專利名稱：半導體激光器裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體激光器裝置，尤其涉及與光纖光學耦合的半導體激光器裝置。
背景技術(shù)：
近年來，出于激光振蕩輸出對電氣輸入的變換效率的高度，將半導體激光器裝置用作固體激光器的激發(fā)光、或者直接用作加工光源的需求正在提高。此外，由半導體激光器裝置制造商，一維狀地配置了多個發(fā)射器(發(fā)光部)的半導體激光棒被商品化。已知一種與光纖耦合，使得容易將從這些發(fā)射器射出的激光用作固體激光器的激發(fā)光或者加工用的方法(例如，參照專利文獻1)。圖12示出現(xiàn)有的半導體激光器裝置。半導體激光器裝置具備射出激光的半導體激光器元件101、冷卻半導體激光器元件101的散熱器(heatsink) 102、和對散熱器102實現(xiàn)了電絕緣的基礎(chǔ)上固定設置的金屬板103。此外，金屬絲104被接合(bonding)在半導體激光器元件101和金屬板103上，使半導體激光器元件101和金屬板103電連接。電極板106用于向大致箱形的封裝105內(nèi)部供給電力。而且，絕緣部件107使封裝105和電極板106電絕緣，金屬部件108使金屬板103 和電極板106連接。棒透鏡109(rod lens)校準從半導體激光器元件101射出的激光，透鏡固定臺110保持棒透鏡109。此外，光纖陣列111是將用于把由棒透鏡109校準的激光導出到封裝105外的光纖捆起來的裝置，光纖112用于將激光導出到封裝105外部。而且，蓋113用于密封封裝105，密封(seal)部件114使封裝105和蓋113氣密密封。此外，密封件115用于使封裝105和光纖112氣密密封。對于如上所構(gòu)成的半導體激光模塊，來說明其動作。從電源裝置供給的電氣輸入從封裝105通過散熱器102供給到半導體激光器元件 101的陽極側(cè)，并且，從電極板106通過金屬部件108、金屬板103、金屬絲104供給到半導體激光器元件101的陰極側(cè)。通過如此地對半導體激光器元件101施加電氣輸入，半導體激光器元件101射出激光。所射出的激光通過棒透鏡109被校準后射入光纖陣列111。然后，激光通過光纖 112被導出到封裝105之外，被利用為固體激光器的激發(fā)光、直接用于加工的光源。可是，若對半導體激光器元件101供給電力，則在光電變換進行激光振蕩的同時， 一部分電力被半導體激光器元件101的電阻成分消耗而發(fā)熱。此外，由于激光及其散射光的一部分被吸收，從而封裝105內(nèi)部被加熱。因此，通過冷卻介質(zhì)或者珀耳帖(Peltier)元件等，來冷卻封裝105的底面。據(jù)此， 冷卻散熱器102、半導體激光器元件101以及封裝105內(nèi)部，嘗試防止由上述發(fā)熱引起的溫
度上升。但是，在現(xiàn)有半導體激光器裝置中，伴隨半導體激光器元件101高輸出化，需要較大的電氣輸入，發(fā)熱量也增大。據(jù)此，半導體激光模塊的冷卻能力不足，半導體激光器元件 101的殼體溫度上升。其結(jié)果，存在如下課題由溫度上升導致半導體激光器元件101的可靠性降低，或者由伴隨封裝105內(nèi)部的溫度上升的棒透鏡109的位置變動導致光束質(zhì)量劣化等。現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1 日本特開平5-93828號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種使半導體激光模塊的冷卻能力增大從而抑制半導體激光器元件的溫度上升、高可靠性且高質(zhì)量的半導體激光器裝置。本發(fā)明的半導體激光器裝置具備框體、設置在所述框體內(nèi)并且在內(nèi)部具有冷卻介質(zhì)通路的散熱器、和直接或者間接地安裝在所述散熱器上的激光射出部，在所述框體的壁面，設置用于從所述框體外向所述散熱器的所述冷卻介質(zhì)通路供給冷卻介質(zhì)的第1貫通孔、和用于從所述散熱器的所述冷卻介質(zhì)通路向所述框體外排出冷卻介質(zhì)的第2貫通孔， 在所述框體內(nèi)的所述第1貫通孔的外周配置第1密封部件，在所述第2貫通孔的外周配置第2密封部件。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，向散熱器的冷卻介質(zhì)通路供給冷卻介質(zhì)，能夠高效地對其進行冷卻， 作為其結(jié)果，能夠抑制框體內(nèi)部的溫度上升。據(jù)此，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制半導體激光器元件的溫度上升、高可靠性且高質(zhì)量的半導體激光器裝置。而且，可以搭載更高輸出的半導體激光器元件，此外，與此相伴，還能夠?qū)崿F(xiàn)可以射出更高輸出的激光的半導體激光器裝置。此外，本發(fā)明的半導體激光器裝置還可以采用如下結(jié)構(gòu)具備框體、設置在框體內(nèi)并且在內(nèi)部具有冷卻介質(zhì)通路的散熱器、直接或者間接地安裝在散熱器上的激光射出部、 和設置在構(gòu)成框體的一個壁面外的平面部件，在與平面部件相對置的框體的壁面設置第1 貫通孔和第2貫通孔，在第1貫通孔的內(nèi)側(cè)設置具備用于向散熱器的冷卻介質(zhì)通路供給冷卻介質(zhì)的流路的第1流路形成部件，在第2貫通孔的內(nèi)側(cè)設置具備用于從散熱器的冷卻介質(zhì)通路排出冷卻介質(zhì)的流路的第2流路形成部件，在平面部件的與第1流路形成部件相對應的位置上，設置用于向散熱器的冷卻介質(zhì)通路供給冷卻介質(zhì)的第3貫通孔，在平面部件的與第2流路形成部件相對應的位置上，設置用于從散熱器的冷卻介質(zhì)通路排出冷卻介質(zhì)的第4貫通孔。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，向散熱器的冷卻介質(zhì)通路供給冷卻介質(zhì)，能夠高效地對其進行冷卻， 作為其結(jié)果，能夠抑制框體內(nèi)部的溫度上升。據(jù)此，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制半導體激光器元件的溫度上升、高可靠性且高質(zhì)量的半導體激光器裝置。