專利名稱：半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法、半導(dǎo)體晶片接合體和半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法、半導(dǎo)體晶片接合體以及半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
作為以CMOS圖像傳感器、CXD圖像傳感器等光接收裝置為代表的半導(dǎo)體裝置，已知有包括設(shè)置有光接收部的半導(dǎo)體基板；設(shè)置于半導(dǎo)體基板的光接收部側(cè)并且以包圍光接收部的方式形成的隔片；以及通過該隔片接合于半導(dǎo)體基板上的透明基板的半導(dǎo)體裝置(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。例如，專利文獻(xiàn)I公開的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括粘貼工序，在設(shè)置有多個(gè)光接收部的半導(dǎo)體晶片上，粘貼感光性的粘接膜(隔片形成層)；曝光工序，通過掩模對該粘接膜有選擇性地照射化學(xué)射線，對粘接膜進(jìn)行曝光；形成工序，對已曝光的粘接膜進(jìn)行顯影以形成隔片；接合工序，將透明基板接合于所形成的隔片上；以及切割工序，對通過隔片來 接合半導(dǎo)體晶片與透明基板而成的接合體進(jìn)行切割。當(dāng)如前面所述地對曝光后的粘接膜進(jìn)行顯影時(shí)，通過顯影液使粘接膜中的未固化部分進(jìn)行溶解并去除。此時(shí)，有時(shí)前述未固化部分未完全溶解于顯影液中，導(dǎo)致前述未固化部分的一部分成為固體狀懸浮物。因此，在以往的技術(shù)中，存在前述懸浮物附著于半導(dǎo)體晶片上或粘接膜的曝光部分上作為殘?jiān)鴼埩粝聛淼膯栴}。上述問題會(huì)造成半導(dǎo)體裝置可靠性的降低或者半導(dǎo)體裝置制造中成品率的降低。通常，如前面所述地對曝光后的前述粘接膜進(jìn)行顯影后，在通過隔片接合半導(dǎo)體晶片與透明基板前，采用清洗液對粘接膜的固化部分(隔片)進(jìn)行清洗，但是，即使如此也發(fā)生上述問題?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開2008-91399號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題本發(fā)明的目的在于，提供一種半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法、以及可靠性優(yōu)良的半導(dǎo)體晶片接合體和半導(dǎo)體裝置，根據(jù)所述半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，在經(jīng)過曝光處理、顯影處理而形成半導(dǎo)體晶片與透明基板之間設(shè)置的隔片時(shí)，能夠抑制或者防止在顯影處理中產(chǎn)生的固體狀懸浮物作為殘?jiān)鴼埩舻默F(xiàn)象。解決課題的方法本發(fā)明的上述目的可通過下列(I) (14)中所記載的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。(I) 一種半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，所述半導(dǎo)體晶片接合體包括半導(dǎo)體晶片；以與該半導(dǎo)體晶片的一個(gè)(側(cè))面相對置的方式配置的透明基板；以及隔片，該隔片具有以使前述半導(dǎo)體晶片與前述透明基板之間劃分成多個(gè)空隙部的方式設(shè)置的壁部，其特征在于，所述制造方法包括對前述半導(dǎo)體晶片和前述透明基板中的一者，形成由具有感光性的樹脂組合物所構(gòu)成的隔片形成層的工序；通過對前述隔片形成層有選擇性地照射曝光用光而進(jìn)行曝光，并使用顯影液進(jìn)行顯影，以使前述壁部殘留下來的工序；以及將前述半導(dǎo)體晶片和前述透明基板中的另一者，與前述壁部接合的工序，并且，當(dāng)設(shè)定前述壁部的寬度為W[ μ m]、設(shè)定前述壁部的高度為Η[ μ m]時(shí)，分別滿足下列關(guān)系式〈1> 〈3>，15 ^ W ^ 3000......<1>·
