專利名稱：氧化物超導(dǎo)線材及氧化物超導(dǎo)線材的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種氧化物超導(dǎo)線材及氧化物超導(dǎo)線材的制造方法，尤其涉及ー種Y系超導(dǎo)線材的中間層的改良。
背景技術(shù)：
氧化物超導(dǎo)線材中的YBa2Cu3O7-x(以下，適當(dāng)稱作為YBC0)超導(dǎo)線材通常具有在金屬襯底上形成I層或多層經(jīng)雙軸定向的無機材料薄膜，且在無機材料薄膜上依次形成有超導(dǎo)膜及穩(wěn)定化層的結(jié)構(gòu)。該線材因結(jié)晶經(jīng)雙軸定向，故臨界電流值(Ic)高于鉍系銀包套線材，且液態(tài)氮溫度下的磁場特性優(yōu)異，因此具備如下的優(yōu)點通過使用該線材，可在高溫狀態(tài)下使用目前在液態(tài)氦溫度附近的低溫下使用的超導(dǎo)設(shè)備。 而且，氧化物超導(dǎo)體的超導(dǎo)特性因其結(jié)晶方位而變化，因此為了提高Jc(臨界電流密度)，而必須提高其面內(nèi)定向性，從而必須在帶狀的襯底上形成氧化物超導(dǎo)體。因此，采用使氧化物超導(dǎo)體磊晶成長在面內(nèi)定向性較高的襯底上的成膜エ藝。在此情況下，為了提高Jc，而必須使氧化物超導(dǎo)體的c軸和襯底的板面垂直地進行定向，且使其a軸(或b軸)與襯底面平行地進行面內(nèi)定向，良好地保持超導(dǎo)狀態(tài)的量子性結(jié)合性，因此，通過在面內(nèi)定向性較高的金屬襯底上形成面內(nèi)定向度與方位經(jīng)提高的中間層，并將該中間層的晶格用作模板，來提高超導(dǎo)層的結(jié)晶的面內(nèi)定向度與方位。而且，為了提高Ic值，而必須使形成在襯底上的氧化物超導(dǎo)體的膜厚變厚。已判明超導(dǎo)體的通電特性(Jc)取決于中間層的結(jié)晶性與表面平滑性，且其特性相應(yīng)于底層的狀態(tài)靈敏地發(fā)生較大變化。對于YBCO超導(dǎo)線材，目前通過多種成膜方法進行研究，作為在用于其的帯狀金屬襯底上形成有經(jīng)面內(nèi)定向的中間層的雙軸定向金屬襯底的制造技術(shù)，已知有IBAD(IonBeam Assisted Deposition,離子束輔助沉積)法或 RABiTS (商標Rolling AssistedBiaxially Textured Substrate,壓延輔助雙軸織構(gòu)襯底)法,且在非定向或定向金屬帶上形成有面內(nèi)定向度與方位經(jīng)提高的中間層的YBCO超導(dǎo)線材屢經(jīng)報導(dǎo)，例如，已知有如下的稀土類系帶狀氧化物超導(dǎo)體作為襯底，使用通過強壓延加工后的熱處理而具有定向集合組織的由Ni或Ni基合金構(gòu)成的襯底，且在該襯底的表面上依次形成Ni氧化物薄層、CeO2 (氧化鋪)等利用MOD (Metal Organic Deposition Processes :金屬有機酸鹽沉積)法形成的氧化物中間層及YBCO超導(dǎo)層(例如，參照專利文獻I)。其中，獲得最高特性的是使用IBAD襯底的方法。該方法是如下的超導(dǎo)線材在非磁性且高強度的帯狀Ni系襯底(哈斯特洛伊合金等)上，通過ー邊對該Ni系襯底自斜向照射離子，ー邊利用激光蒸鍍法使自靶材中產(chǎn)生的粒子沉積而形成具有高定向性且抑制與構(gòu)成超導(dǎo)體的元素的反應(yīng)的中間層(CeO2、Y2O3JSZ等)或2層結(jié)構(gòu)的中間層(YSZ或Gd2Zr2O7/CeO2或Y2O3等),且在中間層上利用PLD (Pulsed Laser Deposition,脈沖激光沉積)法形成CeO2膜之后，進ー步利用PLD法形成YBCO超導(dǎo)層(例如，參照專利文獻2)。以下，將Gd2Zr2O7 簡稱為 GZO。
作為Y系超導(dǎo)體的中間層，使用Ce02。CeO2中間層因與YBCO超導(dǎo)層的匹配性較佳，且與YBCO超導(dǎo)層的反應(yīng)性較小，所以作為最佳的中間層之一而廣為人知。成為超導(dǎo)層的底層的CeO2中間層具有提高氧化物超導(dǎo)層與GZO中間層間的晶格匹配性、以及抑制金屬襯底的元素擴散等作用。已知CeO2中間層的晶粒定向性對其上層的超導(dǎo)層的結(jié)晶定向性與臨界電流值(Ic)會造成較大影響。即，YBCO膜的超導(dǎo)特性受到CeO2中間層的面內(nèi)定向性或表面平滑性等的較大影響。CeO2中間層的制作エ藝中，將靶材與所制作的膜的組成偏差較少且可在高氧氣環(huán)境中形成膜的PLD法用于形成氧化膜。而且，作為使用PLD法情況下的2次效果，可列舉在GZO中間層上形成CeO2膜的情況下，進行隨著膜厚增加CeO2膜的晶粒面內(nèi)定向性(Aの)急劇提高的自我定向(selfpitaxy)、以及可進行高速成膜?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻I :日本專利特開2004-171841號公報專利文獻2 :日本專利特開2004-71359號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題對于YBCO超導(dǎo)線材的長尺寸化，要求在整體長度上不存在局部劣化。作為局部劣 化的主要原因，可以想到非常多的原因要素。例如，當(dāng)在帯狀金屬襯底上積層有包含GZO及Ce022層的中間層及超導(dǎo)層的結(jié)構(gòu)的YBCO線材的情況下，相對于帶狀金屬襯底的機械強度，GZO及CeO2中間層的強度極小，在進行長尺寸化時必須維持2個中間層。