專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造在層疊多個(gè)半導(dǎo)體芯片并對(duì)各半導(dǎo)體芯片間進(jìn)行布線連接的三維安裝技術(shù)中使用的半導(dǎo)體芯片或Si中繼件的半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
隨著電子設(shè)備的小型化及輕量化，謀求實(shí)現(xiàn)在電子設(shè)備的內(nèi)部設(shè)置的半導(dǎo)體芯片等各種電子部件的小型化。另外，用于安裝該電子部件的空間因小型化而被極端限制。另夕卜，在今后要求進(jìn)一步小型化及多功能化的狀況下，有必要增加半導(dǎo)體芯片的安裝密度。在該背景下，考慮了三維安裝技術(shù)。三維安裝技術(shù)是通過層疊多個(gè)半導(dǎo)體芯片并對(duì)各半導(dǎo)體芯片間進(jìn)行布線連接來實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的高密度安裝的技術(shù)。三維安裝技術(shù)中使用的半導(dǎo)體芯片、或者連接半導(dǎo)體芯片和基板的Si中繼件，具有以下所示的電極結(jié)構(gòu)。即，半導(dǎo)體芯片或Si中繼件在其表面和背面形成有外部連接用的連接端子及電極焊盤部。半導(dǎo)體芯片或Si中繼件在其內(nèi)部形成導(dǎo)電構(gòu)件，且具有將半導(dǎo)體芯片的表面和背面貫通的貫通孔。借助在該貫通孔內(nèi)形成的導(dǎo)電構(gòu)件，將連接端子及電極焊盤部電連接。此外，將具有這樣的電極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片彼此、Si中繼件彼此、或半導(dǎo)體芯片和 Si中繼件加以層疊。于是，在半導(dǎo)體芯片的背面形成的連接端子或電極焊盤部，與在其他半導(dǎo)體芯片的表面形成的連接端子或電極焊盤部連接。通過該連接進(jìn)行各半導(dǎo)體芯片間或基板間的布線連接。三維安裝技術(shù)中使用的半導(dǎo)體芯片或Si中繼件，經(jīng)過多道工序加以制造。例如， 以往的外部連接用的連接端子或電極焊盤和貫通孔的形成方法，如專利文獻(xiàn)1所示利用如下所示的工序加以實(shí)施。首先，在貫通孔中埋入導(dǎo)電構(gòu)件，且用抗蝕圖形覆蓋半導(dǎo)體芯片或 Si中繼件的整個(gè)表面。接著，利用濕式蝕刻除去應(yīng)成為連接端子或電極焊盤的部分以外的導(dǎo)電構(gòu)件，形成連接端子或電極焊盤。圖5是專利文獻(xiàn)1所示的半導(dǎo)體裝置的制造工序的流程圖。圖6A 圖6F是表示專利文獻(xiàn)1的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的各工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖。圖6A示出進(jìn)行了 5道工序之后的半導(dǎo)體裝置的截面狀態(tài)。該5道工序是指在圖5 的步驟(S501)的在基板形成孔的工序、步驟650 的在孔內(nèi)部和基板表面形成絕緣膜的工序、步驟(S50;3)的除去基板表面部和孔底部的絕緣膜的工序、步驟(S504)的在孔內(nèi)部和基板表面形成基底導(dǎo)電構(gòu)件的工序完了之后，步驟(S50O的在基底導(dǎo)電構(gòu)件的表面形成抗蝕層的工序。在圖6A中，絕緣膜501形成于在基板502上形成的孔503的壁面?；讓?dǎo)電構(gòu)件 504形成為覆蓋孔503的內(nèi)部和基板502的上部?？刮g層505形成在基底導(dǎo)電構(gòu)件504的表面，在涂布后形成圖形而形成。圖6B示出在圖5的步驟(S506)中在基底導(dǎo)電構(gòu)件504的表面形成了導(dǎo)電材料層506之后的半導(dǎo)體裝置的截面狀態(tài)。以基底導(dǎo)電構(gòu)件504為基礎(chǔ)，形成有作為連接端子及電極焊盤部的部分即導(dǎo)電材料層506。圖6C示出在圖5的步驟(S507)中將基底導(dǎo)電構(gòu)件504表面的抗蝕層505除去之后的半導(dǎo)體裝置的截面狀態(tài)。通過除去抗蝕層505形成槽507，導(dǎo)電材料層506被分離成成為連接端子或電極焊盤部的部分的導(dǎo)電材料層506A、和其以外的部分的導(dǎo)電材料層508。圖6D示出在圖5的步驟(S508)中形成了覆蓋成為連接端子或電極焊盤部的部分的導(dǎo)電材料層506A的抗蝕層509之后的半導(dǎo)體裝置的截面狀態(tài)。圖6E示出在圖5的步驟(S509)中將成為連接端子或電極焊盤部的部分的導(dǎo)電材料層506A以外的導(dǎo)電材料層508除去之后的半導(dǎo)體裝置的截面狀態(tài)。通過濕式蝕刻，將成為連接端子或電極焊盤部的部分的導(dǎo)電材料層506A以外的導(dǎo)電材料層508除去。在該除去時(shí)，抗蝕層509通過將成為連接端子或電極焊盤部的部分的導(dǎo)電材料層506A覆蓋，保護(hù)其免受濕式蝕刻液的侵蝕。圖6F示出在圖5的步驟(S510)中在進(jìn)行了將成為連接端子或電極焊盤部的部分的導(dǎo)電材料層506A以外的基底導(dǎo)電構(gòu)件504除去的工序、和步驟(S511)的將覆蓋成為連接端子或電極焊盤部的部分的抗蝕層除去的工序之后的半導(dǎo)體裝置的截面狀態(tài)。在圖5的步驟(S510)中，將成為連接端子或電極焊盤部的部分的導(dǎo)電材料層506A以外的基底導(dǎo)電構(gòu)件504、和覆蓋成為連接端子或電極焊盤部的部分的導(dǎo)電材料層506A的抗蝕層509除去， 形成連接端子或電極焊盤的導(dǎo)電材料層506A。然后，經(jīng)過圖5的步驟(S512)的在電極焊盤部形成掩模金屬的工序、步驟(S513) 的在電極焊盤部以外的表面形成保護(hù)膜的工序、步驟(S5i;3)的在電極焊盤部形成焊料凸塊的工序，在電極焊盤部形成焊料凸塊(未圖示)。