專利名稱：一種半導(dǎo)體濕法腐蝕的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，具體為ー種半導(dǎo)體濕法腐蝕的裝置。
背景技術(shù)：
目前主流的濕法腐蝕，所采用的腐蝕方式均為晶片浸泡在腐蝕液中腐蝕，對于ー些較難腐蝕的物質(zhì)，不能給硅片起到更好的腐蝕效果，特別是對于較厚的薄膜和混合材料薄膜經(jīng)常出現(xiàn)殘留和腐蝕不均勻。

實用新型內(nèi)容針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本實用新型的目的在于提供一種半導(dǎo)體濕法腐蝕的裝置的技術(shù)方案。所述的ー種半導(dǎo)體濕法腐蝕的裝置，包括設(shè)備支架，所述的設(shè)備支架上配合設(shè)置傳動裝置、花籃支架和盛裝腐蝕液的槽體，傳動裝置帶動花籃支架往復(fù)運動于槽體內(nèi)。所述的ー種半導(dǎo)體濕法腐蝕的裝置，所述的傳動裝置由氣缸、導(dǎo)軌支架和導(dǎo)軌組成，氣缸固定設(shè)置在設(shè)備支架的內(nèi)側(cè)，其通過傳動軸與配合設(shè)置在設(shè)備支架外側(cè)上方的導(dǎo)軌支架相連，導(dǎo)軌支架滑動設(shè)置在導(dǎo)軌上，導(dǎo)軌設(shè)置在所述槽體上方的側(cè)沿；所述的花籃支架配合設(shè)置在導(dǎo)軌支架上。所述的ー種半導(dǎo)體濕法腐蝕的裝置，所述的導(dǎo)軌上設(shè)置滑輪，導(dǎo)軌支架與滑輪滑動配合。所述的ー種半導(dǎo)體濕法腐蝕的裝置，所述的花籃支架內(nèi)配合設(shè)置片架花籃，片架花籃內(nèi)放置晶片。所述的ー種半導(dǎo)體濕法腐蝕的裝置，氣缸通過電磁閥與氣源相連，氣源和電磁閥分別與PLC控制器相連。所述的ー種半導(dǎo)體濕法腐蝕的裝置，所述的傳動裝置由氣缸、導(dǎo)軌支架和導(dǎo)軌組成，氣缸固定設(shè)置在設(shè)備支架的內(nèi)側(cè)，其通過傳動軸與配合設(shè)置在設(shè)備支架外側(cè)上方的導(dǎo)軌支架相連，導(dǎo)軌支架滑動設(shè)置在導(dǎo)軌上，導(dǎo)軌設(shè)置在所述槽體上方的側(cè)沿；所述的花籃支架配合設(shè)置在導(dǎo)軌支架上；所述的氣缸通過電磁閥與氣源相連，氣源和電磁閥分別與PLC控制器相連；所述的花籃支架內(nèi)配合設(shè)置片架花籃，片架花籃內(nèi)放置晶片。本實用新型通過前后搖動的方式，使盛裝晶片的花籃具有較大的運行軌跡，從而增加了腐蝕液的流動性，通過控制前后擺動的幅度和頻率，在增加化學(xué)腐蝕液的流動性的同時提供了一種腐蝕液對腐蝕體的沖擊動能，能夠有效提高腐蝕液的縱向腐蝕速率，因而改善腐蝕的均勻性，減少腐蝕體的殘留。

圖I為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中ト氣缸，2-導(dǎo)軌支架，3-導(dǎo)軌，4-片架花籃，5-花籃支架，6-槽體，7-設(shè)備支架。
具體實施方式
下面結(jié)合說明書附圖對本實用新型作進(jìn)ー步說明一種半導(dǎo)體濕法腐蝕的裝置，包括設(shè)備支架7，在設(shè)備支架7上配合設(shè)置傳動裝置、花籃支架5和盛裝腐蝕液的槽體6，傳動裝置帶動花籃支架5往復(fù)運動于槽體6內(nèi)。具體地，傳動裝置由氣缸I、導(dǎo)軌支架2和導(dǎo)軌3組成，氣缸I固定設(shè)置在設(shè)備支架7的內(nèi)側(cè)，其通過傳動軸與配合設(shè)置在設(shè)備支架7外側(cè)上方的導(dǎo)軌支架2相連，導(dǎo)軌支架2滑動設(shè)置在導(dǎo)軌3上，導(dǎo)軌3設(shè)置在所述槽體6上方的側(cè)沿；可以在導(dǎo)軌3上設(shè)置滑輪， 導(dǎo)軌支架2可在滑輪上滑動，實現(xiàn)往復(fù)運動；花籃支架5配合設(shè)置在導(dǎo)軌支架2上，由導(dǎo)軌支架2的帶動，往復(fù)運動與槽體內(nèi)，實現(xiàn)晶片與槽體6內(nèi)腐蝕液的充分接觸；氣缸I通過電磁閥與氣源相連，氣源和電磁閥分別與PLC控制器相連；在花籃支架5內(nèi)配合設(shè)置片架花籃4，片架花籃4內(nèi)放置晶片。