尤其，在GZO中間層上形成的CeO2中間層是在其后的使用TFA-MOD法的YBCO膜成膜中成為線材表面，因此容易受損，且有可能在受到彎曲等應(yīng)カ的情況下會剝離。然而，由于CeO2中間層與YBCO超導(dǎo)層的匹配性較佳，且與YBCO超導(dǎo)層的反應(yīng)性較小，所以作為最佳的中間層不可或缺。尤其，在利用MOD法形成超導(dǎo)層的情況下，產(chǎn)生以下記載的特有的問題。具體而言，在MOD法中，曝露于使用溶液的表面線材為CeO層。已知GZO中間層不耐酸，至少GZO層側(cè)面會曝露于MOD法中所使用的溶液中。尤其，當(dāng)利用MOD法形成超導(dǎo)層時，存在特有的問題，即，所述溶液自第I中間層(GZ0層)與第2中間層(CeO層)的界面部位或第I中間層(GZ0層)與襯底的界面部位侵入至各自的各層界面。本發(fā)明的目的在于提供ー種可防止當(dāng)利用MOD法形成超導(dǎo)層時產(chǎn)生的CeO層與各層的剝離，從而可提高耐酸性的氧化物超導(dǎo)線材及氧化物超導(dǎo)線材的制造方法。解決問題的方案本發(fā)明的氧化物超導(dǎo)線材是在帶狀金屬襯底上依序?qū)盈B有第I中間層和第2中間層所得的氧化物超導(dǎo)線材，其采用所述第2中間層延伸至所述第I中間層的側(cè)面的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的氧化物超導(dǎo)線材的制造方法是在將由I個或多個層構(gòu)成的第I中間層形成在帯狀金屬襯底上所得的帯狀線材上，形成第2中間層的氧化物超導(dǎo)線材的制造方法，該方法包含如下步驟在一對旋轉(zhuǎn)卷筒間，使所述帶狀線材以固定速度在濺射成膜區(qū)域中移動；使在所述濺射成膜區(qū)域中移動的所述帶狀線材隔著規(guī)定間隔往返移動多次；以及使自靶材濺出的蒸鍍原料以繞進相隔規(guī)定間隔配置的所述帶狀線材的側(cè)面的方式沉積，形成所述第2中間層延伸至所述第I中間層的側(cè)面的薄膜。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，可防止當(dāng)利用MOD法形成超導(dǎo)層時產(chǎn)生的CeO層與各層的剝離，從而可提高耐酸性。由此，可實現(xiàn)超導(dǎo)線材長尺寸化及特性提高，從而可實現(xiàn)在整體長度上能夠獲得穩(wěn)定的特性的氧化物超導(dǎo)線材及氧化物超導(dǎo)線材的制造方法。


圖I是表示本發(fā)明實施方式I的帶狀氧化物超導(dǎo)體的中間層的膜結(jié)構(gòu)的截面圖。圖2是上述實施方式I的帶狀氧化物超導(dǎo)體的截面圖。
圖3是表示上述實施方式I的帶狀氧化物超導(dǎo)體的成膜裝置的概略結(jié)構(gòu)的立體圖。圖4是表示本發(fā)明實施方式2的帶狀氧化物超導(dǎo)體的中間層的膜結(jié)構(gòu)的截面圖。標號說明10 Y系超導(dǎo)線材11 :非定向金屬襯底12、32:第 I 中間層13 :帶狀線材14、33:第 2 中間層14a、34a:側(cè)面部20、30 :帶狀氧化物超導(dǎo)體21:YBC0 超導(dǎo)膜31 :定向金屬襯底34:第3中間層100 :成膜裝置IOlaUOlb :線材托板102 :帶狀線材加熱用加熱器110:射頻濺射裝置111 :靶材120 :卷帶方式帶移動機構(gòu)121、122:回轉(zhuǎn)卷筒130:多回轉(zhuǎn)機構(gòu)
具體實施例方式以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明。(實施方式I)圖I是表示本發(fā)明實施方式I的帶狀氧化物超導(dǎo)體的中間層的膜結(jié)構(gòu)的截面圖。本實施方式是適用于包含2層中間層的氧化物超導(dǎo)體的例子。如圖I所示，Y系超導(dǎo)線材10包含帯狀線材13，由帯狀的非定向金屬襯底11和使用IBAD法在帯狀非定向金屬襯底11上形成的第I中間層(種子(seed)層)12構(gòu)成；以及第2中間層(覆蓋(cap)層)14,通過射頻(Radio Frequency,RF)派射(Sputtering)法形成在帯狀線材13上，且包含延伸至第I中間層12的側(cè)面為止的側(cè)面部14a。在本實施方式中，第2中間層14并非利用普通的射頻濺射法形成，而是如后述，利用組合有射頻派射法、卷帶(Reel to Reel, RTR)方式帶移動機構(gòu)、及使帶線材多回轉(zhuǎn)而穿過靶材上的多回轉(zhuǎn)(multi-turn)機構(gòu)的結(jié)構(gòu)的成膜裝置100(參照圖3)而形成。以下，將組合有射頻濺射法、卷帶方式帶移動機構(gòu)及多回轉(zhuǎn)機構(gòu)的方式稱作為卷帶式射頻磁控濺射法或成膜裝置100的射頻濺射法。本實施方式的成膜裝置100 (參照圖3)可調(diào)整射頻濺射法的成膜條件、卷帶方式帶移動機構(gòu)的走帶等移動條件、多回轉(zhuǎn)機構(gòu)的回轉(zhuǎn)設(shè)定條件。由此，第2中間層14不僅形成在第I中間層12上，也作為側(cè)面部14a而形成在第I中間層12的側(cè)面。通過上述調(diào)整，能夠?qū)⑸w側(cè)面部14a形成至非定向金屬襯底11的側(cè)面為止。而且,也能夠不形成側(cè)面部14a。非定向金屬襯底11是高強度的帯狀金屬襯底，其由以Ni-Cr系(具體而言Ni-Cr-Fe-Mo系的哈斯特洛伊合金B(yǎng)、C、X等)、W_Mo系、Fe-Cr系(例如奧氏體系不銹鋼)、Fe-Ni系(例如非磁性組成系統(tǒng))等材料為代表的立方晶系且Hv = 150以上的非磁性合金構(gòu)成。