專(zhuān)利名稱(chēng)：制造具有空間隔離的發(fā)光區(qū)的oled器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明描述了一種制造具有空間隔離的發(fā)光區(qū)的OLED器件的方法。本發(fā)明還描述了這樣的OLED器件。
背景技術(shù)：
OLED變得被廣泛使用于顯示和照明器件中。OLED器件通常構(gòu)成在透明玻璃或塑料基板上，第一電極層沉積到該透明玻璃或塑料基板上。經(jīng)常使用濺射工藝來(lái)布置通常為陽(yáng)極的該第一電極。第一電極通常是透明的，并可以由以下材料制成，例如鋁摻雜氧化鋅(ZnO)、錫摻雜氧化銦(ITO)或諸如聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)聚(苯乙烯磺酸)PEDOT:PSS之類(lèi)的高韌性透明導(dǎo)電聚合物，等等。可以沿器件的邊緣布置附加的金屬區(qū)，該金屬面后面將被用作陽(yáng)極和陰極的接觸墊。一旦布置了第一電極層，則布置針對(duì)它們的發(fā)光特性而選 出的一層或多層有機(jī)半導(dǎo)體材料，以給出有效發(fā)光層。在此之上，布置通常為陰極的第二電極層，以便在第二電極與OLED器件邊緣上的接觸墊之間做出電接觸。在最后的步驟中，密閉地密封該器件，以保護(hù)各器件層不受濕氣損傷，并僅通過(guò)通常位于器件外部邊緣上的接觸墊來(lái)接入陽(yáng)極和陰極。如果希望OLED器件僅在一定的區(qū)內(nèi)而不是器件的整個(gè)表面上發(fā)光，則可以使用蔭罩來(lái)布置第二電極。蔭罩將具有對(duì)應(yīng)于要發(fā)光的區(qū)的開(kāi)口。然而，使用既定的制造技術(shù)，對(duì)于發(fā)光區(qū)僅可以實(shí)現(xiàn)一定幾何形狀，這是因?yàn)槊總€(gè)陰極區(qū)都必須與接觸墊或OLED封裝外部的“插片”電連接。這意味著，對(duì)于發(fā)光區(qū)僅可以有效地實(shí)現(xiàn)非常有限的幾種幾何形狀。為了獲得其他的形狀，可以將分離的OLED元件組合在一起以獲得具有總體期望發(fā)光形狀的0LED，其中，每一個(gè)分離的OLED部件都有實(shí)現(xiàn)為具有局部形狀的第二電極，但是這一方案也不盡如人意，因?yàn)槊總€(gè)OLED元件所必要的封裝導(dǎo)致分離的元件之間清楚可見(jiàn)的“接縫”。因此，本發(fā)明的目的是提供一種獲得具有分離發(fā)光區(qū)的OLED器件的更經(jīng)濟(jì)方式。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的通過(guò)權(quán)利要求I所述的方法以及權(quán)利要求11所述的OLED器件來(lái)達(dá)到。根據(jù)本發(fā)明在OLED器件的公共基板上設(shè)置空間隔離的發(fā)光區(qū)的方法包括以下步驟在接觸墊和第二電極的隔離區(qū)域之間布置絕緣橋，并且隨后布置從接觸墊到第二電極的隔離區(qū)域的導(dǎo)體，以在接觸墊和隔離區(qū)域之間形成電連接。其中，該OLED器件包括幾個(gè)器件層，這些器件層包括裝在第一電極和第二電極之間的有源層。通過(guò)該方式，一旦電壓施加在OLED器件的陽(yáng)極和陰極兩端，每個(gè)空間隔離區(qū)域就能夠發(fā)光。