專利名稱：半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，特別是有關(guān)于一種散熱導(dǎo)通孔及雙面重布線層的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今，半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)為了滿足各種高密度封裝的需求，逐漸發(fā)展出各種不同型式的封裝構(gòu)造，其中各種不同的系統(tǒng)封裝(system in package, SIP)設(shè)計(jì)概念常用于架構(gòu)高密度封裝構(gòu)造，上述系統(tǒng)封裝又可再分為多芯片模塊(multi chip module,MCM)、封裝體上堆疊封裝體(package on package,POP)及封裝體內(nèi)堆疊封裝體(package in package,PIP)等。此外，也有為了縮小封裝構(gòu)造體積而產(chǎn)生的設(shè)計(jì)概念，例如晶圓級(jí)封裝構(gòu)造(waferlevel package, WLP)、芯片尺寸封裝構(gòu)造(chip scale package, CSP)以及無(wú)外引腳封裝構(gòu)造(quad-flat no-lead package, QFN)等。舉例來(lái)說(shuō)，請(qǐng)參照?qǐng)DI所示，其揭示一種現(xiàn)有晶圓級(jí)封裝構(gòu)造(WLP)，其包含一芯片 11、一絕緣層 12、一重布線層(re-distributed layer, RDL) 13、數(shù)顆凸塊(bumps) 14、一絕緣基礎(chǔ)層15及一銅箔層16。所述絕緣層12圍繞位于所述芯片11的四周，且通常由環(huán)氧樹(shù)脂等絕緣材料制成。所述芯片11及絕緣層12的一表面(如上表面)交替堆疊有數(shù)層的絕緣層及線路層，以共同構(gòu)成所述重布線層13。所述重布線層13具有數(shù)個(gè)重分布焊墊131，所述重分布焊墊131的目的是用以重新安排所述芯片11的一有源表面的數(shù)個(gè)接墊位置以及擴(kuò)大其接墊間距。所述凸塊14形成在所述重分布焊墊131上，以做為信號(hào)、電源或接地的輸入/輸出端。所述絕緣基礎(chǔ)層15是包含環(huán)氧樹(shù)脂及玻璃纖維等絕緣材料的半固化壓合片(prepreg)。在組裝時(shí),所述銅箔層16是預(yù)先貼合在所述絕緣基礎(chǔ)層15外側(cè),接著再通過(guò)一粘著層17將所述絕緣基礎(chǔ)層15及銅箔層16結(jié)合在所述芯片11及絕緣層12的另一表面(如上表面)上。在上述現(xiàn)有晶圓級(jí)封裝構(gòu)造中，所述絕緣基礎(chǔ)層15用以增加所述芯片11及絕緣層12的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，及所述銅箔層16用以對(duì)所述芯片11的背面進(jìn)行散熱。然而，由于所述銅箔層16是通過(guò)所述絕緣基礎(chǔ)層15間接的對(duì)所述芯片11的背面進(jìn)行散熱，因此不但其散熱效率不佳，而且所述絕緣基礎(chǔ)層15長(zhǎng)期受熱后也容易翹曲(warpage)變形。結(jié)果，可能造成所述絕緣基礎(chǔ)層15、粘著層17及芯片11之間產(chǎn)生中空的間隙，因而導(dǎo)致所述芯片11背面的熱能無(wú)法有效向外排除，進(jìn)而燒毀所述芯片11，并大幅影響封裝產(chǎn)品的可靠度及使用壽命。另外，所述銅箔層16僅用于散熱，使得所述晶圓級(jí)封裝構(gòu)造在具有所述銅箔層16的這一側(cè)無(wú)法再堆疊結(jié)合其他封裝構(gòu)造，以應(yīng)用做為系統(tǒng)封裝(SIP)。故，有必要提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，以解決現(xiàn)有晶圓級(jí)封裝構(gòu)造技術(shù)所存在的散熱效率不佳及無(wú)法進(jìn)行堆疊應(yīng)用的技術(shù)問(wèn)題。