而且，可以搭載更高輸出的半導體激光器元件，此外，與此相伴，還能夠?qū)崿F(xiàn)可以射出更高輸出的激光的半導體激光器裝置。此外，本發(fā)明的半導體激光器裝置具備框體、設置在框體內(nèi)并且在內(nèi)部具有冷卻介質(zhì)通路的散熱器、和直接或者間接地安裝在散熱器上的激光射出部，在框體的壁面設置第1貫通孔和第2貫通孔，在第1貫通孔的內(nèi)側(cè)設置具備用于向散熱器供給冷卻介質(zhì)的流路的第1流路形成部件，在第2貫通孔的內(nèi)側(cè)設置具備用于從散熱器排出冷卻介質(zhì)的流路的第2流路形成部件，在第1流路形成部件以及第2流路形成部件中的至少一方形成與與其相對應的框體的第1貫通孔部分或者第2貫通孔部分卡合的階梯部。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，向散熱器的冷卻介質(zhì)通路供給冷卻介質(zhì)，能夠高效地對其進行冷卻， 作為其結(jié)果，能夠抑制框體內(nèi)部的溫度上升。據(jù)此，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制半導體激光器元件的溫度上升、高可靠性且高質(zhì)量的半導體激光器裝置。而且，可以搭載更高輸出的半導體激光器元件，此外，與此相伴，還能夠?qū)崿F(xiàn)可以射出更高輸出的激光的半導體激光器裝置。


圖1是表示本發(fā)明的實施方式1所涉及的半導體激光器裝置的部分切去立體圖。圖2是表示本發(fā)明的實施方式2所涉及的半導體激光器裝置的部分切去立體圖。圖3是表示本發(fā)明的實施方式2所涉及的半導體激光器裝置的部分切去立體圖。圖4是表示本發(fā)明的實施方式2所涉及的半導體激光器裝置的部分切去立體圖。圖5是表示本發(fā)明的實施方式2所涉及的半導體激光器裝置的部分切去立體圖。圖6是表示本發(fā)明的實施方式3所涉及的半導體激光器裝置的部分切去立體圖。圖7是表示本發(fā)明的實施方式3所涉及的半導體激光器裝置的部分切去立體圖。圖8是表示本發(fā)明的實施方式4所涉及的半導體激光器裝置的部分切去立體圖。圖9是表示本發(fā)明的實施方式4所涉及的半導體激光器裝置的部分切去立體圖。圖10是表示本發(fā)明的實施方式4所涉及的半導體激光器裝置的部分切去立體圖。圖11是表示本發(fā)明的實施方式5所涉及的半導體激光器裝置的部分切去立體圖。圖12是表示現(xiàn)有的半導體激光器裝置的部分切去立體圖。
具體實施例方式以下，參照附圖來說明本發(fā)明的實施方式。在以下的附圖中，存在對相同的構(gòu)成要素標注相同的符號，所以省略說明的情況。(實施方式1)圖1是表示本發(fā)明的實施方式1所涉及的半導體激光器裝置的部分切去立體圖。 如圖1所示，本實施方式1的半導體激光器裝置具備射出激光的半導體激光器元件1、冷卻半導體激光器元件ι的散熱器2、和以電絕緣狀態(tài)固定設置在散熱器2上的金屬板3。另夕卜，在本實施方式1中，將半導體激光器元件1直接安裝在散熱器2的上面，但是也可以在這二者間設置兼具導電性和熱傳導性的板，將半導體激光器元件1間接地安裝在散熱器2 的上面。此外，金屬絲4接合在半導體激光器元件1和金屬板3上。而且，作為框體的一例而使用的大致箱形的封裝5具有底面和外周側(cè)面，上面為開口狀態(tài)。此外，本實施方式1的半導體激光器裝置具備用于向封裝5內(nèi)部供給電力的電極板6、用于使封裝5和電極板6電絕緣的絕緣部件7、和使金屬板3和電極板6連接的金屬部件8。而且，半導體激光器裝置具備棒透鏡9、透鏡固定臺10、光纖陣列11和光纖12。這里，棒透鏡9校準從半導體激光器元件1射出的激光。透鏡固定臺10保持棒透鏡9。光纖陣列11是為了將由棒透鏡9校準的激光導出到封裝5之外而將光纖捆束而形成的。光纖 12用于將激光導出到封裝5外部，是半導體激光器裝置的輸出部。此外，蓋13密封封裝5 的上面開口部，密封部件14使封裝5與蓋13之間氣密密封。S卩，若在封裝5的上面開口部外周緣安裝密封部件14，并在該狀態(tài)下一邊擠壓密封部件14的上面一邊在封裝5的上面開口部安裝蓋13，則可實現(xiàn)由封裝5和蓋13構(gòu)成的框體內(nèi)的氣密。而且，密封部件15用于使封裝5和光纖12氣密密封，也是用于實現(xiàn)封裝5內(nèi)的氣密保持的部件。第1貫通孔16以及第2貫通孔17形成為在上下方向上貫通封裝5的底面。即，在散熱器2內(nèi)設置有冷卻介質(zhì)通路2a，所述第1貫通孔16和第2貫通孔17與該冷卻介質(zhì)通路加聯(lián)結(jié)，從所述第1貫通孔16流入的冷卻介質(zhì)通過冷卻介質(zhì)通路加后， 從第2貫通孔17向封裝5外流出。此外，第1密封部件18是用于防止冷卻介質(zhì)向封裝5內(nèi)部流出而設置的部件。該第1密封部件18在封裝5的底面上設置在第1貫通孔16的外周部分，即散熱器2和第1 貫通孔16的結(jié)合部外周，通過散熱器2，被按壓向封裝5側(cè)。同樣地第2密封部件19也是用于防止冷卻介質(zhì)向封裝5內(nèi)部流出而設置的部件。 該第2密封部件19在封裝5的底面上設置在第2貫通孔17的外周部分，即散熱器2和第 2貫通孔17的結(jié)合部外周，通過散熱器2，被按壓向封裝5側(cè)。對于包括如以上所構(gòu)成的半導體激光器裝置的半導體激光模塊，說明其動作。從半導體激光器裝置的封裝5通過散熱器2，將半導體激光器元件1的陽極側(cè)作為正極側(cè)，從電極板6通過金屬部件8、金屬板3以及金屬絲4，將半導體激光器元件1的陰極側(cè)作為負極側(cè)，來供給電源裝置供給的電氣輸入。據(jù)此，向半導體激光器元件1流入電流， 該電流變換為光從而射出激光。被射出的激光通過棒透鏡9被校準從而高效地射入光纖陣列11，通過光纖12被導出到封裝5之外，作為半導體激光模塊的輸出光，被利用為固體激光器的激發(fā)光、直接用于加工的光源?？墒牵谙虬雽w激光器元件1供給電力時，該電力被光電變換而激光振蕩的同時，通過半導體激光器元件1的電阻成分，其一部分電力被消耗，還發(fā)生半導體激光器元件 1本身的發(fā)熱。