專利名稱：發(fā)光裝置的制造方法以及發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具備發(fā)光二極管元件的發(fā)光裝置的制造方法以及發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管元件(以下簡(jiǎn)稱為發(fā)光元件)小型且發(fā)光效率良好，且具有鮮艷的發(fā)光顏色，而且具備長(zhǎng)壽命且優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)特性等，所以近年來，廣泛地用于彩色顯示裝置的背光源的光源、照明等。在此，將本發(fā)明中的發(fā)光裝置也作為具備發(fā)光元件的發(fā)光裝置的實(shí)施方式而進(jìn)行說明。近年來，對(duì)于在基板中安裝的發(fā)光元件，用透明樹脂、透明玻璃、或者包含熒光樹脂等的密封部件，在基板上包覆發(fā)光元件，而提供白色發(fā)光裝置、彩色發(fā)光裝置，并且，已知 將多個(gè)發(fā)光元件一并搭載到集合基板上而對(duì)由這樣的結(jié)構(gòu)構(gòu)成的發(fā)光裝置進(jìn)行量產(chǎn)化的方法(例如專利文獻(xiàn)I、專利文獻(xiàn)2)。圖41示出具備專利文獻(xiàn)I中的發(fā)光元件的以往的發(fā)光裝置。在該發(fā)光裝置100中，在樹脂基板102的上表面，設(shè)置有直接搭載發(fā)光元件103的上表面電極102a、和通過導(dǎo)線104而與發(fā)光兀件103電連接的上表面電極102a所構(gòu)成的一對(duì)上表面電極102a,并且，在樹脂基板102的下表面,設(shè)置有輸出用的下表面電極102b, —對(duì)上表面電極102a和作為外部連接電極的一對(duì)下表面電極102b通過一對(duì)通孔電極102c電連接。另外，在基板上，通過透明樹脂105，對(duì)該發(fā)光元件103進(jìn)行了密封。另外，在一對(duì)上表面電極102a上，在除了導(dǎo)線的鍵合所需的部分的部分中，設(shè)置有用于提高發(fā)光效率的反射部件106。圖42示出具備專利文獻(xiàn)2中的以往的發(fā)光元件的發(fā)光裝置。在該發(fā)光裝置200中，在陶瓷基板202的上表面?zhèn)?，設(shè)置有直接搭載發(fā)光兀件而電連接的一對(duì)上表面電極202a,并且在陶瓷基板202的下表面?zhèn)仍O(shè)置有輸出用的一對(duì)下表面電極202b, —對(duì)上表面電極202a和一對(duì)下表面電極202b通過一對(duì)通孔電極202c分別電連接。另外，對(duì)在陶瓷基板202的上表面?zhèn)仍O(shè)置的上表面電極202a，經(jīng)由在發(fā)光元件203的下表面形成的一對(duì)鍵合電極203a或者凸塊等而倒裝安裝。另外，發(fā)光元件203被低熔點(diǎn)玻璃205密封。但是，在上述專利文獻(xiàn)1、2中的具備發(fā)光元件的發(fā)光裝置100、200中，使用樹脂基板102、陶瓷基板202等具有電極的基板，在基板上搭載發(fā)光元件，將對(duì)發(fā)光元件進(jìn)行密封的樹脂設(shè)置到基板上而對(duì)發(fā)光元件進(jìn)行密封，所以該基板成為妨礙發(fā)光裝置100、200的薄型化、并且使散熱特性降低的一個(gè)原因。進(jìn)而，由于該基板而部件點(diǎn)數(shù)增加，所以還成為成本上升的原因。因此，以往，為了避免上述問題，最終提出了去除了基板的發(fā)光裝置(專利文獻(xiàn)3)。如圖43所示，在該發(fā)光裝置300中，在由金屬、塑料、硅等構(gòu)成的基板302的上表面，形成有與發(fā)光裝置300電連接的一對(duì)電極303a、303c、和搭載發(fā)光元件304的電極303b，發(fā)光元件304通過粘接劑被固定于電極303b上，通過導(dǎo)線305a、305b，與發(fā)光元件304的一對(duì)元件電極連接之后，發(fā)光元件304被密封部件306密封，之后通過機(jī)械或者化學(xué)的方法去除基板302，最終使電極303a、303b、303c在密封部件306的一面中露出，而構(gòu)成了發(fā)光裝置300的電極。但是，在上述以往的發(fā)光裝置300中，最終去除基板302，所以雖然實(shí)現(xiàn)了發(fā)光裝置整體的薄型化，但需要在使在基板302上牢固地固定的多個(gè)電極303a、303b、303c在密封部件306側(cè)固著而殘留的狀態(tài)下僅剝離基板302，且在該剝離中利用機(jī)械或者化學(xué)的方法，所以存在基板302的去除作業(yè)困難，并且作業(yè)效率也不佳，并且對(duì)剝離了基板302之后的發(fā)光裝置300的質(zhì)量難以保持一定這樣的問題。專利文獻(xiàn)I :日本特開2003 - 23183號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :日本特開2007 - 103978號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 :日本特開2006 - 173605號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明希望解決的課題在于，通過極其簡(jiǎn)易的方法來制造不使用搭載發(fā)光元件的基板的薄型的發(fā)光裝置。為了解決上述課題，本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法在一個(gè)實(shí)施例中，包括準(zhǔn)備分別具有一對(duì)兀件電極的多個(gè)發(fā)光兀件；使在各個(gè)發(fā)光兀件中設(shè)置的一對(duì)兀件電極的至少一面露出，在密封部件中排列多個(gè)發(fā)光元件；在所述密封部件上形成多對(duì)外部連接電極，各對(duì)外部連接電極與在各個(gè)發(fā)光元件中設(shè)置的一對(duì)元件電極電連接；以及分割具有所述多個(gè)發(fā)光元件的密封部件，得到多個(gè)具備分別具有一對(duì)元件電極的發(fā)光元件、以該一對(duì)元件電極的每一個(gè)的至少一面露出的狀態(tài)對(duì)發(fā)光元件進(jìn)行密封的密封部件、以及與一對(duì)元件電極電連接且在密封部件上設(shè)置的一對(duì)外部連接電極的發(fā)光裝置。另外，本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法在其他實(shí)施例中，包括準(zhǔn)備剝離性的粘著薄片；準(zhǔn)備分別具有一對(duì)元件電極的多個(gè)發(fā)光元件；使各發(fā)光元件的一對(duì)元件電極接觸于粘著薄片并排列多個(gè)發(fā)光元件；在粘著薄片上，在排列了多個(gè)發(fā)光元件的一側(cè)設(shè)置密封部件，通過密封部件對(duì)所述多個(gè)發(fā)光元件進(jìn)行密封；以及剝離粘著薄片，使與粘著薄片接觸的所述多個(gè)發(fā)光兀件的兀件電極露出。另外，本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法在其他實(shí)施例中，包括準(zhǔn)備透明基材；在所述透明基材上形成熒光體層；準(zhǔn)備分別具有一對(duì)元件電極的多個(gè)發(fā)光元件；在熒光體層上使與設(shè)置了所述元件電極的面對(duì)向的對(duì)向面接觸地排列多個(gè)發(fā)光元件；以及通過密封部件對(duì)分別具有一對(duì)兀件電極的多個(gè)發(fā)光兀件進(jìn)行密封。另外，本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法在其他實(shí)施例中，包括準(zhǔn)備透明基材；在所述透明基材上形成熒光體層；準(zhǔn)備分別具有一對(duì)元件電極的多個(gè)發(fā)光元件；在熒光體層上使與所述多個(gè)發(fā)光元件的各個(gè)具有的一對(duì)元件電極所設(shè)置的面對(duì)向的對(duì)向面接觸地、在熒光體層上排列多個(gè)發(fā)光元件；以及使所述多個(gè)發(fā)光元件的各個(gè)具有的元件電極從密封部件露出，而將熒光體層上的多個(gè)發(fā)光元件密封到密封部件中；以及在所述密封部件上形成多對(duì)外部連接電極，各對(duì)外部連接電極與所述多個(gè)發(fā)光元件的各個(gè)具有的一對(duì)元件電極電連接。