利用該半導(dǎo)體濕法腐蝕的裝置對半導(dǎo)體濕法腐蝕的工作流程如下I)啟動開始按鈕，PLC控制器根據(jù)事先編好的所需程序開始工作，計時器計時；2)PLC控制器根據(jù)程序設(shè)置，輸出24V直流信號驅(qū)動電磁閥工作，電磁閥控制氣源的開關(guān)狀態(tài)；電磁閥根據(jù)PLC控制器輸出信號的不同，來決定氣源(CDA)的輸出情況，再由氣源來控制汽缸的伸出和縮回；3)氣缸在氣源的作用下帯動導(dǎo)軌支架往復(fù)運動于槽體上方，同時導(dǎo)軌支架帶動設(shè)置在其上方的花籃支架來回運動，使晶片與槽體內(nèi)的腐蝕液充分接觸；氣缸的行程和運動頻率由PLC控制器控制，且可調(diào)。通過來回?fù)u動導(dǎo)軌支架，從而增大了片架花籃內(nèi)晶片的運動行程，同時使得腐蝕液在槽體內(nèi)得到較好的流動并向晶片提供沖擊的動能，使得晶片與腐蝕液充分接觸并增加縱向沖擊力，提高縱向腐蝕速率，因而改善腐蝕的均勻性，減少腐蝕體的殘留。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體濕法腐蝕的裝置，包括設(shè)備支架，其特征在于所述的設(shè)備支架上配合設(shè)置傳動裝置、花籃支架和盛裝腐蝕液的槽體，傳動裝置帶動花籃支架往復(fù)運動于槽體內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種半導(dǎo)體濕法腐蝕的裝置，其特征在于所述的傳動裝置由氣缸、導(dǎo)軌支架和導(dǎo)軌組成，氣缸固定設(shè)置在設(shè)備支架的內(nèi)側(cè)，其通過傳動軸與配合設(shè)置在設(shè)備支架外側(cè)上方的導(dǎo)軌支架相連，導(dǎo)軌支架滑動設(shè)置在導(dǎo)軌上，導(dǎo)軌設(shè)置在所述槽體上方的側(cè)沿；所述的花籃支架配合設(shè)置在導(dǎo)軌支架上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種半導(dǎo)體濕法腐蝕的裝置，其特征在于所述的導(dǎo)軌上設(shè)置滑輪，導(dǎo)軌支架與滑輪滑動配合。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的一種半導(dǎo)體濕法腐蝕的裝置，其特征在于所述的花籃支架內(nèi)配合設(shè)置片架花籃，片架花籃內(nèi)放置晶片。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種半導(dǎo)體濕法腐蝕的裝置，其特征在于氣缸通過電磁閥與氣源相連，氣源和電磁閥分別與PLC控制器相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種半導(dǎo)體濕法腐蝕的裝置，其特征在于所述的傳動裝置由氣缸、導(dǎo)軌支架和導(dǎo)軌組成，氣缸固定設(shè)置在設(shè)備支架的內(nèi)側(cè)，其通過傳動軸與配合設(shè)置在設(shè)備支架外側(cè)上方的導(dǎo)軌支架相連，導(dǎo)軌支架滑動設(shè)置在導(dǎo)軌上，導(dǎo)軌設(shè)置在所述槽體上方的側(cè)沿；所述的花籃支架配合設(shè)置在導(dǎo)軌支架上；所述的氣缸通過電磁閥與氣源相連，氣源和電磁閥分別與PLC控制器相連；所述的花籃支架內(nèi)配合設(shè)置片架花籃，片架花籃內(nèi)放置晶片。
專利摘要本實用新型屬于半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，具體為一種半導(dǎo)體濕法腐蝕的裝置。其特征在于設(shè)備支架上配合設(shè)置傳動裝置、花籃支架和盛裝腐蝕液的槽體，傳動裝置帶動花籃支架往復(fù)運動于槽體內(nèi)。本實用新型通過前后搖動的方式，使盛裝晶片的花籃具有較大的運行軌跡，從而增加了腐蝕液的流動性，通過控制前后擺動的幅度和頻率，在增加化學(xué)腐蝕液的流動性的同時提供了一種腐蝕液對腐蝕體的沖擊動能，能夠有效提高腐蝕液的縱向腐蝕速率，因而改善腐蝕的均勻性，減少腐蝕體的殘留。
文檔編號H01L21/67GK202373566SQ20112052559
公開日2012年8月8日 申請日期2011年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月15日
發(fā)明者周詩雨, 朱春生, 朱靈輝, 王海峰, 鄭振宇, 陳寶華, 黃力平 申請人:杭州立昂微電子股份有限公司