[0007]本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中在制作絕緣基礎(chǔ)層的期間，在絕緣基礎(chǔ)層內(nèi)部對(duì)應(yīng)芯片的區(qū)域進(jìn)一步制作散熱導(dǎo)通孔，以及在絕緣基礎(chǔ)層內(nèi)部對(duì)應(yīng)絕緣層的區(qū)域進(jìn)一步制作電性導(dǎo)通孔，同時(shí)使電性導(dǎo)通孔電性連接到絕緣基礎(chǔ)層外側(cè)的第二重布線層，如此不但能利用散熱導(dǎo)通孔直接的接觸芯片背面來(lái)大幅提高對(duì)芯片的散熱效率及其工作可靠度，而且也能利用絕緣基礎(chǔ)層外側(cè)的第二重布線層來(lái)堆疊結(jié)合其他封裝構(gòu)造，以增加晶圓級(jí)封裝構(gòu)造的堆疊應(yīng)用性。為達(dá)成本實(shí)用新型的前述目的，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含一芯片，具有一有源表面及一背面，所述有源表面設(shè)有數(shù)個(gè)接墊；一絕緣層，位于所述芯片的周邊，并具有一第一表面及一第二表面，且所述絕緣層內(nèi)具有數(shù)個(gè)第一電性導(dǎo)通孔；一第一重布線層，形成在所述芯片的有源表面及所述絕緣層的第一表面上，且具 有數(shù)個(gè)第一重分布焊墊連接所述芯片的接墊；一絕緣基礎(chǔ)層，結(jié)合在所述芯片的背面及所述絕緣層的第二表面上，且所述絕緣基礎(chǔ)層內(nèi)具有數(shù)個(gè)散熱導(dǎo)通孔及數(shù)個(gè)第二電性導(dǎo)通孔，所述散熱導(dǎo)通孔接觸所述芯片的背面，所述第二電性導(dǎo)通孔對(duì)應(yīng)連接所述第一電性導(dǎo)通孔；及一第二重布線層，形成在所述絕緣基礎(chǔ)層的一外表面上，且具有一散熱墊及數(shù)個(gè)第二重分布焊墊，所述散熱墊連接所述散熱導(dǎo)通孔，所述第二重分布焊墊連接所述第二電性導(dǎo)通孔。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述第一電性導(dǎo)通孔是預(yù)先形成在所述絕緣基礎(chǔ)層上的數(shù)根柱狀凸塊。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述芯片的背面及所述絕緣層的第二表面是通過(guò)一黏著層結(jié)合所述絕緣基礎(chǔ)層。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述絕緣層是由包含環(huán)氧樹(shù)脂及玻璃纖維的一半固化壓合片(prepreg)烘烤固化后形成的。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述絕緣基礎(chǔ)層是由包含環(huán)氧樹(shù)脂及玻璃纖維的一半固化壓合片烘烤固化后形成的。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述第一重分布焊墊上另結(jié)合有數(shù)顆凸塊。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述第二重分布焊墊上結(jié)合有一附加封裝構(gòu)造，例如晶圓級(jí)封裝體(wafer level package, WLP)、打線芯片封裝體或倒裝芯片封裝體。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述第二重分布焊墊上結(jié)合有至少一附加芯片，例如倒裝芯片(flip chip) ο在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述第二重分布焊墊上結(jié)合有至少一附加無(wú)源元件(passive element)，例如電阻元件、電感元件或電容元件等。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述第二重分布焊墊上結(jié)合有至少一附加有源元件(active element)，例如晶體管(transistor)、二極管(diode)或振蕩器(oscillator)等。另外，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含一芯片，具有一有源表面及一背面，所述有源表面設(shè)有數(shù)個(gè)接墊；一絕緣層，位于所述芯片的周邊，并具有一第一表面及一第二表面，且所述絕緣層內(nèi)具有數(shù)個(gè)第一電性導(dǎo)通孔；一第一重布線層，形成在所述芯片的有源表面及所述絕緣層的第一表面上，且具有數(shù)個(gè)第一重分布焊墊連接所述芯片的接墊；—絕緣基礎(chǔ)層，結(jié)合在所述芯片的背面及所述絕緣層的第二表面上，且所述絕緣基礎(chǔ)層內(nèi)具有數(shù)個(gè)散熱導(dǎo)通孔，所述散熱導(dǎo)通孔接觸所述芯片的背面；及一散熱墊，形成在所述絕緣基礎(chǔ)層的一外表面上，所述散熱墊連接所述散熱導(dǎo)通孔。

