專利名稱:一種硅片鍍膜用的石墨舟的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及太陽能電池制作工藝技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說,涉及一種硅片鍍膜用的石墨舟。
背景技術(shù):
硅片是太陽能電池的載體,經(jīng)過表面制絨、擴(kuò)散制結(jié)、化學(xué)清洗、等離子刻蝕、沉積減反射膜、印刷電極、燒結(jié)等工藝制成電池片。電池片經(jīng)串聯(lián)封裝制成太陽能光伏組件,再配合上功率控制器等部件就形成了光伏發(fā)電系統(tǒng)。其中,沉積減反膜(鍍膜)是太陽能電池片制作過程中的一個(gè)重要工藝,通過等離子增強(qiáng)氣象化學(xué)沉積PECVD (Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition)設(shè)備在娃片表面沉積氮化娃薄膜,可以減少光的反射、增大電池的短路電流和輸出功率、提高轉(zhuǎn)換效率。在進(jìn)行硅片鍍膜時(shí),將硅片放置在石墨舟上,以設(shè)定的速度通過PECVD鍍膜設(shè)備進(jìn)行鍍膜。現(xiàn)有的石墨舟有兩種用于硅片上表面鍍膜的石墨舟和用于硅片下表面鍍膜的石墨舟。生產(chǎn)時(shí),如需進(jìn)行雙面鍍膜,一般選用上鍍膜石墨舟裝載硅片。具體的,當(dāng)裝載多個(gè)硅片的石墨舟以設(shè)定的速度經(jīng)過一個(gè)上鍍膜室完成當(dāng)前上表面鍍膜后,在進(jìn)入另一個(gè)上鍍膜室之前,通過翻片器將石墨舟上的各個(gè)硅片進(jìn)行翻轉(zhuǎn),再對(duì)翻轉(zhuǎn)后的各硅片進(jìn)行上表面的鍍膜,進(jìn)而完成硅片兩個(gè)表面的鍍膜。參考圖1,圖I為現(xiàn)有技術(shù)中常見的一種用于硅片上表面鍍膜的石墨舟俯視圖,在舟體I上設(shè)置有成行排列的貫穿舟體I的多個(gè)舟框2 ;所述舟框2用于裝載硅片。所述舟框2的具體結(jié)構(gòu)可參考圖2和圖3,圖2為圖I中所述石墨舟舟框放大的結(jié)構(gòu)示意圖,包括設(shè)置在舟體I上的沉槽3 ;與所述沉槽3具有相同中軸線的沉孔4。沿圖2中切線AA’做切面得到所述舟框2的切面圖,如圖3所示,所述沉槽3的橫向?qū)挾燃s為5mm。通過對(duì)現(xiàn)有石墨舟的描述可知,在進(jìn)行硅片雙面鍍膜時(shí)需要對(duì)硅片進(jìn)行翻片操作,降低了生產(chǎn)效率,且硅片較薄,一般在毫米尺度,故在翻片過程中極易造成硅片破碎,降低成品率。
實(shí)用新型內(nèi)容為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型提供一種硅片鍍膜用的石墨舟,該石墨舟通過特定的裝載臺(tái)承載硅片,進(jìn)行硅片兩面鍍膜時(shí)不需要進(jìn)行翻片操作,提高了生產(chǎn)效率,且避免了因翻片導(dǎo)致的碎片問題的發(fā)生,提高了成品率。為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案一種硅片鍍膜用的石墨舟,包括石墨舟體;設(shè)置在所述舟體上的多個(gè)舟框;固定在所述舟體下表面的兩條導(dǎo)軌;其中,所述舟框包括[0013]貫穿所述舟體的通孔,所述通孔形狀與硅片形狀相匹配;設(shè)置在所述通孔內(nèi)壁的裝載臺(tái),所述裝載臺(tái)用于承載硅片;所述裝載臺(tái)低于所述舟體上表面,且高于所述舟體的下表面;所有舟框的裝載臺(tái)均處于同一水平面。優(yōu)選的,上述石墨舟中,所述裝載臺(tái)結(jié)構(gòu)為平面支架或舟鉤。