專利名稱：晶圓處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種晶圓處理裝置。
背景技術(shù)：
晶圓生產(chǎn)過(guò)程中，晶圓表面會(huì)形成盲孔。晶圓表面的盲孔內(nèi)易儲(chǔ)存氣泡。氣泡的存在會(huì)影響電鍍質(zhì)量。因?yàn)榇嬖跉馀?，電鍍液難以到達(dá)盲孔內(nèi)，由于電鍍液無(wú)法到達(dá)盲孔內(nèi)，因此盲孔內(nèi)表面無(wú)法達(dá)到電鍍要求。因此，為提高電鍍質(zhì)量，需要處理晶圓以去除盲孔內(nèi)的氣泡。并且需要在電鍍之前使用潤(rùn)濕液潤(rùn)濕晶圓。但現(xiàn)有技術(shù)中，去除晶圓盲孔內(nèi)氣泡的方法復(fù)雜，去除氣泡效果不夠理想。在去除盲孔內(nèi)氣泡的處理過(guò)程中及潤(rùn)濕過(guò)程中，需要固定晶圓，以免損壞晶圓。晶圓大規(guī)模生產(chǎn)過(guò)程中，需要每一步操作都能快速、節(jié)省時(shí)間。晶圓由于厚度薄，因此在大部分處理過(guò)程中需要夾具固定。但現(xiàn)有技術(shù)中的夾具結(jié)構(gòu)復(fù)雜，使用不便，裝夾及拆卸不方便，操作時(shí)間長(zhǎng)、工序多、效率低。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、能夠?qū)⒕A固定于容腔內(nèi)的晶圓處理裝置。為實(shí)現(xiàn)以上目的，本實(shí)用新型通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)晶圓處理裝置，其特征在于，包括槽體，所述槽體設(shè)置有容腔；所述容腔內(nèi)設(shè)置有支架。優(yōu)選地是，所述支架具有一弧形邊，所述弧形邊的中部設(shè)置有沿支架高度方向延伸的第一定位槽；所述第一定位槽一側(cè)或兩側(cè)設(shè)置有第二定位槽；所述第二定位槽設(shè)置于弧形邊上且沿支架高度方向延伸；所述第一定位槽高度大于第二定位槽高度。優(yōu)選地是，所述支架數(shù)目為兩個(gè)，兩個(gè)支架間隔設(shè)置。優(yōu)選地是，所述槽體設(shè)置有可打開的密封槽蓋，所述密封槽蓋密封容腔。優(yōu)選地是，所述槽體設(shè)置有抽真空管，所述抽真空管與容腔連通。優(yōu)選地是，所述的槽體上安裝有用于檢測(cè)容腔內(nèi)真空度的檢測(cè)儀。優(yōu)選地是，所述槽體還安裝有進(jìn)液管和出液管，所述進(jìn)液管與出液管均與容腔連通。優(yōu)選地是，還包括晶圓夾具，所述晶圓夾具包括基板，所述基板中部設(shè)置有第一通孔；基板正面設(shè)置有兩個(gè)以上的第一定位柱，兩個(gè)以上的第一定位柱沿圓周方向分布；所述第一定位柱端部設(shè)置有用于壓住晶圓的第一端頭；所述第一端頭與基板正面具有與晶圓厚度相適應(yīng)的距離；還包括至少一個(gè)可運(yùn)動(dòng)的第二定位柱；所述第二定位柱具有可壓住晶圓的第二端頭；所述第二端頭與基板正面具有與晶圓厚度相適應(yīng)的距離；所述第二定位柱可運(yùn)動(dòng)地設(shè)置在基板上；所述第二定位柱在第二端頭可壓住晶圓的位置與第二端頭不壓住晶圓的位置之間移動(dòng)。優(yōu)選地是，所述第二定位柱可沿轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置在基板上，所述轉(zhuǎn)軸安裝于基板上。優(yōu)選地是，所述的基板設(shè)置有導(dǎo)向槽，所述第二定位柱設(shè)置于導(dǎo)向槽內(nèi)并可在導(dǎo)向槽內(nèi)移動(dòng)。優(yōu)選地是，所述轉(zhuǎn)軸與第二定位柱通過(guò)連桿連接。優(yōu)選地是，還包括定位銷，所述定位銷設(shè)置于基板上并位于轉(zhuǎn)軸與第二定位柱之間；所述定位銷與所述連桿可拆卸連接。優(yōu)選地是，所述連桿設(shè)置在基板背面；所述基板設(shè)置有第二通孔，第二通孔位于轉(zhuǎn)軸與導(dǎo)向槽之間；所述定位銷穿過(guò)第二通孔與連桿可拆卸連接。優(yōu)選地是，所述的定位銷與連桿螺紋連接。優(yōu)選地是，兩個(gè)以上的第一定位柱形成的圓周弧度小于180度；所述第二定位柱·移動(dòng)至壓住晶圓的位置處時(shí)，第二定位柱與兩個(gè)以上的第一端頭沿圓周方向分布；且第二定位柱與兩個(gè)以上的第一定位柱形成的圓周弧度大于180度。優(yōu)選地是，所述基板至少一個(gè)側(cè)面間隔設(shè)置兩個(gè)第三定位柱；兩個(gè)第三定位柱中的一個(gè)位于第一定位槽內(nèi)，另一個(gè)位于第二定位槽內(nèi)。