源之一。LED是一種具有節(jié)能和環(huán)保特性的照明光源，集高光效、低能耗、低維護(hù)成本等優(yōu)良性能于一身。理論上預(yù)計(jì)，半導(dǎo)體LED照明燈具的發(fā)光效率可以達(dá)到甚至超過(guò)白熾燈的 10倍，日光燈的2倍。目前LED技術(shù)發(fā)展的目標(biāo)是高效率、全固態(tài)、環(huán)保型LED，推進(jìn)LED在照明領(lǐng)域的應(yīng)用。在LED器件的應(yīng)用中，散熱是影響LED性能和壽命的一個(gè)重要因素。為了提高LED 器件的散熱性能，目前大多數(shù)期器件采用倒裝結(jié)構(gòu)，將LED芯片的電極制作在同一面后，邦定在一基板上。為了將LED芯片的電極弓丨出，采用電極再分布技術(shù)將LED芯片的電極弓I出。 如圖I所示，LED芯片包括外延層100，其上依次設(shè)有N型層101、發(fā)光層103和P型層104， 在一穿過(guò)P型層和發(fā)光層的刻蝕孔中露出的設(shè)置有N歐姆接觸層102，在P型層104上設(shè)置 P歐姆接觸層105。為了能夠?qū)歐姆接觸層102和P歐姆接觸層105引出，采用電極再分布技術(shù)，在中間部分的P歐姆接觸層105上設(shè)置一絕緣的介電層106將中間部分的P歐姆接觸層105隔離，然后在介電層106上開(kāi)通孔引出N歐姆接觸層102。引出的N歐姆接觸層102和P歐姆接觸層105與LED芯片設(shè)置的N電極107和P電極108電連接，一般會(huì)將 N電極和P電極設(shè)置成距離比較遠(yuǎn)的兩大塊。由于電極再分布方法通過(guò)制作一層絕緣的介電層將N電極下107下方的N歐姆接觸層102屏蔽，這種方法的既增加了制作工藝難度，降低了產(chǎn)品的良率和可靠性，并且P歐姆接觸層105只能通過(guò)邊緣部分與P電極108導(dǎo)出，導(dǎo)致LED芯片電流局部不均勻，極大的降低了 LED芯片的發(fā)光效率。為了解決這個(gè)問(wèn)題，美國(guó)專利US2007096130公開(kāi)了一種具有良好的電流均勻性的LED芯片的結(jié)構(gòu)。如圖2a和圖2b所述，直接通過(guò)刻蝕孔將氮化鎵N型層26經(jīng)N歐姆接觸層50引至N金屬電極層34。如圖2a所示，離散分布在P歐姆接觸層34中的N歐姆接觸層38通過(guò)LED芯片底面的叉指狀結(jié)構(gòu)的金屬層將N歐姆接觸層38引出，不但降低了工藝難度，而且提高了芯片的散熱性能。但是這種在LED芯片上將分立的電極連接到LED芯片底面的金屬電極層的方式要求布線加工精度很高，金屬層線寬或者間距比較大，難以有效的增加與N歐姆接觸層的接觸面積，造成各N歐姆接觸層連接點(diǎn)之間的電流差異很大，局部電流密度過(guò)高導(dǎo)致發(fā)光效率下降。
發(fā)明內(nèi)容針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的是要提供一種基于陶瓷基板的、工藝簡(jiǎn)單而且發(fā)光效率高的發(fā)光器件。本發(fā)明的另外一個(gè)目的是要提供一種制作該發(fā)光器件的方法。[0007]為實(shí)現(xiàn)提供一種基于陶瓷基板的發(fā)光器件的目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下一種基于陶瓷基板的發(fā)光器件，包括至少一 LED芯片和承載所述LED芯片的陶瓷基板，所述LED芯片下表面設(shè)有至少一芯片第一電極和芯片第二電極，所述芯片第一電極呈點(diǎn)陣狀離散地分布在所述芯片第二電極之間，并與所述芯片第二電極電氣隔離；所述陶瓷基板上表面設(shè)有基板第一電極和基板第二電極，所述基板第一電極包括第一基座和至少一第一叉指，所述第一叉指設(shè)于所述第一基座一端并與所述第一基座電連接，其上表面與至少一所述芯片第一電極電連接；所述基板第二電極包括第二基座和至少一第二叉指，所述第二叉指設(shè)于所述第二基座一端并與所述第二基座電連接，其上表面與所述芯片第二電極電連接； 所述第一叉指與所述第二叉指呈犬牙狀交錯(cuò)設(shè)置。