優(yōu)選的,上述石墨舟中,每個(gè)舟框設(shè)置3個(gè)或4個(gè)裝載臺(tái)。優(yōu)選的,上述石墨舟中,當(dāng)每個(gè)舟框設(shè)置4個(gè)裝載臺(tái)時(shí),裝載臺(tái)的分布方式包括所述4個(gè)裝載臺(tái)分別設(shè)置在對(duì)應(yīng)通孔內(nèi)壁的4個(gè)頂角位置;所述4個(gè)裝載臺(tái)分別設(shè)置在對(duì)應(yīng)通孔內(nèi)壁的4個(gè)面上;或者,所述4個(gè)裝載臺(tái)平均分為兩組,所述兩組裝載臺(tái)分別設(shè)置在對(duì)應(yīng)通孔內(nèi)壁的兩個(gè)相對(duì)面上。優(yōu)選的,上述石墨舟中,當(dāng)每個(gè)舟框設(shè)置3個(gè)裝載臺(tái)時(shí),裝載臺(tái)的分布方式為所述3個(gè)裝載臺(tái)分別設(shè)置在對(duì)應(yīng)通孔內(nèi)壁的3個(gè)面上;或者,將所述3個(gè)裝載臺(tái)分成兩組,每組分別設(shè)置在對(duì)應(yīng)通孔內(nèi)壁的兩個(gè)相對(duì)面上。優(yōu)選的,上述石墨舟中,所述舟框呈5X9矩陣分布或5X5矩陣分布。優(yōu)選的,上述石墨舟中,與所述導(dǎo)軌相鄰的兩排舟框的每個(gè)舟框與對(duì)應(yīng)導(dǎo)軌之間的舟體上設(shè)置有用于石墨舟自動(dòng)裝載、卸載的定位孔。優(yōu)選的,上述石墨舟中,所述每個(gè)定位孔在對(duì)應(yīng)舟框的中軸線上。優(yōu)選的,上述石墨舟中,所有裝載臺(tái)距上鍍膜工藝點(diǎn)和距下鍍膜工藝點(diǎn)的豎直距離相等。 優(yōu)選的,上述石墨舟中,所述導(dǎo)軌為石墨導(dǎo)軌。從上述技術(shù)方案可以看出,本實(shí)用新型所提供的石墨舟,包括石墨舟體;設(shè)置在所述舟體上的多個(gè)舟框;固定在所述舟體下表面的兩條導(dǎo)軌;其中,所述舟框包括貫穿所述舟體的通孔,所述通孔形狀與硅片形狀相匹配;設(shè)置在所述通孔內(nèi)壁的裝載臺(tái),所述裝載臺(tái)用于承載硅片,且所述裝載臺(tái)低于所述舟體上表面,高于所述舟體的下表面;所有舟框的裝載臺(tái)均處于同一水平面。所述石墨舟與現(xiàn)有上鍍膜石墨舟類似,可直接進(jìn)行上鍍膜,同時(shí),所述裝載臺(tái)對(duì)硅片的遮擋面積小,在下鍍膜時(shí)被遮擋部分可忽略不計(jì),因此無需翻片即可進(jìn)行下表面鍍膜。因此,本實(shí)用新型所述技術(shù)方案所提供的石墨舟在進(jìn)行硅片兩面鍍膜時(shí)不需要進(jìn)行翻片操作,進(jìn)而提高了生產(chǎn)效率,且避免了因翻片導(dǎo)致的碎片問題的發(fā)生,提聞了成品率。
為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例 或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為現(xiàn)有技術(shù)中常見的一種用于硅片上表面鍍膜的石墨舟的俯視圖;[0035]圖2為圖I中所述石墨舟舟框放大的結(jié)構(gòu)示意圖;[0036]圖3為圖2中所示舟框的切面示意圖;圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種硅片鍍膜用的石墨舟的俯視圖;圖5為圖4中所示石墨舟舟框的放大的結(jié)構(gòu)示意圖;圖6為圖4中圓形區(qū)域A的局部放大圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。實(shí)施例一硅片根據(jù)其晶體結(jié)構(gòu)的不同分為單晶硅片和多晶硅片,根據(jù)其參雜類型的不同,分為N型硅片和P型硅片。