對這些系統(tǒng)的合金實施90%以上的熱軋加工，進而其后以再結(jié)晶溫度以上進行熱處理，由此，制成集合組織，顯示出良好的結(jié)晶定向性。第I中間層12由Gd2Zr2O7 (GZO)、釔穩(wěn)定化氧化鋯(YSZ) ,MgO等構(gòu)成，且利用IBAD法而形成在非定向金屬襯底11上。第I中間層12是用以在定向金屬襯底上制作經(jīng)雙軸定向的陶瓷層的種子層、并且是用以防止來自非定向金屬襯底11的元素擴散至超導(dǎo)層而導(dǎo)致超導(dǎo)特性劣化的擴散防止層。本實施方式的特征在于，對于在帶狀非定向金屬襯底11 (例如哈斯特洛伊合金)上形成第I中間層12 (例如Gd2Zr2O7)所得的帯狀線材13，利用成膜裝置100 (參照圖3)的射頻濺射法蒸鍍CeO2，從而形成包含了延伸至第I中間層12的側(cè)面為止的側(cè)面部14a的第2中間層14。第2中間層14是提高氧化物超導(dǎo)體與第I中間層12間的晶格匹配性，且抑制構(gòu)成第I中間層12的元素(Zr等)擴散。第2中間層14提高例如經(jīng)c軸定向的Re系(123)超導(dǎo)層成長的中間層與超導(dǎo)層的晶格匹配性。第2中間層14使用CeO2作為Y系超導(dǎo)體的中間層。CeO2中間層因其與YBCO超導(dǎo)層的匹配性較佳，且與YBCO層的反應(yīng)性較小，所以作為最佳的中間層的一個而已知。第2中間層14也可以是CeO2膜中添加有規(guī)定量的Gd的Ce-Gd-O膜或由Ce的一部分被其他金屬原子或金屬離子置換所得的Ce-M-O系氧化物構(gòu)成的膜。第2中間層14是利用卷帶式的射頻磁控濺射法，形成在第I中間層12上，并且作為側(cè)面部14a也形成在第I中間層12的側(cè)面。在形成第I中間層12的主面的同時，一體化地形成側(cè)面部14a。第2中間層14是具有耐酸性的中間層，例如為CeO2膜。包含延伸至第I中間層12的側(cè)面為止的側(cè)面部14a的第2中間層14的CeO2膜是耐酸性薄膜。 優(yōu)選，側(cè)面部14a的膜厚為第2中間層14的主面的膜厚的1/5以下。已確認若側(cè)面部14a的膜厚為第2中間層14的膜厚的1/5以下，則在進行長尺寸化的情況下，可防止第2中間層14的CeO2膜剝離，并且不會因側(cè)面部14a的CeO2膜其自身的厚度而產(chǎn)生對YBCO超導(dǎo)特性造成不良影響之類的應(yīng)カ。而且，優(yōu)選，側(cè)面部14a形成在第I中間層12的側(cè)面的至少1/2以上。尤其，當(dāng)利用MOD法形成超導(dǎo)層時，存在特有問題，S卩，所述溶液自第I中間層12(GZ0層)與第2中間層14(CeO層)的界面部位或第I中間層12 (GZ0層)與非定向金屬襯底11的界面部位侵入至各自的各層界面部位。為了解決該問題，而必須由第2中間層14覆蓋所述界面部位。因此，優(yōu)選將側(cè)面部14a形成在非定向金屬襯底11的側(cè)面的至少一部分，進而形成至在其底面。而且，非定向金屬襯底11的主面?zhèn)入m通過研磨等而具有平滑性，但與主面相比，側(cè)面及其底面呈較粗糙的狀態(tài)。因此，若第2中間層形成至非定向金屬襯底11的側(cè)面的一部分為止，則第2中間層將進入粗糙的側(cè)面，成為第2中間層14更不易剝離的狀態(tài)。
這里，側(cè)面部14a是利用卷帶式射頻磁控濺射法而與第2中間層14 一體地形成，因此，由與第2中間層14相同的組成形成。如上所述，CeO2膜因其與YBCO超導(dǎo)層的匹配性佳，且與YBCO層的反應(yīng)性小而最優(yōu)異。除此以外，CeO2膜也在耐酸性方面優(yōu)異。順帶而言，耐酸性是在MOD法中，使用CeO2膜作為中間層的原因之一。根據(jù)以上說明，第2中間層14及其側(cè)面部14a均由CeO2膜形成。而且，已知第2中間層14的晶粒定向性對其上層的超導(dǎo)層的結(jié)晶定向性和臨界電流值(Ic)造成較大影響。本實施方式是利用卷帶式射頻磁控濺射法，高精度地形成第2中間層14。卷帶式射頻磁控濺射法是與PLD法同樣地，靶材與所制作的膜的組成偏差較少，且可進行精確成膜，另ー方面，與PLD法相比，具備維護成本等便宜的優(yōu)點。第2中間層14的膜厚優(yōu)選50nm 3iim。當(dāng)未達50nm時,對于非定向金屬襯底11的防止元素擴散的效果較小，而當(dāng)該膜厚為3 y m以上時，存在膜出現(xiàn)裂痕的可能性。在本實施方式中，使第2中間層14的CeO2膜的膜厚為I U m,因此，側(cè)面部14a的CeO2膜的膜厚成為第2中間層14的CeO2膜的1/5以下。另外，若利用MOD法形成CeO2層，則因與襯底的熱膨脹率的差異等而出現(xiàn)裂痕，從而不能發(fā)揮作為中間層的功能。本實施方式的卷帶式射頻磁控濺射法不會產(chǎn)生如此的裂痕。圖2是本實施方式的帶狀氧化物超導(dǎo)體的截面圖。如圖2所示，帶狀氧化物超導(dǎo)體20是，對在帶狀線材13上形成有第2中間層14的Y 系超導(dǎo)線材 10,在第 2 中間層 14 上，利用 TFA-MOD (Trif luoroacetates-Metal OrganicD印osition，三氟醋酸-金屬有機物沉積)法形成有YBCO超導(dǎo)膜21。第2中間層14及YBCO超導(dǎo)膜21也根據(jù)各自的下層的結(jié)晶定向而具有較高的c軸及a軸定向性(面內(nèi)定向性)。帶狀氧化物超導(dǎo)體20是在第2中間層14的成膜步驟中，利用卷帶式射頻磁控濺射法也在第I中間層12的側(cè)面成膜側(cè)面部14a。該側(cè)面部14a是在形成第2中間層14的同時，即在第2中間層14的CeO2蒸鍍時，一體地形成的致密的CeO2膜。