具體的，所述LED芯片自上而下設(shè)有外延層、N型氮化鎵層、多量子阱層和P型氮化鎵層，所述P型氮化鎵層上設(shè)有至少一刻蝕孔，所述刻蝕孔穿過(guò)所述多量子阱層直至露出所述N型氮化鎵層；在所述刻蝕孔中露出的N型氮化鎵層上設(shè)有N歐姆接觸層，所述P型氮化鎵層上設(shè)有P歐姆接觸層；所述N歐姆接觸層和所述P歐姆接觸層上分別設(shè)有所述芯片第一電極和所述芯片第二電極。進(jìn)一步，所述第一叉指之間和第二叉指之間以及第一叉指和第二叉指之間的相對(duì)高度小于lum。優(yōu)選的，所述第一叉指和第二叉指通過(guò)金屬凸點(diǎn)分別與所述芯片第一電極和芯片第二電極電連接。進(jìn)一步，所述LED芯片的上表面還設(shè)有一熒光粉層。進(jìn)一步,所述第一基座和第二基座上還設(shè)有一反光層。進(jìn)一步，所述基板采用AIN材料制作，其厚度為100 lOOOum。進(jìn)一步，還包括一設(shè)于所述基板第一電極和基板第二電極之間并且與所述LED芯片并聯(lián)的靜電保護(hù)器件。優(yōu)選的，所述靜電保護(hù)器件為齊納二極管或者兩個(gè)反向設(shè)置的二極管。為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明所述的另外一個(gè)目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下一種發(fā)光器件的制作方法，包括以下步驟I)制作一如權(quán)利要求I所述的LED芯片；2)通過(guò)濺射或者蒸發(fā)的方法在陶瓷基板的上表面制作一金屬層，然后在該金屬層上進(jìn)行光刻或者腐蝕，得到具有權(quán)利要求I中所述的基板第一電極輪廓的第一金屬層和具有基板第二電極輪廓的的第二金屬層；3)通過(guò)電鍍或者化學(xué)鍍的方法分別在所述第一金屬層和第二金屬層上制作一第三金屬層和第四金屬層后，對(duì)所述第三金屬層和第四金屬層進(jìn)行研磨；4)通過(guò)電鍍或者化學(xué)鍍的方法分別在所述第三金屬層和第四金屬層上制作一第五金屬層和第六金屬層，完成所述基板第一電極和基板第二電極的制作；5)將所述LED芯片下表面的芯片第一電極和芯片第二電極分別邦定到所述陶瓷基板上表面的基板第一電極和基板第二電極。進(jìn)一步，在步驟5)之前在所述陶瓷基板或者LED芯片上制作至少一金屬凸點(diǎn)，所述芯片第一電極和芯片第二電極分別通過(guò)所述金屬凸點(diǎn)與所述基板第一電極和基板第二電極邦定。進(jìn)一步，所述步驟3)中通過(guò)研磨后基板第一電極的第一叉指之間和基板第二電極的第二叉指之間以及第一叉指和第二叉指之間的高度差小于I微米。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所述的技術(shù)方案通過(guò)在陶瓷基板上的金屬層將LED芯片中離散分布的電極引出，降低了對(duì)LED芯片的加工工藝要求，使LED芯片上的離散的電極可以分布更加密集，提高了電流分布的均勻性從而提高了發(fā)光效率。為了充分地了解本發(fā)明的目的、特征和效果，以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的構(gòu)思、具體結(jié)構(gòu)及產(chǎn)生的技術(shù)效果作進(jìn)一步說(shuō)明。

圖I是現(xiàn)有技術(shù)中采用電極再分布技術(shù)制作的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2a是現(xiàn)有技術(shù)中在LED芯片上引出電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2b是圖2a中4-4處的剖面視圖；圖3是本發(fā)明所述的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3a是圖3中A-A處的剖面視圖；圖4是發(fā)光器件的LED芯片的仰視圖；圖4a是圖4中B-B處剖面視圖；圖5是發(fā)光器件的陶瓷基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是圖5中C-C處的剖面示意圖。圖中100-LED芯片；101_外延層；102_N型氮化鎵層；103_多量子阱層；104_P型氮化鎵層；105-N歐姆接觸層；106-P歐姆接觸層；107-芯片第一電極；108-芯片第二電極; 200-陶瓷基板；210_基板第一電極；211-第一基座；212_第一叉指；213_第一金屬層； 214-第三金屬層；215_第五金屬層；220_基板第二電極；221_第二基座；222_第二叉指; 223-第二金屬層；224_第四金屬層；225_第六金屬層；230_金屬凸點(diǎn)；240_通孔引線； 250-正電極；260_負(fù)電極；270_反光層；280_靜電保護(hù)器件；300_熒光粉層；400_透鏡層。