不同的類型的硅片對(duì)鍍膜的要求不同,有的硅片只需要進(jìn)行正面的鍍膜(即組件封裝后組件中電池片接受光照的面),有的硅片還需要進(jìn)行反面鍍膜(即組件封裝后組件中電池片背光面),以增加組件的光電轉(zhuǎn)換率,如單晶N型硅片需要在硅片的兩個(gè)表面都進(jìn)行鍍膜。正如背景技術(shù)部分所述,現(xiàn)有的硅片鍍膜用的石墨舟有兩種用于硅片上表面鍍膜的石墨舟和用于硅片下表面鍍膜的石墨舟。所述硅片上表面和下表面是指硅片放置在石墨舟上后,以石墨舟為參照,與石墨舟接觸的一面為下表面,另一面為上表面。而出于對(duì)生產(chǎn)效率及生產(chǎn)工藝要求的考慮,生產(chǎn)過程中不更換石墨舟?,F(xiàn)有技術(shù)是使用硅片上鍍膜石墨舟進(jìn)行兩面鍍膜生產(chǎn),由于上鍍膜石墨舟的沉槽底面對(duì)硅片下表面的遮擋,且遮擋面積較大,故不能直接進(jìn)行硅片下表面鍍膜,所以,在進(jìn)行完一次硅片上鍍膜后需要經(jīng)過一次翻片操作完成硅片兩個(gè)表面的鍍膜。需要說明的是,如果使用下鍍膜石墨舟進(jìn)行硅片雙面鍍膜,由于現(xiàn)有的下鍍膜用石墨舟用于承載硅片的舟鉤低于石墨舟的下表面,這樣硅片下表面距離下鍍膜室的鍍膜工藝點(diǎn)近,便于下表面鍍膜。但如使用下鍍膜舟進(jìn)行硅片上表面鍍膜,硅片上表面距鍍膜工藝點(diǎn)距離較遠(yuǎn),鍍膜質(zhì)量差,且能耗較高,因此,下鍍膜石墨舟不能對(duì)硅片直接進(jìn)行上鍍膜。而通過翻片操作實(shí)現(xiàn)下鍍膜石墨舟對(duì)硅片的雙面鍍膜,由于舟鉤面積較小,會(huì)造成比上鍍膜石墨舟更高的碎片率。因此,現(xiàn)有技術(shù)一般使用硅片上鍍膜石墨舟進(jìn)行硅片雙面鍍膜,通過翻片操作完成硅片的雙面鍍膜。但是,翻片操作降低了生產(chǎn)效率,且易導(dǎo)致硅片破碎,降低成品率。為了解決上述問題,本實(shí)施例提供了一種不需要翻片操作即可完成硅片雙面鍍膜的新型石墨舟,所述石墨舟包括石墨舟體;設(shè)置在所述舟體上的多個(gè)舟框;固定在所述舟體下表面的兩條導(dǎo)軌;其中,所述舟框包括貫穿所述舟體的通孔,所述通孔形狀與硅片形狀相匹配;[0052]設(shè)置在所述通孔內(nèi)壁的裝載臺(tái),所述裝載臺(tái)用于承載硅片,且述裝載臺(tái)低于所述舟體上表面,高于所述舟體的下表面;所有舟框的裝載臺(tái)均處于同一水平面。本實(shí)施例所述技術(shù)方案通過設(shè)置在所述舟框通孔內(nèi)壁上的多個(gè)裝載臺(tái)承載硅片,每個(gè)舟框的裝載臺(tái)低于所述舟體上表面,高于所述舟體的下表面,且所有裝載臺(tái)均處于同 一水平面。通過改變硅片的承載方式,實(shí)現(xiàn)無翻片操作的硅片雙面鍍膜。即在結(jié)構(gòu)上,現(xiàn)有的上鍍膜石墨舟通過沉槽底面承載硅片,如圖2和圖3所示,實(shí)現(xiàn)硅片上表面鍍膜,本實(shí)施例通過設(shè)置在舟框通孔內(nèi)壁的裝載臺(tái)承載硅片,實(shí)現(xiàn)硅片上表面鍍膜;而所述裝載臺(tái)對(duì)硅片下表面的遮擋遠(yuǎn)小于現(xiàn)有上鍍膜石墨舟的沉槽底面對(duì)硅片的遮擋,且每個(gè)舟框內(nèi)裝載臺(tái)對(duì)硅片下表面的遮擋面積相對(duì)于整個(gè)硅片下表面很小可忽略不計(jì),故可通過本實(shí)施例所述石墨舟直接進(jìn)行硅片下表面鍍膜。通過設(shè)置裝載臺(tái)在對(duì)應(yīng)舟框中的高度,可使所有裝載臺(tái)處于一個(gè)水平面,使該水平面在進(jìn)行鍍膜時(shí),距上鍍膜室和下鍍膜室的鍍膜工藝點(diǎn)距離相同,進(jìn)而使得膜的均勻性好,即在不考慮裝載臺(tái)遮擋的未鍍膜部分時(shí),可實(shí)現(xiàn)硅片上下表面膜的質(zhì)量相同。