但是，如對(duì)圖6E的說明那樣，在以往的用抗蝕層覆蓋連接端子或電極焊盤部以防止來自后工序的濕式蝕刻液的侵蝕的方法中，存在問題。以往方法中的問題在于，由于用抗蝕層僅覆蓋連接端子和電極焊盤部，因此有必要追加一道光刻工序。為此，抗蝕劑材料的損失及工序增加，由此制造成本增加。另外，在連接端子或電極焊盤部、和連接端子或電極焊盤部以外的部位之間的狹窄間隙，會(huì)有抗蝕劑流入。該抗蝕劑很難在后面除去，有可能抗蝕劑殘?jiān)蔀槠焚|(zhì)下降的主要原因。另外，如圖6B所示，在導(dǎo)電材料層506的層厚較薄的情況下，在孔503的中央部產(chǎn)生凹形部。在用抗蝕層覆蓋該凹形的導(dǎo)電材料層506以便防止來自后工序的濕式蝕刻液的侵蝕的情況下，抗蝕劑會(huì)流向凹形的導(dǎo)電材料層的深處。該抗蝕劑也難以在后來除去，有可能抗蝕劑殘?jiān)蔀槠焚|(zhì)下降的主要原因。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1JP特開2003-273107號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的以往的技術(shù)問題在于新工序增加和抗蝕劑殘?jiān)蔀槠焚|(zhì)下降的主要原因。
本發(fā)明的目的在于，提供不追加新的工序且抗蝕劑殘?jiān)粫?huì)成為品質(zhì)下降的主要原因的半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置。用于解決技術(shù)問題的手段本發(fā)明為了實(shí)現(xiàn)上述目的而以如下所示構(gòu)成。本發(fā)明的1個(gè)實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，在基板的表面和形成于上述基板的孔部形成基底導(dǎo)電構(gòu)件，在上述基底導(dǎo)電構(gòu)件上的一部分形成抗蝕層，在未形成上述抗蝕層的部分形成導(dǎo)電材料層，在形成了上述導(dǎo)電材料層之后，在上述導(dǎo)電材料層上形成蝕刻用掩模金屬，除去上述抗蝕層，以上述掩模金屬為掩模對(duì)上述基底導(dǎo)電構(gòu)件進(jìn)行蝕刻，將上述導(dǎo)電材料層形成為規(guī)定的形狀。另外，用于實(shí)現(xiàn)上述目的本發(fā)明的其他實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置，具備形成有孔部的基板、在上述基板的表面和形成于上述基板上的上述孔部形成的基底導(dǎo)電構(gòu)件、在上述基底導(dǎo)電構(gòu)件上形成的導(dǎo)電材料層和在上述導(dǎo)電材料層上形成的掩模金屬用金屬層。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，在半導(dǎo)體裝置的制造方法中，可以在不增加新的工序數(shù)且沒有抗蝕劑殘?jiān)乐蛊焚|(zhì)下降。另外，在半導(dǎo)體裝置中，可以改善導(dǎo)電材料層的密接性及導(dǎo)電性。


本發(fā)明的特征，由有關(guān)附圖的優(yōu)選實(shí)施方式的下列記述而明確。其附圖如下所示圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的制造工序的流程圖，圖2A是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖2B是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖2C是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的圖2D的狀態(tài)的俯視圖，圖2D是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖2E是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖2F是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖2G是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖2H是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖21是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖2J是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的圖觀的狀態(tài)的俯視圖，圖觀是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖2L是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的圖2M的狀態(tài)的俯視圖，圖2M是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖2N是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖20是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的圖2P的狀態(tài)的俯視圖，圖2P是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖2Q是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的放大截面圖，圖2R是表示將圖21的一部分放大且掩模金屬為2層結(jié)構(gòu)的放大截面圖，圖3是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的制造工序的流程圖，圖4A是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的圖4B的狀