具體實(shí)施方式
如圖3和圖3a所示，一種新型發(fā)光器件，包括至少一 LED芯片100和承載所述LED 芯片100的陶瓷基板200，LED芯片100的下表面設(shè)有芯片第一電極107和與所述芯片第一電極107電氣隔離的芯片第二電極108，芯片第一電極107呈點(diǎn)狀離散地分布在所述芯片第二電極108之間。陶瓷基板200的上表面設(shè)有與所述芯片第一電極107和芯片第二電極 108對(duì)應(yīng)的基板第一電極210和基板第二電極220電連接，以此將LED芯片100固定在所述陶瓷基板200之上。請(qǐng)參閱圖4和圖4a，圖4為L(zhǎng)ED芯片100底面的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4a為圖4中B-B 處的剖面視圖。LED芯片100從上至下設(shè)有外延層101，N型氮化鎵層102、多量子阱層103 和P型氮化鎵層104，其中外延層101可以采用藍(lán)寶石襯底。所述P型氮化鎵層104上設(shè)有至少一刻蝕孔，所述刻蝕孔穿過(guò)所述多量子阱層103直至刻蝕孔底部露出所述N型氮化鎵層102。在刻蝕孔底部露出的N型氮化鎵層102上制作N歐姆接觸層105，所述芯片第一電極107就設(shè)于所述N歐姆接觸層105的表面。作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式,芯片第一電極107可以設(shè)置成N列,其中第M列上至少設(shè)有一芯片第一電極107，其中N和M具有自然數(shù)且大于或等于2，M小于或等于N。更優(yōu)選的一種方式是，每列上的芯片第二電極107數(shù)量相等，并且等間距排列，形成一矩陣在LED 芯片100下表面排列。P型氮化鎵層104上設(shè)有P歐姆接觸層106，所述芯片第二電極108設(shè)于所述P歐姆接觸層106的表面。在P型氮化鎵層104的表面均覆蓋有P歐姆接觸層106，但所述芯片第二電極108卻可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用設(shè)置芯片第二電極108的形狀和覆蓋區(qū)域，作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式，可以將芯片第二電極108設(shè)置成條狀，假如一共在P歐姆接觸層106上設(shè)有 P條芯片第二電極108，其中第Q條芯片第二電極與第Q+1條芯片第二電極之間設(shè)有一列所述芯片第一電極107,這樣芯片第一電極107與芯片第二電極108相互間隔設(shè)置。請(qǐng)參閱圖5，圖5為陶瓷基板200上表面的結(jié)構(gòu)示意圖，基板200采用陶瓷材料制作，厚度為100 lOOOum，其上表面設(shè)有基板第一電極210和基板第二電極220?；宓谝浑姌O210包括第一基座211和設(shè)于第一基座211 —端的第一叉指212,第一基座211設(shè)于陶瓷基板200的端部，第一叉指212與所述LED芯片100的芯片第一電極107電連接?；宓诙姌O220包括一第二基座221和設(shè)于第二基座221 —端的第二叉指222，第二基座221 設(shè)于所述陶瓷基板200上與所述第一基座211相對(duì)的一端，第二叉指222與所述芯片第二電極108電連接。由于第一叉指212與第二叉指222需要分別與LED芯片100上芯片第一電極107 和芯片第二電極108電連接，因此第一叉指212與第二叉指222需要與所述芯片第一電極 107和芯片第二電極108的位置對(duì)應(yīng)。在上述優(yōu)選實(shí)施方式中，芯片第一電極107設(shè)置在相鄰的兩條所述芯片第二電極108之間，因此設(shè)置第一叉指212與第二叉指222呈交錯(cuò)狀，具體形狀如圖5所示。