在對(duì)硅片進(jìn)行雙面鍍膜的實(shí)際生產(chǎn)時(shí),將硅片放置在所述石墨舟舟框內(nèi),令硅片的反面與所述裝載臺(tái)接觸,之后進(jìn)行鍍膜工藝。可先在下鍍膜室進(jìn)行硅片反面的鍍膜,之后進(jìn)入上鍍膜室進(jìn)行硅片正面的鍍膜,亦可先進(jìn)行硅片正面鍍膜,再進(jìn)行硅片反面鍍膜。無論是怎樣的鍍膜順序,無需翻片操作即可實(shí)現(xiàn)硅片雙面鍍膜,且都可保障硅片正面鍍膜完全。雖然反面被裝載臺(tái)遮擋部分未鍍膜,但由于未鍍膜部分分布于硅片邊緣部分,且面積很小,相對(duì)于整個(gè)硅片來說其作用可忽略不計(jì),故并不影響太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。通過上述描述可知,本實(shí)施例所提供的石墨舟不需要進(jìn)行翻片操作即可完成硅片的雙面鍍膜,提高了生產(chǎn)效率,且避免了因翻片導(dǎo)致的碎片問題的發(fā)生,提高了成品率。實(shí)施例二在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上,本實(shí)施例提供了一種娃片鍛I吳用的石墨舟,所述石墨舟包括石墨舟體;設(shè)置在所述舟體上的多個(gè)舟框;固定在所述舟體下表面的兩條導(dǎo)軌;其中,所述舟框包括貫穿所述舟體的通孔,所述通孔形狀與硅片形狀相匹配;設(shè)置在所述通孔內(nèi)壁同一水平面上的裝載臺(tái),所述裝載臺(tái)用于承載硅片,且所述裝載臺(tái)低于所述舟體上表面,高于所述舟體的下表面;所有舟框的裝載臺(tái)均處于同一水平面。裝載臺(tái)距離舟體上表面和下表面的具體距離可根據(jù)實(shí)際鍍需求設(shè)定。當(dāng)所述裝載臺(tái)的表面距舟體上表面較近時(shí),在進(jìn)行硅片上表面鍍膜時(shí),距離鍍膜工藝點(diǎn)較近,鍍膜質(zhì)量較好,但是在進(jìn)行下表面鍍膜時(shí),由于距舟體下表面較遠(yuǎn),進(jìn)而導(dǎo)致距離鍍膜工藝點(diǎn)較遠(yuǎn),導(dǎo)致鍍膜較薄,為了達(dá)到與上鍍膜相同的鍍膜質(zhì)量,需要增大能耗。反之,硅片在進(jìn)行下表面鍍膜時(shí),鍍膜質(zhì)量較好,而在進(jìn)行下表面鍍膜時(shí)為了達(dá)到與上鍍膜相同的鍍膜質(zhì)量,需要增大能耗。[0067]基于上述原因,將所有舟框的裝載臺(tái)設(shè)置在同一水平面,優(yōu)選的,在進(jìn)行鍍膜時(shí),所述水平面,距上鍍膜室的鍍膜工藝點(diǎn)和距下鍍膜室的鍍膜工藝點(diǎn)垂直距離相等需要說明的是,石墨舟舟體具有一定的弧度,即石墨舟的上下表面是一個(gè)弓形曲面,實(shí)際生產(chǎn)時(shí),其弓形開口向下,舟體切面圓弧的水平切線是平行與舟體移動(dòng)方向的,縱向上(與舟體移動(dòng)方向垂直,且平行與水平面的方向),每行舟框的裝載臺(tái)距舟體上表面的距離從舟體中間 開始向兩邊依次遞減,以保證所用舟框的裝載臺(tái)處于同一水平面。具體的,中間的一行距舟體上表面距離約有5mm,兩邊略小于5mm,但由于舟體的曲率半徑很大,所述距離的差異外觀上不是十分明顯。為了減小所述裝載臺(tái)對(duì)硅片下表面的遮擋,所述裝載臺(tái)結(jié)構(gòu)優(yōu)選為表面積較小的平面支架或舟鉤結(jié)構(gòu),但不局限于這兩種結(jié)構(gòu)。在盡量減少裝載臺(tái)對(duì)硅片下表面遮擋的同時(shí),還要保證硅片在一個(gè)平面內(nèi)的穩(wěn)定性,所以,優(yōu)選的,本實(shí)施例中每個(gè)舟框設(shè)置裝載臺(tái)的個(gè)數(shù)為3或4。