另外，本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法在其他實(shí)施例中，包括準(zhǔn)備分別具有一對(duì)元件電極的多個(gè)發(fā)光兀件；使多個(gè)發(fā)光兀件的各個(gè)具有的一對(duì)兀件電極從密封部件露出，在密封部件中排列多個(gè)發(fā)光元件；形成覆蓋多個(gè)發(fā)光元件的各個(gè)具有的元件電極的基底電極膜；在基底電極膜上在與所述一對(duì)元件電極的P電極和N電極對(duì)應(yīng)地分離的位置，形成抗蝕劑掩模；在基底電極膜上，在未形成抗蝕劑掩模的位置鍍覆形成外部連接電極用金屬；去除所述抗蝕劑掩模；以及在去除了所述抗蝕劑掩模的位置，將所述外部連接電極用金屬作為掩模而對(duì)基底電極膜進(jìn)行蝕刻，在與多個(gè)發(fā)光兀件的各個(gè)具有的一對(duì)兀件電極電連接的位置，形成多對(duì)外部連接電極，各對(duì)外部連接電極與P電極和N電極電氣地分離。另外，本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法在其他實(shí)施例中，包括準(zhǔn)備剝離性的粘著薄片；準(zhǔn)備分別具有一對(duì)兀件電極的多個(gè)發(fā)光兀件；使多個(gè)發(fā)光兀件的各個(gè)具有的一對(duì)兀件電極接觸于粘著薄片并使其排列；以在各四邊柵格中配置各發(fā)光元件的方式，設(shè)置具有多個(gè)四邊柵格的反射框；在粘著薄片上，在排列了多個(gè)發(fā)光元件的一側(cè)，在反射框的各四邊柵格內(nèi)注入密封部件并使其硬化；剝離粘著薄片，使與粘著薄片接觸的所述多個(gè)發(fā)光元件的元件電極露出；在配置于各四邊柵格內(nèi)的密封部件上形成與在各個(gè)發(fā)光元件中設(shè)置的一對(duì)元件電極電連接的一對(duì)外部連接電極；以及以在四邊柵格上分割的方式，切斷反射框。另一方面，本發(fā)明的發(fā)光裝置在一個(gè)實(shí)施例中，具備發(fā)光元件，具有一對(duì)元件電極；密封部件，以該發(fā)光兀件的一對(duì)兀件電極的各個(gè)的至少一面露出的狀態(tài)對(duì)發(fā)光兀件進(jìn) 行密封；以及一對(duì)外部連接電極，形成于從密封部件露出的一對(duì)元件電極的所述至少一面上，與所述一對(duì)元件電極電連接。另外，本發(fā)明的發(fā)光裝置在其他實(shí)施例中，具備發(fā)光元件，具有上表面、下表面、以及上表面與下表面之間的周側(cè)面，在下表面具有一對(duì)元件電極；熒光體層，設(shè)置于發(fā)光元件的上表面；透明基材，設(shè)置于熒光體層的上表面；密封部件，以使發(fā)光元件的一對(duì)元件電極露出的方式配置，對(duì)發(fā)光元件的周面進(jìn)行密封；以及一對(duì)外部連接電極，與發(fā)光元件的一對(duì)元件電極電連接，設(shè)置于所述密封部件上。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法，通過從密封部件剝離粘著薄片，能夠使從密封部件的一面露出的發(fā)光元件的一對(duì)元件電極上電連接的一對(duì)外部連接電極形成于密封部件的其一面上，所以能夠極其簡(jiǎn)易地制造搭載發(fā)光元件、而不使用形成了外部連接用電極的基板的發(fā)光裝置。另外，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置，能夠簡(jiǎn)易地得到質(zhì)量穩(wěn)定的薄型的發(fā)光裝置，而且通過將與發(fā)光元件的元件電極電連接的外部連接電極設(shè)置于密封部件上，散熱特性被改
盡
口 ο


圖I是本發(fā)明的第I實(shí)施方式中的發(fā)光裝置的剖面圖。圖2是圖I所示的發(fā)光裝置的下表面?zhèn)鹊母┮晥D。圖3是示出將圖I所示的發(fā)光裝置安裝到外部基板的狀態(tài)的剖面圖。圖4是示出圖I所示的發(fā)光裝置的利用集合基板的制造方法的圖，是示出向用于搭載多個(gè)發(fā)光裝置的大版的夾具板粘接了剝離性的粘著薄片的狀態(tài)的剖面圖。圖5是從上觀察了圖4所示的夾具板的俯視圖。圖6是示出在圖5所示的夾具板的上表面上粘接的粘著薄片上以規(guī)定的間隔配置了多個(gè)發(fā)光元件的狀態(tài)的剖面圖。圖7是從上表面?zhèn)扔^察了圖6所示的夾具板的俯視圖。
圖8是示出在夾具板的上表面的粘著薄片上配設(shè)具有多個(gè)四邊柵格的反射框，且多個(gè)四邊柵格的每一個(gè)配置于各發(fā)光元件的周邊的狀態(tài)的剖面圖。圖9是從上表面?zhèn)扔^察了圖8所示的夾具板的俯視圖。圖10是示出在圖8的反射框的內(nèi)部填充密封部件來密封了各個(gè)發(fā)光元件的上表面?zhèn)纫约皞?cè)面?zhèn)鹊臓顟B(tài)的剖面圖。圖11是從上表面?zhèn)扔^察 了用樹脂密封且分別被四邊柵格形狀的框包圍的多個(gè)發(fā)光元件的俯視圖。圖12是示出將夾具板和粘著薄片剝離，而形成了具有集合性地用密封部件密封的多個(gè)發(fā)光元件的密封部件的狀態(tài)的剖面圖。圖13是從下表面?zhèn)扔^察了具有從圖12所示的集合性地用密封部件密封的多個(gè)發(fā)光元件的密封部件剝離了粘著薄片的狀態(tài)的俯視圖。圖14是示出具有圖12所示的集合性地用密封部件密封的多個(gè)發(fā)光元件的密封部件的下表面整體、和多個(gè)發(fā)光元件的每一個(gè)具有的一對(duì)元件電極的下表面與密封部件的下表面成為一面，并形成了包覆密封部件的下表面和各發(fā)光兀件具有的一對(duì)兀件電極的下表面的基底電極膜的狀態(tài)的剖面圖。圖15是從下表面?zhèn)扔^察了圖14所示的集合性地進(jìn)行樹脂密封的多個(gè)發(fā)光元件的俯視圖。圖16是示出在圖14所示的對(duì)多個(gè)發(fā)光元件集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件的下表面設(shè)置的基底電極膜的下表面形成了抗蝕劑掩模的狀態(tài)的剖面圖。圖17是從下表面?zhèn)扔^察了圖16所示的對(duì)多個(gè)發(fā)光元件集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件的俯視圖。圖18是示出在圖16所示的抗蝕劑掩模的開口鍍覆形成了外部連接電極用金屬的狀態(tài)的剖面圖。圖19是從下表面?zhèn)扔^察了圖18所示的對(duì)多個(gè)發(fā)光元件集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件的俯視圖。圖20是示出圖18所示的對(duì)多個(gè)發(fā)光元件集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件的下表面的抗蝕劑掩模被去除了的狀態(tài)的剖面圖。圖21是從下表面?zhèn)扔^察了圖20所示的對(duì)多個(gè)發(fā)光元件集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件的俯視圖。圖22是示出以在圖20所示的對(duì)多個(gè)發(fā)光元件集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件中鍍覆形成的外部連接電極用金屬為掩模而去除了N外部連接電極和P外部連接電極之間的基底電極膜的狀態(tài)的剖面圖。圖23是從下表面?zhèn)扔^察了圖22所示的對(duì)多個(gè)發(fā)光元件集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件的俯視圖。圖24是示出將圖22所示的對(duì)多個(gè)發(fā)光元件集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件切斷分離而構(gòu)成各個(gè)發(fā)光裝置的狀態(tài)的剖面圖。圖25是從下表面?zhèn)扔^察了圖24所示的對(duì)多個(gè)發(fā)光元件集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件的俯視圖。圖26是本發(fā)明的第2實(shí)施方式中的發(fā)光裝置的剖面圖。