3 彡 H 彡 300......<2>O. 10 ^ ff/H ^ 900......〈3>。(2)如上述(I)所述的半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，其中，當(dāng)設(shè)定前述顯影液的比重為A、設(shè)定前述樹脂組合物的比重為B時(shí)，滿足關(guān)系式O. 5 ^ A/B ^ 2。(3)如上述(I)或(2)所述的半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，其中，在俯視狀態(tài)下，前述壁部是以前述多個(gè)空隙部分別呈方形且配置成行列狀的方式形成。(4)如上述(I)至(3)中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，其中，前述顯影是通過使形成有前述隔片形成層的前述半導(dǎo)體晶片或者前述透明基板圍繞著垂直于其板面并且穿過中心附近的軸線進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，將前述顯影液供給前述隔片形成層來施行。(5)如上述(4)所述的半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，其中，前述顯影是在使前述半導(dǎo)體晶片或前述透明基板的設(shè)置有前述隔片形成層的面朝向上方的狀態(tài)下施行。(6)如上述(I)至(5)中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，其中，在前述顯影后并且在將前述半導(dǎo)體晶片和前述透明基板中的另一者與前述壁部進(jìn)行接合的工序之前，使用清洗液清洗前述壁部和形成有該壁部的前述半導(dǎo)體晶片或者前述透明基板。(7)如上述(6)所述的半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，其中，當(dāng)設(shè)定前述樹脂組合物的比重為B、設(shè)定前述清洗液的比重為C時(shí),滿足關(guān)系式O. 5 < C/B ( 2。(8)如上述(6)或(7)所述的半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，其中，前述清洗是通過使形成有前述壁部的前述半導(dǎo)體晶片或者前述透明基板圍繞著垂直于其板面且穿過中心附近的軸線進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，將前述清洗液供給前述壁部以及形成有該壁部的前述半導(dǎo)體晶片或者前述透明基板來施行。(9)如上述(8)所述的半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，其中，前述清洗是在使前述半導(dǎo)體晶片或前述透明基板的設(shè)置有前述壁部的面朝向上方的狀態(tài)下施行。(10)如上述(6)至(9)中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，其中，包括在前述清洗后并且在將前述半導(dǎo)體晶片和前述透明基板中的另一者與前述壁部進(jìn)行接合的工序之前，去除前述清洗液的工序。(11)如上述(10)所述的半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，其中，前述去除清洗液的工序，是通過使形成有前述壁部的前述半導(dǎo)體晶片或者前述透明基板圍繞著垂直于其板面且穿過中心附近的軸線進(jìn)行旋轉(zhuǎn)來施行。(12) 一種半導(dǎo)體晶片接合體，其特征在于，通過上述(I)至(11)中任一項(xiàng)所述的方法來制造。(13)—種半導(dǎo)體晶片接合體，具有半導(dǎo)體晶片；與該半導(dǎo)體晶片的一個(gè)(側(cè))面相對置而配置的透明基板；以及隔片，該隔片具有以使前述半導(dǎo)體晶片與前述透明基板之間劃分成多個(gè)空隙部的方式設(shè)置的壁部，其特征在于，當(dāng)設(shè)定前述壁部的寬度為W[ μ m]、設(shè)定前述壁部的高度為Η[ μ m]時(shí)，分別滿足下列關(guān)系式<1> 〈3>，15 ^ W ^ 3000......<1>3 彡 H 彡 300......<2>O. 10 ( ff/Η ( 900......〈3>。(14) 一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，通過對上述(12)或(13)所述的半導(dǎo)體晶片接合體進(jìn)行單片化來獲得。