第2中間層14是通過作為側(cè)面部14a延伸至第I中間層12為止，即在第I中間層12的側(cè)面形成側(cè)面部14a，可期待以下的效果。(I)由于側(cè)面部14a覆蓋Y系超導(dǎo)線材10的上表面角部的第2中間層14，所以在Y系超導(dǎo)線材10受到彎曲 拉伸等應(yīng)カ的情況下，使第2中間層14的CeO2膜不易剝離。(2)而且，側(cè)面部14a可通過從側(cè)面遮蔽第I中間層12而保護第I中間層12免受TFA-MOD法的溶液的酸影響。換而言之，可擴大TFA-MOD法的溶液的種類/溶液濃度的選擇自由度，從而可使YBCO超導(dǎo)膜21成膜條件優(yōu)化。上述(I) (2)是在帶狀氧化物超導(dǎo)體20的長尺寸制作中，牽涉到特性提高和制作時間縮短。圖3是表示形成上述Y系超導(dǎo)線材10的第2中間層14的成膜裝置100的概略結(jié)構(gòu)的立體圖。成膜裝置100在非定向金屬襯底11上形成有第I中間層12的帶狀線材13上，形成包含側(cè)面部14a的第2中間層14。
如圖3所示，成膜裝置100包含線材托板101a、101b，支撐傳入及傳出的帶狀線材13 ;帶狀線材加熱用加熱器102，設(shè)置在線材托板IOlaUOlb之間，使傳出至線材托板IOlb上的走帶中的帯狀線材13加熱；及射頻濺射裝置110。射頻濺射裝置110包含在線材托板IOlb的下方，與帶狀線材加熱用加熱器102相對配置的板狀靶材111 (此處為CeO2靶材)、對靶材111施加高頻電壓的高頻施加裝置(未圖示)。高頻施加裝置將通過電暈放電等而自靶材111濺出的CeO2(蒸鍍原料)通過高頻施加而沉積在帯狀線材13的表面，從而形成薄膜。沉積在帯狀線材13的主面的CeO2膜形成第2中間層14的主面，沉積在帯狀線材13的側(cè)面的CeO2膜形成側(cè)面部14a。在圖3中，靶材111的表面的上方位置形成射頻濺射裝置110的濺射成膜區(qū)域112。而且，成膜裝置100包含設(shè)置在濺射成膜區(qū)域112的兩端的ー對回轉(zhuǎn)卷筒121、122，且包含怠倦方式帶移動機構(gòu)120，在回轉(zhuǎn)卷筒121、122間使帶狀線材13以固定速度在濺射成膜區(qū)域112中移動；及多回轉(zhuǎn)機構(gòu)130，將帶狀線材13卷繞在回轉(zhuǎn)卷筒121、122間，且使其進行多次回轉(zhuǎn)(此處為5次回轉(zhuǎn))而在濺射成膜區(qū)域112中穿過。多回轉(zhuǎn)機構(gòu)130是使帶狀線材13多次移動至濺射成膜區(qū)域112，優(yōu)選5次以上移動至濺射成膜區(qū)域112，因此具備可使成膜速度比卷帶方式エ藝高的優(yōu)點。而且，為了使第2中間層以繞進所期望的位置為止的方式形成在帯狀線材13的側(cè)面，而不僅需要使帯狀線材13多次穿過濺射成膜區(qū)域112的本結(jié)構(gòu)，而且需要使通過卷帶方式帶移動機構(gòu)120而移動的帯狀線材13隔開規(guī)定間隔多次往返移動的多回轉(zhuǎn)機構(gòu)130。該規(guī)定間隔是能夠?qū)⒌?中間層形成為繞進所期望的位置為止的規(guī)定間隔即可，但優(yōu)選3 20_左右的間隔?？傊ㄟ^具有組合了射頻濺射裝置110、卷帶方式帶移動機構(gòu)120及多回轉(zhuǎn)機構(gòu)130等的卷帶式射頻磁控濺射法，而能夠以繞進帯狀線材13的側(cè)面的方式形成CeO2膜。若不采用多回轉(zhuǎn)方式，則不僅不產(chǎn)生如此的間隔，而且若不是使帯狀線材13多次穿過濺射成膜區(qū)域112的本結(jié)構(gòu)，則不會沉積足夠的膜厚且繞進側(cè)面等的Ce02。另外，成膜裝置100的射頻濺射裝置110、卷帶方式帶移動機構(gòu)120以及多回轉(zhuǎn)機構(gòu)130整體被收納在未圖示的成膜處理容器(腔室)。而且，射頻濺射裝置110在所述腔室內(nèi)產(chǎn)生放電。射頻濺射裝置110也可以包含自動地調(diào)整腔室內(nèi)的阻抗的機構(gòu)，若以此方式構(gòu)成，則可提高成膜的穩(wěn)定性。此處，為了確保大的成膜區(qū)域，靶材111也可以將多個靶材貼合成瓷磚狀。通過使用貼合成瓷磚狀的靶材而能夠安裝大面積的氧化物靶材。靶材111是用以形成作為目標的多晶薄膜，使用與目標組成的多晶薄膜相同組成或近似組成的靶材等。靶材111是使用CeO2靶材,但并不限定于此。[實施例]如圖2所示，帶狀氧化物超導(dǎo)體20具有在非定向金屬襯底11上，層疊Gd2Zr2O7(GZO)第I中間層12、包含側(cè)面部14a的CeO2第2中間層14及YBCO超導(dǎo)層21的結(jié)構(gòu)。使用的襯底是，在100 ii m厚X IOmm寬的長度為IOOm的哈斯特洛伊合金帶上利用IBAD法形成GZO膜所得的帯狀線材13。使用圖3的具有卷帶式射頻磁控濺射法的成膜裝置100，在帯狀線材13上，形成包含側(cè)面部14a的CeO2第2中間層14。