圖27是示出圖26所示的發(fā)光裝置的制造方法的圖，是示出在將粘著薄片剝離了的對(duì)多個(gè)發(fā)光元件集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件的底面中形成了保護(hù)膜的狀態(tài)的剖面圖。圖28是示出在圖27所示的對(duì)多個(gè)發(fā)光元件集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件的下表面形成的保護(hù)膜的下表面上形成了基底金屬膜的狀態(tài)的剖面圖。圖29是示出在圖28所示的對(duì)多個(gè)發(fā)光元件集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件的基底金屬膜上形成了抗蝕劑掩模的狀態(tài)的剖面圖。圖30是示出在圖29所示的對(duì)多個(gè)發(fā)光元件集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件的抗蝕劑掩模的開口中鍍覆形成了外部連接電極用金屬的狀態(tài)的剖面圖。圖31是示出圖30所示的對(duì)多個(gè)發(fā)光元件集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件的抗蝕劑掩模被去除了的狀態(tài)的剖面圖。圖32是示出以圖31所示的對(duì)多個(gè)發(fā)光元件集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件的外部連接電極用金屬為掩模而去除了 N外部連接電極與P外部連接電極之間的基底電極膜的狀態(tài)的剖面圖。圖33是本發(fā)明的第3實(shí)施方式的發(fā)光裝置的剖面圖。圖34是示出圖33的發(fā)光裝置的制造方法的說明圖。圖35是本發(fā)明的第4實(shí)施方式的發(fā)光裝置的剖面圖。圖36是本發(fā)明的第5實(shí)施方式的發(fā)光裝置的剖面圖。圖37是示出圖36所示的發(fā)光裝置的制造方法的前段部分的工序圖。圖38是示出圖36所示的發(fā)光裝置的制造方法的后段部分的工序圖。圖39是本發(fā)明的第6實(shí)施方式的發(fā)光裝置的剖面圖。圖40是示出圖39所示的發(fā)光裝置的制造方法的特征性的部分的工序圖。圖41是示出以往的發(fā)光裝置的一個(gè)例子的剖面圖。圖42是示出以往的發(fā)光裝置的另一例子的剖面圖。圖43是示出搭載發(fā)光元件的基板被去除了的以往的發(fā)光裝置的一個(gè)例子的剖面圖。(符號(hào)說明)3 :發(fā)光元件；3a N電極(元件電極)；3b P電極(元件電極)；3L :對(duì)多個(gè)發(fā)光元件集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件；5 :密封部件；5a :下表面；6、26 :基底電極膜；6a、26a N電極基底膜；6b、26b P電極基底膜；6c、6d、26c、26d :露出部分的基底電極膜；8 :切斷部；
10、20、30、40、50、60 :發(fā)光裝置;lla、llb、21a、21b :鎳層;12a、12b、22a、22b :金層；13n、23η :Ν外部連接電極;13Ρ、23ρ Ρ外部連接電極；15 :反射框；25 :保護(hù)膜;27a、27b :階梯部；31 :第I密封部件；32 第2密封部件；51 :密封部件；52 :熒光體層；53 :透明基材；61 透明樹脂體；62 白色反射體；63、83 :第I抗蝕劑掩模；64、84 :第2抗蝕劑掩模；70 :外部基板；71、72 :布線電極；80 :夾具板；81 :粘著薄片；81a :粘著糊層；81b :基材層。
具體實(shí)施例方式以下，根據(jù)附圖，說明本發(fā)明的實(shí)施方式。(第I實(shí)施方式)
圖I至圖3示出通過本發(fā)明的第I實(shí)施方式的制造方法制造的發(fā)光裝置，圖4至圖25示出第I實(shí)施方式的制造方法的工序。在圖I以及圖2中，發(fā)光裝置10具有發(fā)光二極管元件(以下，發(fā)光元件)3，具有作為一對(duì)元件電極的N電極3a以及P電極3b ;透明的密封樹脂或者混入了熒光粒子的透光性的密封樹脂5 (以下密封部件)，在該發(fā)光元件3的一對(duì)元件電極的各個(gè)使作為至少一面的下表面露出了的狀態(tài)下對(duì)發(fā)光元件3進(jìn)行密封；以及一對(duì)外部連接電極，形成于從密封部件5露出的一對(duì)元件電極的至少一面上，與作為發(fā)光元件3的一對(duì)元件電極的N電極3a和P電極3b電連接。在密封部件5的外周側(cè)面設(shè)置了反射 框15，該反射框15包圍發(fā)光元件3的周圍。發(fā)光元件3的上表面以及側(cè)面被密封部件5密封，密封部件5具有長(zhǎng)方體的形狀。在密封部件5的周側(cè)面中設(shè)置的反射框15具有四邊框形狀。另外，密封部件5還進(jìn)入在發(fā)光兀件3的下表面設(shè)置的作為一對(duì)兀件電極的N電極3a與P電極3b之間的隙間。另外，密封部件5的下表面5a成為與作為發(fā)光兀件3的一對(duì)兀件電極的N電極3a以及P電極3b的下表面相同的一面。另外，在密封部件5的下表面5a與作為發(fā)光元件3的一對(duì)元件電極的N電極3a以及P電極3b的下表面，設(shè)置有后述基底電極膜6。該基底電極膜6兼作基底電極和反射膜的功能，優(yōu)選為銀(Ag)等導(dǎo)電性和反射性優(yōu)良的金屬膜。另外，基底電極膜6具有將基底電極膜6以與發(fā)光兀件3的一對(duì)兀件電極3a以及3b電連接的方式分離為N電極基底膜6a和P電極基底膜6b的切斷部8。另外，在N電極基底膜6a中，在整個(gè)面中，依次鍍覆鎳(Ni)層11a、金(Au)層12a，而形成3層構(gòu)造的N外部連接電極13η。同樣地，依次在P電極基底膜6b的下表面整體，鍍覆鎳(Ni)層11b，在鎳層Ilb的下表面整體，鍍覆金(Au)層12b，而形成3層構(gòu)造的P外部連接電極13p。由此，形成一對(duì)外部連接電極，與發(fā)光元件3的一對(duì)元件電極電連接。另夕卜，形成于密封部件5的周側(cè)面上并具有四邊柵格的框形狀的反射框15優(yōu)選由反射率高的白色樹脂形成。接下來，說明所述發(fā)光裝置10的發(fā)光動(dòng)作。如圖3所示，對(duì)搭載發(fā)光裝置10的外部基板70的布線電極71、72，錫焊作為發(fā)光裝置10的一對(duì)外部連接電極的N外部連接電極13η以及P外部連接電極13ρ，從而與外部基板70的布線電極71、72電連接地安裝發(fā)光裝置10。另外，通過外部基板70的布線電極71、72以及發(fā)光裝置10的外部連接電極，對(duì)作為發(fā)光元件3的元件電極的N電極3a與P電極3b之間供給規(guī)定的電力而使發(fā)光元件3發(fā)光。所述發(fā)光裝置10不具有搭載發(fā)光元件3的基板，所以實(shí)現(xiàn)安裝于外部基板70的狀態(tài)下的薄型化。另外，由于不具有搭載發(fā)光元件3的基板，所以能夠使從發(fā)光元件3發(fā)出的熱通過N外部連接電極13η以及P外部連接電極13ρ直接散熱到外部基板70的布線電極71、72，散熱效果極其高。另外，在發(fā)光裝置10中，在封部件止5的下表面5a整體中形成有N外部連接電極13η以及P外部連接電極13ρ，所以能夠與外部基板70的布線電極71、72通過寬的接觸面積進(jìn)行電連接。接下來，根據(jù)圖4至圖25，說明上述發(fā)光裝置10的制造方法。此處，說明使用了夾具板的制造方法的工序。圖4以及圖5示出用于搭載多個(gè)發(fā)光裝置10的大版的夾具板80、和在該夾具板80的上表面上粘接的剝尚性的粘著薄片81。該粘著薄片81在夾具板80的大致整個(gè)面上粘接。