為了能夠?qū)⒌谝徊嬷?12和第二叉指222設(shè)置的比較精細(xì)，可以將第一叉指212 和第二叉指222通過(guò)研磨等方式加工到總厚度小于30um，將第一叉指212和第二叉指222 的線寬小于lOOum。相鄰兩個(gè)第一叉指212之間或者第二叉指222之間的間距小于75um。 為了能夠保證LED芯片100的芯片第一電極107和芯片第二電極108分別與第一叉指212 和第二叉指222有良好的電連接，需要使第一叉指212和第二叉指222之間的相對(duì)高度小于 Ium0為了將芯片第一電極107和芯片第二電極108能更好的與基板第一電極210和基板第二電極220相匹配，使芯片第一電極107和芯片第二電極108分別與第一叉指212和芯片第二叉指222有著更為良好的電接觸，可以在芯片第一電極107和芯片第二電極108 上制作金屬凸點(diǎn)，也可以如圖5所示，在第一叉指212上與芯片第一電極107對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置金屬凸點(diǎn)230，以及在第二叉指222上與芯片第二電極108對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置金屬凸點(diǎn) 230。金屬凸點(diǎn)230的材料可以是金、銅、鎳、錫中的一種或多種金屬的合金。為了將基板第一電極210和基板第二電極220引出，可以在基板200采用通孔引線的方式將其引出。在陶瓷基板200的下表面設(shè)有正電極260和副電極250，所述負(fù)電極 250和正電極260通過(guò)陶瓷基板200中的通孔引線240分別與所述基板第一電極210和基板第二電極220電連接。在陶瓷基板200的背面還設(shè)有一散熱金屬盤，增強(qiáng)其散熱能力。[0051]如圖3a所示，可以在LED芯片100的上表面是制作一熒光粉層207來(lái)提高發(fā)光器件的發(fā)光效率。熒光粉層270可以通過(guò)噴涂的方法，通過(guò)有限次實(shí)驗(yàn)調(diào)節(jié)熒光粉的配比以及噴涂次數(shù)來(lái)調(diào)節(jié)其厚度，達(dá)到最佳的出光效果。在LED芯片100的外部還包裹一透鏡層 400，透鏡層400可以采用硅膠制作，在做好的透鏡模具中灌有硅膠，將陶瓷基板200倒扣在模具上，固化后將模具取出后完成透鏡層400的制作。為了提高發(fā)光器件的發(fā)光效率，還可以在硅膠中加入熒光粉。如圖5所述，為了提高發(fā)光器件的抗靜電保護(hù)能力，在所述基板第一電極和基板第二電極之間并且與所述LED芯片并聯(lián)一靜電保護(hù)器件，其可以為齊納二極管或者兩個(gè)反向設(shè)置的二極管。在陶瓷基板200的第一基座211和第二基座221上設(shè)置一反光層270，增強(qiáng)發(fā)光器件的出光效率。反光層270的材料可以為鋁、銀、多層介質(zhì)膜或者硫酸鋇。為了更好的理解本發(fā)明所述的新型發(fā)光器件，以下詳細(xì)描述該發(fā)光器件的一種優(yōu)選的制作方法。步驟I :制作LED芯片a、在一外襯底101上生長(zhǎng)外延層，進(jìn)而在該外延層101上依次長(zhǎng)有N型氮化鎵層 102，多量子阱層103和P型氮化鎵層104 ；b、使用ICP、RIE的方法刻蝕P型氮化鎵外延層104，形成刻蝕孔，直至所述刻蝕孔底部露出N型氮化鎵層102 ；C、在P型氮化鎵層104和刻蝕孔底部露出的N型氮化鎵層102上分別制作P歐姆接觸層106和N金屬接觸層105 ；d、在N歐姆接觸層106上制作芯片第一電極107，在P歐姆接觸層上制作芯片第二電極108。還可以根據(jù)需要將做好電極的外延片進(jìn)行切割。步驟2 :請(qǐng)參閱圖6，在陶瓷基板200上表面用濺射、蒸發(fā)的方法制作一金屬層，然后在該金屬層上進(jìn)行光刻或者腐蝕，得到具有叉指狀的基板第一電極和基板第二電極形狀的第一金屬層213和第二金屬層223 ;第一金屬層的材料可以為鎳、招、鶴、銅和鈦中一種或其中多種金屬的合金。