優(yōu)選地是，所述基板相對(duì)的兩側(cè)面對(duì)稱設(shè)置有四個(gè)第三定位柱，每一側(cè)設(shè)置有兩個(gè)第三定位柱。優(yōu)選地是，位于同一側(cè)的兩個(gè)第三定位柱之間的距離，小于等于第一定位槽槽底與第二定位槽槽底的距離。優(yōu)選地是，所述基板設(shè)置有第三通孔。優(yōu)選地是，所述的基板正面設(shè)置有導(dǎo)流槽，所述導(dǎo)流槽延伸至第一通孔。優(yōu)選地是，所述第一端頭與基板正面之間具有第一卡槽；所述第二端頭與基板正面之間具有第二卡槽。本實(shí)用新型中的晶圓處理裝置，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便。利用抽真空去除晶圓盲孔內(nèi)的氣泡，去除率高。去除氣泡后，利用容器內(nèi)真空度低可自動(dòng)將潤(rùn)濕液吸入容腔內(nèi)，無(wú)需泵送裝置輸送潤(rùn)濕液，操作簡(jiǎn)便。本實(shí)用新型中使用的晶圓夾具，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，裝夾及拆卸晶圓時(shí)間短，工序少，節(jié)省時(shí)間?；逶O(shè)置有第一通孔，可對(duì)晶圓正面及背面進(jìn)行處理，基板不影響對(duì)晶圓背面的處理。利用第三定位柱與第一定位槽、第二定位槽配合，晶圓夾具可穩(wěn)固地設(shè)置在支架上，可降低損壞晶圓的風(fēng)險(xiǎn)。

圖I為本實(shí)用新型正視圖。圖2為圖I的A-A剖視圖。圖3為本實(shí)用新型中使用的晶圓夾具正視圖。圖4為本實(shí)用新型中使用的晶圓夾具使用狀態(tài)立體圖。圖5為本實(shí)用新型中使用的晶圓夾具使用狀態(tài)正視圖。圖6為本實(shí)用新型中使用的晶圓夾具使用狀態(tài)側(cè)視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)的描述[0034]如圖I、圖2及圖3所示，晶圓處理裝置20，包括密封槽蓋21及槽體22。槽體22設(shè)置有容腔23。密封槽蓋21可打開地安裝在槽體22上端。密封槽蓋21關(guān)閉時(shí)，使容腔23成為密閉空間。槽體22設(shè)置有抽真空管24，抽真空管24與槽體20內(nèi)部的容腔23連通。槽體22上安裝有用于檢測(cè)容腔23內(nèi)真空度的檢測(cè)儀27。槽體22上還安裝有進(jìn)液管25和出液管26。進(jìn)液管25與出液管26均與容腔23連通。容腔23內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)支架15 (圖中示出一個(gè))。兩個(gè)支架15結(jié)構(gòu)相同，間隔設(shè)置。支架15具有一弧形邊151?；⌒芜?51的中部設(shè)置有沿支架15高度方向延伸的第一定位槽16。第一定位槽16兩側(cè)分別設(shè)置有兩個(gè)第二定位槽17(圖中示出了三個(gè))。第二定位槽17設(shè)置于弧形邊151上且沿支架15高度方向延伸。第一定位槽43高度H大于第二定位槽17高度h。晶圓夾具50兩側(cè)分別固定在兩個(gè)支架15上。晶圓夾具50上固定有晶圓10。如圖3、圖4、圖5及圖6所示，晶圓夾具50，包括基板I。所述基板I中部設(shè)置有第一通孔2?；錓正面設(shè)置有四個(gè)第一定位柱3，四個(gè)第一定位柱3沿圓周方向分布；第一定位柱3端部設(shè)置有用于壓住晶圓10的第一端頭31。第一端頭31與基板I正面11具有與晶圓10厚度相適應(yīng)的距離，形成卡槽32。第二定位柱4具有可壓住晶圓10的第二端頭41。第二端頭41與基板I正面11具有與晶圓10厚度相適應(yīng)的距離，形成卡槽42?；錓上安裝有轉(zhuǎn)軸5?；錓背面設(shè)置有連桿6，連桿6 —端與轉(zhuǎn)軸5連接，另一端與第二定位柱4連接?；錓設(shè)置有貫穿的導(dǎo)向槽7。第二定位柱4設(shè)置于導(dǎo)向槽7內(nèi)并可在導(dǎo)向槽7內(nèi)運(yùn)動(dòng)。隨著第二定位柱4移動(dòng)，第二端頭41既可以移動(dòng)至壓住晶圓10的位置，也可以移動(dòng)至不壓住晶圓10的位置?；錓設(shè)置有第二通孔8，第二通孔8位于轉(zhuǎn)軸5與導(dǎo)向槽7之間。定位銷9穿過(guò)第二通孔8與連桿6螺紋連接?；錓正面11設(shè)置有導(dǎo)流槽14?；錓相對(duì)的兩側(cè)面對(duì)稱設(shè)置有四個(gè)第三定位柱12，每一側(cè)面設(shè)置兩個(gè)?；錓還設(shè)置有第三通孔13。使用時(shí)，首先將晶圓10固定在晶圓夾具50上。如圖4、圖5所示，晶圓10放置在基板I正面。由于四個(gè)第一定位柱3形成的弧度小于180度，因此，晶圓10邊緣可插入四個(gè)第一端頭31與基板I正面11之間，即插入四個(gè)第一卡槽32內(nèi)。