半導體激光器元件1的溫度越上升，越不能高效地將在內(nèi)部流動的電流禁閉在進行光電變換的區(qū)域，所以激光振蕩效率降低。此外，一旦溫度上升，則要得到同一光輸出所需要的電力也增加，半導體激光器元件1劣化的比例也增加，所以壽命變短。因此，若使半導體激光器元件1高輸出化，則與此相伴的電氣輸入也增大，所以發(fā)熱量增大。因此，在本實施方式1的半導體激光器裝置中，采用了提高冷卻半導體激光器元件1的散熱器2的冷卻能力，抑制半導體激光器元件1的溫度上升的結(jié)構(gòu)。即，采用了通過設置在封裝5的第1貫通孔16和第2貫通孔17，直接向形成在靠近半導體激光器元件1的部分的散熱器2的冷卻介質(zhì)通路加內(nèi)流過冷卻介質(zhì)，由此抑制半導體激光器元件1的溫度上升的結(jié)構(gòu)。據(jù)此，散熱器2的冷卻能力提高，能夠抑制半導體激光器元件1的溫度上升，所以能夠確保可靠性、質(zhì)量，并且能夠?qū)崿F(xiàn)更高輸出的半導體激光器裝置。S卩，本發(fā)明的半導體激光器裝置具備框體5、設置在框體5內(nèi)并且在內(nèi)部具有冷卻介質(zhì)通路加的散熱器2、和直接或間接地安裝在散熱器2上的激光射出部1。而且，在半導體激光器裝置的框體5的壁面，設置有第1貫通孔16和第2貫通孔17，在框體5內(nèi)的第 1貫通孔16的外周配置了第1密封部件18，在第2貫通孔17的外周配置了第2密封部件19。這里，第1貫通孔16從框體5的外部向散熱器2的冷卻介質(zhì)通路加供給冷卻介質(zhì)。第 2貫通孔17從散熱器2的冷卻介質(zhì)通路加向框體5的外部排出冷卻介質(zhì)。此外，激光射出部1包含半導體激光器元件1。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，向散熱器2的冷卻介質(zhì)通路加供給冷卻介質(zhì)，能夠高效地對其進行冷卻，作為該結(jié)果，能夠抑制框體5內(nèi)部的溫度上升。據(jù)此，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制半導體激光器元件1的溫度上升、高可靠性且高質(zhì)量的半導體激光器裝置。而且，可以搭載進一步高輸出的半導體激光器元件1，此外，與此相伴，能夠?qū)崿F(xiàn)能夠射出進一步高輸出的激光的半導體激光器裝置。(實施方式2)圖2 圖5是表示本發(fā)明的實施方式2所涉及的半導體激光器裝置的部分切去立體圖。如圖2所示，在框體、例如大致箱形的封裝20中分別設置了第1流路形成部件21以及第2流路形成部件22。此外，平面部件23設置在封裝20的底面?zhèn)?，在分別與第1貫通孔16以及第2貫通孔17相對應的位置設置了第3貫通孔M以及第4貫通孔25。第1密封部件26設置在散熱器2與第1流路形成部件21之間，防止流過第1貫通孔16以及第2 貫通孔17的冷卻介質(zhì)向封裝20內(nèi)部流出。同樣地，第2密封部件27設置在散熱器2與第 2流路形成部件22之間，防止冷卻介質(zhì)向封裝20內(nèi)部流出。第3密封部件觀設置在第1 流路形成部件21與第3貫通孔M之間，防止冷卻介質(zhì)向封裝外部流出。第4密封部件四設置在第2流路形成部件22與第4貫通孔25之間，防止冷卻介質(zhì)向封裝外部流出。此外，第5密封部件30設置在封裝20與平面部件23之間的第3密封部件28的外周，保持封裝20內(nèi)部的氣密性。第6密封部件31設置在封裝20與平面部件23之間的第4密封部件四的外周，保持封裝20內(nèi)部的氣密性。S卩，本實施方式2的半導體激光器裝置具備封裝20、散熱器2、作為激光射出部1 的半導體激光器元件1、和平面部件23。這里，散熱器2設置在封裝20內(nèi)，在內(nèi)部具有冷卻介質(zhì)通路2a。半導體激光器元件1直接或間接地安裝在散熱器2上，平面部件23設置在構(gòu)成封裝20的底面外。此外，在與平面部件23相對置的封裝20的壁面設置第1貫通孔16和第2貫通孔 17。在第1貫通孔16的內(nèi)側(cè)設置有圓筒狀的第1流路形成部件21，第1流路形成部件21 具有用于向散熱器2的冷卻介質(zhì)通路加供給冷卻介質(zhì)的流路。在第2貫通孔17的內(nèi)側(cè)設置有第2流路形成部件22，第2流路形成部件22具備用于從散熱器2的冷卻介質(zhì)通路加排出冷卻介質(zhì)的流路。而且，在平面部件23的與第1流路形成部件21相對應的位置，設置有用于向散熱器2的冷卻介質(zhì)通路加供給冷卻介質(zhì)的第3貫通孔M。此外，在平面部件23的與第2流路形成部件22相對應的位置，同樣設置有用于從散熱器2的冷卻介質(zhì)通路加排出冷卻介質(zhì)的第4貫通孔25。S卩，本發(fā)明的半導體激光器裝置具備框體20、設置在框體20內(nèi)并且在內(nèi)部具有冷卻介質(zhì)通路的散熱器2、直接或間接地安裝在散熱器上的激光射出部1、和設置在構(gòu)成框體20的一個壁面外的平面部件23。而且，在與平面部件23相對置的框體20的壁面，設置有第1貫通孔16和第2貫通孔17。在第1貫通孔16的內(nèi)側(cè)設置有第1流路形成部件21。在第2貫通孔17的內(nèi)側(cè)設置有第2流路形成部件22。這里，第1流路形成部件21具備用于向散熱器2的冷卻介質(zhì)通路加供給冷卻介質(zhì)的流路。第2流路形成部件22具備用于從散熱器2的冷卻介質(zhì)通路 2a排出冷卻介質(zhì)的流路。此外，在平面部件23的與第1流路形成部件21相對應的位置，設置有用于向散熱器2的冷卻介質(zhì)通路加供給冷卻介質(zhì)的第3貫通孔M。在平面部件23的與第2流路形成部件22相對應的位置，設置有用于從散熱器2的冷卻介質(zhì)通路加排出冷卻介質(zhì)的第4貫通孔25。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，向散熱器2的冷卻介質(zhì)通路加供給冷卻介質(zhì)，能夠高效地對其進行冷卻，作為其結(jié)果，能夠抑制框體20內(nèi)部的溫度上升。據(jù)此，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制半導體激光器元件1的溫度上升、高可靠性且高質(zhì)量的半導體激光器裝置。