本發(fā)明明顯優(yōu)點(diǎn)是，分離的發(fā)光區(qū)能夠具有任何期望的形狀或輪廓，并且不會(huì)受到任何限制。而且，由于絕緣橋和導(dǎo)體被用來(lái)將分離的隔離的第二電極區(qū)域連接到接觸墊，所以第二電極的空間隔離區(qū)域可以位于OLED器件邊界內(nèi)的任何地方，并且不需要位于直接到達(dá)器件邊緣上的陰極墊的地方。根據(jù)本發(fā)明的OLED器件在公共基板上包括多個(gè)空間隔離的發(fā)光區(qū)(其中，該OLED器件最初包括裝在第一電極層和第二電極層之間的有源層)，該OLED器件包括第二電極的至少一個(gè)空間上及電氣上隔離區(qū)域，該隔離區(qū)域由該第二電極的隔離區(qū)域周?chē)钠骷又羞x擇性去除的區(qū)域進(jìn)行電隔離；布置在接觸墊和第二電極的隔離區(qū)域之間的絕緣橋；以及布置到絕緣橋上用于將接觸墊與第二電極的隔離區(qū)域進(jìn)行電連接的導(dǎo)體。從屬權(quán)利要求和下面的描述特別公開(kāi)了本發(fā)明有利實(shí)施例和特征。各實(shí)施例的特征可以酌情組合在一起。在下文中，為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，第一電極可以被簡(jiǎn)單稱(chēng)作陽(yáng)極，第二電極可以被簡(jiǎn)單稱(chēng)作陰極，而以任何方式限制本發(fā)明。當(dāng)器件工作時(shí)，電流主要從陽(yáng)極流到陰極。發(fā)光區(qū)(或多個(gè)發(fā)光區(qū))的形狀由第二電極來(lái)決定，這是因?yàn)橛性磳觾H當(dāng)“被夾在”陽(yáng)極和陰極之間時(shí)才能夠?qū)щ姡瑥亩鴥H在有源層于原封不動(dòng)的第二電極區(qū)域之下的區(qū)域中發(fā)光。因此，在本發(fā)明特別優(yōu)選的實(shí)施例中，該 后，第二電極被去除區(qū)域的形狀或輪廓將決定能夠發(fā)光的剩余區(qū)的形狀。在沉積不同層期間，可以通過(guò)使用蔭罩來(lái)建立分離的發(fā)光區(qū)。然而，在優(yōu)選的方法中，通過(guò)在沉積后(post-deposition (或者為“post_depo”))步驟中從已經(jīng)沉積了這些層的器件上選擇性地去除區(qū)來(lái)形成空間隔離區(qū)域。因此，可以通過(guò)簡(jiǎn)單地沉積有源層和第二電極層來(lái)以直截了當(dāng)?shù)姆绞街圃斐跏嫉钠骷佣询B，而不需要任何特定圖案蔭罩。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施例中，選擇性地去除器件層的材料以隔離第二電極的特定區(qū)域的步驟包括去除第二電極的材料。這確保了電流僅從陽(yáng)極流過(guò)有源層到達(dá)在第二電極中周?chē)糠忠呀?jīng)被去除后剩余的第二電極的那些區(qū)域，同時(shí)留下原封不動(dòng)的有源層，從而器件的表面拓?fù)浔３窒鄬?duì)一致。然而，僅去除一定區(qū)內(nèi)的第二電極可能是困難的，這是因?yàn)榈诙姌O通常僅僅是非常薄的層。因此，在本發(fā)明的另外實(shí)施例中，選擇性地去除器件層的材料的步驟還包括去除有源層的在與第二電極被去除區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域中的材料。以該方式，可以大大簡(jiǎn)化沉積后燒蝕步驟，例如，將激光設(shè)定為去除比非常薄的層更厚的層是更容易的。