步驟3:通過(guò)電鍍或者化學(xué)鍍的方法分別在所述第一金屬層213和第二金屬層223 上制作一第三金屬層214和第四金屬層224后，對(duì)所述第三金屬層和第四金屬層進(jìn)行研磨， 研磨到第一金屬層213和第三金屬層214高度之和與第二金屬層223和第四金屬層224高度之和的相對(duì)高度小于I微米；當(dāng)相對(duì)高度大于Ium時(shí)，LED芯片100與陶瓷基板200之間的接觸面會(huì)存在部分電極接觸不上的情況，當(dāng)相對(duì)高度小于Ium時(shí)，LED芯片100與陶瓷基板200之間的接觸相對(duì)較好，電極基本都能夠完整的接觸。如果電極不能夠完全接觸，芯片上的電流分布就會(huì)不均勻，并且散熱面積會(huì)減少，這些都會(huì)影響器件的出光效果及器件的壽命。為了實(shí)現(xiàn)這種高度差，在基板第一電極210和基板第二電極220制作中加入了金屬層的研磨工藝，使得基板第一電極210和基板第二電極220的高度差距較小，并在完成全部工藝后達(dá)到所需要的高度差。第三金屬層214和第四金屬層224的材料可以是鎳、鋁、鎢、 銅和鈦中一種或上述多種金屬的合金。步驟4:通過(guò)電鍍或者化學(xué)鍍的方法分別在所述第三金屬層214和第四金屬層224 上制作一第五金屬層215和第六金屬層225,完成所述基板第一電極210和基板第二電極 220的制作。第五金屬層215和第六金屬層225的材料可以是鎳、金、銀、招、鶴、IE和鉬中的一種或上述多種金屬的合金。制作的基板第一電極210和基板第二電極220的厚度為8 30um。步驟5 :將所述LED芯片100下表面的芯片第一電極107和芯片第二電極108分別邦定到所述陶瓷基板200上表面的基板第一電極210和基板第二電極220。值得注意的是，在步驟5)之前，還可以在基板第一電極210和基板第二電極220 上制作金屬凸點(diǎn)230，也可以在芯片第一電極107和芯片第二電極108上制作金屬凸點(diǎn) 230，使芯片第一電極107和芯片第二電極108分別通過(guò)金屬凸點(diǎn)230與基板第一電極210 和基板第二電極220電連接，以此將LED芯片100與陶瓷基板200邦定。金屬凸點(diǎn)230可以采用蒸發(fā)、濺射、電鍍、化學(xué)鍍等方法在金屬凸點(diǎn)圖形上制作處金屬凸點(diǎn)270，最后去除光刻膠，完成金屬凸點(diǎn)270的制作。為了將LED芯片100的電極引出，可以在陶瓷基板200中通過(guò)激光或機(jī)械的方法鉆出通孔，并用銅Cu、鎳Ni、銀Ag等一種或多種金屬將通孔填上，形成通孔引線240。步驟 6 將一鋼網(wǎng)放置在陶瓷基板200上，鋼網(wǎng)上只露出LED芯片100的位置，噴涂后將鋼網(wǎng)拿走，則只在芯片上方留有熒光粉層300。噴涂時(shí)，可以進(jìn)行多次噴涂使LED芯片100上的熒光粉層300更加均勻。并能通過(guò)調(diào)節(jié)每次噴涂的熒光粉量及噴涂熒光粉的次數(shù)，來(lái)調(diào)節(jié)器件發(fā)光的色溫、顯色指數(shù)等。步驟7 :硅膠透鏡制作先在在做好的透鏡模具上灌有硅膠，再將步驟6后所得陶瓷基板200倒扣在模具上，固化后將模具拿走，則得到帶硅膠透鏡層400的發(fā)光器件。以上詳細(xì)描述了在陶瓷基板200上設(shè)有一 LED芯片100的結(jié)構(gòu)和制作方法，但在實(shí)際需要中還可以設(shè)置多個(gè)LED芯片100組成多芯片模組進(jìn)行使用。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所述的發(fā)光器件通過(guò)在陶瓷基板200上的金屬層將LED 芯片100中離散分布的電極引出，降低了對(duì)LED芯片100的加工工藝要求，使LED芯片100 上的離散的電極可以分布更加密集，提高了電流分布的均勻性從而提高了發(fā)光效率。以上詳細(xì)描述了本發(fā)明的較佳具體實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的普通技術(shù)無(wú)需創(chuàng)造性勞動(dòng)就可以根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思做出諸多修改和變化。因此，凡本技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員依本發(fā)明構(gòu)思在現(xiàn)有技術(shù)基礎(chǔ)上通過(guò)邏輯分析、推理或者根據(jù)有限的實(shí)驗(yàn)可以得到的技術(shù)方案，均應(yīng)該在由本權(quán)利要求書所確定的保護(hù)范圍之中。
