專利名稱：一種聚苯胺修飾薄膜電極的制作方法
技術領域：
本實用新型屬于基本電子元器件技術領域，涉及電致變色技術，特別涉及電致變色電極設計技術。
背景技術：
聚苯胺(PANI)是一種典型的導電高分子，具有良好的導電性、穩(wěn)定性、低成本、易于制備等優(yōu)點，是用于電致變色和電致變發(fā)射率的常用材料。然而以聚苯胺修飾薄膜電極的制備一直是該領域的研究難點之一。CN 101740225A中介紹一種基于不銹鋼表面電化學合成聚苯胺對電極的制備方法，采用不銹鋼片作為工作電極與對電極，在電解液中進行電化學聚合，得到不銹鋼基的聚苯胺對電極，但聚苯胺在不銹鋼基底上由于物質結構的差異，會有附著力較差的缺陷，使用一段時間后容易從基底上脫落，大大降低了電極的使用壽命。CN 102129915 A中介紹一種染料敏化太陽能電池中透明聚苯胺電極的制備方法，
采用導電基底浸泡在反應液中，待反應結束后便可在導電基底上制得聚苯胺薄膜，雖然該方法工藝簡單，但原位聚合得到的薄膜也存在著附著力差的問題。
發(fā)明內容本實用新型的目的在于提供一種性能優(yōu)異的聚苯胺修飾薄膜電極。本實用新型涉及的聚苯胺修飾薄膜電極，以表面帶有金屬網的高分子薄膜作基底，表面覆聚苯胺薄膜，以金屬網為導電網絡將聚苯胺薄膜與外部電流相連通。本實用新型涉及的聚苯胺修飾薄膜電極，由導電基底和聚苯胺薄膜3組成，其特征在于所述基底為表面帶有金屬網2的高分子薄膜I。本實用新型涉及的聚苯胺修飾薄膜電極，所述聚苯胺薄膜厚度為O. 2 ΙΟμπι。本實用新型涉及的聚苯胺修飾薄膜電極，所述金屬網不超過500目。本實用新型涉及的聚苯胺修飾薄膜電極，所述金屬網介于20目 300目之間。本實用新型涉及的聚苯胺修飾薄膜電極，所述金屬網2選自銅、銀、不銹鋼中的任意一種或混編金屬網。本實用新型涉及的聚苯胺修飾薄膜電極，所述高分子薄膜3選自聚酯膜、聚碳酸酯膜、聚甲基丙烯酸甲酯膜、聚丙烯膜中的任意一種薄膜。本實用新型涉及的聚苯胺修飾薄膜電極，具有良好的電致變色、變反射率特性；以嵌金屬網高分子膜取代傳統(tǒng)的鍍金高分子薄膜，工藝簡單，易于操控，顯著降低成本。適用于電子元器件組裝用薄膜電極。

附圖I聚苯胺修飾薄膜電極的結構示意圖附圖2 —種聚苯胺修飾薄膜電極的掃描電鏡圖[0016]附圖3 —種聚苯胺修飾薄膜電極的反射率隨電壓的變化曲線圖其中1-高分子薄膜，2-金屬網，3-聚苯胺薄膜。
具體實施方式下面通過實施例對本實用新型涉及的技術方案進行進一步描述，但不作為對本實用新型保護范圍的限制。實施例一一種以200目銅網聚酯膜為基底的聚苯胺修飾薄膜電極，結構如附圖I所示。用真空旋涂工藝在厚度為150μπι的200目銅網聚酯膜表面，涂覆2μπι的摻雜態(tài)聚苯胺，得到本實用新型涉及的聚苯胺修飾薄膜電極，200倍電鏡照片如附圖2所示。以該電極為工作電極制備的電致變發(fā)射率器件，不同外加電壓下表現(xiàn)出不同的反射率，在8-12 μ m波段不同外加電壓條件下該電極的反射率的變化見附圖3，其最大差值(Δ R)達到39%左右。