圖6以及圖7示出在夾具板80的上表面上粘接的粘著薄片81上安裝多個(gè)發(fā)光元件3的工序。對(duì)于各個(gè)發(fā)光元件3，在使在發(fā)光元件的下表面形成的作為一對(duì)元件電極的N電極3a和P電極3b朝向下側(cè)的狀態(tài)下，在粘著薄片81上，每規(guī)定間隔進(jìn)行排列。另外，在圖7中，示出將夾具板80以及粘著薄片81在縱橫方向上用虛線劃分的各四邊的范圍成為I個(gè)發(fā)光裝置10。另外，在圖7中，在左上角的發(fā)光元件3中在發(fā)光元件3的下表面形成的作為一對(duì)元件電極的N電極3a以及P電極3b的位置如虛線所示。圖8以及圖9示出在所述夾具板80的上表面配設(shè)具有多個(gè)四邊柵格的反射框5的工序。在圖7中，在表示發(fā)光裝置10的范圍的虛線上柵格狀地配設(shè)各反射框15，通過該反射框15包圍各發(fā)光元件3的周邊。作為在夾具板80中配設(shè)反射框15的手段，例如，既可以預(yù)先按照具有多個(gè)四邊柵格的形狀嵌入反射框15，原樣地在粘著薄片81上，以使各反射框15包圍各發(fā)光元件3的周圍的方式配置該反射框15，或者，還能夠通過密封部件5對(duì)·多個(gè)發(fā)光元件3集合性地進(jìn)行密封，為了在各發(fā)光元件3的周邊形成具有四邊柵格形狀的槽，將密封部件5縱橫地半切割，在槽中注入樹脂并使其硬化，從而直接形成具有多個(gè)四邊柵格的反射框15。另外，該反射框15優(yōu)選由反射率高的樹脂、例如白色的樹脂材料形成。圖10以及圖11示出在由反射框15包圍的內(nèi)部填充密封部件5(在本實(shí)施方式中含有熒光劑的樹脂)來覆蓋發(fā)光元件3的上表面以及周側(cè)面來進(jìn)行樹脂密封的過程。另外，該密封部件5在發(fā)光元件3的下表面還流入到從發(fā)光元件的下表面突出形成的作為一對(duì)元件電極的N電極3a與P電極3b之間。另外，在圖11中用虛線表示發(fā)光元件3的位置。圖12以及圖13示出從在分別具有四邊柵格的反射框15中進(jìn)行了樹脂密封的多個(gè)發(fā)光元件3去除夾具板80和粘著薄片81的剝離工序。在該剝離工序中，在所述樹脂密封工序之后施加熱，首先在去除了夾具板80之后，接下來剝離粘著性弱的粘著薄片81。此時(shí)，密封部件5的下表面5a、和作為發(fā)光兀件3的一對(duì)兀件電極的N電極3a以及P電極3b的下表面成為同一平面。另外，在發(fā)光元件3的下表面?zhèn)?，在作為元件電極的N電極3a與P電極3b之間充填的密封部件5也與N電極3a以及P電極3b的下表面成為同一平面。另夕卜，在本實(shí)施方式中，反射框15的下表面也與密封部件以及一對(duì)元件電極成為同一平面。另外，在剝離工序之后，在集合性地對(duì)多個(gè)發(fā)光元件3進(jìn)行樹脂密封的密封部件3L的下表面?zhèn)?，有時(shí)附著粘著薄片81的殘?jiān)?。因此，?yōu)選以不會(huì)對(duì)接下來的工序造成惡劣影響的方式，進(jìn)行清潔化處理。作為清潔化處理的方法，有利用氬氣等的等離子體處理。圖14以及圖15示出在對(duì)所述多個(gè)發(fā)光元件3集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件3L的下表面整體中形成基底電極膜6的金屬層形成工序。如上所述，在對(duì)多個(gè)發(fā)光元件3集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件3L的下表面?zhèn)?，作為各發(fā)光元件3的一對(duì)元件電極的N電極3a以及P電極3b的下表面和密封部件5的下表面5a成為同一平面。通過在對(duì)多個(gè)發(fā)光元件3集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件3L的下表面全面中形成平面狀的基底電極膜6，所有發(fā)光元件3具有的作為一對(duì)元件電極的N電極3a和P電極3b電氣地成為短路狀態(tài)。另外，該基底電極膜6還具備作為反射膜的功能，所以優(yōu)選使用例如銀(Ag)等導(dǎo)電性和反射性良好的金屬來形成。圖16以及圖17示出在所述基底電極膜6的上表面形成用于形成與作為各發(fā)光元件3的元件電極的N電極3a以及P電極3b電連接的一對(duì)外部連接電極的抗蝕劑掩模的工序。雖然與基底電極膜6的上表面相接地,設(shè)置有作為各發(fā)光兀件3的一對(duì)兀件電極的N電極3a和P電極3b，但在形成抗蝕劑掩模的情況下，在作為元件電極的N電極3a與P電極3b之間所對(duì)應(yīng)的位置，在基底電極膜6的下表面，設(shè)置電極分離用的第I抗蝕劑掩模63，并且在與各反射框15對(duì)應(yīng)的位置，設(shè)置第2抗蝕劑掩模64。另外，作為這些抗蝕劑掩模63、64的形成方法，有例如在全面中形成了抗蝕劑膜之后，使用柵格狀的掩模來曝光的光刻。圖18以及圖19不出在所述基底電極膜6的上表面形成的抗蝕劑掩模63、64的掩模開口部中鍍覆形成外部連接電極用金屬的鍍覆工序。在該工序中，在掩模開口部中，依次層狀地鍍覆形成鎳層11以及金層12。圖20以及圖21示出去除所述抗蝕劑掩模63、64的掩模去除工序。在該工序中，能夠?qū)?duì)多個(gè)發(fā)光元件3集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件3L浸入有機(jī)溶劑、有機(jī)堿等水溶液等溶解而去除抗蝕劑掩模63、64。在第I抗蝕劑掩模63被去除的部分中，基底電極膜6c露出，在第2抗蝕劑掩模64被去除的部分中，基底電極膜6d露出。圖22以及圖23示出對(duì)在所述掩模去除工序中露出的基底電極膜6c、6d進(jìn)行蝕刻 的電極分離工序。在該工序中，通過以由鎳層11和金層12形成的外部連接電極用金屬為掩模并用公知的方法進(jìn)行蝕刻，所露出的基底電極膜6c、6d被去除。通過該工序，基底電極膜6在作為發(fā)光元件3的元件電極的N電極3a與P電極3b之間被分離。另外，在N電極3a側(cè)，形成由N電極基底膜6a、鎳層11a、金層12a這3層構(gòu)造構(gòu)成的N外部連接電極13η，并且在P電極3b側(cè)，形成由P電極基底膜6b、鎳層I lb、金層12b這3層構(gòu)造構(gòu)成的P外部連接電極13p。圖24以及圖25示出使對(duì)多個(gè)發(fā)光元件3集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件3L切斷分離，而構(gòu)成各個(gè)發(fā)光裝置10的切斷分離工序。在該工序中，沿著由四邊柵格構(gòu)成的反射框15設(shè)定X方向以及Y方向的切斷線X、Y，沿著該切斷線X、Y切斷對(duì)多個(gè)發(fā)光元件3集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件3L。通過該切斷，分離為具備圖I所示那樣的形狀的發(fā)光元件3的發(fā)光裝置10并進(jìn)行量產(chǎn)。另外，在本實(shí)施方式中，切斷線X、Y設(shè)置于反射框15的大致中心線上。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法，在使用了夾具板80以及粘著薄片81的假基板上形成對(duì)多個(gè)發(fā)光元件3集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件3L，利用去除了假基板之后的對(duì)多個(gè)發(fā)光元件3集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件3L的底面成為同一平面的情況，通過鍍覆以及光刻抗蝕劑技術(shù)，形成外部連接電極，從而能夠形成具備無需搭載發(fā)光元件的基板的發(fā)光元件的發(fā)光裝置10。另外，即使省略上述各工序中的設(shè)置反射框15的工序，也能夠形成發(fā)光元件發(fā)光裝置10。另外，除了在形成一對(duì)外部連接電極13η、13ρ的過程中使用的電鍍法以外，也可以使用非電解鍍法、蒸鍍法、濺射法等其他鍍覆法。在該情況下，基底電極膜6變得不需要。(第2實(shí)施方式)圖26示出通過本發(fā)明的第2實(shí)施方式的制造方法制造的發(fā)光裝置，圖27至圖32示出第2實(shí)施方式的制造方法的工序。該實(shí)施方式的發(fā)光裝置20的基本的結(jié)構(gòu)與圖I所示的第I實(shí)施方式的發(fā)光裝置10相同，所以對(duì)同一結(jié)構(gòu)附加同一符號(hào)，從而省略詳細(xì)的說明。該發(fā)光裝置20在對(duì)發(fā)光元件3進(jìn)行樹脂密封的密封部件5的下表面5a的大致全面中形成有保護(hù)膜25的這一點(diǎn)上，與前面的發(fā)光裝置10的結(jié)構(gòu)不同。所述保護(hù)膜25是以加強(qiáng)由硅樹脂形成的具有柔軟性的密封部件5的目的而形成，通過該保護(hù)膜25能夠使在密封部件5的下表面形成的N外部連接電極23η和P外部連接電極23ρ穩(wěn)定化。