成膜條件為如下帶狀線材加熱用加熱器102的設(shè)定溫度400 900°C射頻濺射裝置110的射頻施加功率0. 5 2kW腔室內(nèi)的氣壓1 IOOmTorr。如圖3所示，成膜裝置100具有組合有射頻濺射裝置110、RTR方式帶移動機構(gòu)120及多回轉(zhuǎn)機構(gòu)130的結(jié)構(gòu)。由于包含射頻濺射裝置110，而無需使用PLD法，便可形成CeO2第2中間層14。而且，由于包含卷帶方式帶移動機構(gòu)120，而可在經(jīng)長尺寸化的帯狀線材13上形成CeO2第2中間層14。此外，由于包含多回轉(zhuǎn)機構(gòu)130，帯狀線材13可穿過濺射成膜區(qū)域112五次，從而可實現(xiàn)成膜高速化。此外，因為成膜裝置100具有組合有射頻濺射裝置110、卷帶方式帶移動機構(gòu)120及多回轉(zhuǎn)機構(gòu)130的卷帶式射頻磁控濺射法，所以不僅說可實施上述各個功能，而且可實現(xiàn)本實施方式的特有功能。即，通過在RTR方式且多回轉(zhuǎn)方式中，采用射頻濺射法，而能夠在帯狀線材13上形成CeO2第2中間層14的同時，在第I中間層12的側(cè)面形成側(cè)面部14a。更詳細進行說明，由于RTR方式且多回轉(zhuǎn)方式，而在多回轉(zhuǎn)的各次回轉(zhuǎn)中，在相鄰帶狀線材13間產(chǎn)生規(guī)定間隔。在多回轉(zhuǎn)中產(chǎn)生的帯狀線材13間，利用射頻濺射法以繞進帯狀線材13的側(cè)面的方式形成CeO2膜。若不采用多回轉(zhuǎn)方式，則不僅不會產(chǎn)生如此的間隔，而且若不是使帯狀線材13五次穿過濺射成膜區(qū)域112的本結(jié)構(gòu)，則不會沉積足夠膜厚的Ce02。制作將20cm長的IBAD-GZO襯底以IOm間隔連接于哈斯特洛伊合金導(dǎo)線所得的模擬長尺寸線材來進行了長時間的長尺寸中間層的穩(wěn)定成膜研究實驗。使用X射線衍射法而進行制成的CeO2第2中間層14的評估，關(guān)于結(jié)晶性以(200)強度進行評估，c軸定向度以9 一 2 0進行評估。對于CeO2第2中間層14的晶粒面內(nèi)定向性，進行極圖的測定，且取表示4次對稱性的掃描峰的半高寬(△)的平均值進行評估。CeO2第2中間層14的表面形狀與膜表面平滑性的評估是利用SEM(Scanning ElectronMicroscopy,掃描電子顯微鏡)及AFM(Atomic Force Microscopy,原子力顯微鏡)而分別進行。CeO2膜作為第2中間層(空隙層)14的有效性評估是通過利用TFA-MOD法實際制作YBCO超導(dǎo)膜21并測定超導(dǎo)膜的臨界電流(Ic)而判斷。使用直流四端子法測定Ic值，并根據(jù)I U V/cm的電場基準進行定義。
根據(jù)實驗結(jié)果，可知在利用濺射法制成的CeO2中間層上的YBCO超導(dǎo)層21中顯示良好的通電特性，因此，完全能夠用作YBCO線材的中間層。在本實施方式中，使用卷帶式射頻磁控濺射法提高射頻施加功率，并且實施用以擴大成膜區(qū)域的多回轉(zhuǎn)機構(gòu)。其結(jié)果Zkp對于長度方向的分布在整體長度上顯示6°以下(膜厚I. 4 y m)的Atp，形成了面內(nèi)足向極其均勻的CeO2中間層膜。利用卷帶式射頻磁控濺射法將晶粒面內(nèi)定向性(Aの)為6°以下的CeO2中間層膜長尺寸化得到成功，從而證實代替PLD法而利用濺射法，也可以作為高性能的YBCO線材用中間層而適用。如以上詳細說明，本實施方式的Y系超導(dǎo)線材10包含帶狀線材13，由帶狀的非定向金屬襯底11和使用IBAD法而形成在帯狀的非定向金屬襯底11上的第I中間層(種子層)12構(gòu)成；以及第2中間層14，利用卷帶式射頻磁控濺射法形成在帯狀線材13上的、包含延伸至第I中間層12的側(cè)面為止的側(cè)面部14a。即，Y系超導(dǎo)線材10采用第2中間層14作為側(cè)面部14a以覆蓋至少第I中間層12的側(cè)面的方式延伸的結(jié)構(gòu)。 由此，Y系超導(dǎo)線材10的上表面角部的第2中間層14延伸至第I中間層12的側(cè)面為止，且作為側(cè)面部14a覆蓋第I中間層12，因此，能夠使第2中間層14的CeO2膜在Y系超導(dǎo)線材10受到彎曲或拉伸等應(yīng)カ的情況下也不易剝離。而且，側(cè)面部14a從側(cè)面遮蔽第I中間層12，由此能夠保護第I中間層12免受TFA-MOD法的溶液的酸影響。然而，由于現(xiàn)有的CeO2中間層制作エ藝使用PLD法，而存在以下的問題。(I)裝置價格昂貴。(2)由于必須以數(shù)年間隔更換激光振蕩管，故裝置維護成本昂貴。(3)因長時間運轉(zhuǎn)中的激光能量經(jīng)時變化等，制造時的無人運轉(zhuǎn)較為困難。(4)激光束將附著在導(dǎo)入激光束的觀察ロ的玻璃表面的灰塵等燒結(jié)，導(dǎo)致觀察ロ的透光率經(jīng)時性下降。隨之到達靶材的激光束的強度也下降，導(dǎo)致膜質(zhì)劣化。與此相對，本實施方式的成膜裝置100包含射頻濺射裝置110，通過高頻施加使從靶材111濺出的CeO2沉積在帯狀線材13，形成包含延伸至第I中間層12的側(cè)面為止的側(cè)面部14a的第2中間層14 ;卷帶方式帶移動機構(gòu)120,在一對回轉(zhuǎn)卷筒間,使帶狀線材13以固定速度在濺射成膜區(qū)域112中移動；以及多回轉(zhuǎn)機構(gòu)130，使帯狀線材13多次移動至濺射成膜區(qū)域。以此方式，成膜裝置100利用卷帶式射頻磁控濺射法，將CeO2第2中間層14成膜，因此具有以下的效果。(I)與PLD法相比裝置價格便宜。(2)與PLD法相比維護成本便宜。(3)可進行100小時以上的長時間持續(xù)運轉(zhuǎn)，而且，由于成膜長時間穩(wěn)定，所以可進行無人運轉(zhuǎn)。(4)作為高速化的方法，多回轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)可相對便宜地實現(xiàn)。在此情況下，通過使作為膜材料的靶材111為寬幅形狀，且使帶狀線材13多次回轉(zhuǎn)而穿過靶材111上，從而能夠擴大濺射成膜區(qū)域112。根據(jù)上述(1)-(4)而在第2中間層14及其側(cè)面部14a的制造中，使裝置成本或運轉(zhuǎn)成本便宜，并可進行高速成膜。裝置的導(dǎo)入成本或維護成本因便宜而適于量產(chǎn)。