此外，可以搭載進一步高輸出的半導體激光器元件1，此外，與此相伴，能夠?qū)崿F(xiàn)可以輸出進一步高輸出的激光的半導體激光器裝置。以下，對于本實施方式2的半導體激光器裝置的特征點，與實施方式1的半導體激光器裝置相比較來進行說明。在使用圖1所示的實施方式1所示那樣的結(jié)構(gòu)的情況下，為了向散熱器2供給冷卻介質(zhì)，向封裝5中的第1貫通孔16以及第2貫通孔17流入冷卻介質(zhì)。與此同時，為了向半導體激光器元件1的陽極側(cè)供給電力，封裝5的材料，一般使用對耐蝕性、導電性都優(yōu)異的銅或者銅合金實施了鍍金的材料。但是，銅作為材料價格較高，并且除了難以廉價地進行量產(chǎn)加工之外，實施鍍金， 成本進一步上升。因此，在本實施方式2的半導體激光器裝置中，對于流過冷卻介質(zhì)的第1流路形成部件21、第2流路形成部件22以及平面部件23，使用耐蝕性高但導電性低的部件，例如不銹鋼、樹脂部件。另一方面，對于不與冷卻介質(zhì)接觸的封裝20，使用耐蝕性低而導電性高的部件，例如鋁合金。此外，不銹鋼、樹脂、鋁合金可以容易地利用模具或壓鑄(die-casting)、蠟模鑄造法(lost wax process)等的鑄件來制作，能夠通過量產(chǎn)化來大幅降低加工成本。此外，可以通過密封部件沈、27、觀、四防止冷卻介質(zhì)的流出，通過密封部件30、31確保封裝20內(nèi)部的氣密性。另外，用于確保封裝20內(nèi)部的氣密性的密封部件30、31，可以如圖3所示的密封部件32、33那樣，是設置在散熱器2和封裝20之間的構(gòu)造。即，可以在密封部件27、28的外周設置密封部件30、31。S卩，本發(fā)明的半導體激光器裝置采用如下結(jié)構(gòu)設置第1密封部件沈、第2密封部件27、第3密封部件28和第4密封部件四，在框體20與平面部件23之間的第3密封部件 28的外周設置第5密封部件30，在框體20與平面部件23之間的第4密封部件四的外周設置第6密封部件31。這里，第1密封部件沈設置在散熱器2和第1流路形成部件21的結(jié)合部外周。第2密封部件27設置在散熱器2和第2流路形成部件22的結(jié)合部外周。第 3密封部件觀設置在平面部件23和第1流路形成部件21的結(jié)合部外周。第4密封部件 29設置在平面部件23和第2流路形成部件22的結(jié)合部外周。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，向散熱器2的冷卻介質(zhì)通路加供給冷卻介質(zhì)，能夠高效地對其進行冷卻，作為該結(jié)果，能夠抑制框體20內(nèi)部的溫度上升。而且，通過雙重設置密封部件，能夠防止冷卻介質(zhì)的流出，并且確保封裝20內(nèi)部的氣密性。此外，本發(fā)明的半導體激光器裝置采用如下結(jié)構(gòu)設置第1密封部件26、第2密封部件27、第3密封部件28和第4密封部件29，在框體20和散熱器2之間的第1密封部件 26的外周設置第5密封部件32，在框體20和散熱器2之間的第2密封部件27的外周設置第6密封部件33。這里，第1密封部件沈設置在散熱器2和第1流路形成部件21的結(jié)合部外周。第2密封部件27設置在散熱器2和第2流路形成部件22的結(jié)合部外周。第3密封部件觀設置在平面部件23和第1流路形成部件21的結(jié)合部外周。第4密封部件四設置在平面部件23和第2流路形成部件22的結(jié)合部外周。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，向散熱器2的冷卻介質(zhì)通路加供給冷卻介質(zhì)，能夠高效地對其進行冷卻，作為其結(jié)果，能夠抑制框體20內(nèi)部的溫度上升。而且，通過雙重設置密封部件，能夠防止冷卻介質(zhì)的流出，并且確保封裝20內(nèi)部的氣密性。此外，采用如下結(jié)構(gòu)框體20由以鋁為主成分的金屬形成，第1流路形成部件21、 第2流路形成部件22以及平面部件23由耐蝕性比鋁優(yōu)異的部件形成。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，形成流入或者流出冷卻介質(zhì)的通路的第1流路形成部件21、第2流路形成部件22以及平面部件23不會被腐蝕，所以可以用冷卻介質(zhì)高效地冷卻半導體激光器元件1，抑制溫度上升。此外，第1流路形成部件21、第2流路形成部件22以及平面部件23構(gòu)成為由不銹鋼或者樹脂形成。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可以容易地用模具以及壓鑄、蠟模鑄造法等的鑄件制作第1流路形成部件21、第2流路形成部件22以及平面部件23，通過量產(chǎn)化從而能夠大幅地降低加工成本。此外，如圖4所示，本實施方式2的半導體激光器裝置還可以構(gòu)成為將用于確保封裝20內(nèi)部的氣密性的第5密封部件34按照同時包圍第3密封部件28以及第4密封部件 29的方式設置在封裝20和平面部件23之間。即，本發(fā)明的半導體激光器裝置構(gòu)成為設置第1密封部件26、第2密封部件27、第3密封部件28和第4密封部件四，在框體20和散熱器2之間設置包圍第1密封部件沈以及第2密封部件27的第5密封部件34。這里，第1 密封部件沈設置在散熱器2和第1流路形成部件21的結(jié)合部外周。第2密封部件27設置在散熱器2和第2流路形成部件22的結(jié)合部外周。第3密封部件觀設置在平面部件23 和第1流路形成部件21的結(jié)合部外周。第4密封部件四設置在平面部件23和第2流路形成部件22的結(jié)合部外周。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，向散熱器2的冷卻介質(zhì)通路加供給冷卻介質(zhì)，能夠高效地對其進行冷卻，作為其結(jié)果，能夠抑制框體20內(nèi)部的溫度上升。而且，通過雙重設置密封部件，能夠防止冷卻介質(zhì)的流出，并且確保封裝20內(nèi)部的氣密性。進而，如圖5所示，本實施方式2的半導體激光器裝置還可以構(gòu)成為將用于確保封裝20內(nèi)部的氣密性的第5密封部件35按照同時包圍第1密封部件沈以及第2密封部件 27的方式設置在散熱器2和封裝20之間。即，本發(fā)明的半導體激光器裝置構(gòu)成為設置第1 密封部件26、第2密封部件27、第3密封部件28和第4密封部件四，在框體20和平面部件 23之間設置包圍第3密封部件28以及所述第4密封部件四的第5密封部件35。這里，第