另外，保護(hù)膜25還具有提高發(fā)光裝置20的發(fā)光效率的目的，所以需要具有反射性。為了滿足這些條件，作為保護(hù)膜25在硅樹脂或者環(huán)氧樹脂中混入玻璃填料來提高強(qiáng)度并且混入氧化鈦來提高反射率。另外，作為保護(hù)膜25的形成方法，優(yōu)選通過網(wǎng)板印刷、使用了金屬掩模的掩模印刷等，在需要的部分中廣泛地形成。在所述保護(hù)膜25的下表面，設(shè)置有基底電極膜26。另外，基底電極膜26的端部延伸至到達(dá)作為發(fā)光元件3的元件電極的N電極3a以及P電極3b的下表面的位置，在從保護(hù)膜25移動(dòng)到作為元件電極的N電極3a以及P電極3b的位置設(shè)置有階梯部27a、27b。另夕卜，基底電極膜26通過切斷部分8分離為所述發(fā)光元件3的N電極3a側(cè)的N電極基底膜26a和P電極3b側(cè)的P電極基底膜26b。另外，基底電極膜26中使用的材料具備作為基底電極的功能即可，所以優(yōu)選為導(dǎo)電性良好、并且蝕刻性良好的鈦鎢合金(TiW)。 在所述N電極基底膜26a中，在整個(gè)面中鍍覆形成鎳(Ni)層21a和金(Au)層22a，而形成了 3層構(gòu)造的N外部連接電極23η。同樣地，在P電極基底膜26b的整個(gè)面中，還鍍覆形成有鎳(Ni)層21b和金(Au)層22b，而形成有3層構(gòu)造的P外部連接電極23p。另外，在本實(shí)施方式中，P外部連接電極23p與發(fā)光元件3的P電極3b通過寬的面積連接，所以從P外部連接電極23p的散熱效果大。接下來，根據(jù)圖27至圖32，說明上述發(fā)光裝置20的制造方法。該實(shí)施方式的制造方法與第I實(shí)施方式中的發(fā)光裝置10的制造方法基本上相同。因此，對(duì)同一工序引用發(fā)光裝置10的制造方法，重復(fù)的說明省略。另外，與第I實(shí)施方式中的發(fā)光裝置10的制造方法同樣地，使用大版的夾具板來對(duì)發(fā)光裝置20進(jìn)行大量生產(chǎn)，但為了簡(jiǎn)化說明，圖示單個(gè)的中間狀態(tài)而說明制造方法。在夾具板的上表面粘接粘著薄片并在其上安裝多個(gè)發(fā)光元件的工序至從樹脂密封的發(fā)光元件去除夾具板和粘著薄片的剝離工序與所述第I實(shí)施方式的制造方法相同，所以省略說明。圖27示出針對(duì)剝離了粘著薄片之后的、對(duì)多個(gè)發(fā)光元件3集合性地進(jìn)行樹脂密封的密封部件3L (圖示為單個(gè)但設(shè)為與集合體相同的名稱)在密封部件5的下表面5a中形成保護(hù)膜的工序。在該保護(hù)膜形成工序中在發(fā)光元件3的下表面形成的作為元件電極的N電極3a以及P電極3b所對(duì)應(yīng)的部分中設(shè)置了開口部25a的狀態(tài)下，在密封部件5的下表面5a的大致全面中形成保護(hù)膜25。該保護(hù)膜25延伸至到達(dá)在發(fā)光元件3的下表面形成的作為元件電極的N電極3a以及P電極3b的一部分的位置。在該保護(hù)膜25中使用硅樹脂、環(huán)氧樹脂等，為了得到強(qiáng)度而在其中混入了玻璃填料，并且為了提高反射率而混入了氧化鈦。保護(hù)膜25能夠通過網(wǎng)板印刷、使用了金屬掩模的掩模印刷等來形成。圖28示出在對(duì)所述發(fā)光元件3進(jìn)行樹脂密封的密封部件5的下表面整體中形成基底電極膜26的金屬層形成工序。在該金屬層形成工序中，在保護(hù)膜25以及開口部25a內(nèi)露出的作為一對(duì)元件電極的N電極3a、P電極3b的下表面中，也形成連續(xù)的基底電極膜26。在該基底電極膜26中，在保護(hù)膜25的開口部25a的端部，設(shè)置階梯部27a、27b。另外，基底電極膜26僅需要作為鍍覆用的基底電極的功能，所以優(yōu)選為導(dǎo)電性良好、并且蝕刻性良好的TiW (鈦鎢合金)。
圖29示出在所述基底電極膜26的下表面形成用于使作為發(fā)光元件3的一對(duì)元件電極的N電極3a和P電極3b分離的抗蝕劑掩模的掩模工序。在該掩模工序中，在基底電極膜26的下表面,在作為各發(fā)光兀件3的一對(duì)兀件電極的N電極3a與P電極3b之間所對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有電極分離用的第I抗蝕劑掩模83，并且在與各反射框15對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有第2抗蝕劑掩模84。另外，在這些抗蝕劑掩模83、84的形成方法中，能夠與第I實(shí)施方式中的制造方法同樣地利用光刻。圖30示出在所述基底電極膜26的下表面形成的抗蝕劑掩模83、84的掩模開口部(從抗蝕劑掩模83、84露出的所述基底電極膜26的下表面部分)中鍍覆形成外部連接電極用金屬的鍍覆工序。在該工序中，在掩模開口部的整體中，依次層狀地鍍覆形成鎳層11以及金層12。此時(shí)，通過在保護(hù)膜25的開口部25a中對(duì)基底電極膜26充填鎳層11，平坦地調(diào)整鎳層11的下表面，之后使在鎳層11的下表面形成的金鍍覆層12的厚度變得均勻。圖31示出去除抗蝕劑掩模的掩模去除工序。在該工序中，能夠通過與第I實(shí)施方 式同樣的方法來去除第I抗蝕劑掩模83以及第2抗蝕劑掩模84。在第I抗蝕劑掩模83被去除的部分中，基底電極膜26c的下表面露出，在第2抗蝕劑掩模84被去除的部分中基底電極膜26d的下表面露出。圖32示出在所述掩模去除工序中對(duì)所露出的基底電極膜26c、26d進(jìn)行蝕刻的電極分離工序。在該工序中，將由鎳層11和金層12形成的外部連接電極用金屬作為掩模，通過公知的方法對(duì)所露出的基底電極膜26c、26d進(jìn)行蝕刻，從而分別去除所露出的基底電極膜 26c、26d。通過該工序，基底電極膜26被分離為與作為發(fā)光元件3的元件電極的N電極3a電連接的N電極基底膜26a、和與P電極3b連接的P電極基底膜26b。另外，在作為元件電極的N電極3a側(cè)，形成由N電極基底膜26a、鎳層I la、金層12a這3層構(gòu)造構(gòu)成的N外部連接電極23η，并且在作為元件電極的P電極3b側(cè)，形成由P電極基底膜26b、鎳層lib、金層12b這3層構(gòu)造構(gòu)成的P外部連接電極23p，圖26所示那樣的發(fā)光裝置20完成。向外部基板70安裝上述發(fā)光裝置20的安裝手段以及動(dòng)作與圖3所示的發(fā)光裝置10相同。該發(fā)光裝置20與第I實(shí)施方式的發(fā)光裝置10不同的點(diǎn)在于，不使基底電極膜成為直接反射部件，而形成兼作反射部件的保護(hù)膜25，并在其上形成基底電極膜，使N外部連接電極23η以及P外部連接電極23ρ隔著保護(hù)膜25而在密封部件5上延伸。如圖26所示，該實(shí)施方式的發(fā)光裝置20也不具有搭載發(fā)光元件的基板，所以實(shí)現(xiàn)安裝于外部基板70的狀態(tài)下的薄型化。另外，通過不使用搭載發(fā)光元件的基板，來自發(fā)光元件3的發(fā)熱通過N外部連接電極23η以及P外部連接電極23ρ被直接散熱到外部基板70的布線電極71、72，所以散熱效果極其大。進(jìn)而，能夠使保護(hù)膜25具有反射性，所以能夠在基底電極膜中使用蝕刻性良好的TiW。(第3實(shí)施方式)圖33示出通過本發(fā)明的第3實(shí)施方式的制造方法得到的發(fā)光裝置，圖34示出第3實(shí)施方式的制造方法的特征性的工序。另外，通過對(duì)與第I實(shí)施方式中的部件等同的部件附加同一符號(hào)，省略詳細(xì)的說明。如圖33所不,該實(shí)施方式的發(fā)光裝置30具備發(fā)光兀件3,具有上表面、下表面、以及上表面與下表面之間的周面，在下表面具有一對(duì)元件電極；密封部件，以使發(fā)光元件3的一對(duì)兀件電極露出的方式配置,對(duì)發(fā)光兀件3進(jìn)行密封；以及一對(duì)外部連接電極，與發(fā)光元件3的一對(duì)元件電極電連接，并設(shè)置于所述密封部件上。另外，密封部件具備第I密封部件31，配置于元件電極的周圍；以及第2密封部件32，對(duì)發(fā)光元件3的上表面和周側(cè)面進(jìn)行密封。詳細(xì)而言，具備發(fā)光兀件3,在下表面具有作為一對(duì)兀件電極的N電極3a和P電極3b ;以及密封部件，對(duì)該發(fā)光元件3進(jìn)行密封。作為發(fā)光元件3的元件電極的N電極3a和P電極3b由金凸塊等突起電極構(gòu)成，密封部件由第I密封部件31和第2密封部件32這2層構(gòu)造構(gòu)成。至少在對(duì)作為元件電極的N電極3a和P電極3b的周圍進(jìn)行密封的第I密封部件31中，例如使用白色陶瓷墨水，并且至少在對(duì)發(fā)光元件3的周側(cè)面和上表面進(jìn)行密封的第2密封部件32中，使用含有熒光劑的樹脂。另外，金凸塊的突出高度例如是30 μ m左右。另外，在第I密封部件31的下表面，形成有由一對(duì)外部連接電極構(gòu)成的N外部連接電極13η和P外部連接電極13ρ，進(jìn)而第2密封部件32的外周被由四邊柵格構(gòu)成的反射框15包圍。作為一個(gè)例子，在有機(jī)聚硅氧烷等粘合劑中與催化劑、溶媒一起將二氧化鈦等反