(實施方式2)YBCO膜的超導(dǎo)特性受到CeO2中間層的面內(nèi)定向性或表面平滑性等的較大影響。對CeO2膜而言，必須進行不產(chǎn)生裂痕的成膜。另外，當(dāng)在GZO中間層上利用PLD法形成CeO2膜時，可利用隨著膜厚増加CeO2膜的晶粒面內(nèi)定向性(A(p)急劇提高的自我定向(selfepitaxy)。由于其他原因,通常中間層形成為多層。實施方式I是適用于包含2層中間層的氧化物超導(dǎo)體的例子。實施方式2是對適用于包含3層以上中間層的氧化物超導(dǎo)體的例子進行說明。在本發(fā)明中，第2中間層延伸至第I中間層的側(cè)面為止即可，且第I及第2中間層也可以是金屬襯底與氧化物超導(dǎo)層間的各中間層的任ー層。例如，第2中間層被形成在氧化物超導(dǎo)層的正下方。另外，第I中間層也可以由多個中間層構(gòu)成。例如，在第I中間層為2層的情況下，
中間層成為3層。以下，利用實施方式2對該3層之例進行說明。另外，為了便于說明從金屬襯底上開始依次形成中間層的情況，而在實施方式2中，實施方式I的第2中間層對應(yīng)于第3中間層。圖4是表示本發(fā)明實施方式2的帶狀氧化物超導(dǎo)體的中間層的膜結(jié)構(gòu)的截面圖。本實施方式是適用于包含3層中間層的氧化物超導(dǎo)體的例子。如圖4所示，帶狀氧化物超導(dǎo)體30是在定向金屬襯底31上層疊分別具有特有功能的3層結(jié)構(gòu)的第I中間層32、第2中間層33及第3中間層34。在層疊第3中間層34之后，設(shè)置氧化物超導(dǎo)層(省略圖示)，進而設(shè)置由銀等構(gòu)成的發(fā)揮表面保護等作用的穩(wěn)定化層(省略圖示)。另外，如上所述，第3中間層34對應(yīng)于實施方式I的第2中間層14(參照圖I)。定向金屬襯底31是具有雙軸定向性的定向金屬襯底。第I中間層32是具有與定向金屬襯底31同等的定向性的模板層。第2中間層33是防止構(gòu)成定向金屬襯底31的金屬元素對氧化物超導(dǎo)層擴散的擴散防止層。第3中間層34是控制氧化物超導(dǎo)層的定向性來防止反應(yīng)性的定向控制層。尤其，第3中間層34提高氧化物超導(dǎo)層與第2中間層33間的晶格匹配性，且抑制定向金屬襯底31的元素擴散。第3中間層34延伸至第2中間層33的側(cè)面為止。第3中間層34不僅形成在第2中間層33上，而且也形成在第2中間層33的側(cè)面作為側(cè)面部34a。該側(cè)面部34a也可形成至第I中間層32或定向金屬襯底31的側(cè)面為止。為了提高氧化物超導(dǎo)層(省略圖示)的面內(nèi)定向性，上述各中間層32 34必須繼承經(jīng)雙軸定向的定向金屬襯底31的結(jié)晶定向，因此,定向金屬襯底31至少在接觸于第I中間層32的ー側(cè)，必須具備經(jīng)雙軸定向的表面層。作為如此的定向金屬襯底31，可使用冷軋后實施規(guī)定熱處理所得的Ni、Ni基合金、或者Cu或Cu基合金，可使用例如在Ni中含有
0.I 15at%的選自(W、Mo、Ta、V、Cr)中的I種或2種以上的元素的Ni基合金，除此以外，也可以使用通過冷加工而將這些定向金屬襯底、具有耐熱性及耐氧化性的金屬襯底(哈斯特洛伊合金、鎳鉻合金、不銹鋼等)與Ni或Ni基合金或者Cu或Cu基合金貼合，且以900 1300°C的溫度實施定向化熱處理所得的由層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成的復(fù)合金屬襯底。第I中間層12及第3中間層34優(yōu)選由CeO2或Ce-REl-O形成，且在此情況下，Ce: REl 的摩爾比為 Ce: REl = 30:70 (100 — a ) : a ( a > 0)，更優(yōu)選 Ce: REl = 40:60 70:30的范圍內(nèi)。其原因在于若Ce/REl比小于3/7，則雙軸定向性降低。第I中間層32的厚度優(yōu)選在10 IOOnm的范圍內(nèi)，其原因在于若膜厚未達IOnm則不能完全被覆金屬襯底，無法確認定向性提高的效果，另一方面，若膜厚超過IOOnm則表面粗糙度増大，導(dǎo)致使第2中間層及第3中間層的定向性或超導(dǎo)層的超導(dǎo)特性顯著降低的結(jié)果。而且，第3中間層34的厚度優(yōu)選30nm以上的范圍，若膜厚未達30nm，則當(dāng)形成超導(dǎo)層時，第3中間層13與超導(dǎo)層發(fā)生反應(yīng)而消失，導(dǎo)致使超導(dǎo)特性顯著降低的結(jié)果。另ー方面，第2中間層33可由RE2-Zr-0形成，在此情況下，RE2:Zr的摩爾比優(yōu)選RE2:Zr = 30:70 70:30的范圍內(nèi)。第2中間層33的厚度優(yōu)選30nm以上的范圍，若膜厚 未達30nm，則當(dāng)形成超導(dǎo)層時發(fā)生構(gòu)成金屬襯底10的合金元素與超導(dǎo)層的相互擴散，從而引起超導(dǎo)特性顯著劣化的結(jié)果。以上的第I至第3中間層及氧化物超導(dǎo)層只要是有機金屬鹽涂布熱分解(MOD)法、射頻派射法、脈沖激光沉積法、EB (Electron Beam,電子束)法、CVD (Chemical VaporDeposition，化學(xué)氣相沉積)法等可形成所述氧化物的方法，則可使用任ー種方法。第I及第2中間層以及氧化物超導(dǎo)層優(yōu)選利用有機金屬鹽涂布熱分解(MOD)法而形成。