111密封部件沈設置在散熱器2和第1流路形成部件21的結(jié)合部外周。第2密封部件27設置在散熱器2和第2流路形成部件22的結(jié)合部外周。第3密封部件觀設置在平面部件23 和第1流路形成部件21的結(jié)合部外周。第4密封部件四設置在平面部件23和第2流路形成部件22的結(jié)合部外周。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，向散熱器2的冷卻介質(zhì)通路加供給冷卻介質(zhì)，能夠高效地對其進行冷卻，作為該結(jié)果，能夠抑制框體20內(nèi)部的溫度上升。而且，通過雙重設置密封部件，能夠防止冷卻介質(zhì)的流出，并且確保封裝20內(nèi)部的氣密性。如以上那樣，根據(jù)本實施方式2的半導體激光器裝置，使用耐蝕性高的部件來構(gòu)成第1流路形成部件21、第2流路形成部件22以及平面部件23，使用導電性高的部件來構(gòu)成封裝20。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，將適用于各自的用途的不同的材質(zhì)的部件用于所需的部分。據(jù)此， 作為材料也變得廉價，量產(chǎn)加工變得簡單。因此，因為能夠相應地低價格化，所以能夠確保包括半導體激光器裝置的半導體激光模塊的可靠性、質(zhì)量，并且使成本降低。此外，向散熱器的冷卻介質(zhì)通路供給冷卻介質(zhì)，能夠高效地對其進行冷卻，作為該結(jié)果，能夠抑制框體內(nèi)部的溫度上升。而且，通過雙重設置密封部件，能夠防止冷卻介質(zhì)的流出，并且確保封裝內(nèi)部的氣密性。(實施方式3)圖6、圖7是表示本發(fā)明的實施方式3所涉及的半導體激光器裝置的部分切去立體圖。如圖6所示，本實施方式3的半導體激光器裝置的第1密封部件36設置在散熱器2、第 1流路形成部件21以及封裝20之間，防止向封裝20內(nèi)部流出冷卻介質(zhì)并且保持封裝20內(nèi)部的氣密性。此外，同樣地，第2密封部件37設置在散熱器2、第2流路形成部件22以及封裝20之間，防止向封裝20內(nèi)部流出冷卻介質(zhì)并且保持封裝20內(nèi)部的氣密性。S卩，本實施方式3的半導體激光器裝置，在封裝20、散熱器2以及第1流路形成部件21之間設置第1密封部件36，在封裝20、散熱器2以及第2流路形成部件22之間設置第2密封部件37。而且，本實施方式3的半導體激光器裝置在平面部件23和第1流路形成部件21的結(jié)合部外周設置第3密封部件觀，在平面部件23和第2流路形成部件22的結(jié)合部外周設置第4密封部件四，確保封裝20的氣密性的密封部件的構(gòu)造與實施方式2不同。具體而言，在使用實施方式2所示那樣的半導體激光器裝置的結(jié)構(gòu)時，為了確保封裝20內(nèi)部的氣密性，需要下述任一種密封部件。即，需要圖2所示的第5密封部件30以及第6密封部件31、圖3所示的第5密封部件32以及第6密封部件33、圖4所示的第5密封部件34、圖5所示的第5密封部件35。因此，本實施方式3的半導體激光器裝置構(gòu)成為通過第1密封部件36密封散熱器 2、封裝20以及第1流路形成部件21之間，并且通過第2密封部件37密封散熱器2、封裝20 以及第2流路形成部件22之間。即，本發(fā)明的半導體激光器裝置在框體20、散熱器2以及第1流路形成部件21之間設置第1密封部件36，在框體20、散熱器2以及第2流路形成部件22之間設置第2密封部件37。而且，本發(fā)明的半導體激光器裝置構(gòu)成為在平面部件23 和第1流路形成部件21的結(jié)合部外周設置第3密封部件觀，在平面部件23和第2流路形成部件22的結(jié)合部外周設置第4密封部件四。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠同時具有至少由密封部件36、37防止冷卻介質(zhì)的流出和確保封裝20內(nèi)部的氣密性的功能。
另外，也可以如圖7所示的半導體激光器裝置那樣，是將用于防止冷卻介質(zhì)的流出和確保封裝20內(nèi)部的氣密性的第3密封部件38以及第4密封部件39分別設置在平面部件23、封裝20以及第1流路形成部件21或者第2流路形成部件22之間的構(gòu)造。S卩，本發(fā)明的半導體激光器裝置構(gòu)成為設置第1密封部件沈和第2密封部件27，在框體20、平面部件23以及第1流路形成部件21之間設置第3密封部件38，在框體20、平面部件23以及第2流路形成部件22之間設置第4密封部件39。這里，第1密封部件沈設置在散熱器2 和第1流路形成部件21的結(jié)合部外周。第2密封部件27設置在散熱器2和第2流路形成部件22的結(jié)合部外周。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠同時具有至少由密封部件38、39防止冷卻介質(zhì)的流出和確保封裝20內(nèi)部的氣密性的功能。如以上那樣，若使用本實施方式3的半導體激光器裝置，不需要使用僅用于確保封裝20內(nèi)部的氣密性而使用的密封部件30、31、密封部件32、33、或者密封部件34、35。而且，也不需要保持密封部件30、31、密封部件32、33、或者密封部件34、35的構(gòu)造，所以能夠相應地廉價化，所以能夠更廉價地制作半導體激光器裝置。(實施方式4)圖8、圖9、圖10是表示本發(fā)明的實施方式4所涉及的半導體激光器裝置的部分切去立體圖。圖8所示的本實施方式4的半導體激光器裝置具備大致箱形的封裝40、設置在封裝40的第1流路形成部件41、設置在封裝40的第2流路形成部件42、第1密封部件43、 第2密封部件44、第3密封部件45、和第4密封部件46。這里，第1密封部件43設置在散熱器2和第1流路形成部件41之間，是用于不使冷卻介質(zhì)向封裝40內(nèi)部流出的密封部件。 