射性粒子混勻并對(duì)其混合物進(jìn)行焙燒而得到構(gòu)成第I密封部件31的白色陶瓷墨水。焙燒后的白色陶瓷墨水的厚度優(yōu)選為3(Γ50μηι左右。焙燒后的白色陶瓷墨水成為玻璃質(zhì)(無機(jī)質(zhì))。作為一個(gè)例子，構(gòu)成第2密封部件32的含有熒光劑的樹脂是含有AG等熒光體的硅樹月旨。反射框15與第I實(shí)施方式同樣地，是含有反射性的微粒的硅樹脂，并且，N外部連接電極13η和P外部連接電極13ρ也是與第I實(shí)施方式同樣地通過電鍍法形成的金屬圖案。接下來，根據(jù)圖34，說明上述發(fā)光裝置30的制造方法。圖34是以與第I實(shí)施方式的工序不同的密封工序?yàn)橹行亩鴪D示的圖，與所述實(shí)施方式同樣地，為了簡(jiǎn)化說明而圖示單個(gè)的發(fā)光裝置30。圖34 (a)示出在夾具板80上粘接的粘著薄片81上以使元件電極(N電極3a、P電極3b)成為朝下的方式配置發(fā)光元件3的發(fā)光元件配置工序。粘著薄片81由包覆夾具板80的上表面的基材層81b、和在該基材層81b的上表面上層疊的粘著糊層81a構(gòu)成，在該粘著糊層81a上從上按壓發(fā)光元件3，使發(fā)光元件3的N電極3a和P電極3b沉沒直至其隱藏到粘著糊層81a中。圖34 (b) (C)示出發(fā)光元件3的密封工序。在本實(shí)施方式中，作為發(fā)光元件3的元件電極的N電極3a和P電極3b沉沒到粘著糊層81a，所以發(fā)光元件3的下表面?zhèn)鹊拿芊獬蔀檎n題。因此，首先如(b)所示，在比粘著糊層81a的上方的部分中填充第2密封部件32而對(duì)發(fā)光元件3進(jìn)行密封。在充填時(shí)，與第I實(shí)施方式同樣地使用嵌入四邊柵格的反射框15、或者使用模具對(duì)反射框直接進(jìn)行樹脂成形。另外，還能夠通過由透明的樹脂或者具有透光性的樹脂構(gòu)成的第2密封部件32對(duì)多個(gè)發(fā)光元件3進(jìn)行密封，且為了在各發(fā)光元件3的周邊形成具有四邊柵格形狀的槽，將第2密封部件32縱橫半切割，在槽中注入白色樹脂等具有反射效果的樹脂而對(duì)反射框進(jìn)行樹脂形成。接下來，從被第2密封部件32密封的發(fā)光元件3剝離夾具板80以及粘著薄片81，使第2密封部件32的下表面以及作為發(fā)光元件3的元件電極的N電極3a以及P電極3b露出。接下來，如圖34 (c)所示，以隱去第2密封部件32的下表面以及所露出的作為元件電極的N電極3a以及P電極3b的方式，形成第I密封部件31。作為形成方法，首先在第2密封部件32的下表面厚厚地涂敷白色陶瓷墨水，以使作為元件電極的N電極3a以及P電極3b的整體隱藏的方式，在下表面?zhèn)纫餐糠蟆＝酉聛?，使白色陶瓷墨水在約150°C下硬化之后對(duì)下表面進(jìn)行研磨，使作為元件電極的N電極3a以及P電極3b的下表面露出。另外，也可以代替對(duì)白色陶瓷墨水進(jìn)行涂敷·研磨，而在對(duì)白色陶瓷墨水進(jìn)行了印刷之后焙燒。圖34 (d)示出在第I密封部件31的下表面形成了外部連接電極的工序。在該工序中，如上所述，在密封了發(fā)光元件3的第I密封部件31的下表面中，通過與第I實(shí)施方式同樣的方法，分別形成與作為發(fā)光元件3的元件電極的N電極3a連接的N外部連接電極13η、和與作為發(fā)光元件3的元件電極的P電極3b連接的P外部連接電極13p。N外部連接電極13η以及P外部連接電極13ρ的構(gòu)造與所述實(shí)施方式同樣地，分別由基底電極膜、鎳層、金層這3層構(gòu)造構(gòu)成。在該實(shí)施方式中，用白色陶瓷墨水構(gòu)成了第I密封部件31，且用含有熒光劑的樹脂構(gòu)成了第2密封部件32，但第I密封部件31以及第2密封部件32當(dāng)然不限于這些部件。例如，也可以用混勻散亂粒子而得到的樹脂層來構(gòu)成第I密封部件31，用陶瓷墨水來構(gòu)成第2密封部件32。該陶瓷墨水既可以含有熒光體也可以不含有熒光體。
(第4實(shí)施方式)圖35是示出本發(fā)明的第4實(shí)施方式中的發(fā)光裝置40的剖面圖的圖。在該發(fā)光裝置40中，除了所述第3實(shí)施方式中的發(fā)光裝置30的第2密封部件32由包覆發(fā)光元件3的上表面以及周側(cè)面的含有熒光劑的樹脂體42a、和對(duì)其外側(cè)進(jìn)行密封的透明樹脂體42b構(gòu)成的點(diǎn)與第3實(shí)施方式的發(fā)光裝置30不同以外，由同一結(jié)構(gòu)構(gòu)成。因此，對(duì)與第3實(shí)施方式中的發(fā)光裝置30的部件等同的部件附加同一符號(hào)而省略詳細(xì)的說明。另外，含有熒光劑的樹脂體42a以約ΙΟΟμπι左右的均勻的厚度包覆了除了發(fā)光元件3的下表面的整體。例如在夾具板80上粘接的粘著薄片81上以規(guī)定的間隔排列了多個(gè)發(fā)光元件3之后，在該發(fā)光元件3中用涂刷器等涂敷含有熒光劑的膏并使其硬化，從而得到所述含有熒光劑的樹脂體42a。如果這樣用含有熒光劑的樹脂體42a以均勻的厚度包覆發(fā)光元件3，則從發(fā)光兀件3向上方向出射的光和向橫方向出射的光在含有突光劑的樹脂體42a中都通過相同的距離(均勻的含有熒光劑的樹脂的厚度)，從而能夠降低發(fā)光方向的差異所致的顏色不均。另外，從發(fā)光裝置出射而觀察到的光也限定于從發(fā)光元件3周邊即含有熒光劑的樹脂體42a的表面出射的光，所以相比于以在密封樹脂整體中攙混的方式配置了熒光劑的情況，成為更小的點(diǎn)光源，而利用透鏡等的配光性控制更容易。從通過鍍覆來連接外部連接電極(N以及P外部連接電極13n、13p)和元件電極(N電極3a、P電極3b)開始，在本實(shí)施方式的制造工序中無高溫處理，所以在熒光體膏中不僅是無機(jī)樹脂而且還能夠使用有機(jī)樹脂。(第5實(shí)施方式)圖36示出通過本發(fā)明的第5實(shí)施方式的制造方法制造的發(fā)光裝置，圖37以及圖38示出第5實(shí)施方式的制造方法的工序。該實(shí)施方式的發(fā)光裝置50具有發(fā)光元件3，具有上表面、下表面、以及上表面與下表面之間的周面，在下表面具有一對(duì)兀件電極；突光體層52,設(shè)置于發(fā)光兀件3的上表面且是含有熒光劑的樹脂體；透明基材53，設(shè)置于熒光體層52的上表面；密封部件51，以使發(fā)光兀件3的一對(duì)兀件電極露出的方式配置,對(duì)發(fā)光兀件3的周側(cè)面進(jìn)行密封；以及一對(duì)外部連接電極13n、13p，與發(fā)光元件3的一對(duì)元件電極3a、3b電連接，設(shè)置于密封部件51上。在通過由透明樹脂構(gòu)成的密封部件51密封周側(cè)面的發(fā)光元件3的上表面設(shè)置熒光體層52，并在熒光體層52的上表面層疊了玻璃基材等透明基材53的點(diǎn)是其特征。密封部件51的周側(cè)面被反射框15包圍，在密封部件51的下表面以及發(fā)光元件3的元件電極3a、3b的下表面形成了外部連接電極13η、13p。另外,在該實(shí)施方式中，元件電極3a、3b由金凸塊構(gòu)成，外部連接電極13n、13p由與上述第I實(shí)施方式中的發(fā)光裝置10的外部連接電極相同的3層構(gòu)造構(gòu)成。接下來，根據(jù)圖37以及圖38，說明上述發(fā)光裝置50的制造方法。在該實(shí)施方式的制造方法中，在大版的玻璃基材上排列多個(gè)發(fā)光元件而一起生產(chǎn)大量的發(fā)光裝置50，但為了簡(jiǎn)化說明，示出排列了 2個(gè)發(fā)光元件的例子而進(jìn)行說明。