在此情況下，這些中間層及氧化物超導(dǎo)層可通過涂布以規(guī)定的摩爾比含有構(gòu)成該中間層或氧化物超導(dǎo)層的元素的辛酸鹽、環(huán)烷酸鹽、新癸酸鹽或三氟醋酸鹽的混合溶液之后，實施熱處理而形成，且只要可均勻地溶解于I種或2種以上的有機溶劑中并可涂布在襯底上，則并不限于此例。在此情況下，TFA-MOD法適合于氧化物超導(dǎo)層的形成。該方法是作為利用非真空エ藝進行制造的方法已知，且將以規(guī)定的摩爾比含有構(gòu)成氧化物超導(dǎo)體的各金屬元素的、以三氟醋酸鹽(TFA鹽)為主的金屬有機酸鹽的溶液涂布在襯底上，對其實施預(yù)燒熱處理而形成非晶狀前驅(qū)物，然后，實施結(jié)晶熱處理，使前驅(qū)物結(jié)晶，形成氧化物超導(dǎo)體。對金屬襯底的涂布方法可列舉旋涂法、浸涂法、噴墨法等，只要可在襯底形成均勻膜，則并不限于此例?；贛OD法的第I中間層11的面內(nèi)定向性是在相對于具有雙軸定向性的定向金屬襯底31的X射線衍射的Acp (半高寬)為ー 2度 +5度左右的范圍內(nèi)形成，但優(yōu)選將第I中間層至第3中間層的面內(nèi)定向性維持在相對于經(jīng)雙軸定向的定向金屬襯底10的Acp(半高寬)為±1.0度的范圍內(nèi)。這樣，根據(jù)本實施方式，帶狀氧化物超導(dǎo)體30包含延伸至第2中間層33的側(cè)面為止的第3中間層34。由此，獲得與實施方式I相同的效果，即，可解決當(dāng)利用MOD法形成超導(dǎo)層時，溶液侵入至第2中間層33與第3中間層34(CeO層)的界面部位的特有的問題。而且，當(dāng)側(cè)面部34a形成至定向金屬襯底31的側(cè)面的一部分為止時，第3中間層34(CeO層)繞進粗糙的定向金屬襯底31的側(cè)面，成為第I中間層32及第2中間層33更不易剝離的狀態(tài)。而且，在本實施方式中，通過在經(jīng)雙軸定向的定向金屬襯底31上，設(shè)置依次形成了第I中間層32、第2中間層33及第3中間層34的、由3層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的中間層，從而第I中間層32作為定向金屬襯底31的模板繼承定向金屬襯底31的面內(nèi)定向性,且利用層疊在第I中間層上的第2中間層33防止構(gòu)成金屬襯底的元素向氧化物超導(dǎo)層擴散，并且第3中間層34控制層疊在其上方的氧化物超導(dǎo)層的定向性。因此，可防止構(gòu)成定向金屬襯底31的元素擴散或中間層中產(chǎn)生裂痕，除此以外，可與定向金屬襯底31同等地維持氧化物超導(dǎo)層的面內(nèi)定向性，從而可獲得超導(dǎo)特性優(yōu)異的帶狀氧化物超導(dǎo)體。[實施例]在寬度為5mm、厚度為70 iim的Ni基合金襯底(定向金屬襯底31)上，利用MOD法形成Ce-Gd-O系氧化物層作為第I中間層32，及形成Ce-Zr-O系氧化物層作為第2中間層
33。利用X射線衍射測定了 Ni基合金襯底I的結(jié)晶定向性，結(jié)果S Atp (半高寬)為6. 5度。通過利用浸涂，涂布分別以規(guī)定的摩爾比含有Ce及Gd的辛酸、環(huán)烷酸、新癸酸等 有機金屬鹽的混合溶液之后，在100 400°C的溫度范圍內(nèi)進行預(yù)燒，接著在900 1200°C的溫度范圍內(nèi)實施煅燒使膜結(jié)晶，從而形成了 Ce-Gd-O系氧化物層32。另外，使用以Ce:Zr = 50:50的摩爾比含有Ce及Zr的辛酸、環(huán)烷酸、新癸酸等有機金屬鹽的混合溶液，通過與上述相同的方法，在Ce-Gd-O系氧化物層2上形成了 Ce-Zr-O系氧化物層33。此時的膜厚是lOOnm。利用卷帶式射頻磁控濺射法，使用CeO2靶材，將Ni基合金襯底(定向金屬襯底31)控制在400 750°C的溫度范圍內(nèi)，在所述Ce-Zr-O系氧化物層33上形成膜厚150nm的CeO2氧化物層作為第3中間層34。在以此方式形成的3層結(jié)構(gòu)的中間層上，利用TFA-MOD法形成YBCO超導(dǎo)層。此時的成膜條件如下將含有三氟醋酸鹽(TFA鹽)的金屬有機酸鹽的混合原料溶液涂布在CeO2氧化物層上后，預(yù)煅燒而形成煅燒膜，并在710 780°C的溫度范圍內(nèi)正式煅燒該預(yù)煅燒膜而成膜。煅燒時的總壓設(shè)為5 800Torr,氧分壓設(shè)為100 5000ppm,水蒸氣分壓設(shè)為2 30%的范圍。以此方式形成的YBCO超導(dǎo)層的膜厚為I U m。具體而言，以此方式形成的帶狀氧化物超導(dǎo)體是在實施方式I中，第2中間層延伸至第I中間層的側(cè)面為止，在實施方式2中，第3中間層延伸至第2中間層的側(cè)面為止。該第2中間層及第3中間層是方便起見的名稱，在其上方層疊氧化物超導(dǎo)層即可。實施例1、2是從實施方式I的2層中間層即第I及第2中間層觀察時的第2中間層的結(jié)構(gòu)。更具體而言，實施例I是第2中間層形成至第I中間層側(cè)面的1/2為止，實施例2是第2中間層形成至襯底側(cè)面為止。而且，實施例3是實施方式2的3層中間層即第I至第3中間層的結(jié)構(gòu)。第2中間層(實施方式2中為第3中間層)延伸至其下層的中間層或襯底的側(cè)面為止的實施例I 一 3的結(jié)構(gòu)與中間層未形成至側(cè)面為止的比較例相比，可確認在不存在剝離狀態(tài)的良好狀態(tài)下，Jc為2. 0以上，且在襯底的長度方向(長度為IOOm)的任一位置上Ic均為300A以上。以上說明是本發(fā)明的較佳實施方式的例證，本發(fā)明的范圍并不限定于此。例如，第2中間層延伸至第I中間層的側(cè)面為止即可，第I及第2中間層也可以是金屬襯底與氧化物超導(dǎo)層間的各中間層的任ー層。