存在去除器件層的材料的不同方式。例如，通過(guò)應(yīng)用適當(dāng)?shù)你娤骷夹g(shù)能夠?qū)⑵骷尤コ揭欢ㄉ疃?。也可以使用諸如等離子蝕刻工藝之類(lèi)的適當(dāng)蝕刻工藝來(lái)蝕刻掉器件層?？商娲兀诒景l(fā)明優(yōu)選的實(shí)施例中，通過(guò)將激光束引導(dǎo)到將被去除區(qū)域的上方以燒蝕該區(qū)域內(nèi)的材料來(lái)去除器件層的材料?？梢酝ㄟ^(guò)使用諸如頻率、脈沖持續(xù)時(shí)間等的適當(dāng)激光參數(shù)來(lái)驅(qū)動(dòng)激光以控制材料被去除的深度。最終在接觸墊與空間隔離區(qū)域之間延伸的絕緣橋應(yīng)該用來(lái)將被絕緣橋覆蓋的器件層進(jìn)行電絕緣。因此，在本發(fā)明另外優(yōu)選的實(shí)施例中，在接觸墊和第二電極的隔離區(qū)域之間布置絕緣橋的步驟包括將非導(dǎo)電層布置到已被去除材料的暴露區(qū)域上。為了到達(dá)特定隔離區(qū)域，絕緣橋也可以穿過(guò)或橫越第二電極中位于陰極墊與該特定隔離區(qū)域之間的其他空間隔離區(qū)域?？梢允褂萌魏芜m合的材料并且使用任何適合的技術(shù)來(lái)布置絕緣橋。例如，可以沉積或布置絕緣橋以充分地覆蓋被燒蝕區(qū)。在這樣的方案中，可以將絕緣橋沉積或者甚至噴射到將被覆蓋的區(qū)上?？商娲兀趦?yōu)選實(shí)施例中，絕緣橋可以被布置為寬度最大僅達(dá)到幾毫米的較窄條。例如，可以將非導(dǎo)電材料的薄條膠合到陰極墊與隔離區(qū)域之間的器件表面?？商娲兀梢允褂眠m合的蔭罩利用汽相沉積工藝來(lái)沉積非導(dǎo)電材料。然而，在特別優(yōu)選的直截了當(dāng)方法中，布置絕緣橋的步驟包括將非導(dǎo)電窄條印刷在接觸墊與第二電極的隔離區(qū)域之間。諸如噴墨印刷之類(lèi)的印刷技術(shù)特別適合于以該方式布置薄的、精密的材料層。在布置絕緣橋的這一預(yù)備步驟之后，陰極墊和特定隔離區(qū)域可以彼此電連接。因此，在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施例中，電導(dǎo)體被布置在陰極墊與特定隔離區(qū)域之間?？梢允褂萌魏芜m合的電導(dǎo)體。例如，具有良好導(dǎo)電屬性的細(xì)導(dǎo)線可以被焊接到陰極墊和隔離區(qū)域，以如此的方式使得該導(dǎo)線跨越絕緣橋。也可以將導(dǎo)線膠合到絕緣橋上。然而，在本發(fā)明特別優(yōu)選的實(shí)施例中，從接觸墊到第二電極的隔離區(qū)域布置導(dǎo)體的步驟包括，將導(dǎo)電材料的條或線印刷到絕緣橋上。同樣地，任何印刷技術(shù)如油墨噴射印刷法都可以被用來(lái)將細(xì)導(dǎo)電條板印刷到絕緣橋上。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施例中，電導(dǎo)體包括直接印刷到絕緣橋上的銀墨印刷線。優(yōu)選地，電導(dǎo)體盡可能地窄，并且電導(dǎo)體的寬度取決于數(shù)個(gè)因素，該數(shù)個(gè)因素例如是將要傳送的電流、電導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性等等。電導(dǎo)體的寬度例如可以是大約100μπι-200μπι。