四個(gè)第一端頭31可壓住晶圓10邊緣，可限制晶圓10朝與基板I的正面11垂直的方向移動(dòng)，但無(wú)法限制晶圓10沿與正面11平行的方向移動(dòng)。使連桿6繞轉(zhuǎn)軸5轉(zhuǎn)動(dòng)，帶動(dòng)第二定位柱4移動(dòng)至第二端頭41壓住晶圓10的邊緣的位置。使用定位銷9與連桿6螺紋連接，使連桿6無(wú)法轉(zhuǎn)動(dòng)，則第二定位柱4位置固定。由于第二端頭41與四個(gè)第一端頭31形成的弧度大于180度，因此，第二端頭41與四個(gè)第一端頭31可完全將晶圓10限制在基板I的正面11上而無(wú)法移動(dòng)。晶圓10固定在基板I上后，可用手或者機(jī)械裝置穿過(guò)第三通孔13，移動(dòng)基板I至使用位置。對(duì)晶圓10處理工藝完成后，反向操作可將晶圓10拆下。在清洗晶圓10或電鍍晶圓10的過(guò)程中，清洗液或電鍍液處于流動(dòng)狀態(tài)，為防止流動(dòng)的清洗液或電鍍液對(duì)晶圓10的背面沖擊力過(guò)大，設(shè)置導(dǎo)流槽14。沖向晶圓10背面的清洗液或電鍍液可以從導(dǎo)流槽14分流，避免了清洗液或電鍍液無(wú)法分流而對(duì)晶圓10背面沖擊力過(guò)大損壞晶圓的風(fēng)險(xiǎn)。設(shè)置第三定位柱12，有助于定位基板I。晶圓10固定在基板I上后，再將基板I放入容腔23內(nèi)，使左右兩側(cè)的下方的第三定位柱23分別位于兩個(gè)支架15的第一定位槽16內(nèi)?；錓兩側(cè)的上方的兩個(gè)第三定位柱23分別位于兩個(gè)支架15的第二定位槽17內(nèi)。調(diào)整基板I兩側(cè)的上方的兩個(gè)第三定位柱23，使其分別位于沿圓周方向的不同第二定位槽17內(nèi)，可以調(diào)節(jié)夾具I和晶圓10的傾斜角度，這樣可以獲得不同的處理效果。本實(shí)用新型中的實(shí)施例僅用于對(duì)本實(shí) 用新型進(jìn)行說(shuō)明，并不構(gòu)成對(duì)權(quán)利要求范圍的限制，本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員可以想到的其他實(shí)質(zhì)上等同的替代，均在本實(shí)用新型保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.晶圓處理裝置，其特征在于，包括槽體，所述槽體設(shè)置有容腔；所述容腔內(nèi)設(shè)置有支架。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述支架具有一弧形邊，所述弧形邊的中部設(shè)置有沿支架高度方向延伸的第一定位槽；所述第一定位槽一側(cè)或兩側(cè)設(shè)置有第二定位槽；所述第二定位槽設(shè)置于弧形邊上且沿支架高度方向延伸；所述第一定位槽高度大于第二定位槽高度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述支架數(shù)目為兩個(gè)，兩個(gè)支架間隔設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述槽體設(shè)置有可打開的密封槽蓋，所述密封槽蓋密封容腔。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述槽體設(shè)置有抽真空管，所述抽真空管與容腔連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述的槽體上安裝有用于檢測(cè)容腔內(nèi)真空度的檢測(cè)儀。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述槽體還安裝有進(jìn)液管和出液管，所述進(jìn)液管與出液管均與容腔連通。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶圓處理裝置，其特征在于，還包括晶圓夾具，所述晶圓夾具包括基板，所述基板中部設(shè)置有第一通孔；基板正面設(shè)置有兩個(gè)以上的第一定位柱，兩個(gè)以上的第一定位柱沿圓周方向分布；所述第一定位柱端部設(shè)置有用于壓住晶圓的第一端頭；所述第一端頭與基板正面具有與晶圓厚度相適應(yīng)的距離；還包括至少一個(gè)可運(yùn)動(dòng)的第二定位柱；所述第二定位柱具有可壓住晶圓的第二端頭；所述第二端頭與基板正面具有與晶圓厚度相適應(yīng)的距離；所述第二定位柱可運(yùn)動(dòng)地設(shè)置在基板上；所述第二定位柱在第二端頭可壓住晶圓的位置與第二端頭不壓住晶圓的位置之間移動(dòng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