而且，第I中間層也可以由多個中間層構(gòu)成。另外，在實施方式I中，利用卷帶式射頻磁控濺射法，同時進行第2中間層(覆蓋層)14和側(cè)面部14a的CeO2膜沉積。然而，只要是在第I中間層(種子層)12的側(cè)面具備具有耐酸性的覆蓋層(例如CeO2膜)的氧化物超導(dǎo)線材，則也可以是利用任一成膜方法例如MOD法、PLD法、濺射法或射頻濺射法而成膜的線材。實施方式2也情況相同。另外，對于高強度帶狀金屬襯底，也可以使用選自哈斯特洛伊合金、不銹鋼、Ni系合金、Ag或Ag系合金中的I種金屬。而且，對于YBCO超導(dǎo)層21，也可以使用RE1 + xBa2 —xCu30Y(RE表示選自Y、Nd、Sm、Gd、Eu、Yb或Ho中的I種以上元素，Ho表示欽，X為6 7)。另外，在所述各實施方式中，使用了帶狀氧化物超導(dǎo)體、帶狀氧化物超導(dǎo)體的制造裝置及制造方法這名稱，但這是為了便于說明，也可以是氧化物超導(dǎo)線材、超導(dǎo)線材、帯狀氧化物超導(dǎo)線的制造裝置及制造方法等。另外，Y系超導(dǎo)線材有時稱作YBCO超導(dǎo)線材，帶 狀線材有時稱作YBCO帶線材等。此外，構(gòu)成上述氧化物超導(dǎo)體及氧化物超導(dǎo)體的制造裝置的各部分，例如氧化物超導(dǎo)體中的中間層、氧化物超導(dǎo)體的制造裝置及方法中的成膜裝置及方法等的種類和個數(shù)等并不限定于所述實施方式。2010年2月12日提交的日本專利申請?zhí)卦?010-029119中所包含的說明書、附圖及說明書摘要的公開內(nèi)容全部引用于本申請。エ業(yè)實用性本發(fā)明的氧化物超導(dǎo)線材及氧化物超導(dǎo)線材的制造方法可適用于可實現(xiàn)超導(dǎo)線材長尺寸化及特性提高，且在整體長度上可獲得穩(wěn)定特性的帶狀氧化物超導(dǎo)線。本發(fā)明的氧化物超導(dǎo)線材可用于超導(dǎo)電纜、電カ設(shè)備及動カ設(shè)備等設(shè)備。
權(quán)利要求
1.ー種氧化物超導(dǎo)線材，在帯狀金屬襯底上依序?qū)盈B有第I中間層和第2中間層， 所述第2中間層延伸至所述第I中間層的側(cè)面。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氧化物超導(dǎo)線材，其中，所述第I中間層由I個或多個中間層構(gòu)成，所述第2中間層形成在氧化物超導(dǎo)層的緊下方。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氧化物超導(dǎo)線材，其中，所述第2中間層為，相比于所述第I中間層更具耐酸性的薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氧化物超導(dǎo)線材，其中，所述第2中間層為CeO2膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氧化物超導(dǎo)線材，其中，所述第2中間層的所述側(cè)面的膜厚為所述第2中間層的主面膜厚的五分之一以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氧化物超導(dǎo)線材，其中，所述第2中間層延伸至所述第I中間層的側(cè)面的至少二分之一以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氧化物超導(dǎo)線材，其中，所述第2中間層延伸至所述帶狀金屬襯底的側(cè)面或底面。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氧化物超導(dǎo)線材，其中，所述氧化物超導(dǎo)層由利用金屬有機物沉積法形成的REBaCuO膜構(gòu)成，RE表示選自Y、Nd、Sm、Gd、Eu、Yb或Ho中的ー種以上元素。
9.ー種氧化物超導(dǎo)線材的制造方法，在將由I個或多個層構(gòu)成的第I中間層形成在帶狀金屬襯底上所得的帯狀線材上，形成第2中間層，該方法包含如下步驟 在一對旋轉(zhuǎn)卷筒間，使所述帶狀線材以固定速度在濺射成膜區(qū)域中移動； 使在所述濺射成膜區(qū)域中移動的所述帶狀線材隔著規(guī)定間隔往返移動多次；以及使自靶材濺出的蒸鍍原料以繞進相隔規(guī)定間隔配置的所述帶狀線材的側(cè)面的方式沉積，形成所述第2中間層延伸至所述第I中間層的側(cè)面的薄膜。
全文摘要
提供一種可實現(xiàn)超導(dǎo)線材長尺寸化及特性提高，且在整體長度上可獲得穩(wěn)定的特性的氧化物超導(dǎo)線材及氧化物超導(dǎo)線材的制造方法。作為該氧化物超導(dǎo)線材的Y系超導(dǎo)線材(10)包括帶狀線材(13)，其由帶狀的非定向金屬襯底(11)和使用IBAD法在帶狀的非定向金屬襯底11上形成的第1中間層(種子層)(12)構(gòu)成；以及利用卷帶式射頻磁控濺射法形成在帶狀線材(13)上的第2中間層(覆蓋層)(14)，其包含延伸至第1中間層(種子層)(12)的側(cè)面為止的側(cè)面部(14a)。
文檔編號H01B13/00GK102870172SQ20118000892
公開日2013年1月9日 申請日期2011年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月12日
發(fā)明者中西達尚, 青木裕治, 小泉勉, 兼子敦, 長谷川隆代 申請人:昭和電線電纜系統(tǒng)株式會社, 國際超電導(dǎo)產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究中心