態(tài)的俯視圖，圖4B是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖4C是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖4D是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的圖4E的狀態(tài)的俯視圖，圖4E是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖4F是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖4G是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖4H是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖41是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖4J是表示將圖4E的一部分放大且掩模金屬為2層結(jié)構(gòu)的放大截面圖，圖5是以往的半導(dǎo)體裝置的制造工序的流程圖，圖6A是表示以往的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，
圖6B是表示以往的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖6C是表示以往的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖6D是表示以往的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖6E是表示以往的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖，圖6F是表示以往的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖。
具體實(shí)施例方式在本發(fā)明的記述中，對(duì)附圖中的相同部件附上相同的參考符號(hào)。以下，邊參照附圖邊對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。(第一實(shí)施方式) 圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的制造工序的流程圖。圖2A 圖2R 所示的各圖，是本第一實(shí)施方式中的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖或俯視圖。在圖2A中，在基板201的背面形成有絕緣膜202。在絕緣膜202的背面?zhèn)?圖2A 的下面?zhèn)?形成有導(dǎo)電構(gòu)件203和用于保護(hù)該導(dǎo)電構(gòu)件203的保護(hù)膜204。基板201使用 Si基板作為一例。絕緣膜202使用SiO2膜作為一例。導(dǎo)電構(gòu)件203使用Cu作為一例。保護(hù)膜204使用聚酰亞胺作為一例。圖2B示出在圖1的步驟(SlOl)中在基板201形成了孔部205之后的半導(dǎo)體裝置的截面形狀?？撞?05是設(shè)計(jì)成從基板201的表面貫通該基板201的孔。就孔部205而言， 在基板201的表面(圖2A的上面)涂布抗蝕劑，形成圖形而形成抗蝕層(未圖示)之后， 使用干式蝕刻法而形成。孔部205構(gòu)成為在其底面20 的開口有導(dǎo)電構(gòu)件203露出。為此，孔部205的底面20 的開口大小形成為比導(dǎo)電構(gòu)件203小。作為抗蝕層的材料的具體例，可以使用酚醛清漆系的樹脂。在酚醛清漆系的樹脂中添加有感光劑。在本第一實(shí)施方式的實(shí)施例中，形成孔徑50 μ m 100 μ m的孔部205，以貫通厚度 100 μ m的基板201的方式形成。圖2C及圖2D示出在圖1的步驟(S102)中在孔部205的內(nèi)部和基板201的表面形成了絕緣膜之后的半導(dǎo)體裝置的截面形狀。絕緣膜206是形成為分別覆蓋在孔部205的底面20 的開口露出的導(dǎo)電構(gòu)件203、孔部205的內(nèi)壁20 、和基板201的表面的膜。在本第一實(shí)施方式的實(shí)施例中，作為絕緣膜206，膜厚2 μ m的SW2膜通過CVD法形成在基板201的表面。另外，以1 μ m的膜厚使SiA膜的絕緣膜206形成于在孔部205的底面20 的開口露出的導(dǎo)電構(gòu)件203的表面，并且在孔部205的內(nèi)壁20 形成0. 5 μ m的膜厚。在本第一實(shí)施方式的實(shí)施例中，使用絕緣膜的成膜速度快的CVD法進(jìn)行絕緣膜 206的形成。需要說明的是，即便代替CVD法而使用濺射法，其雖然成膜速度減慢，但也可以形成同等的絕緣膜。
圖2E示出在圖1的步驟(S103)中除去了孔部205的底面20 側(cè)的絕緣膜206 之后的半導(dǎo)體裝置的截面狀態(tài)。從在孔部205的底面20 的開口露出的導(dǎo)電構(gòu)件203的表面除去絕緣膜206。此時(shí)，在本第一實(shí)施方式中，使用干式蝕刻法除去絕緣膜206。在該除去時(shí)，由于是不形成抗蝕層而將其除去，所以在基板201的表面形成的絕緣膜206的一部分也同時(shí)被除去。但是，在基板201的表面形成的絕緣膜206比導(dǎo)電構(gòu)件203的絕緣膜206厚，所以在本第一實(shí)施方式中，即便在從導(dǎo)電構(gòu)件203的表面除去了絕緣膜206之后，也會(huì)殘留絕緣膜 206。作為一例，在上述實(shí)施例中，在導(dǎo)電構(gòu)件203的表面有膜厚Iym的絕緣膜206殘留。 另外，孔部205的內(nèi)壁20 在干式蝕刻法中幾乎不被蝕刻，在內(nèi)壁20 直接殘留干式蝕刻工序前的膜厚的絕緣膜206。作為一例，在上述實(shí)施例中，在內(nèi)壁20 有膜厚0. 5μπι的絕緣膜206殘留。