述第二定位柱可沿轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置在基板上，所述轉(zhuǎn)軸安裝于基板上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述的基板設(shè)置有導(dǎo)向槽，所述第二定位柱設(shè)置于導(dǎo)向槽內(nèi)并可在導(dǎo)向槽內(nèi)移動(dòng)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述轉(zhuǎn)軸與第二定位柱通過(guò)連桿連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶圓處理裝置，其特征在于，還包括定位銷，所述定位銷設(shè)置于基板上并位于轉(zhuǎn)軸與第二定位柱之間；所述定位銷與所述連桿可拆卸連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述連桿設(shè)置在基板背面；所述基板設(shè)置有第二通孔，第二通孔位于轉(zhuǎn)軸與導(dǎo)向槽之間；所述定位銷穿過(guò)第二通孔與連桿可拆卸連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述的定位銷與連桿螺紋連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓處理裝置，其特征在于，兩個(gè)以上的第一定位柱形成的圓周弧度小于180度；所述第二定位柱移動(dòng)至壓住晶圓的位置處時(shí)，第二定位柱與兩個(gè)以上的第一端頭沿圓周方向分布；且第二定位柱與兩個(gè)以上的第一定位柱形成的圓周弧度大于180度。
16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述基板至少一個(gè)側(cè)面間隔設(shè)置兩個(gè)第三定位柱；兩個(gè)第三定位柱中的一個(gè)位于第一定位槽內(nèi)，另一個(gè)位于第二定位槽內(nèi)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述基板相對(duì)的兩側(cè)面對(duì)稱設(shè)置有四個(gè)第三定位柱，每一側(cè)設(shè)置有兩個(gè)第三定位柱。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶圓處理裝置，其特征在于，位于同一側(cè)的兩個(gè)第三定位柱之間的距離，小于等于第一定位槽槽底與第二定位槽槽底的距離。
19.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述基板設(shè)置有第三通孔。
20.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述的基板正面設(shè)置有導(dǎo)流槽，所述導(dǎo)流槽延伸至第一通孔。
21.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述第一端頭與基板正面之間具有第一卡槽；所述第二端頭與基板正面之間具有第二卡槽。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種晶圓處理裝置，其特征在于，包括槽體，所述槽體設(shè)置有容腔；所述容腔內(nèi)設(shè)置有支架。本實(shí)用新型中的晶圓處理裝置，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便。利用抽真空去除晶圓盲孔內(nèi)的氣泡，去除率高。去除氣泡后，利用容器內(nèi)真空度低可自動(dòng)將潤(rùn)濕液吸入容腔內(nèi)，無(wú)需泵送裝置輸送潤(rùn)濕液，操作簡(jiǎn)便。本實(shí)用新型中使用的晶圓夾具，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，裝夾及拆卸晶圓時(shí)間短，工序少，節(jié)省時(shí)間?；逶O(shè)置有第一通孔，可對(duì)晶圓正面及背面進(jìn)行處理，基板不影響對(duì)晶圓背面的處理。利用第三定位柱與第一定位槽、第二定位槽配合，晶圓夾具可穩(wěn)固地設(shè)置在支架上，可降低損壞晶圓的風(fēng)險(xiǎn)。
文檔編號(hào)H01L21/67GK202487545SQ201120573868
公開日2012年10月10日 申請(qǐng)日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者劉紅兵, 王振榮, 陳概禮 申請(qǐng)人:上海新陽(yáng)半導(dǎo)體材料股份有限公司