權(quán)利要求1.一種基于陶瓷基板的發(fā)光器件，包括至少一 LED芯片和承載所述LED芯片的陶瓷基板，其特征在于所述LED芯片下表面設(shè)有至少一芯片第一電極和芯片第二電極，所述芯片第一電極呈點(diǎn)陣狀離散地分布在所述芯片第二電極之間，并與所述芯片第二電極電氣隔離；所述陶瓷基板上表面設(shè)有基板第一電極和基板第二電極，所述基板第一電極包括第一基座和至少一第一叉指，所述第一叉指設(shè)于所述第一基座一端并與所述第一基座電連接， 其上表面與至少一所述芯片第一電極電連接；所述基板第二電極包括第二基座和至少一第二叉指，所述第二叉指設(shè)于所述第二基座一端并與所述第二基座電連接，其上表面與所述芯片第二電極電連接；所述第一叉指與所述第二叉指呈犬牙狀交錯(cuò)設(shè)置。
2.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述LED芯片自上而下設(shè)有外延層、N 型氮化鎵層、多量子阱層和P型氮化鎵層，所述P型氮化鎵層上設(shè)有至少一刻蝕孔，所述刻蝕孔穿過(guò)所述多量子阱層直至露出所述N型氮化鎵層；在所述刻蝕孔中露出的N型氮化鎵層上設(shè)有N歐姆接觸層，所述P型氮化鎵層上設(shè)有P歐姆接觸層；所述N歐姆接觸層和所述 P歐姆接觸層上分別設(shè)有所述芯片第一電極和所述芯片第二電極。
3.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述陶瓷基板的第一叉指之間和第二叉指之間以及第一叉指和第二叉指之間的相對(duì)高度小于lum。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一叉指和第二叉指通過(guò)金屬凸點(diǎn)分別與所述芯片第一電極和芯片第二電極電連接。
5.如權(quán)利要求4所述發(fā)光器件,其特征在于，所述LED芯片的上表面還設(shè)有一突光粉層。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件,其特征在于，所述第一基座和第二基座上還設(shè)有一反光層。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述基板采用AIN材料制作，其厚度為 100 lOOOum。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件,其特征在于,還包括一設(shè)于所述基板第一電極和基板第二電極之間并且與所述LED芯片并聯(lián)的靜電保護(hù)器件。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述靜電保護(hù)器件為齊納二極管或者兩個(gè)反向設(shè)置的二極管。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種基于陶瓷基板的發(fā)光器件，包括至少一LED芯片和承載所述LED芯片的陶瓷基板，所述LED芯片下表面設(shè)有至少一芯片第一電極和芯片第二電極，所述芯片第一電極呈點(diǎn)陣狀離散地分布在所述芯片第二電極之間，所述陶瓷基板上表面設(shè)有基板第一電極和基板第二電極，所述基板第一電極包括第一基座和至少一第一叉指，上表面與至少一所述芯片第一電極電連接；所述基板第二電極包括第二基座和至少一第二叉指，上表面與所述芯片第二電極電連接。本實(shí)用新型所述的發(fā)光器件降低了對(duì)LED芯片的工藝要求，使LED芯片上的離散的電極可以分布更加密集，提高了電流分布的均勻性從而提高了發(fā)光效率。
文檔編號(hào)H01L33/48GK202352728SQ20112050952
公開(kāi)日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2011年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月8日
發(fā)明者周玉剛, 姜志榮, 曾照明, 肖國(guó)偉, 賴燃興, 陳海英, 黃智聰 申請(qǐng)人:晶科電子(廣州)有限公司