圖2F示出在圖1的步驟(S104)中在孔部205的內(nèi)部和基板201的表面分別形成了基底導(dǎo)電構(gòu)件207之后的半導(dǎo)體裝置的截面狀態(tài)。基底導(dǎo)電構(gòu)件207形成為分別覆蓋在孔部205的底面20 的導(dǎo)電構(gòu)件203的表面、孔部205的內(nèi)壁20 和基板201的表面殘留的絕緣膜206。作為基底導(dǎo)電構(gòu)件207的膜，可以使用在Ti膜上形成有Cu膜的2層結(jié)構(gòu)。作為一例，在上述實(shí)施例中，作為基底導(dǎo)電構(gòu)件207的膜，如圖2Q放大所示，利用濺射法在Ti膜207a上形成Cu膜207b，使用成為2層結(jié)構(gòu)的膜。該圖1的步驟(S104)的工序，相當(dāng)于本發(fā)明的1個(gè)實(shí)施方式中的、在基板的表面和形成于基板的孔部形成基底導(dǎo)電構(gòu)件的工序。在本第一實(shí)施方式中，2層的基底導(dǎo)電構(gòu)件207的下側(cè)的Ti膜207a，以1 μ m的膜厚形成在基板201的表面，以0. 1 μ m的膜厚形成在孔部205的底面20 的導(dǎo)電構(gòu)件203 的表面，以0. 1 μ m的膜厚形成在孔部205的內(nèi)壁20恥。另外，2層的基底導(dǎo)電構(gòu)件207的上側(cè)的Cu膜207b，以1. 5 μ m的膜厚形成在基板201的表面，以0. 1 μ m的膜厚形成在孔部 205的底面20 的導(dǎo)電構(gòu)件203的表面，以0. 1 μ m的膜厚形成在孔部205的內(nèi)壁20 。需要說明的是，在圖2Q中，為了容易理解基底導(dǎo)電構(gòu)件207的Ti膜207a和Cu膜207b，增大厚度加以圖示。在Ti膜207a上形成的Cu膜207b，作為用于防止Ti膜207a擴(kuò)散到絕緣膜206及基板201內(nèi)的阻擋膜發(fā)揮功能。另外，Cu膜207b，在下一道工序中也作為用于使第一導(dǎo)電材料層209、第二導(dǎo)電材料層210的膜生長(zhǎng)的種膜發(fā)揮功能。圖2G示出在圖1的步驟(S105)中在基底導(dǎo)電構(gòu)件207的表面形成了抗蝕層208 之后的半導(dǎo)體裝置的截面狀態(tài)?？刮g層208是在形成于基板201的表面?zhèn)鹊幕讓?dǎo)電構(gòu)件 207上在下一道工序中未形成第一導(dǎo)電材料層209及第二導(dǎo)電材料層210的場(chǎng)所形成的抗蝕層?？刮g層208通過在基板201的表面涂布并形成圖形而形成。作為抗蝕層208的材料的具體例，可以使用酚醛清漆系的樹脂。在該酚醛清漆系的樹脂中，添加有感光劑。另外， 作為第一導(dǎo)電材料層209及第二導(dǎo)電材料層210的材料的具體例，可以使用Cu。該圖1的步驟(S105)的工序，相當(dāng)于本發(fā)明的1個(gè)實(shí)施方式中的、在基底導(dǎo)電構(gòu)件上的一部分形成抗蝕層的工序。另外，第一開口部209A、第二開口部210A分別是與抗蝕層208同時(shí)形成圖形而形成的開口部。需要說明的是，在以下的說明中，由于將第一導(dǎo)電材料層209用作電極焊盤部，成為電極焊盤部209。即，第一導(dǎo)電材料層209和電極焊盤部209相同。在第一開口部 209A上形成有在后工序中形成凸塊的導(dǎo)電材料的電極焊盤部(第一導(dǎo)電材料層)209。在第二開口部210A形成后述的第二導(dǎo)電材料層210。抗蝕層208的膜厚比在下一道工序形成的第一導(dǎo)電材料層209、第二導(dǎo)電材料層210的膜厚更厚，作為一例，在本第一實(shí)施方式的實(shí)施例中為20 μ m。圖2H示出在圖1的步驟(S106)中在基底導(dǎo)電構(gòu)件207的表面形成了第一導(dǎo)電材料層209及第二導(dǎo)電材料層210之后的半導(dǎo)體裝置的截面狀態(tài)。第二導(dǎo)電材料層210，是分別形成于基板201的表面?zhèn)鹊幕讓?dǎo)電構(gòu)件207上的未形成抗蝕層208的部分(即第一開口部209A的部分及第二開口部210A的部分)、和孔部205的底面20 及內(nèi)壁20 的基底導(dǎo)電構(gòu)件207的表面的導(dǎo)電材料層。未形成抗蝕層208的部分，不僅包含第二開口部210A的部分，還包含第一開口部 209A的部分。在該第一開口部209A的部分，在后工序中形成凸塊，形成電極焊盤部(第一導(dǎo)電材料層)209。導(dǎo)電材料層的電極焊盤部(第一導(dǎo)電材料層)209和第二導(dǎo)電材料層210
由鍍敷法形成。該圖1的步驟(S106)的工序，相當(dāng)于本發(fā)明的1個(gè)實(shí)施方式中的、在未形成抗蝕層的部分形成導(dǎo)電材料層的工序。在本第一實(shí)施方式的實(shí)施例中，第二導(dǎo)電材料層210以ΙΟμπι的膜厚形成在基板 201的表面?zhèn)?，? μ m的膜厚形成在孔部205的內(nèi)壁20 ，以2 μ m的膜厚形成在底面20^1。需要說明的是，在孔部205的直徑減小時(shí)，分別形成在孔部205的底面20 和內(nèi)壁20 的第二導(dǎo)電材料層210的膜厚，存在均減薄的趨勢(shì)。為此，如圖2H所示，會(huì)在形成于孔部205內(nèi)的第二導(dǎo)電材料層210的中央產(chǎn)生凹部211。圖21示出在圖1的步驟(S107)中在第一導(dǎo)電材料層209及第二導(dǎo)電材料層210 的表面分別形成了蝕刻用的掩模金屬212之后的半導(dǎo)體裝置的截面狀態(tài)。需要說明的是， 關(guān)于掩模金屬212，作為可以用作蝕刻用的掩模金屬的金屬層的一例，使用Ni基底Au鍍敷。 掩模金屬212形成于第二導(dǎo)電材料層210上。該掩模金屬212也形成于在孔部205內(nèi)的中央部形成的凹部211、及在后工序中形成凸塊的電極焊盤部(第一導(dǎo)電材料層)209上。該圖1的步驟(S107)的工序，相當(dāng)于本發(fā)明的1個(gè)實(shí)施方式中的、形成了導(dǎo)電材料層之后在導(dǎo)電材料層上形成掩模金屬的工序。