圖I是一現(xiàn)有晶圓級(jí)封裝構(gòu)造(WLP)的不意圖。圖2A、2B、2C及2D是本實(shí)用新型第一實(shí)施例半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法各步驟的流程示意圖。圖3A、3B、3C及3D是本實(shí)用新型第二實(shí)施例半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法各步驟的流程示意圖。
具體實(shí)施方式
為讓本實(shí)用新型上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)更明顯易懂，下文特舉本實(shí)用新型較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。再者，本實(shí)用新型所提到的方向用語(yǔ)，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「?jìng)?cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語(yǔ)是用以說(shuō)明及理解本實(shí)用新型，而非用以限制本實(shí)用新型。請(qǐng)參照?qǐng)D2A、2B、2C及2D所示，其揭示本實(shí)用新型第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法各步驟的示意圖，本實(shí)用新型將于下文利用圖2A至2D逐一詳細(xì)說(shuō)明第一實(shí)施例各步驟的詳細(xì)加工處理過(guò)程，及各元件的細(xì)部構(gòu)造、組裝關(guān)系及其運(yùn)作原理。請(qǐng)參照?qǐng)D2A所示，本實(shí)用新型第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法首先是分別預(yù)制及準(zhǔn)備一芯片21、一絕緣層22、一絕緣基礎(chǔ)層23及一鈍化層(passivation) 24,并接著進(jìn)行堆疊組裝。在本步驟中，所述芯片21是由一硅晶圓切割而成的，所述芯片21具有一朝上的有源表面及一朝下的背面，所述有源表面并設(shè)有數(shù)個(gè)接墊211。所述絕緣層22是包含環(huán)氧樹(shù)脂及玻璃纖維的一半固化壓合片(prepreg)或其他有機(jī)介電材料層,例如ABF,且必要時(shí)，所述絕緣層22的上、下表面可以具有銅箔。所述絕緣層22預(yù)先開(kāi)鑿有一開(kāi)口221及數(shù)個(gè)通孔222，所述開(kāi)口 221對(duì)應(yīng)于所述芯片21的位置。再者，所述絕緣基礎(chǔ)層23是由一標(biāo)準(zhǔn)銅箔基板對(duì)其兩表面的銅箔進(jìn)行蝕刻圖案化出線路后的一種復(fù)合層，其包含數(shù)個(gè)散熱導(dǎo)通孔231、數(shù)個(gè)第二電性導(dǎo)通孔232、一散熱墊233、數(shù)個(gè)第二重分布焊墊234、數(shù)個(gè)焊墊235及數(shù)根柱狀凸塊236。所述散熱導(dǎo)通孔231及第二電性導(dǎo)通孔232形成在所述絕緣基礎(chǔ)層23內(nèi)部，其兩者可以是預(yù)先對(duì)所述絕緣基礎(chǔ)層23進(jìn)行機(jī)械或激光鉆孔再對(duì)鉆孔進(jìn)行電鍍而加工制成的。所述散熱導(dǎo)通孔231的位置對(duì)應(yīng)于所述芯片21，所述第二電性導(dǎo)通孔232的位置對(duì)應(yīng)于所述絕緣層22的通孔222。所述散熱墊233及第二重分布焊墊234是由所述絕緣基礎(chǔ)層23的外表面(下表面)的銅箔進(jìn)行蝕刻圖案化而加工制成的，所述散熱墊233連接所述散熱導(dǎo)通孔231的底端，所述第二重分布焊墊234連接所述第二電性導(dǎo)通孔232的底端。所述散熱墊233及第二重分布焊墊234可以合稱為一第二重布線層(RDL) 237。