當(dāng)每個(gè)舟框設(shè)置3個(gè)裝載臺(tái)時(shí),將所述3個(gè)裝載臺(tái)分別設(shè)置在對(duì)應(yīng)舟框通孔內(nèi)壁的3個(gè)面上;或者,將所述3個(gè)裝載臺(tái)分成兩組,每組分別設(shè)置在對(duì)應(yīng)舟框通孔內(nèi)壁的兩個(gè)相對(duì)面上;或者,將其中兩個(gè)裝載臺(tái)設(shè)置在對(duì)應(yīng)舟框通孔內(nèi)壁相鄰的兩個(gè)頂角上,另一個(gè)裝載臺(tái)設(shè)在與所述兩個(gè)頂角相對(duì)的內(nèi)壁上。雖然,每個(gè)舟框設(shè)置3個(gè)裝載臺(tái),相比于設(shè)置4個(gè)裝載臺(tái)少了一個(gè)裝載臺(tái)對(duì)硅片下表面的遮擋,但是為了保證硅片裝載及卸載時(shí)受力均勻,以免硅片破碎,對(duì)硅片裝載及卸載時(shí)的安裝及卸載操作的要求更高。而設(shè)置4個(gè)裝載臺(tái)的舟框可保證在進(jìn)行硅片裝載及卸載時(shí)硅片受力較3個(gè)裝載臺(tái)的舟框均勻,可避免局部受力過大或受力不均勻?qū)е碌墓杵扑?;且裝載臺(tái)的表面積較小,多一個(gè)裝載臺(tái)對(duì)下表面鍍膜的遮擋也可忽略不計(jì)。故優(yōu)選的,本實(shí)施例每個(gè)舟框設(shè)置4個(gè)裝載臺(tái),可通過對(duì)稱設(shè)置裝載臺(tái)在舟框通孔內(nèi)壁上的位置,保證硅片的受力均勻性,避免在裝載硅片及卸載硅片時(shí)由于硅片局部受力不均勻而導(dǎo)致的硅片破碎。具體的,當(dāng)每個(gè)舟框設(shè)置4個(gè)裝載臺(tái)時(shí),裝載臺(tái)的分布方式包括將所述4個(gè)裝載臺(tái)分別設(shè)置在對(duì)應(yīng)舟框通孔內(nèi)壁的4個(gè)頂角位置;還可以將所述4個(gè)裝載臺(tái)分別設(shè)置在對(duì)應(yīng)舟框通孔內(nèi)壁的4個(gè)面上,優(yōu)選的,每個(gè)裝載臺(tái)在對(duì)應(yīng)內(nèi)壁的豎直中垂線上;或者,所述4個(gè)裝載臺(tái)平均分為兩組,所述兩組裝載臺(tái)分別設(shè)置在對(duì)應(yīng)舟框通孔內(nèi)壁的兩個(gè)相對(duì)面上。其中,優(yōu)選的,所述四個(gè)裝載臺(tái)成矩形,并與所述舟框具有共同的中軸線。參考圖4,圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種硅片鍍膜用的石墨舟的俯視圖,圖4中所示石墨舟每個(gè)舟框具有4個(gè)裝載臺(tái),所述石墨舟每個(gè)舟框的通孔內(nèi)壁的4個(gè)頂角位置分別設(shè)置有一個(gè)裝載臺(tái)。具體的,在所述石墨舟舟體5上設(shè)置有45個(gè)舟框6,所述45個(gè)舟框6呈5X9矩陣分布;所述舟體下表面與石墨舟移動(dòng)方向平行的兩邊通過固定螺絲7分別固定有一個(gè)石墨導(dǎo)軌;與所述導(dǎo)軌相鄰的兩排舟框的每個(gè)舟框與對(duì)應(yīng)導(dǎo)軌之間的舟體5上設(shè)置有用于石墨舟自動(dòng)裝載、卸載的定位孔8。其中,所有裝載臺(tái)處于同一水平面;所述舟框的個(gè)數(shù)及分布方式根據(jù)舟體尺寸設(shè)定,如采用較小尺寸的舟體,舟框可設(shè)置為5X5矩陣分布,一次性裝載25塊硅片。[0081]優(yōu)選的,所述每個(gè)定位孔8在對(duì)應(yīng)舟框6的中軸線上。