第2密封部件44設置在散熱器2和第2流路形成部件42之間，是用于不使冷卻介質(zhì)向所述封裝40內(nèi)部流出的密封部件。此外，第3密封部件45設置在封裝40和第1流路形成部件41之間，是用于保持封裝40內(nèi)部的氣密性的密封部件。第4密封部件46設置在封裝40 和第2流路形成部件42之間，是用于保持封裝40內(nèi)部的氣密性的密封部件。S卩，本實施方式4的半導體激光器裝置具備框體，例如封裝40 ；設置在封裝40 內(nèi)，并且在內(nèi)部具有冷卻介質(zhì)通路的散熱器2 ；以及直接或者間接地安裝在散熱器2上的激光射出部，例如半導體激光器元件1 ；其中，在封裝40的壁面設置有第1貫通孔16和第2貫通孔17。在第1貫通孔16的內(nèi)側(cè)設置具備用于向散熱器2供給冷卻介質(zhì)的流路的第1流路形成部件41，在第2貫通孔17的內(nèi)側(cè)設置具備用于從散熱器2排出冷卻介質(zhì)的流路的第2流路形成部件42。而且，本實施方式4的半導體激光器裝置構(gòu)成為在第1流路形成部件41以及第2流路形成部件42中的至少一方形成了與與其相對應的封裝40的第1貫通孔16部分或者第2貫通孔17部分相卡合的階梯部16a、17a。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，向散熱器2的冷卻介質(zhì)通路加供給冷卻介質(zhì)，能夠高效地對其進行冷卻，作為其結(jié)果，能夠抑制框體40內(nèi)部的溫度上升。而且，通過設置階梯部16a、17a和密封部件，能夠如后所述地防止冷卻介質(zhì)的流出，能夠確?？蝮w40內(nèi)部的氣密性。以下，對于本實施方式4的半導體激光器裝置的特征點，進行具體地說明。在半導體激光器裝置中，若采用如實施方式2、3所示那樣的圓筒狀的流路形成部件21、22，則為了防止流路形成部件21、22從框體20的脫離，需要對其進行支撐的平面部件23。與此同時， 在平面部件23，還需要用于確保封裝20內(nèi)部的氣密性的密封構(gòu)造。
1
因此，在本實施方式4的半導體激光器裝置中，在流路形成部件41、42的至少一方，形成了與與其相對應的封裝40的貫通孔16、17的部分相卡合的如圖8所示那樣的向外張開的階梯部41a、42a。當然，在貫通孔16、17部分也形成了流路形成部件41、42的階梯部 41a、4h卡合的向外張開的階梯部16a、17a。據(jù)此，流路形成部件41、42不會從封裝40的貫通孔16、17脫離，該階梯部413、4加與階梯部16a、17a相卡合。此外，通過在封裝40與各個流路形成部件41、42之間設置用于確保封裝40內(nèi)部的氣密性的密封部件45、46，從而不需要平面部件23。據(jù)此，能夠廉價地制作半導體激光器
直ο此外，框體40由以鋁為主成分的金屬形成，第1流路形成部件41和第2流路形成部件42由耐蝕性比鋁優(yōu)越的部件形成。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，形成了冷卻介質(zhì)流入或者流出的通路的第1流路形成部件41、第2流路形成部件42不會被腐蝕，所以能夠高效地利用冷卻介質(zhì)冷卻半導體激光器元件1，抑制
溫度上升。此外，采用第1流路形成部件41以及第2流路形成部件42由不銹鋼或者樹脂形成的結(jié)構(gòu)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠容易地利用模具或壓鑄、蠟模鑄造法等的鑄件來制作第1流路形成部件41以及第2流路形成部件42，通過量產(chǎn)化能夠大幅地使加工成本降低。另外，也可以如圖9所示的半導體激光器裝置的密封部件47、48那樣，采用分別在流路形成部件41、42的周圍的散熱器2和封裝40之間設置用于確保封裝40內(nèi)部的氣密性的密封部件45、46的構(gòu)造。本發(fā)明的半導體激光器裝置采用如下結(jié)構(gòu)在散熱器2和第1流路形成部件41的結(jié)合部外周設置第1密封部件43，在散熱器2和第2流路形成部件42的結(jié)合部外周設置第2密封部件44，在第1密封部件43的外周設置第3密封部件47，在第2密封部件44的外周設置第4密封部件48。另外，第1密封部件43以及第2密封部件44也可以被配置在框體40和散熱器2之間。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，向散熱器2的冷卻介質(zhì)通路加供給冷卻介質(zhì)，能夠高效地對其進行冷卻，作為其結(jié)果，能夠抑制框體40內(nèi)部的溫度上升。而且，通過設置階梯部16a、17a和密封部件，能夠防止冷卻介質(zhì)的流出，確保框體40內(nèi)部的氣密性。而且，不需要配置平面部件 23，能夠廉價地制作半導體激光器裝置。另外，如圖10所示，本實施方式4的半導體激光器裝置也可以采用按照包圍流路形成部件41、42的方式在散熱器2和封裝40之間設置用于確保封裝40內(nèi)部的氣密性的第 5密封部件49的構(gòu)造。S卩，本發(fā)明的半導體激光器裝置構(gòu)成為設置第1密封部件43和第2密封部件44， 在框體40和散熱器2之間設置包圍第1密封部件43以及第2密封部件44的第5密封部件49。這里，第1密封部件43設置在散熱器2和第1流路形成部件41的結(jié)合部外周。第 2密封部件44設置在散熱器2和第2流路形成部件42的結(jié)合部外周。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，向散熱器2的冷卻介質(zhì)通路加供給冷卻介質(zhì)，能夠高效地對其進行冷卻，作為其結(jié)果，能夠抑制框體40內(nèi)部的溫度上升。而且，通過設置階梯部16a、17a和密封部件，能夠防止冷卻介質(zhì)的流出，確?？蝮w40內(nèi)部的氣密性。與此同時，不需要配置平面部件23，能夠廉價地制作半導體激光器裝置。