圖I是表示本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。圖2是表示本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶片接合體的縱向剖面圖。圖3是圖2所示的半導(dǎo)體晶片接合體的俯視圖。圖4是表示圖I所示的半導(dǎo)體裝置(圖2所示的半導(dǎo)體晶片接合體)的制造方法的一個(gè)實(shí)例的工序圖。圖5是表示圖I所示的半導(dǎo)體裝置(圖2所示的半導(dǎo)體晶片接合體)的制造方法的一個(gè)實(shí)例的工序圖。圖6是表示圖I所示的半導(dǎo)體裝置(圖2所示的半導(dǎo)體晶片接合體)的制造方法的一個(gè)實(shí)例的工序圖。圖7是用于說明圖5 Ca)所示的顯影處理的圖。圖8是用于說明圖5 (a)所示的顯影處理中的作用的圖。
具體實(shí)施例方式下面，基于

本發(fā)明的實(shí)施方式。<半導(dǎo)體裝置(圖像傳感器)>首先，說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置。圖I是表示本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。此外，在下面的說明中，為了便于說明，將圖I中的上側(cè)稱為“上”、下側(cè)稱為“下”。圖I所示的半導(dǎo)體裝置100是CMOS圖像傳感器或CXD圖像傳感器等的光接收裝置。如圖I所不，上述半導(dǎo) 體裝置(光接收裝置)100,具有基底基板101 ;以與基底基板101相對置的方式配置的透明基板102 ;設(shè)置在基底基板101的透明基板102側(cè)的面上且包含光接收部的單獨(dú)電路103 ;設(shè)置于透明基板102與單獨(dú)電路103之間的隔片104 ;以及在基底基板101的與單獨(dú)電路103相反側(cè)的面上設(shè)置的焊錫凸塊106。另外，該半導(dǎo)體裝置100，是通過對后述的本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片接合體1000進(jìn)行單片化來獲得。基底基板101是半導(dǎo)體基板，設(shè)置有未圖示的電路(后述的半導(dǎo)體晶片所具有的單獨(dú)電路)。在上述基底基板101的一個(gè)面(上面)上，在其幾乎整個(gè)面上設(shè)置有單獨(dú)電路103。單獨(dú)電路103包含光接收部，例如，具有在基底基板101上依次層疊光接收元件和微透鏡陣列的構(gòu)成。作為單獨(dú)電路103所具有的光接收元件，例如，可以舉出(XD (Charge CoupledDevice,電荷稱合器件)、CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor,互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)等。具備上述光接收元件的單獨(dú)電路103，用于將由單獨(dú)電路103接收的光轉(zhuǎn)換成電信號。 透明基板102是以與基底基板101的一個(gè)面(上面)對置的方式被配置，其平面尺寸與基底基板101的平面尺寸大致相同。作為透明基板102，例如，可以舉出丙烯酸樹脂基板、聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂(PET)基板、玻璃基板等。隔片104分別直接與單獨(dú)電路103和透明基板102粘接。由此，基底基板101和透明基板102通過隔片104進(jìn)行接合。另外，隔片104具有分別沿著單獨(dú)電路103和透明基板102的外周邊緣部形成的框架狀。由此，在單獨(dú)電路103和透明基板102之間，形成有空隙部105。在此，以包圍單獨(dú)電路103的中心部的方式設(shè)置有隔片104，但在單獨(dú)電路103中被隔片104所包圍的部分、即露出于空隙部105的部分，作為實(shí)質(zhì)上的單獨(dú)電路發(fā)揮功能。