如圖37 (a)、(b)所示，首先，準(zhǔn)備厚度為幾100 μ m左右的透明基材53，并在其上表面形成熒光體層52。熒光體層52是在作為粘合劑的硅樹脂、環(huán)氧樹脂等中混入熒光劑而得到的層，形成為約ΙΟΟμπι左右的厚度。如圖37 (c)所示，接下來，在該熒光體層52的上表面，以使元件電極3a、3b成為朝上的狀態(tài)排列多個(gè)發(fā)光元件3，進(jìn)而如圖37 Cd)所示，用密封部件51對(duì)在透明基材53上排列的發(fā)光元件3進(jìn)行密封。在該密封部件51中，除了硅 樹脂以外，還能夠利用如有機(jī)聚硅氧烷那樣通過焙燒而玻璃化的材料。另外，發(fā)光元件3的元件電極3a、3b由金凸塊等構(gòu)成，其突出高度優(yōu)選為約1(Γ30μπι。接下來，在所述密封部件51中切出縱槽，并在該縱槽中流入白色膏之后，使其硬化而形成圖38 (e)所示那樣的反射框15。接下來，如圖38 (f)所示，直至元件電極3a、3b的下表面出現(xiàn)，對(duì)密封部件51以及反射框15進(jìn)行研磨而形成均勻的平面。進(jìn)而，如圖38(g)所示，在發(fā)光元件3的元件電極3a、3b的下表面以及密封部件51的下表面，通過與第I實(shí)施方式同樣的方法，分別形成外部連接電極13η、13p。該外部連接電極13η、13p的構(gòu)造與所述實(shí)施方式同樣地，分別由電極基底膜、鎳層、金層這3層構(gòu)造構(gòu)成。在形成了外部連接電極13n、13p之后，如圖38 (h)所示，切斷反射框15的中心線，分離為各個(gè)發(fā)光裝置50，而完成。上述第5實(shí)施方式的發(fā)光裝置50在發(fā)光元件3的上部具備玻璃基材等透明基材53，所以裝置整體的剛性高。另外，用氣體透過性低的玻璃基材覆蓋了熒光體層52，所以裝置整體的可靠性高并且產(chǎn)品壽命長(zhǎng)。(第6實(shí)施方式)圖39示出本發(fā)明的第6實(shí)施方式的發(fā)光裝置60。該發(fā)光裝置60具有發(fā)光元件3，具有上表面、下表面、以及上表面與下表面之間的周側(cè)面，在下表面具有一對(duì)元件電極；熒光體層52，設(shè)置于發(fā)光元件3的上表面且是含有熒光劑的樹脂體；玻璃基材等透明基材53,設(shè)置于發(fā)光體層52的上表面；密封部件，以使發(fā)光兀件3的一對(duì)兀件電極3a、3b露出的方式配置，對(duì)發(fā)光元件3的周側(cè)面進(jìn)行密封；以及一對(duì)外部連接電極13n、13p，與發(fā)光元件3的一對(duì)元件電極3a、3b電連接，設(shè)置于密封部件上。該發(fā)光裝置60與前面的第5實(shí)施方式的發(fā)光裝置50不同的點(diǎn)在于，對(duì)發(fā)光元件3進(jìn)行密封的密封部件由構(gòu)成為2層構(gòu)造的透明樹脂體61和白色反射體62構(gòu)成。透明樹脂體61設(shè)置成覆蓋發(fā)光元件3的外周側(cè)面，白色反射體62設(shè)置于在發(fā)光元件3的下表面形成的一對(duì)元件電極3a、3b的周圍而對(duì)元件電極進(jìn)行密封。該白色反射體62是與第3實(shí)施方式中的發(fā)光裝置30同樣地，通過白色陶瓷墨水對(duì)發(fā)光元件3的元件電極3a、3b進(jìn)行密封而得到的材料，但不限于白色陶瓷墨水那樣的無機(jī)材料，而也可以使用包含氧化鈦等反射性微粉末的硅樹脂、環(huán)氧樹脂。另外，其他結(jié)構(gòu)與第5實(shí)施方式中的發(fā)光裝置50相同，所以通過附加同一符號(hào)而省略詳細(xì)的說明。
在該第6實(shí)施方式中的發(fā)光裝置的制造方法中，與前面的第5實(shí)施方式中的發(fā)光裝置的制造方法中的直至在透明基材53的上表面形成熒光體層52并在其上排列發(fā)光元件3的工序相同。在用透明樹脂體61對(duì)發(fā)光元件3進(jìn)行密封的工序中，如圖40 (a)所示，在使透明樹脂體61殘留至發(fā)光元件3的元件電極3a、3b露出的程度的高度，并使透明樹脂體61假硬化之后，如圖40(b)所示，直至元件電極3a、3b的上方涂敷白色反射體62，與透明樹脂體61 —起硬化。在硬化之后，對(duì)白色反射體62進(jìn)行研磨，使發(fā)光元件3的元件電極3a、3b的下表面露出。反射框15以及外部連接電極13η、13p的形成手段能夠通過與第5實(shí)施方式的情況同樣的工序進(jìn)行，所以省略說明。
在上述第I飛實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，說明了發(fā)光元件3的元件電極3a、3b由金凸塊等具有凸部的突起電極構(gòu)成的情況，但不僅限于這樣的突起電極，例如還能夠?qū)⒃诎l(fā)光元件的半導(dǎo)體層中形成的η電極以及P電極(陰極和陽極)作為元件電極，并對(duì)其直接連接外部連接電極。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于包括 準(zhǔn)備分別具有一對(duì)兀件電極的多個(gè)發(fā)光兀件； 使在各個(gè)發(fā)光元件中設(shè)置的一對(duì)元件電極的至少一面露出，在密封部件中排列多個(gè)發(fā)光元件； 在所述密封部件上形成多對(duì)外部連接電極，各對(duì)外部連接電極與在各個(gè)發(fā)光元件中設(shè)置的一對(duì)元件電極電連接；以及 分割具有所述多個(gè)發(fā)光元件的密封部件，得到多個(gè)具備分別具有一對(duì)元件電極的發(fā)光元件、以該一對(duì)元件電極的每一個(gè)的至少一面露出的狀態(tài)對(duì)發(fā)光元件進(jìn)行密封的密封部件、以及與一對(duì)元件電極電連接且在密封部件上設(shè)置的一對(duì)外部連接電極的發(fā)光裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于包括 在密封部件中排列多個(gè)發(fā)光元件時(shí)，以使各四邊柵格包圍各發(fā)光元件的周邊的方式，配置具有多個(gè)四邊柵格的反射框；以及 在具有多個(gè)四邊柵格的反射框的各四邊柵格內(nèi)對(duì)各發(fā)光元件進(jìn)行密封。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于包括 在密封部件中排列多個(gè)發(fā)光元件時(shí)，通過密封部件對(duì)多個(gè)發(fā)光元件進(jìn)行密封； 為了在各發(fā)光元件的周邊形成具有四邊柵格形狀的槽，將密封部件縱橫半切割；以及 在槽中形成反射框。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于在分割密封部件時(shí)，通過在反射框上切斷來分割所述密封部件。
5.一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于包括 準(zhǔn)備剝離性的粘著薄片； 準(zhǔn)備分別具有一對(duì)兀件電極的多個(gè)發(fā)光兀件； 使各發(fā)光元件的一對(duì)元件電極接觸于粘著薄片并排列多個(gè)發(fā)光元件； 在粘著薄片上，在排列了多個(gè)發(fā)光元件的一側(cè)設(shè)置密封部件，通過密封部件對(duì)所述多個(gè)發(fā)光元件進(jìn)行密封；以及 剝離粘著薄片，使與粘著薄片接觸的所述多個(gè)發(fā)光元件的元件電極露出。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于包括 在使各發(fā)光元件的一對(duì)元件電極接觸于粘著薄片時(shí)，以使各發(fā)光元件的元件電極沉沒于粘著薄片的粘著層的方式，在粘著薄片上配置多個(gè)發(fā)光元件； 在粘著薄片上，在排列了多個(gè)發(fā)光元件的一側(cè)設(shè)置密封部件，通過密封部件對(duì)所述多個(gè)發(fā)光元件進(jìn)行密封； 剝離粘著薄片，使與粘著薄片接觸的所述多個(gè)發(fā)光元件的元件電極露出；以及 在密封部件上，在所述多個(gè)發(fā)光元件的元件電極露出的一側(cè)設(shè)置反射材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于包括與所述多個(gè)發(fā)光元件的各個(gè)具有的元件電極的至少一部分相接，形成電連接的一對(duì)外部連接電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于包括通過對(duì)所述反射材料進(jìn)行研磨，使多個(gè)發(fā)光元件的各個(gè)具有的一對(duì)元件電極的至少一面從反射材料露出。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于包括與從所述反射材料露出的所述多個(gè)發(fā)光元件的各個(gè)具有的元件電極的至少一部分相接，形成電連接的一對(duì)外部連接電極。