如上所述，根據(jù)本實施方式4的半導體激光器裝置，不需要配置用于支撐流路形成部件41、42并且確保封裝40內(nèi)部的氣密性而具備的平面部件23，能夠相應地廉價化。據(jù)此，能夠更廉價地制作半導體激光器裝置。(實施方式5)圖11是表示本發(fā)明的實施方式5所涉及的半導體激光器裝置的部分切去立體圖。 在圖11所示的半導體激光器裝置中，第1密封部件50設置在散熱器2、第1流路形成部件 41以及封裝40之間。第2密封部件51設置在散熱器2、第2流路形成部件42以及封裝40 之間。而且，密封部件50、51防止冷卻介質(zhì)向封裝40內(nèi)部流出并且確保封裝40內(nèi)部的氣密性。本實施方式5的半導體激光器裝置與實施方式4不同的點在于，采用不需要僅用于確保封裝40的氣密性而使用的密封部件45、46、密封部件47、48或者密封部件49的結(jié)構(gòu)。在采用實施方式4所示那樣的半導體激光器裝置的結(jié)構(gòu)的情況下，為了確保封裝 40內(nèi)部的氣密性，需要在圖8、圖9、圖10所示的給定位置配置密封部件45、46、密封部件 47、48、或者密封部件49。因此，本實施方式5的半導體激光器裝置采用通過第1密封部件50來密封散熱器 2、封裝40以及第1流路形成部件41之間，并且通過第2密封部件51來密封散熱器2、封裝 40以及第2流路形成部件42之間的結(jié)構(gòu)。S卩，本發(fā)明的半導體激光器裝置采用在框體40、散熱器2以及第1流路形成部件 41之間設置第1密封部件50，在框體40、散熱器2以及第2流路形成部件42之間設置第2 密封部件51的結(jié)構(gòu)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過分別在第1貫通孔16以及第2貫通孔17配置一個密封部件50、 51，從而同時具有防止冷卻介質(zhì)的流出和確保封裝40內(nèi)部的氣密性的功能。如上所述，根據(jù)本實施方式5的半導體激光器裝置，不需要僅用于確保封裝40內(nèi)部的氣密性而使用的密封部件45、46、密封部件47、48、或者密封部件49。與此同時，也不需要保持密封部件45、46、密封部件47、48、或者密封部件49的構(gòu)造，所以能夠相應廉價化，所以能夠更廉價地制作半導體裝置。另外，在實施方式1 5中，本發(fā)明的半導體激光器裝置的冷卻介質(zhì)通路不局限于圖1 圖11所示的方向，既可以是與該方向垂直的方向，也可以是多個冷卻介質(zhì)通路正交或者交叉。此外，若該冷卻介質(zhì)通路的至少一部分形成在激光發(fā)光部的正下方附近，則能夠高效地提高半導體激光器裝置的冷卻能力，實現(xiàn)激光輸出的高輸出化。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的半導體激光器裝置具備對框體內(nèi)部的散熱器直接流過冷卻介質(zhì)提高冷卻能力的構(gòu)造。因此，在能夠確?？煽啃浴①|(zhì)量的同時，能夠搭載更高輸出的半導體激光器元件。因此，對于將半導體激光直接使用于加工的激光器裝置、將半導體激光作為激發(fā)光的激光器裝置等是有用的。符號說明1半導體激光器元件(激光射出部)2散熱器
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加冷卻介質(zhì)通路3金屬板4金屬絲5、20、40 封裝(框體)6電極板7絕緣部件8金屬部件9棒透鏡10透鏡固定臺11光纖陣列12 光纖13 蓋14、15密封部件16第1貫通孔16a、17a、41a、42a 階梯部17第2貫通孔18、26、36、43、50 第 1 密封部件19、27、37、44、51 第 2 密封部件21、41第1流路形成部件22、42第2流路形成部件23平面部件對第3貫通孔25第4貫通孔28、38、45、47 第 3 密封部件29、39、46、48 第 4 密封部件30、32、；34、35、49 第 5 密封部件31、33第6密封部件
權(quán)利要求
1.一種半導體激光器裝置，具備框體、設置在所述框體內(nèi)并且在內(nèi)部具有冷卻介質(zhì)通路的散熱器、和直接或者間接地安裝在所述散熱器上的激光射出部，在所述框體的壁面，設置用于從所述框體外向所述散熱器的所述冷卻介質(zhì)通路供給冷卻介質(zhì)的第1貫通孔、和用于從所述散熱器的所述冷卻介質(zhì)通路向所述框體外排出冷卻介質(zhì)的第2貫通孔，在所述框體內(nèi)的所述第1貫通孔的外周配置第1密封部件，在所述第2貫通孔的外周配置第2密封部件。
2.一種半導體激光器裝置，具備框體、設置在所述框體內(nèi)并且在內(nèi)部具有冷卻介質(zhì)通路的散熱器、直接或者間接地安裝在所述散熱器上的激光射出部、和設置在構(gòu)成所述框體的一個壁面外的平面部件，在與所述平面部件相對置的所述框體的所述壁面設置第1貫通孔和第2貫通孔，在所述第1貫通孔的內(nèi)側(cè)設置具備用于向所述散熱器的所述冷卻介質(zhì)通路供給冷卻介質(zhì)的流路的第1流路形成部件，在所述第2貫通孔的內(nèi)側(cè)設置具備用于從所述散熱器的所述冷卻介質(zhì)通路排出冷卻介質(zhì)的流路的第2流路形成部件，在所述平面部件的與所述第1流路形成部件相對應的位置上，設置用于向所述散熱器的所述冷卻介質(zhì)通路供給冷卻介質(zhì)的第3 貫通孔，在所述平面部件的與所述第2流路形成部件相對應的位置上，設置用于從所述散熱器的所述冷卻介質(zhì)通路排出冷卻介質(zhì)的第4貫通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體激光器裝置，其中，所述框體由以鋁為主成分的金屬形成，所述第1流路形成部件、所述第2流路形成部件以及所述平面部件由耐蝕性比鋁優(yōu)異的部件形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體激光器裝置，其中，所述第1流路形成部件、所述第2流路形成部件以及所述平面部件由不銹鋼或者樹脂形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求2 4中的任意一項所述的半導體激光器裝置，其中，在所述散熱器和所述第1流路形成部件的結(jié)合部外周設置第1密封部件，在所述散熱器和所述第2流路形成部件的結(jié)合部外周設置第2密封部件，在所述平面部件和所述第1 流路形成部件的結(jié)合部外周設置第3密封部件，在所述平面部件和所述第2流路形成部件的結(jié)合部外周設置第4密封部件，在所述框體和所述平面部件之間的所述第3密封部件的外周設置第5密封部件，在所述框體和所述平面部件之間的所述第4密封部件的外周設置第6密封部件。