焊錫凸塊106具有導(dǎo)電性，并在基底基板101的下面，與設(shè)置于該基底基板101的布線進(jìn)行電連接。由此，在單獨(dú)電路103中由光轉(zhuǎn)換成的電信號，傳遞至焊錫凸塊106。<半導(dǎo)體晶片接合體>接著，說明本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片接合體。圖2是表示本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶片接合體的縱向剖面圖，圖3是表示圖2所示半導(dǎo)體晶片接合體的俯視圖。如圖2所示，半導(dǎo)體晶片接合體1000是由依次層疊半導(dǎo)體晶片101’、隔片12A和透明基板102’而成的層疊體來構(gòu)成。即，半導(dǎo)體晶片接合體1000，是通過隔片12A接合半導(dǎo)體晶片101’和透明基板102’而成。半導(dǎo)體晶片101’，是通過經(jīng)歷如后述的單片化工序而成為如上所述的半導(dǎo)體裝置100的基底基板101的基板。另外，在半導(dǎo)體晶片101’上設(shè)置有多個(gè)單獨(dú)電路(未圖示)。并且，在半導(dǎo)體晶片101’的一個(gè)面(上面)上，與上述各單獨(dú)電路分別對應(yīng)地形成有如上所述的單獨(dú)電路103。該隔片12A是通過經(jīng)歷如后述的單片化工序而成為如上所述的半導(dǎo)體裝置100的隔片104的部件。該隔片12A具有以使半導(dǎo)體晶片101’與透明基板102’之間劃分成多個(gè)空隙部105的方式設(shè)置的壁部104’。壁部104’具有將多個(gè)凸條進(jìn)行組合的形狀。在本實(shí)施方式中，如圖3所示，在俯視狀態(tài)下，壁部104’是以多個(gè)空隙部105分別呈方形且配置成行列狀的方式形成。另外，在俯視時(shí)，多個(gè)空隙部105與前述半導(dǎo)體晶片101’上的多個(gè)單獨(dú)電路(單獨(dú)電路103)相對應(yīng)，從而形成為壁部104’包圍半導(dǎo)體晶片101’上的各單獨(dú)電路(單獨(dú)電路103)的的形狀。特別是，當(dāng)設(shè)定壁部104’(凸條)的寬度為W[ μ m]、設(shè)定壁部104’(凸條)的高度為Η[μ m]時(shí),該隔片12A分別滿足下列關(guān)系式<1> 〈3>，15 ^ W ^ 3000......<1>3 彡 H 彡 300......<2>O. 10 ^ ff/H ^ 900......〈3>。 關(guān)于上述關(guān)系式〈1> 〈3>，則在后面詳細(xì)說明。透明基板102’是通過隔片12A與半導(dǎo)體晶片101’接合。該透明基板102’是通過經(jīng)歷如后述的單片化工序而成為如上所述的半導(dǎo)體裝置100的透明基板102的部件。通過如后述地對這種半導(dǎo)體晶片接合體1000進(jìn)行單片化，可以獲得多個(gè)半導(dǎo)體裝置100。<半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體晶片接合體)的制造方法>接著，說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體晶片接合體)制造方法的優(yōu)選實(shí)施方式。此外，下面，針對本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，以制造上述半導(dǎo)體裝置100和半導(dǎo)體晶片接合體1000作為一個(gè)實(shí)例進(jìn)行說明。圖4 圖6分別是表示圖I所示的半導(dǎo)體裝置(圖2所示的半導(dǎo)體晶片接合體)的制造方法的一個(gè)實(shí)例的工序圖；圖7是用于說明圖5 (a)所示的顯影處理的圖；圖8是用于說明圖5 (a)所示的顯影處理中的作用的圖。半導(dǎo)體裝置100的制造方法，包括[A]制造半導(dǎo)體晶片接合體1000的工序，以及[B]對半導(dǎo)體晶片接合體1000進(jìn)行單片化的工序。其中，半導(dǎo)體晶片接合體1000的制造方法(上述工序[A])包括《Al》在半導(dǎo)體晶片101’上粘貼隔片形成層12的工序；《A2》通過曝光、顯影而有選擇性地去除隔片形成層12來形成隔片12A的工序；《A3》在隔片12A的與半導(dǎo)體晶片101’相反側(cè)的面上接合透明基板102’的工序；以及《A4》在半導(dǎo)體晶片101’的下面施加規(guī)定的加工或者處理的工序。