參考圖5和圖6,圖5為圖4中石墨舟中任一舟框放大的結(jié)構(gòu)示意圖,在所述舟框6的通孔內(nèi)壁的4個(gè)頂角位置分別設(shè)置有一個(gè)裝載臺(tái)9,所述裝載臺(tái)位于同一個(gè)水平面上。圖6為圖4中圓形區(qū)域A的局部放大圖,圖6示出了 4個(gè)相鄰舟框相鄰四個(gè)頂角上的裝載臺(tái)9的結(jié)構(gòu)。 需要說明的是,所述裝載臺(tái)的具體結(jié)構(gòu)并不唯一,本實(shí)施例優(yōu)選為一種平面支架,如圖5和圖6中所示,支架結(jié)構(gòu)的裝載臺(tái)對(duì)硅片反面的遮擋較小,而且能夠很好的保證硅片受力的均勻性。在實(shí)際鍍膜生產(chǎn)時(shí),將硅片放置在所述石墨舟舟框內(nèi),令硅片的反面與所述裝載臺(tái)接觸,之后進(jìn)行鍍膜工藝。可先在下鍍膜室進(jìn)行硅片反面的鍍膜,之后直接進(jìn)入上鍍膜室進(jìn)行硅片正面的鍍膜;亦可在上鍍膜室先進(jìn)行硅片正面鍍膜,之后直接進(jìn)入下鍍膜室進(jìn)行硅片的反面鍍膜。利用本實(shí)施例所述石墨舟,無論是采用怎樣的鍍膜順序,無需翻片操作即可實(shí)現(xiàn)硅片雙面鍍膜,且都可保障硅片正面鍍膜完全。雖然硅片下表面被裝載臺(tái)遮擋部分未鍍膜,但由于未鍍膜部分分布于娃片邊緣部分,且未鍍膜部分面積很小,相對(duì)于整個(gè)娃片來說其作用可忽略不計(jì),故并不影響太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。對(duì)鍍膜后的硅片進(jìn)行鍍膜質(zhì)量檢驗(yàn),檢驗(yàn)數(shù)據(jù)表明采用本實(shí)施例所述石墨舟進(jìn)行雙面鍍膜的硅片鍍膜質(zhì)量優(yōu)良。通過上述描述可知,本實(shí)施例所提供的硅片鍍膜用的石墨舟,在進(jìn)行硅片鍍膜時(shí),無需翻片操作即可實(shí)現(xiàn)硅片的雙面鍍膜,進(jìn)而提高了生產(chǎn)效率,且避免了因翻片導(dǎo)致的硅片破碎,進(jìn)而提聞了成品率。對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明,使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的,本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下,在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此,本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例,而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求1.一種硅片鍍膜用的石墨舟,其特征在于,包括 石墨舟體; 設(shè)置在所述舟體上的多個(gè)舟框; 固定在所述舟體下表面的兩條導(dǎo)軌; 其中,所述舟框包括 貫穿所述舟體的通孔,所述通孔形狀與硅片形狀相匹配; 設(shè)置在所述通孔內(nèi)壁的裝載臺(tái),所述裝載臺(tái)用于承載硅片;所述裝載臺(tái)低于所述舟體上表面,且高于所述舟體的下表面; 所有舟框的裝載臺(tái)均處于同一水平面。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的石墨舟,其特征在于,所述裝載臺(tái)結(jié)構(gòu)為平面支架或舟鉤。