在本第一實(shí)施方式的實(shí)施例中，掩模金屬212由鍍敷法形成。關(guān)于掩模金屬212，由于兼有在后工序中形成凸塊的電極焊盤部(第一導(dǎo)電材料層209)的蓋層金屬形成工序，所以要求具有用作凸塊的焊料的潤(rùn)濕性、相對(duì)于下一道工序的抗蝕層剝離液及下一道工序的基底導(dǎo)電構(gòu)件207蝕刻液的耐性。為此，作為一例，優(yōu)選由 Ni基底Au鍍敷形成掩模金屬212。其理由在于，關(guān)于Ni基底Au鍍敷的結(jié)構(gòu)，作為孔部205 的結(jié)構(gòu)而強(qiáng)度增加，所以成為對(duì)晶片處理或后工序的熱應(yīng)力的耐受性強(qiáng)的結(jié)構(gòu)。另外，在使用Ni基底Au鍍敷時(shí)，在形成掩模金屬212后的濕式蝕刻工序中，掩模金屬212的Ni基底 Au鍍敷層保護(hù)孔部205免受蝕刻液侵蝕，因此可以防止孔部205的內(nèi)部的腐蝕(特別是以蝕刻液為起點(diǎn)的腐蝕)，也可以形成電穩(wěn)定的可靠性高的回路。在本第一實(shí)施方式的實(shí)施例中，由Ni基底Au鍍敷形成掩模金屬212，作為一例，Ni的膜厚為2 μ m，Au的膜厚為0. 5 μ m。在這里，所謂“由Ni基底Au鍍敷形成掩模金屬212”， 是指如圖2R那樣，首先，在形成了 M鍍敷的基底層21 之后，在M鍍敷的基底層21 上形成Au鍍敷的Au層212b，形成掩模金屬212。圖2J及圖I示出在圖1的步驟(S108)中將基底導(dǎo)電構(gòu)件207的表面的抗蝕層 208除去之后的半導(dǎo)體裝置的截面狀態(tài)。如圖觀所示，除去在基底導(dǎo)電構(gòu)件207上形成的抗蝕層208。該圖1的步驟(S108)的工序，相當(dāng)于本發(fā)明的1個(gè)實(shí)施方式中的、除去抗蝕層的工序。在本第一實(shí)施方式中，關(guān)于抗蝕層的除去，使用除去抗蝕層用的試劑而進(jìn)行。圖2L及圖2M示出在圖1的步驟(S109)中將絕緣膜表面的基底導(dǎo)電構(gòu)件207除去之后的半導(dǎo)體裝置的截面狀態(tài)。對(duì)于在絕緣膜206上形成的基底導(dǎo)電構(gòu)件207，將掩模金屬212用作掩模，通過蝕刻將其除去。該圖1的步驟(S109)的工序，相當(dāng)于本發(fā)明的1個(gè)實(shí)施方式中的、以掩模金屬為掩模對(duì)基底導(dǎo)電構(gòu)件進(jìn)行蝕刻而使導(dǎo)電材料層形成為規(guī)定的形狀的工序。基底導(dǎo)電構(gòu)件207的除去通過濕式蝕刻進(jìn)行。此時(shí)，通常，孔部205內(nèi)的中央凹部 211的上部角部213及底面214，容易產(chǎn)生特別是由濕式蝕刻液導(dǎo)致的表面粗糙。但是，在本第一實(shí)施方式中，孔部205內(nèi)的中央凹部211的上部角部213及底面214被掩模金屬212 覆蓋，所以未被蝕刻，難以產(chǎn)生表面粗糙。圖2N示出在圖1的步驟(SllO)中在電極焊盤部(第一導(dǎo)電材料層)209以外的表面形成了保護(hù)膜215之后的半導(dǎo)體裝置的截面狀態(tài)。保護(hù)膜215是覆蓋形成凸塊的電極焊盤部(第一導(dǎo)電材料層)209以外的表面的膜。作為保護(hù)膜215的材料的具體例，可以使
用聚酰亞胺。圖20及圖2P示出在圖1的步驟(Slll)中在電極焊盤部(第一導(dǎo)電材料層)209 形成了焊料凸塊216之后的半導(dǎo)體裝置的截面狀態(tài)。焊料凸塊216是在電極焊盤部(第一導(dǎo)電材料層)209上形成的焊料凸塊。在電極焊盤部(第一導(dǎo)電材料層)209的表面，掩模金屬212作為蓋層金屬(在本第一實(shí)施方式中為Ni基底Au鍍敷層)存在，沒有必要重新形成蓋層金屬。為此，在圖20及圖2P所示的本第一實(shí)施方式中，焊料的潤(rùn)濕性良好而形成接合強(qiáng)度高的焊料凸塊216。根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式，具有在基板201的表面及孔部205形成基底導(dǎo)電構(gòu)件207的第一工序、在基底導(dǎo)電構(gòu)件207上形成抗蝕層208的第二工序、形成第一導(dǎo)電材料層209及第二導(dǎo)電材料層210的第三工序、在第三工序中形成的第一導(dǎo)電材料層209及第二導(dǎo)電材料層210上形成掩模金屬212的第四工序、除去在第二工序中形成的抗蝕層208 的第五工序、和將掩模金屬212作為掩模對(duì)基底導(dǎo)電構(gòu)件207進(jìn)行蝕刻而將第一導(dǎo)電材料層209及第二導(dǎo)電材料層210形成為規(guī)定的形狀的第六工序。需要說明的是，第二工序是在基底導(dǎo)電構(gòu)件207上且在不應(yīng)該形成第一導(dǎo)電材料層209、第二導(dǎo)電材料層210的場(chǎng)所形成抗蝕層208的工序。第三工序是在形成了抗蝕層208的部位以外的部位形成第一導(dǎo)電材料層209及第二導(dǎo)電材料層210的工序。通過這樣的構(gòu)成，在對(duì)基底導(dǎo)電構(gòu)件207進(jìn)行蝕刻而將第一導(dǎo)電材料層209及第二導(dǎo)電材料層210形成為規(guī)定的形狀時(shí)，濕式蝕刻液不會(huì)侵蝕第一導(dǎo)電材料層209及第二導(dǎo)電材料層210。為此，根據(jù)本第一實(shí)施方式，可以提供工序數(shù)不增加且沒有抗蝕劑殘?jiān)軌蚍乐蛊焚|(zhì)下降的半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置。另外，根據(jù)第一實(shí)施方式，在第一導(dǎo)電材料層209及第二導(dǎo)電材料層210由銅(Cu) 形成的情況下，可以用掩模金屬212防止形成導(dǎo)電材料層后的工序的銅(Cu)的氧化。為此， 可以改善第一導(dǎo)電材料層209及第二導(dǎo)電材料層210的導(dǎo)電性。