下面，依次詳細(xì)說明半導(dǎo)體裝置100的制造方法的各工序。[A]半導(dǎo)體晶片接合體1000的制造工序《Al》在半導(dǎo)體晶片101’上粘貼隔片形成層12的工序Al-I首先，如圖4 (a)所示，準(zhǔn)備隔片形成用膜I。該隔片形成用膜1，具有支承基材11和支承在支承基材11上的隔片形成層12。支承基材11為片狀，具有支承隔片形成層12的功能。該支承基材11具有光透過性。由此，在后述工序《A2》的曝光處理中，能夠在將支承基材11附著于隔片形成層12的狀態(tài)下直接經(jīng)過支承基材11對隔片形成層12照射曝光用光。作為上述支承基材11的構(gòu)成材料，只要具有如上所述的支承隔片形成層12的功能和光透過性即可，并沒有特別限定，例如，可以舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)等。其中，基于能夠使支承基材11的光透過性和斷裂強(qiáng)度的平衡達(dá)到優(yōu)良的觀點(diǎn)出發(fā)，作為支承基材11的構(gòu)成材料優(yōu)選使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)。優(yōu)選上述支承基材11的平均厚度為5 100 μ m,更優(yōu)選為15 50 μ m。基于此，能夠使隔片形成用膜的操作性達(dá)到良好并且使隔片形成層中與支承基材相接觸部分的厚度達(dá)到均勻化。與此相對，若支承基材11的平均厚度低于上述下限值，則不能發(fā)揮支承基材11支承隔片形成層12的功能。另一方面，若支承基材11的平均厚度超過上述上限值，則會(huì)降低隔片形成用膜I的操作性。另外，對曝光用光在支承基材11的厚度方向上的透過率而言，并沒有特別限定，但優(yōu)選為20%以上且100%以下，更優(yōu)選為40%以上且100%以下。由此，在后述的曝光工序中，能夠可靠地通過支承基材11對隔片形成層12照射曝光用光來進(jìn)行曝光處理。另一方面，隔片形成層12對半導(dǎo)體晶片101’的表面具有粘接性。由此，能夠粘接 (接合)隔片形成層12和半導(dǎo)體晶片101’。另外，隔片形成層12具有光固化性(感光性)。由此，通過后述工序《A2》中的曝光處理和顯影處理，能夠以所需形狀進(jìn)行圖案化而形成隔片12A。另外，隔片形成層12具有熱固性。由此，即使在經(jīng)過后述工序《A2》中的曝光處理后，隔片形成層12也具有基于熱固性的粘接性。因此，在后述工序《A3》中，通過熱固化能夠使隔片12A和透明基板102’進(jìn)行接合。對上述隔片形成層12而言，只要具有如前述的粘接性、光固化性和熱固性即可，并沒有特別限定，但優(yōu)選由包含堿溶性樹脂和熱固性樹脂以及光聚合引發(fā)劑的材料(下稱“樹脂組合物”)來構(gòu)成。下面，詳細(xì)說明該樹脂組合物的各構(gòu)成材料。(堿溶性樹脂)作為堿溶性樹脂，例如，可以舉出甲酚型、苯酚型、雙酚A型、雙酚F型、鄰苯二酚型、間苯二酚型、鄰苯三酚型等酚醛清漆樹脂，苯酚芳烷基樹脂，羥基苯乙烯樹脂，甲基丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸酯樹脂等的丙烯酸系樹脂，含有羥基和羧基等的環(huán)狀烯烴系樹脂，聚酰胺系樹脂(具體而言，可以舉出具有聚苯并噁唑結(jié)構(gòu)和聚酰亞胺結(jié)構(gòu)中的至少一者并且在主鏈或側(cè)鏈上具有羥基、羧基、醚基或酯基的樹脂，具有聚苯并噁唑前驅(qū)體結(jié)構(gòu)的樹脂，具有聚酰亞胺前驅(qū)體結(jié)構(gòu)的樹脂，具有聚酰胺酸酯結(jié)構(gòu)的樹脂等)等，可使用它們中的一種或者兩種以上的組合。通過含有上述堿溶性樹脂來構(gòu)成的隔片形成層12，具有對環(huán)境的負(fù)荷更少的堿性