10.一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于包括 準(zhǔn)備透明基材； 在所述透明基材上形成熒光體層； 準(zhǔn)備分別具有一對(duì)兀件電極的多個(gè)發(fā)光兀件； 在熒光體層上使與設(shè)置了所述元件電極的面對(duì)向的對(duì)向面接觸地排列多個(gè)發(fā)光元件；以及 通過密封部件對(duì)分別具有一對(duì)元件電極的多個(gè)發(fā)光元件進(jìn)行密封。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于通過對(duì)所述密封部件進(jìn)行研磨，使所密封的多個(gè)發(fā)光元件的各個(gè)具有的一對(duì)元件電極的至少一面從密封部件露出。
12.一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于包括 準(zhǔn)備透明基材； 在所述透明基材上形成熒光體層； 準(zhǔn)備分別具有一對(duì)兀件電極的多個(gè)發(fā)光兀件； 在熒光體層上使與所述多個(gè)發(fā)光元件的各個(gè)具有的一對(duì)元件電極所設(shè)置的面對(duì)向的對(duì)向面接觸地、在熒光體層上排列多個(gè)發(fā)光元件；以及 使所述多個(gè)發(fā)光元件的各個(gè)具有的元件電極從密封部件露出，而將熒光體層上的多個(gè)發(fā)光元件密封到密封部件中；以及 在所述密封部件上形成多對(duì)外部連接電極，各對(duì)外部連接電極與所述多個(gè)發(fā)光元件的各個(gè)具有的一對(duì)兀件電極電連接。
13.一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于包括 準(zhǔn)備分別具有一對(duì)兀件電極的多個(gè)發(fā)光兀件； 使多個(gè)發(fā)光元件的各個(gè)具有的一對(duì)元件電極從密封部件露出，在密封部件中排列多個(gè)發(fā)光兀件； 形成覆蓋多個(gè)發(fā)光元件的各個(gè)具有的元件電極的基底電極膜； 在基底電極膜上在與所述一對(duì)元件電極的P電極和N電極對(duì)應(yīng)地分離的位置，形成抗蝕劑掩模； 在基底電極膜上，在未形成抗蝕劑掩模的位置鍍覆形成外部連接電極用金屬； 去除所述抗蝕劑掩模；以及 在去除了所述抗蝕劑掩模的位置，將所述外部連接電極用金屬作為掩模而對(duì)基底電極膜進(jìn)行蝕刻，在與多個(gè)發(fā)光元件的各個(gè)具有的一對(duì)元件電極電連接的位置，形成多對(duì)外部連接電極，各對(duì)外部連接電極與P電極和N電極電氣地分離。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于在通過所述密封部件密封的多個(gè)發(fā)光元件的各個(gè)具有的元件電極中形成基底電極膜之前，與形成密封部件的基底電極膜的位置對(duì)應(yīng)地，在除了從元件電極的密封部件露出的面的部分中形成保護(hù)膜。
15.一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于包括 準(zhǔn)備剝離性的粘著薄片； 準(zhǔn)備分別具有一對(duì)兀件電極的多個(gè)發(fā)光兀件；使多個(gè)發(fā)光元件的各個(gè)具有的一對(duì)元件電極接觸于粘著薄片并使其排列； 以在各四邊柵格中配置各發(fā)光元件的方式，設(shè)置具有多個(gè)四邊柵格的反射框； 在粘著薄片上，在排列了多個(gè)發(fā)光元件的一側(cè)，在反射框的各四邊柵格內(nèi)注入密封部件并使其硬化； 剝離粘著薄片，使與粘著薄片接觸的所述多個(gè)發(fā)光元件的元件電極露出； 在配置于各四邊柵格內(nèi)的密封部件上形成與在各個(gè)發(fā)光元件中設(shè)置的一對(duì)元件電極電連接的一對(duì)外部連接電極；以及 以在四邊柵格上分割的方式，切斷反射框。
16.一種發(fā)光裝置，其特征在于具備 發(fā)光兀件，具有一對(duì)兀件電極； 密封部件，以該發(fā)光兀件的一對(duì)兀件電極的各個(gè)的至少一面露出的狀態(tài)對(duì)發(fā)光兀件進(jìn)行密封；以及 一對(duì)外部連接電極，形成于從密封部件露出的一對(duì)元件電極的所述至少一面上，與所述一對(duì)元件電極電連接。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光裝置，其特征在于所述發(fā)光元件的一對(duì)元件電極的各個(gè)具有凸部。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光裝置，其特征在于所述密封部件由層疊構(gòu)造構(gòu)成，包括從透明體層、熒光體層、白色反射體層中選擇的至少兩層。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光裝置，其特征在于在所述密封部件的外周設(shè)置反射框，該反射框包圍發(fā)光元件的周圍。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光裝置，其特征在于所述一對(duì)外部連接電極包括由金屬構(gòu)成的反射膜。
21.一種發(fā)光裝置，其特征在于具備 發(fā)光元件，具有上表面、下表面、以及上表面與下表面之間的周側(cè)面，在下表面具有一對(duì)元件電極； 熒光體層，設(shè)置于發(fā)光元件的上表面； 透明基材，設(shè)置于突光體層的上表面； 密封部件，以使發(fā)光元件的一對(duì)元件電極露出的方式配置，對(duì)發(fā)光元件的周面進(jìn)行密封；以及 一對(duì)外部連接電極，與發(fā)光兀件的一對(duì)兀件電極電連接，設(shè)置于所述密封部件上。
22.一種發(fā)光裝置，其特征在于具備 發(fā)光元件，具有上表面、下表面、以及上表面與下表面之間的周側(cè)面，在下表面具有一對(duì)元件電極； 密封部件，以使發(fā)光元件的一對(duì)元件電極露出的方式配置，對(duì)發(fā)光元件進(jìn)行密封；以及 一對(duì)外部連接電極，與發(fā)光兀件的一對(duì)兀件電極電連接，設(shè)置于所述密封部件上， 密封部件具備 第I密封部件，配置于元件電極的周圍；以及 第2密封部件，對(duì)發(fā)光元件的上表面和周側(cè)面進(jìn)行密封。
全文摘要
通過極其簡(jiǎn)易的方法制造不具有搭載發(fā)光元件的基板的薄型的發(fā)光裝置。該發(fā)光裝置的制造方法包括準(zhǔn)備分別具有一對(duì)元件電極的多個(gè)發(fā)光元件；使在各個(gè)發(fā)光元件中設(shè)置的一對(duì)元件電極的至少一面露出，在密封部件中排列多個(gè)發(fā)光元件；在所述密封部件上形成多對(duì)外部連接電極，各對(duì)外部連接電極與在各個(gè)發(fā)光元件中設(shè)置的一對(duì)元件電極電連接；以及分割具有所述多個(gè)發(fā)光元件的密封部件，得到多個(gè)具備分別具有一對(duì)元件電極的發(fā)光元件、以該一對(duì)元件電極的各個(gè)的至少一面露出的狀態(tài)對(duì)發(fā)光元件進(jìn)行密封的密封部件、以及與一對(duì)元件電極電連接且在密封部件上設(shè)置的一對(duì)外部連接電極的發(fā)光裝置。
文檔編號(hào)H01L33/48GK102884645SQ201180013369
公開日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2011年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月29日
發(fā)明者今津健二 申請(qǐng)人:西鐵城電子株式會(huì)社, 西鐵城控股株式會(huì)社