另外，通過在第一導(dǎo)電材料層209及第二導(dǎo)電材料層210上形成有掩模金屬212，可以改善第一導(dǎo)電材料層209及第二導(dǎo)電材料層210的密接性及導(dǎo)電性。另外，根據(jù)本第一實(shí)施方式，可以在不分離基底導(dǎo)電構(gòu)件207而是連接著基底導(dǎo)電構(gòu)件207的情況下，形成Ni基底Au鍍敷層的掩模金屬212。為此，在形成Ni基底Au鍍敷層時(shí)，除了非電解鍍敷之外，還可以使用電解鍍敷。需要說明的是，以往，未在孔部?jī)?nèi)的導(dǎo)電材料層上形成掩模金屬，在利用濕式蝕刻形成布線之后形成了掩模金屬，所以僅能進(jìn)行非電解鍍敷，電解鍍敷無法進(jìn)行。與此相對(duì)，在本第一實(shí)施方式中，在用濕式蝕刻形成布線之前(進(jìn)行布線之前)形成掩模金屬212，所以不僅可以進(jìn)行非電解鍍敷，還可以進(jìn)行電解鍍敷。電解鍍敷能比非電解鍍敷更迅速地進(jìn)行工序處理。(第二實(shí)施方式)圖3是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的制造工序的流程圖。圖4A 圖41是表示本第二實(shí)施方式中的各制造工序的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)的截面圖或俯視圖。在本第二實(shí)施方式中，至到形成第三導(dǎo)電材料層406及第四導(dǎo)電材料層401的工序是，與用圖2A 圖2H說明的上述第一實(shí)施方式的直到形成第一導(dǎo)電材料層209及第二導(dǎo)電材料層 210的工序相同的工序。需要說明的是，在第二實(shí)施方式中，對(duì)與第一實(shí)施方式相同的構(gòu)件附加相同的符號(hào)，并省略說明。圖4A及圖4B與圖2H —樣，示出形成了 2個(gè)導(dǎo)電材料層之后的半導(dǎo)體裝置的狀態(tài)。 圖4B示出在圖3的步驟(S306)中在基底導(dǎo)電構(gòu)件403的表面形成了第三導(dǎo)電材料層406 及第四導(dǎo)電材料層401之后的半導(dǎo)體裝置的截面狀態(tài)。需要說明的是，基底導(dǎo)電構(gòu)件403 與第一實(shí)施方式的基底導(dǎo)電構(gòu)件207對(duì)應(yīng)。該圖3的步驟(S306)的工序，相當(dāng)于本發(fā)明的其他實(shí)施方式中的、在未形成抗蝕層的部分形成導(dǎo)電材料層的工序。在圖4A及圖4B中，第四導(dǎo)電材料層401，是分別形成于基板201的表面?zhèn)戎械幕讓?dǎo)電構(gòu)件403上的未形成抗蝕層404的部分(即與圖2G的第一開口部209A的部分及第二開口部210A的部分對(duì)應(yīng)的部分)、和孔部405的底面及內(nèi)壁(分別與圖2G的底面20 及內(nèi)壁20 對(duì)應(yīng)的部分)的基底導(dǎo)電構(gòu)件403的表面的導(dǎo)電材料層。作為抗蝕層404、407 的材料的具體例，可以使用酚醛清漆系的樹脂。在該酚醛清漆系的樹脂中，添加有感光劑。 另外，作為第三導(dǎo)電材料層406及第四導(dǎo)電材料層401的材料的具體例，可以使用Cu。需要說明的是，在以下的說明中，由于將第三導(dǎo)電材料層406用作電極焊盤部，所以成為電極焊盤部406。即，第三導(dǎo)電材料層406和電極焊盤部406相同。在未形成抗蝕層404的部分，不僅包含與圖2G的第二開口部210A的部分對(duì)應(yīng)的部分，還包含與第一開口部209A的部分對(duì)應(yīng)的部分。在與該第一開口部209A的部分對(duì)應(yīng)的部分，還包含在后工序中形成凸塊的導(dǎo)電材料的電極焊盤部(第三導(dǎo)電材料層)406。第四導(dǎo)電材料層401和導(dǎo)電材料的電極焊盤部(第三導(dǎo)電材料層)406由鍍敷法形成。
圖4C示出在圖3的步驟(S307)中不是將基底導(dǎo)電構(gòu)件的表面的抗蝕層404全部除去而是除去直到其厚度的中途之后的半導(dǎo)體裝置的截面狀態(tài)。抗蝕層407是在基底導(dǎo)電構(gòu)件403的表面以膜狀殘留的方式除去的抗蝕層。關(guān)于抗蝕層407，通過灰化法除去抗蝕層 404的大部分，由此而形成。作為抗蝕層407的材料的具體例，與抗蝕層404 —樣。該圖3的步驟(S307)的工序，相當(dāng)于本發(fā)明的其他實(shí)施方式中的、在未形成抗蝕層的部分形成了導(dǎo)電材料層之后且在導(dǎo)電材料層上形成掩模金屬之前除去抗蝕層直到其厚度的中途的中途除去工序。關(guān)于抗蝕層407的殘膜的厚度，是在下一道工序的掩模金屬形成工序中保護(hù)基底導(dǎo)電構(gòu)件403的表面且未形成掩模金屬的程度即可。該抗蝕層407的殘膜的厚度最好盡可能地薄。在作為一例的第二實(shí)施方式的實(shí)施例中，通過將抗蝕層404從初期膜厚20 μ m灰化膜厚19 μ m,形成膜厚1 μ m的抗蝕層407。圖4D及圖4E示出在圖3的步驟(S308)中在第三導(dǎo)電材料層406及第四導(dǎo)電材料層401的表面和側(cè)面的端面409形成了蝕刻用的掩模金屬408之后的半導(dǎo)體裝置的截面狀態(tài)。需要說明的是，關(guān)于掩模金屬408，作為可以用作蝕刻用的掩模金屬的金屬層的一例， 使用Ni基底Au鍍敷。掩模金屬408是分別形成于第三導(dǎo)電材料層406及第四導(dǎo)電材料層 401上的掩模金屬。關(guān)于該掩模金屬408，還形成于在孔部405內(nèi)的中央部形成的凹部411、 及在后工序中形成凸塊的電極焊盤部(第三導(dǎo)電材料層)406上、及在中途除去工序的抗蝕層除去中露出的由導(dǎo)電材料形成的電極焊盤部(第三導(dǎo)電材料層)406的側(cè)部的端面409 上。該圖3的步驟(S308)的工序，相當(dāng)于本發(fā)明的其他實(shí)施方式中的、在形成了導(dǎo)電材料層之后在導(dǎo)電材料層上形成掩模金屬的工序。