顯影性。尤其是，在上述堿溶性樹脂中，優(yōu)選使用同時(shí)包含有助于堿性顯影的堿溶性基和雙鍵的堿溶性樹脂。作為堿溶性基，例如，可以舉出羥基、羧基等。該堿溶性基，可有助于堿性顯影并且可有助于熱固化反應(yīng)。另外，堿溶性樹脂通過具有雙鍵，可有助于光固化反應(yīng)。作為上述具有堿溶性基和雙鍵的樹脂，例如，可以舉出通過光和熱這兩者均可發(fā)生固化的固化性樹脂，具體而言，例如，可以舉出具有丙烯?；?、甲基丙烯酰基和乙烯基等光反應(yīng)基的熱固性樹脂；具有酚羥基、醇羥基、羧基、酸酐基等熱反應(yīng)基的光固性樹脂等。若將上述基于光和熱這兩者均可固化的固化性樹脂作為堿溶性樹脂來使用，則能夠提高光固性樹脂與后述熱固性樹脂之間的相溶性。其結(jié)果是，能夠提高固化后的隔片形成層12、即隔片12A的強(qiáng)度。此外，具有熱反應(yīng)基的光固性樹脂，也可以是進(jìn)一步包含環(huán)氧基、氨基、氰酸酯基等其它熱反應(yīng)基。作為具有如此構(gòu)成的光固性樹脂，具體而言，可以舉出(甲基)丙烯酸改性酚醛樹脂、含有(甲基)丙烯?；谋┧峋酆衔锖秃恤然?環(huán)氧基)丙烯酸酯等。另夕卜，也可以是含有羧基的丙烯酸樹脂之類的熱塑性樹脂。
在如上所述的具有堿溶性基和雙鍵的樹脂(通過光和熱這兩者均可發(fā)生固化的固化性樹脂)中，優(yōu)選使用(甲基)丙烯酸改性酚醛樹脂。若使用(甲基)丙烯酸改性酚醛樹脂，由于含有堿溶性基，因此，在通過顯影處理去除未反應(yīng)的樹脂時(shí)，作為顯影液可以使用對環(huán)境負(fù)擔(dān)少的堿液，以取代通常所用的有機(jī)溶劑。并且，由于含有雙鍵，該雙鍵會(huì)有助于固化反應(yīng)，作為其結(jié)果，可以提高樹脂組合物的耐熱性。另外，通過使用(甲基)丙烯酸改性酚醛樹脂，可以確實(shí)地減小半導(dǎo)體晶片接合體1000的翹曲程度，從該觀點(diǎn)出發(fā)，也優(yōu)選使用(甲基)丙烯酸改性酚醛樹脂。作為(甲基)丙烯酸改性酚醛樹脂，例如，可以舉出使雙酚類所具有的羥基、與具有環(huán)氧基和(甲基)丙烯?；幕衔锏沫h(huán)氧基發(fā)生反應(yīng)而獲得的(甲基)丙烯?；男噪p酚樹脂。具體而言，作為上述(甲基)丙烯?；男噪p酚樹脂，例如，可以舉出下列化學(xué)式I所示的化合物。化學(xué)式I :
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，所述半導(dǎo)體晶片接合體包括半導(dǎo)體晶片；以與該半導(dǎo)體晶片的一個(gè)面相對置的方式配置的透明基板；以及隔片，該隔片具有以使所述半導(dǎo)體晶片與所述透明基板之間劃分成多個(gè)空隙部的方式設(shè)置的壁部，其特征在于，所述制造方法包括 對所述半導(dǎo)體晶片和所述透明基板中的一者，形成由具有感光性的樹脂組合物構(gòu)成的隔片形成層的工序； 通過對所述隔片形成層有選擇性地照射曝光用光而進(jìn)行曝光，并使用顯影液進(jìn)行顯影，以使所述壁部殘留下來的工序；以及 將所述半導(dǎo)體晶片和所述透明基板中的另一者，與所述壁部接合的工序， 并且，當(dāng)設(shè)定所述壁部的寬度為W、設(shè)定所述壁部的高度為H時(shí)，分別滿足下列關(guān)系式〈1> 〈3>，其中，寬度W和高度H的單位均為μπι， 15 ^ W ^ 3000 ......<1> 3 彡 H 彡 300 ......<2>O. 10 ^ ff/H ^ 900 ......〈3>。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，其中， 當(dāng)設(shè)定所述顯影液的比重為Α、設(shè)定所述樹脂組合物的比重為B時(shí)， 滿足關(guān)系式O. 5<Α/Β< 2。
3.如權(quán)利要求I或2所述的半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，其中，在俯視狀態(tài)下，所述壁部是以所述多個(gè)空隙部分別呈方形且配置成行列狀的方式形成。
4.如權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，其中，所述顯影是通過使形成有所述隔片形成層的所述半導(dǎo)體晶片或者所述透明基板圍繞著垂直于其板面并且穿過中心附近的軸線進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，將所述顯影液供給所述隔片形成層來施行。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，其中，所述顯影是在使所述半導(dǎo)體晶片或所述透明基板的設(shè)置有所述隔片形成層的面朝向上方的狀態(tài)下施行。