另外，所述焊墊235是由所述絕緣基礎(chǔ)層23的內(nèi)表面(上表面)的銅箔進(jìn)行蝕刻圖案化而加工制成的，所述絕緣基礎(chǔ)層23可以利用光刻膠曝光顯影蝕刻出窗口裸露所述焊墊235，接著先蒸鍍上厚度極薄的一鎳層及一銅層，隨后再電鍍形成所述柱狀凸塊236，所述柱狀凸塊236可以是銅柱凸塊或鎳柱凸塊。所述柱狀凸塊236的位置對(duì)應(yīng)于所述絕緣層22的通孔222。在所述絕緣基礎(chǔ)層23的內(nèi)表面(上表面)的銅箔進(jìn)行蝕刻圖案化期間，也會(huì)形成所述散熱導(dǎo)通孔231的頂端，因此所述散熱導(dǎo)通孔231的頂端也可以凸出于所述絕緣基礎(chǔ)層23的內(nèi)表面(上表面)。此外，所述鈍化層24可以選自光刻膠(photo-resist)制成的干膜(dry film)或其他絕緣材料層。在堆疊組裝所述芯片21、絕緣層22、絕緣基礎(chǔ)層23及鈍化層24時(shí)，首先在所述絕緣基礎(chǔ)層23的內(nèi)表面(上表面)涂上一粘著層25，接著將所述芯片21放在所述粘著層25及所述散熱導(dǎo)通孔231的頂端上，所述散熱導(dǎo)通孔231的頂端優(yōu)選直接的接觸所述芯片21 的背面。接著，將所述絕緣層22及鈍化層24堆疊在所述絕緣基礎(chǔ)層23的內(nèi)表面(上表面)上。此時(shí)，所述芯片21嵌入所述絕緣層22的開(kāi)口 221內(nèi)，所述柱狀凸塊236則插入所述絕緣層22的通孔222內(nèi)，其中所述柱狀凸塊及通孔222可以合稱為第一電性導(dǎo)通孔223 (如圖2B所示)。所述鈍化層24則貼合在所述絕緣層22的上表面及所述芯片21的有源表面上。在另一實(shí)施方式中，所述鈍化層24也可以是用液態(tài)絕緣材料(如光刻膠)涂布的方式形成在所述絕緣層22的上表面及所述芯片21的有源表面上。請(qǐng)參照?qǐng)D2B及2C所示，本實(shí)用新型第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法接著是對(duì)所述鈍化層24進(jìn)行激光或機(jī)械鉆孔，并進(jìn)行增層形成一重分布線路26及一阻焊層27，接著再形成數(shù)顆凸塊28。在本步驟中，所述鈍化層24在激光或機(jī)械鉆孔后形成數(shù)個(gè)窗口 241，所述窗口 241裸露所述第一電性導(dǎo)通孔223的頂端及所述芯片21的接墊211。所述重分布線路26可以是利用光刻膠曝光顯影蝕刻出窗口，再進(jìn)行電鍍后移除光刻膠而加工形成的。所述重分布線路26具有數(shù)個(gè)數(shù)個(gè)第一重分布焊墊261，所述第一重分布焊墊261通過(guò)所述重分布線路26間接的電性連接所述芯片21的接墊211。所述第一重分布焊墊261的目的是用以重新安排所述芯片21的接墊位置以及擴(kuò)大其接墊間距。所述阻焊層27可以是光刻膠或油墨，其具有數(shù)個(gè)開(kāi)口 271，以裸露所述第一重分布焊墊261。所述凸塊28則可以是錫凸塊、金凸塊、銅柱凸塊或鎳柱凸塊，所述凸塊28結(jié)合在所述第一重分布焊墊261上，以做為信號(hào)、電源或接地的輸入/輸出端。所述鈍化層24、重分布線路26及阻焊層27可以合稱為一第一重布線層(RDL) 29。在完成上述步驟后，基本上即可完成一晶圓級(jí)的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200。如圖2C所示，所述晶圓級(jí)的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200包含一芯片21、一絕緣層22、一第一重布線層29、數(shù)顆凸塊28、一絕緣基礎(chǔ)層23、一第二重布線層237。所述芯片21具有一朝上的有源表面及一朝下的背面，所述有源表面設(shè)有數(shù)個(gè)接墊211。所述絕緣層22位于所述芯片21的周邊，并具有一朝上的第一表面及一朝下的第二表面，且所述絕緣層22內(nèi)具有數(shù)個(gè)第一電性導(dǎo)通孔223。所述第一重布線層29形成在所述芯片21的有源表面及所述絕緣層22的第一表面上，且具有數(shù)個(gè)第一重分布焊墊261通過(guò)所述重分布線路26連接所述芯片21的接墊211。所述第一重分布焊墊261上另結(jié)合有所述凸塊28。所述絕緣基礎(chǔ)層23結(jié)合在所述芯片21的背面及所述絕緣層22的第二表面上，且所述絕緣基礎(chǔ)層23內(nèi)具有數(shù)個(gè)散熱導(dǎo)通孔231及數(shù)個(gè)第二電性導(dǎo)通孔232，所述散熱導(dǎo)通孔231的頂端接觸所述芯片21的背面，所述第二電性導(dǎo)通孔232對(duì)應(yīng)連接所述第一電性導(dǎo)通孔223。