在本第二實(shí)施方式中，掩模金屬408由鍍敷法形成。關(guān)于掩模金屬408，兼有在后工序中形成凸塊的導(dǎo)電材料層的電極焊盤部(第三導(dǎo)電材料層)406的蓋層金屬形成工序。因此，對(duì)于掩模金屬408，要求具有用作凸塊的焊料的潤(rùn)濕性、相對(duì)于下一道工序中的抗蝕層剝離液及下一道工序中的基底導(dǎo)電構(gòu)件403的蝕刻液的耐性。為此，優(yōu)選通過Ni基底Au鍍敷形成掩模金屬408。其理由在于，關(guān)于Ni基底Au鍍敷的結(jié)構(gòu)，由于作為孔部405的結(jié)構(gòu)而強(qiáng)度增加，所以成為相對(duì)于晶片處理或后工序的熱應(yīng)力的耐受性強(qiáng)的結(jié)構(gòu)。另外，使用M基底Au鍍敷時(shí)，在形成掩模金屬408后的濕式蝕刻工序中，掩模金屬408的M基底Au鍍敷層保護(hù)孔部405免受蝕刻液侵蝕，所以可以防止孔部405的內(nèi)部的腐蝕(特別是以蝕刻液為起點(diǎn)的腐蝕)，還可以形成電穩(wěn)定的可靠性高的回路。在本第二實(shí)施方式的實(shí)施例中，形成Ni基底Au鍍敷作為掩模金屬408，作為一例， Ni的膜厚為2 μ m，Au的膜厚為0. 5 μ m。在這里，所謂“形成Ni基底Au鍍敷作為掩模金屬 408”，是指如圖4J那樣，首先，在形成了 M鍍敷的基底層408a之后，在M鍍敷的基底層 408a上形成Au鍍敷的Au層40 ，形成掩模金屬408。圖4F示出在圖3的步驟(S309)中除去了基底導(dǎo)電構(gòu)件403的表面的抗蝕層407 之后的半導(dǎo)體裝置的截面狀態(tài)。圖4F中，將在基底導(dǎo)電構(gòu)件403上殘留的抗蝕層407全部除去。
該圖3的步驟(S309)的工序，相當(dāng)于本發(fā)明的其他實(shí)施方式中的、將抗蝕層除去的工序。在本第二實(shí)施方式中，關(guān)于抗蝕層407的除去，使用抗蝕層除去用的試劑進(jìn)行。圖4G示出在圖3的步驟(S310)中除去了絕緣膜表面的基底導(dǎo)電構(gòu)件403之后的半導(dǎo)體裝置的截面形狀。使用掩模金屬408作為掩模，用蝕刻將絕緣膜206上的基底導(dǎo)電構(gòu)件403除去。該圖3的步驟(S310)的工序，相當(dāng)于本發(fā)明的其他實(shí)施方式中的、以掩模金屬為掩模對(duì)基底導(dǎo)電構(gòu)件進(jìn)行蝕刻而使導(dǎo)電材料層形成為規(guī)定的形狀的工序。基底導(dǎo)電構(gòu)件403的除去通過濕式蝕刻來進(jìn)行。此時(shí)，通?？撞?05內(nèi)的中央凹部411的上部角部412及底面413，容易產(chǎn)生特別是由濕式蝕刻液導(dǎo)致的表面粗糙。但是， 在本第二實(shí)施方式中，孔部405內(nèi)的中央的凹部411的上部角部412和底面413、及電極焊盤部(第三導(dǎo)電材料層)406的側(cè)部的端面409，被掩模金屬408覆蓋，所以未被蝕刻，難以產(chǎn)生表面粗糙。圖4H示出在圖3的步驟(S311)中在電極焊盤部(第三導(dǎo)電材料層)406以外的表面形成了保護(hù)膜414之后的半導(dǎo)體裝置的截面狀態(tài)。保護(hù)膜414是覆蓋形成凸塊的電極焊盤部(第三導(dǎo)電材料層)406以外的表面的保護(hù)膜。作為保護(hù)膜414的材料的具體例，可以使用聚酰亞胺。圖41示出在圖3的步驟(S312)中在電極焊盤部(第三導(dǎo)電材料層)406形成了焊料凸塊415之后的半導(dǎo)體裝置的截面狀態(tài)。焊料凸塊415形成在電極焊盤部(第三導(dǎo)電材料層)406上。在電極焊盤部(第三導(dǎo)電材料層)406的表面，掩模金屬408作為蓋層金屬(在本第二實(shí)施方式中為Ni基底Au金屬層)存在，所以沒有必要重新形成蓋層金屬。為此，在本第二實(shí)施方式中，焊料的潤(rùn)濕性良好，形成接合強(qiáng)度高的焊料凸塊415。在第二實(shí)施方式中，在第一實(shí)施方式中的第三工序和第四工序之間，含有將抗蝕層404除去至其厚度的的中途并殘留其一部分作為抗蝕層407的中途除去工序。通過含有該中途除去工序，除了第四導(dǎo)電材料層401和第三導(dǎo)電材料層(電極焊盤部)406的表面， 還可以用掩模金屬408覆蓋至它們的第三導(dǎo)電材料層406及第四導(dǎo)電材料層401的各端面 409。為此，即便在第三導(dǎo)電材料層406及第四導(dǎo)電材料層401的膜厚較厚的情況(例如在第三導(dǎo)電材料層406及第四導(dǎo)電材料層401的膜厚是作為通常厚度的5 10 μ m的2倍左右的厚度的情況下)下，在對(duì)基底導(dǎo)電構(gòu)件403進(jìn)行蝕刻而使第三導(dǎo)電材料層406及第四導(dǎo)電材料層401形成為規(guī)定的形狀時(shí)，第三導(dǎo)電材料層406及第四導(dǎo)電材料層401不會(huì)被濕式蝕刻液侵蝕。為此，可以提供工序數(shù)不增加且沒有抗蝕層的殘?jiān)⒛軌蚍乐蛊焚|(zhì)下降的半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置。另外，在形成保護(hù)膜414時(shí)，例如加熱至200°C而使其硬化，作為構(gòu)成第三導(dǎo)電材料層406及第四導(dǎo)電材料層401的一例的Cu，進(jìn)行再結(jié)晶，此時(shí)，發(fā)生收縮，有可能在與第三導(dǎo)電材料層406及第四導(dǎo)電材料層401下的層之間產(chǎn)生殘留應(yīng)力。與此相對(duì)，第三導(dǎo)電材料層406及第四導(dǎo)電材料層401的表面?zhèn)燃皞?cè)部被掩模金屬408覆蓋時(shí)，當(dāng)為了形成保護(hù)膜414而加熱至200°C使其硬化時(shí)，用掩模金屬408對(duì)熱進(jìn)行反射，可以抑制熱直接傳遞至第三導(dǎo)電材料層406及第四導(dǎo)電材料層401。