6.根據(jù)權(quán)利要求2 4中的任意一項所述的半導體激光器裝置，其中，在所述散熱器和所述第1流路形成部件的結(jié)合部外周設置第1密封部件，在所述散熱器和所述第2流路形成部件的結(jié)合部外周設置第2密封部件，在所述平面部件和所述第1 流路形成部件的結(jié)合部外周設置第3密封部件，在所述平面部件和所述第2流路形成部件的結(jié)合部外周設置第4密封部件，在所述框體和所述散熱器之間的所述第1密封部件的外周設置第5密封部件，在所述框體和所述散熱器之間的所述第2密封部件的外周設置第6 密封部件。
7.根據(jù)權(quán)利要求2 4中的任意一項所述的半導體激光器裝置，其中，在所述散熱器和所述第1流路形成部件的結(jié)合部外周設置第1密封部件，在所述散熱器和所述第2流路形成部件的結(jié)合部外周設置第2密封部件，在所述平面部件和所述第1流路形成部件的結(jié)合部外周設置第3密封部件，在所述平面部件和所述第2流路形成部件的結(jié)合部外周設置第4密封部件，在所述框體和所述散熱器之間設置包圍所述第1密封部件以及所述第2密封部件的第5密封部件。
8.根據(jù)權(quán)利要求2 4中的任意一項所述的半導體激光器裝置，其中，在所述散熱器和所述第1流路形成部件的結(jié)合部外周設置第1密封部件，在所述散熱器和所述第2流路形成部件的結(jié)合部外周設置第2密封部件，在所述平面部件和所述第1 流路形成部件的結(jié)合部外周設置第3密封部件，在所述平面部件和所述第2流路形成部件的結(jié)合部外周設置第4密封部件，在所述框體和所述平面部件之間設置包圍所述第3密封部件以及所述第4密封部件的第5密封部件。
9.根據(jù)權(quán)利要求2 4中的任意一項所述的半導體激光器裝置，其中，在所述框體、所述散熱器以及第1流路形成部件之間設置第1密封部件，在所述框體、 所述散熱器以及所述第2流路形成部件之間設置第2密封部件，在所述平面部件和所述第1 流路形成部件的結(jié)合部外周設置第3密封部件，在所述平面部件和所述第2流路形成部件的結(jié)合部外周設置第4密封部件。
10.根據(jù)權(quán)利要求2 4中的任意一項所述的半導體激光器裝置，其中，在所述散熱器和所述第1流路形成部件的結(jié)合部外周設置第1密封部件，在所述散熱器和所述第2流路形成部件的結(jié)合部外周設置第2密封部件，在所述框體、所述平面部件以及所述第1流路形成部件之間設置第3密封部件，在所述框體、所述平面部件以及所述第2 流路形成部件之間設置第4密封部件。
11.一種半導體激光器裝置，具備框體、設置在所述框體內(nèi)并且在內(nèi)部具有冷卻介質(zhì)通路的散熱器、和直接或者間接地安裝在所述散熱器上的激光射出部，在所述框體的壁面設置第1貫通孔和第2貫通孔，在所述第1貫通孔的內(nèi)側(cè)設置具備用于向所述散熱器供給冷卻介質(zhì)的流路的第1流路形成部件，在所述第2貫通孔的內(nèi)側(cè)設置具備用于從所述散熱器排出冷卻介質(zhì)的流路的第2流路形成部件，在所述第1流路形成部件以及所述第2流路形成部件中的至少一方形成與與其相對應的所述框體的所述第1貫通孔部分或者所述第2貫通孔部分卡合的階梯部。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體激光器裝置，其中，所述框體由以鋁為主成分的金屬形成，所述第1流路形成部件和所述第2流路形成部件由耐蝕性比鋁優(yōu)異的部件形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導體激光器裝置，其中，所述第1流路形成部件以及所述第2流路形成部件由不銹鋼或者樹脂形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求11 13中的任意一項所述的半導體激光器裝置，其中，在所述散熱器和所述第1流路形成部件的結(jié)合部外周設置第1密封部件，在所述散熱器和所述第2流路形成部件的結(jié)合部外周設置第2密封部件，在所述第1密封部件的外周設置第3密封部件，在所述第2密封部件外周設置第4密封部件。
15.根據(jù)權(quán)利要求11 13中的任意一項所述的半導體激光器裝置，其中，在所述散熱器和所述第1流路形成部件的結(jié)合部外周設置第1密封部件，在所述散熱器和所述第2流路形成部件的結(jié)合部外周設置第2密封部件，在所述框體和所述散熱器之間的所述第1密封部件的外周設置第3密封部件，在所述框體和所述散熱器之間的所述第2密封部件的外周設置第4密封部件。
16.根據(jù)權(quán)利要求11 13中的任意一項所述的半導體激光器裝置，其中，在所述散熱器和所述第1流路形成部件的結(jié)合部外周設置第1密封部件，在所述散熱器和所述第2流路形成部件的結(jié)合部外周設置第2密封部件，在所述框體和所述散熱器之間設置包圍所述第1密封部件以及所述第2密封部件的第5密封部件。
17.根據(jù)權(quán)利要求11 13中的任意一項所述的半導體激光器裝置，其中，在所述框體、所述散熱器以及所述第1流路形成部件之間設置第1密封部件，在所述框體、所述散熱器以及所述第2流路形成部件之間設置第2密封部件。
全文摘要
本發(fā)明的半導體激光器裝置采用了直接對封裝(5)內(nèi)部的散熱器(2)流過冷卻介質(zhì)、并且確保封裝(5)內(nèi)部的氣密性的構(gòu)造。因此，能夠抑制半導體激光器元件(1)以及封裝(5)內(nèi)部的溫度上升，能夠確保半導體激光器裝置的可靠性、質(zhì)量，并且可以搭載更高輸出的半導體激光器元件(1)。
文檔編號H01S5/024GK102474068SQ20118000246
公開日2012年5月23日 申請日期2011年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月10日
發(fā)明者竹中義彰 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社