所述第二重布線層237形成在所述絕緣基礎(chǔ)層23的一朝下的外表面上，且具有一散熱墊233及數(shù)個(gè)第二重分布焊墊234，所述散熱墊233連接所述散熱導(dǎo)通孔231，所述第二重分布焊墊234連接所述第二電性導(dǎo)通孔232。請(qǐng)參照?qǐng)D2D所示，本實(shí)用新型第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法接著是將所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200倒置，并由所述第二重分布焊墊234來(lái)堆疊結(jié)合另一附加封裝構(gòu)造300，以構(gòu)成一系統(tǒng)封裝(SIP)的架構(gòu)。在本步驟中，所述附加封裝構(gòu)造300例如選自另一晶圓級(jí)封裝體(wafer level package,WLP)、打線芯片封裝體或倒裝芯片封裝體,但并不限于此。所述附加封裝構(gòu)造300本身具有數(shù)顆凸塊301，可供焊接結(jié)合于所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的第二重分布焊墊234。在實(shí)際使用時(shí)，所述凸塊301、第二重分布焊墊234、第二電性導(dǎo)通孔232、第一電性導(dǎo)通孔223、重分布線路26、第一重分布焊墊261及凸塊28共 同構(gòu)成一電性導(dǎo)通路徑，可對(duì)所述附加封裝構(gòu)造300進(jìn)行傳輸電源、信號(hào)或做為接地用途。另一方面，所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的芯片21也通過(guò)所述接墊211以及不同的重分布線路26、第一重分布焊墊261及凸塊28進(jìn)行傳輸電源、信號(hào)或做為接地用途。再者，所述散熱導(dǎo)通孔231的頂端接觸所述芯片21的背面，且所述散熱導(dǎo)通孔231的底端連接所述散熱墊233，故可直接將所述芯片21產(chǎn)生的熱能快速的送到所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的外表面(圖2D的上表面)進(jìn)行散熱。請(qǐng)參照?qǐng)D3A、3B、3C及3D所示，本實(shí)用新型第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及制造方法相似于本實(shí)用新型第一實(shí)施例，并大致沿用相同元件名稱及圖號(hào)，但第二實(shí)施例半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法的差異特征在于所述第二實(shí)施例在圖3A的步驟中分別預(yù)制及準(zhǔn)備一芯片21、一絕緣層22、一絕緣基礎(chǔ)層23及一鈍化層24，并接著進(jìn)行堆疊組裝，但所述絕緣基礎(chǔ)層23并未形成圖2A的焊墊235及柱狀凸塊236，同時(shí)所述絕緣層22并未形成圖2A的通孔222。再者，所述第二實(shí)施例在圖3B的步驟中，是在所述芯片21、絕緣層22、絕緣基礎(chǔ)層23及鈍化層24完成堆疊組裝之后才對(duì)堆疊結(jié)構(gòu)一并進(jìn)行機(jī)械鉆孔的，以形成一貫穿孔201。隨后，所述第二實(shí)施例在圖3C的步驟中，才對(duì)所述貫穿孔201進(jìn)行電鍍，以分別在所述絕緣層22及絕緣基礎(chǔ)層23中形成所述第一電性導(dǎo)通孔223及第二電性導(dǎo)通孔232。圖3A至3C未揭示的其他加工制造流程細(xì)節(jié)部份則基本相同于圖2A至2C，故于此不再另予詳細(xì)說(shuō)明。在圖3C制得一晶圓級(jí)的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200后，最后，所述第二實(shí)施例在圖3D的步驟中，可以將所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200倒置，并由所述第二重分布焊墊234來(lái)堆疊結(jié)合至少一附加芯片400、500，例如倒裝芯片(flip chip)，以構(gòu)成一系統(tǒng)封裝(SIP)的架構(gòu)。