通過抑制熱直接傳遞至第三導(dǎo)電材料層406 及第四導(dǎo)電材料層401，多少會(huì)抑制Cu的再結(jié)晶化，可以使在其與第三導(dǎo)電材料層406及第四導(dǎo)電材料層401下的層之間發(fā)生的殘留應(yīng)力減少。另外，根據(jù)本第二實(shí)施方式，在第三導(dǎo)電材料層406及第四導(dǎo)電材料層401由銅 (Cu)形成的情況下，可以用掩模金屬408防止形成導(dǎo)電材料層后的工序的銅(Cu)的氧化， 可以改善第三導(dǎo)電材料層406及第四導(dǎo)電材料層401的導(dǎo)電性。另外，通過在第三導(dǎo)電材料層406及第四導(dǎo)電材料層401上形成掩模金屬408，可以改善第三導(dǎo)電材料層406及第四導(dǎo)電材料層401的密接性及導(dǎo)電性。另外，根據(jù)本第二實(shí)施方式，可以在不分離基底導(dǎo)電構(gòu)件403并連接著基底導(dǎo)電構(gòu)件403的情況下，形成Ni基底Au鍍敷層的掩模金屬408。為此，在形成Ni基底Au鍍敷層時(shí)，除了非電解鍍敷之外，也可以使用電解鍍敷。需要說明的是，以往未在孔部?jī)?nèi)的導(dǎo)電材料層上形成掩模金屬，在用濕式蝕刻形成布線之后，形成了掩模金屬，因此僅能進(jìn)行非電解鍍敷，電解鍍敷無法進(jìn)行。與此相對(duì)，在第二實(shí)施方式中，在用濕式蝕刻形成布線之前(進(jìn)行布線之前)，形成掩模金屬408，因此不僅可以進(jìn)行非電解鍍敷，還可以進(jìn)行電解鍍敷。電解鍍敷可以比非電解鍍敷更迅速地進(jìn)行工序處理。需要說明的是，通過適當(dāng)組合上述各種實(shí)施方式或者變形例中的任意實(shí)施方式或者變形例，可以發(fā)揮各自具有的效果。本發(fā)明參照附圖對(duì)優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行了充分記述，但對(duì)于熟悉該技術(shù)的人來說，自然會(huì)進(jìn)行各種變形或修正。這樣的變形或修正只要未超出基于技術(shù)方案的本發(fā)明的范圍就應(yīng)被理解為被本發(fā)明所包含。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置，可以用于半導(dǎo)體芯片、或連接半導(dǎo)體芯片和基板的三維安裝、或電子部件的安裝等方面。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，在基板的表面和形成于所述基板的孔部形成基底導(dǎo)電構(gòu)件， 在所述基底導(dǎo)電構(gòu)件上的一部分形成抗蝕層， 在未形成所述抗蝕層的部分形成導(dǎo)電材料層， 在形成了所述導(dǎo)電材料層之后，在所述導(dǎo)電材料層上形成掩模金屬， 除去所述抗蝕層，以所述掩模金屬為掩模對(duì)所述基底導(dǎo)電構(gòu)件進(jìn)行蝕刻，將所述導(dǎo)電材料層形成為規(guī)定的形狀。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，在未形成所述抗蝕層的部分形成所述導(dǎo)電材料層時(shí)，在形成于所述基板的所述孔部?jī)?nèi)的側(cè)壁及底面也形成所述導(dǎo)電材料層，并且，在所述導(dǎo)電材料層上形成所述掩模金屬時(shí)，在形成于所述孔部?jī)?nèi)的所述側(cè)壁及所述底面的所述導(dǎo)電材料層上也形成所述掩模金屬。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，在形成所述掩模金屬時(shí)，在由所述導(dǎo)電材料層構(gòu)成的電極焊盤部上形成蓋層金屬。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述掩模金屬由Ni的基底層和所述基底層之上的Au層形成。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，在未形成所述抗蝕層的部分形成所述導(dǎo)電材料層之后且在所述導(dǎo)電材料層上形成所述掩模金屬之前，除去所述抗蝕層直到其膜厚的中途，在通過被除去直到中途的所述抗蝕層保護(hù)所述基底導(dǎo)電構(gòu)件的表面的狀態(tài)下形成所述掩模金屬，在形成了所述掩模金屬之后，將被除去直到中途的所述抗蝕層除去。
6.一種半導(dǎo)體裝置，其中，具備 形成有孔部的基板、在所述基板的表面和形成于所述基板上的所述孔部形成的基底導(dǎo)電構(gòu)件、 在所述基底導(dǎo)電構(gòu)件上形成的導(dǎo)電材料層、和在所述導(dǎo)電材料層上形成的掩模金屬用金屬層。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述掩模金屬用金屬層由Ni的基底層和所述基底層之上的Au層構(gòu)成。
全文摘要
在基板(201)的表面及孔部(205)形成基底導(dǎo)電構(gòu)件(207)，在基底導(dǎo)電構(gòu)件(207)上且未形成導(dǎo)電材料層(209、210)的場(chǎng)所形成抗蝕層(208)。在形成有抗蝕層(208)的部分以外的部分形成導(dǎo)電材料層(209、210)，在導(dǎo)電材料層(209、210)上形成掩模金屬(212)。然后，除去抗蝕層(208)，以掩模金屬(212)為掩模對(duì)基底導(dǎo)電構(gòu)件(207)進(jìn)行蝕刻，使導(dǎo)電材料層(209、210)形成為規(guī)定的形狀。
文檔編號(hào)H01L27/00GK102473639SQ20118000244
公開日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2011年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月9日
發(fā)明者小巖崎剛, 山本大輔, 村岸勇夫, 甲斐隆行, 齊藤太志郎 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社