6.如權(quán)利要求I至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，其中，在所述顯影后并且在將所述半導(dǎo)體晶片和所述透明基板中的另一者與所述壁部進(jìn)行接合的工序之前，使用清洗液清洗所述壁部和形成有該壁部的所述半導(dǎo)體晶片或者所述透明基板。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，其中， 當(dāng)設(shè)定所述樹脂組合物的比重為B、設(shè)定所述清洗液的比重為C時(shí)， 滿足關(guān)系式0.5彡C/B彡2。
8.如權(quán)利要求6或7所述的半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，其中，所述清洗是通過使形成有所述壁部的所述半導(dǎo)體晶片或者所述透明基板圍繞著垂直于其板面且穿過中心附近的軸線進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，將所述清洗液供給所述壁部以及形成有該壁部的所述半導(dǎo)體晶片或者所述透明基板來施行。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，其中，所述清洗是在使所述半導(dǎo)體晶片或所述透明基板的設(shè)置有所述壁部的面朝向上方的狀態(tài)下施行。
10.如權(quán)利要求6至9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，其中，包括在所述清洗后并且在將所述半導(dǎo)體晶片和所述透明基板中的另一者與所述壁部進(jìn)行接合的工序之前，去除所述清洗液的工序。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，其中，所述去除清洗液的工序，是通過使形成有所述壁部的所述半導(dǎo)體晶片或者所述透明基板圍繞著垂直于其板面并且穿過中心附近的軸線進(jìn)行旋轉(zhuǎn)來施行。
12.—種半導(dǎo)體晶片接合體，其特征在于，通過權(quán)利要求I至11中任一項(xiàng)所述的方法來制造。
13.一種半導(dǎo)體晶片接合體，包括半導(dǎo)體晶片；與該半導(dǎo)體晶片的一個(gè)面相對置而配置的透明基板；以及隔片，該隔片具有以使所述半導(dǎo)體晶片與所述透明基板之間劃分成多個(gè)空隙部的方式設(shè)置的壁部，其特征在于， 當(dāng)設(shè)定所述壁部的寬度為W、設(shè)定所述各壁部的高度為H時(shí)，分別滿足下列關(guān)系式〈1> 〈3>，其中，寬度W和高度H的單位均為μπι， 15 ≤ W ≤3000 ......<1> 3 ≤ H ≤ 300 ......<2>O. 10 ≤ ff/Η ≤ 900 ......〈3>。
14.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，通過對權(quán)利要求12或13所述的半導(dǎo)體晶片接合體進(jìn)行單片化來獲得。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體晶片接合體的制造方法，包括通過對隔片形成層有選擇性地照射曝光用光而進(jìn)行曝光、并使用顯影液進(jìn)行顯影來使壁部(104’)殘留下來的工序，并且，當(dāng)設(shè)定壁部(104’)的寬度為W(μm)、設(shè)定壁部(104’)的高度為H(μm)時(shí)，分別滿足下列關(guān)系式～，15≤W≤3000……3≤H≤300……0.10≤W/H≤900……，基于此，在經(jīng)過曝光處理、顯影處理而形成半導(dǎo)體晶片與透明基板之間設(shè)置的隔片時(shí)，能夠抑制或者防止顯影處理中產(chǎn)生的固體狀懸浮物作為殘?jiān)鴼埩粝聛淼默F(xiàn)象。
文檔編號H01L23/10GK102792440SQ201180013349
公開日2012年11月21日 申請日期2011年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月26日
發(fā)明者佐藤敏寬, 出島裕久, 川田政和, 白石史廣, 米山正洋, 高橋豐誠 申請人:住友電木株式會(huì)社