實施例二一種以160目不銹鋼網聚甲基丙烯酸甲酯膜為基底的聚苯胺修飾薄膜電極。用刷涂工藝在厚度為150 μ m的160目不銹鋼網聚甲基丙烯酸甲酯膜表面，涂覆10 μ m的摻雜態(tài)聚苯胺，得到本實用新型涉及的聚苯胺修飾薄膜電極。以該電極為工作電極制備的電致變發(fā)射率器件，不同外加電壓下表現(xiàn)出不同的反射率，在8-12 μ m波段不同外加電壓條件下該電極的反射率最大差值(Λ R)達到24%左右。實施例三一種以20目銀網聚丙烯膜為基底的聚苯胺修飾薄膜電極。用真空旋涂工藝在厚度為150μπι的20目銀網聚丙烯膜表面，涂覆O. 2μπι的摻雜態(tài)聚苯胺，得到本實用新型涉及的聚苯胺修飾薄膜電極。以該電極為工作電極制備的電致變發(fā)射率器件，不同外加電壓下表現(xiàn)出不同的反射率，在8-12 μ m波段不同外加電壓條件下該電極的反射率最大差值(Λ R)達到25%左右。實施例四一種以300目銅網聚碳酸酯膜為基底的聚苯胺修飾薄膜電極。用真空旋涂工藝在厚度為150 μ m的300目銅網聚碳酸酯膜表面，涂覆I. 5 μ m的摻雜態(tài)聚苯胺，得到本實用新型涉及的聚苯胺修飾薄膜電極。以該電極為工作電極制備的電致變發(fā)射率器件，不同外加電壓下表現(xiàn)出不同的反射率，在8-12μπι波段不同外加電壓條件下該電極的反射率最大差值(Λ R)達到31%左右。
權利要求1.一種聚苯胺修飾薄膜電極，由導電基底和聚苯胺薄膜(3)組成，其特征在于所述基底為表面帶有金屬網(2 )的高分子薄膜(I)。
2.權利要求I涉及的聚苯胺修飾薄膜電極，其特征在于所述聚苯胺薄膜(3)的厚度為0. 2 10 u m。
3.權利要求I或2涉及的聚苯胺修飾薄膜電極，其特征在于所述金屬網(2)不超過500 目。
4.權利要求3涉及的聚苯胺修飾薄膜電極，其特征在于所述金屬網(2)介于20目 300目之間。
5.權利要求I或2涉及的聚苯胺修飾薄膜電極，其特征在于所述金屬網(2)選自銅、銀、不銹鋼網中的任意一種或混編金屬網。
6.權利要求I或2涉及的聚苯胺修飾薄膜電極，其特征在于所述高分子薄膜(3)選自聚酯膜、聚碳酸酯膜、聚甲基丙烯酸甲酯膜、聚丙烯膜中的任意一種薄膜。
專利摘要本實用新型屬于基本電子元器件技術領域，以表面帶有金屬網的高分子薄膜作基底，表面覆聚苯胺薄膜，以金屬網為導電網絡將聚苯胺薄膜與外部電流相連通。本實用新型涉及的聚苯胺修飾薄膜電極，由導電基底和聚苯胺薄膜(3)組成，基底為表面帶有金屬網(2)的高分子薄膜(1)。該聚苯胺修飾薄膜電極，具有良好的電致變色、變反射率特性；以嵌金屬網高分子膜取代傳統(tǒng)的鍍金高分子薄膜，工藝簡單，易于操控，顯著降低成本。適用于電子元器件組裝用薄膜電極。
文檔編號H01G9/042GK202373460SQ20112055922
公開日2012年8月8日 申請日期2011年12月28日 優(yōu)先權日2011年12月28日
發(fā)明者于名訊, 周桂明, 桑曉明, 潘士兵, 范香翠, 邱桂花 申請人:中國兵器工業(yè)集團第五三研究所