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的石墨舟,其特征在于,每個(gè)舟框設(shè)置3個(gè)或4個(gè)裝載臺(tái)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的石墨舟,其特征在于,當(dāng)每個(gè)舟框設(shè)置4個(gè)裝載臺(tái)時(shí),裝載臺(tái)的分布方式包括 所述4個(gè)裝載臺(tái)分別設(shè)置在對(duì)應(yīng)通孔內(nèi)壁的4個(gè)頂角位置; 所述4個(gè)裝載臺(tái)分別設(shè)置在對(duì)應(yīng)通孔內(nèi)壁的4個(gè)面上; 或者, 所述4個(gè)裝載臺(tái)平均分為兩組,所述兩組裝載臺(tái)分別設(shè)置在對(duì)應(yīng)通孔內(nèi)壁的兩個(gè)相對(duì)面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的石墨舟,其特征在于,當(dāng)每個(gè)舟框設(shè)置3個(gè)裝載臺(tái)時(shí),裝載臺(tái)的分布方式為 所述3個(gè)裝載臺(tái)分別設(shè)置在對(duì)應(yīng)通孔內(nèi)壁的3個(gè)面上; 或者, 將所述3個(gè)裝載臺(tái)分成兩組,每組分別設(shè)置在對(duì)應(yīng)通孔內(nèi)壁的兩個(gè)相對(duì)面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的石墨舟,其特征在于,所述舟框呈5X 9矩陣分布或5 X 5矩陣分布。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的石墨舟,其特征在于,與所述導(dǎo)軌相鄰的兩排舟框的每個(gè)舟框與對(duì)應(yīng)導(dǎo)軌之間的舟體上設(shè)置有用于石墨舟自動(dòng)裝載、卸載的定位孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的石墨舟,其特征在于,所述每個(gè)定位孔在對(duì)應(yīng)舟框的中軸線上。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的石墨舟,其特征在于,所有裝載臺(tái)距上鍍膜工藝點(diǎn)和距下鍍膜工藝點(diǎn)的豎直距離相等。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的石墨舟,其特征在于,所述導(dǎo)軌為石墨導(dǎo)軌。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例公開了一種硅片鍍膜用的石墨舟,包括石墨舟體;設(shè)置在所述舟體上的多個(gè)舟框;固定在所述舟體下表面的兩條導(dǎo)軌;其中,所述舟框包括貫穿所述舟體的通孔,所述通孔形狀與硅片形狀相匹配;設(shè)置在所述通孔內(nèi)壁的裝載臺(tái),所述裝載臺(tái)用于承載硅片,且所述裝載臺(tái)低于所述舟體上表面,高于所述舟體的下表面;所有舟框的裝載臺(tái)均處于同一水平面。所述石墨舟與現(xiàn)有上鍍膜石墨舟類似,可直接進(jìn)行上鍍膜,同時(shí),所述裝載臺(tái)對(duì)硅片的遮擋面積小,在下鍍膜時(shí)被遮擋部分可忽略不計(jì),因此無需翻片即可進(jìn)行下表面鍍膜。因此,所述石墨舟進(jìn)行硅片兩面鍍膜時(shí)無需翻片操作,提高了生產(chǎn)效率,且避免了因翻片導(dǎo)致的碎片問題的發(fā)生,提高了成品率。
文檔編號(hào)H01L31/18GK202373621SQ20112057473
公開日2012年8月8日 申請(qǐng)日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者崔景光, 李永超 申請(qǐng)人:英利能源(中國)有限公司