在本步驟中，所述附加芯片400、500例如選自倒裝芯片(flip chip)，但并不限于此。所述附加芯片400、500本身具有數(shù)顆凸塊401、501，可供焊接結(jié)合于所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的第二重分布焊墊234。在實(shí)際使用時(shí)，所述凸塊401或501、第二重分布焊墊234、第二電性導(dǎo)通孔232、第一電性導(dǎo)通孔223、重分布線路26、第一重分布焊墊261及凸塊28共同構(gòu)成一電性導(dǎo)通路徑，可對(duì)所述附加芯片400、500進(jìn)行傳輸電源、信號(hào)或做為接地用途。另一方面，所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的芯片21也通過(guò)所述接墊211以及不同的重分布線路26、第一重分布焊墊261及凸塊28進(jìn)行傳輸電源、信號(hào)或做為接地用途。再者，所述散熱導(dǎo)通孔231的頂端接觸所述芯片21的背面，且所述散熱導(dǎo)通孔231的底端連接所述散熱墊233，故可直接將所述芯片21產(chǎn)生的熱能快速的送到所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的外表面(圖3D的上表面)進(jìn)行散熱。另一方面，所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的第二重分布焊墊234也可以另外用來(lái)堆疊結(jié)合至少一附加無(wú)源元件(passive element)或至少一附加有源元件(active element)。所述附加無(wú)源元件例如為電阻元件、電感元件或電容元件等。所述附加有源元件例如為晶體管(transistor)、二極管(diode)或振蕩器(oscillator)等。必要時(shí),所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的第二重分布焊墊234也可以另外用來(lái)選擇同時(shí)堆疊結(jié)合所述附加封裝構(gòu)造300、附加芯片400、500、附加無(wú)源元件及附加有源元件中的至少兩種，以構(gòu)成更復(fù)雜的系統(tǒng)封裝(SIP)的架構(gòu)。如上所述，相較于現(xiàn)有晶圓級(jí)封裝構(gòu)造技術(shù)所存在的散熱效率不佳及無(wú)法進(jìn)行堆疊應(yīng)用的技術(shù)問(wèn)題，圖2C、2D、3C及3D的本實(shí)用新型的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造通過(guò)在制作絕緣基礎(chǔ)層的期間，在絕緣基礎(chǔ)層內(nèi)部對(duì)應(yīng)芯片的區(qū)域進(jìn)一步制作散熱導(dǎo)通孔，以及在絕緣基礎(chǔ)層內(nèi)部對(duì)應(yīng)絕緣層的區(qū)域進(jìn)一步制作電性導(dǎo)通孔，同時(shí)使電性導(dǎo)通孔電性連接到絕緣基礎(chǔ)層外側(cè)的第二重布線層，如此不但能利用散熱導(dǎo)通孔直接的接觸芯片背面來(lái)大幅提高對(duì)芯片的散熱效率及其工作可靠度，而且也能利用絕緣基礎(chǔ)層外側(cè)的第二重布線層來(lái)堆疊結(jié)合其他封裝構(gòu)造，以增加晶圓級(jí)封裝構(gòu)造的堆疊應(yīng)用性。本實(shí)用新型已由上述相關(guān)實(shí)施例加以描述，然而上述實(shí)施例僅為實(shí)施本實(shí)用新型的范例。必需指出的是，已公開(kāi)的實(shí)施例并未限制本實(shí)用新型的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書(shū)的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本實(shí)用新型的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含 ー芯片，具有一有源表面及一背面，所述有源表面設(shè)有數(shù)個(gè)接墊； 一絕緣層，位于所述芯片的周邊，并具有一第一表面及一第二表面，且所述絕緣層內(nèi)具有數(shù)個(gè)第一電性導(dǎo)通孔； 一第一重布線層，形成在所述芯片的有源表面及所述絕緣層的第一表面上，且具有數(shù)個(gè)第一重分布焊墊連接所述芯片的接墊； ー絕緣基礎(chǔ)層，結(jié)合在所述芯片的背面及所述絕緣層的第二表面上，且所述絕緣基礎(chǔ)層內(nèi)具有數(shù)個(gè)散熱導(dǎo)通孔及數(shù)個(gè)第二電性導(dǎo)通孔，所述散熱導(dǎo)通孔接觸所述芯片的背面， 所述第二電性導(dǎo)通孔對(duì)應(yīng)連接所述第一電性導(dǎo)通孔；及 一第二重布線層，形成在所述絕緣基礎(chǔ)層的一外表面上，且具有一散熱墊及數(shù)個(gè)第二重分布焊墊，所述散熱墊連接所述散熱導(dǎo)通孔，所述第二重分布焊墊連接所述第二電性導(dǎo)通孔。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述第一電性導(dǎo)通孔是預(yù)先形成在所述絕緣基礎(chǔ)層上的數(shù)根柱狀凸塊。
3.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述芯片的背面及所述絕緣層的第二表面是通過(guò)一黏著層結(jié)合所述絕緣基礎(chǔ)層。
4.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述絕緣層是包含環(huán)氧樹(shù)脂及玻璃纖維的ー壓合片。
5.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述絕緣基礎(chǔ)層是包含環(huán)氧樹(shù)脂及玻璃纖維的ー壓合片。
6.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述第一重分布焊墊上另結(jié)合有數(shù)顆凸塊。
7.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述第二重分布焊墊上結(jié)合有ー附加封裝構(gòu)造。
8.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述第二重分布焊墊上結(jié)合有至少ー附加芯片。
9.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述第二重分布焊墊上結(jié)合有至少ー附加無(wú)源元件或至少ー附加有源元件。
10.一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含 ー芯片，具有一有源表面及一背面，所述有源表面設(shè)有數(shù)個(gè)接墊； 一絕緣層，位于所述芯片的周邊，并具有一第一表面及一第二表面，且所述絕緣層內(nèi)具有數(shù)個(gè)第一電性導(dǎo)通孔； 一第一重布線層，形成在所述芯片的有源表面及所述絕緣層的第一表面上，且具有數(shù)個(gè)第一重分布焊墊連接所述芯片的接墊； ー絕緣基礎(chǔ)層，結(jié)合在所述芯片的背面及所述絕緣層的第二表面上，且所述絕緣基礎(chǔ)層內(nèi)具有數(shù)個(gè)散熱導(dǎo)通孔，所述散熱導(dǎo)通孔接觸所述芯片的背面；及 一散熱墊，形成在所述絕緣基礎(chǔ)層的一外表面上，所述散熱墊連接所述散熱導(dǎo)通孔。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其包含一芯片；一絕緣層，位于所述芯片的周邊，并具有數(shù)個(gè)第一電性導(dǎo)通孔；一第一重布線層，具有數(shù)個(gè)第一重分布焊墊連接所述芯片的數(shù)個(gè)接墊；一絕緣基礎(chǔ)層，具有數(shù)個(gè)散熱導(dǎo)通孔及數(shù)個(gè)第二電性導(dǎo)通孔；及一第二重布線層，形成在所述絕緣基礎(chǔ)層外，且具有一散熱墊及數(shù)個(gè)第二重分布焊墊。本實(shí)用新型利用散熱導(dǎo)通孔直接的接觸芯片背面來(lái)提高對(duì)芯片的散熱效率，而且也可利用絕緣基礎(chǔ)層外側(cè)的第二重布線層來(lái)堆疊結(jié)合其他封裝構(gòu)造，以增加晶圓級(jí)封裝構(gòu)造的堆疊應(yīng)用性。
文檔編號(hào)H01L23/488GK202384323SQ201120522328
公開(kāi)日2012年8月15日 申請(qǐng)日期2011年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月14日
發(fā)明者李志成 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司