可替代地，取代接觸墊和特定隔離區(qū)域之間的單個(gè)的這樣的“寬”印刷線，可以在接觸墊和特定 隔離區(qū)域之間布置每條大約僅幾十μm或更小的窄線。為了確保第一電極或者有源層中在陰極墊與隔離區(qū)域之間的任何剩余部分都不會(huì)被電導(dǎo)體碰到，電導(dǎo)體優(yōu)選地位于絕緣橋的外側(cè)或外邊緣之間。在電導(dǎo)體每側(cè)上的幾百μ m的“邊界”可以確保這與絕緣橋下方的器件層電隔離。在絕緣橋的每個(gè)末端處，電導(dǎo)體應(yīng)當(dāng)接觸到陰極墊或隔離區(qū)域。因此，在本發(fā)明進(jìn)一步優(yōu)選的實(shí)施例中，通過(guò)將導(dǎo)電條延伸越過(guò)絕緣橋的末端印刷到隔離區(qū)域上，來(lái)在陰極墊和隔離區(qū)域之間形成電導(dǎo)體。取決于所使用的油墨的類(lèi)型，可能需要考慮其與第二電極在隔離區(qū)域中表面的粘附度或與陰極墊表面的粘附度。例如，如果第二電極表面的濕潤(rùn)性使得所使用的油墨不能令人滿(mǎn)意地粘附，則可以使用替代的方法。因此，在本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，通過(guò)絕緣橋末端中的開(kāi)口在導(dǎo)體和隔離區(qū)域之間形成電連接。為此，可以在絕緣橋的一個(gè)或兩個(gè)末端中做出小開(kāi)口或通孔。然后，在這些開(kāi)口或孔之上布置的電導(dǎo)體就可以在陰極墊和隔離區(qū)域之間做出令人滿(mǎn)意的電連接。用于印刷或施與的上述類(lèi)型的導(dǎo)電油墨或金屬膏(metal paste)包括通常封裝在聚合物殼中并且懸浮在適合的溶劑中的金屬小顆?；蛐∏?。為了改善印刷的電導(dǎo)體的導(dǎo)電性，根據(jù)本發(fā)明的方法優(yōu)選地包括對(duì)印刷導(dǎo)體進(jìn)行退火的步驟。在退火過(guò)程中，金屬膏在高溫下被有效地“烘烤”，使得封裝在某種程度上熔化或溶解，從而使任何溶劑都蒸發(fā)，并且致使金屬小球結(jié)合到一起以形成導(dǎo)電的“網(wǎng)絡(luò)”。這也改善了印刷線與下面的材料之間的接觸，在該情況下下面的材料是絕緣橋、陰極墊的表面和隔離區(qū)域的表面。成功的退火工藝所必須的溫度取決于所使用的金屬膏。然而，高溫可能會(huì)對(duì)有源層的功能性有害。在常規(guī)的退火工藝中，退火步驟通常在烘箱中進(jìn)行，而整個(gè)OLED器件都暴露在高溫下。然而，當(dāng)使用銀納米油墨或銀金屬前體油墨來(lái)印刷導(dǎo)電線時(shí)，130° C或者甚至90° C的有利低溫就足以對(duì)印刷線進(jìn)行退火。持續(xù)短暫時(shí)間段在90° C和130° C之間對(duì)OLED進(jìn)行熱處理是可以的，而不影響器件性能。為了在不傷害OLED器件的情況下在更高的溫度下使退火成功(例如當(dāng)使用不同的金屬膏時(shí))，退火電導(dǎo)體的步驟可以包括電導(dǎo)體材料中能量的局部沉積，使得只有電導(dǎo)體被有效加熱，而OLED的剩余部分沒(méi)有直接被暴露給熱量。可以使用任何適合的熱能源，例如UV或IR光源。但是，在優(yōu)選的實(shí)施例中，退火步驟包括將激光束引導(dǎo)到電導(dǎo)體以基本上僅加熱該電導(dǎo)體的材料?？梢赃@樣選擇激光參數(shù)，以使得激光能量基本上僅被吸收到電導(dǎo)體中。通過(guò)該方式，熱暴露僅局限在緊鄰電導(dǎo)體的區(qū)內(nèi)。如上面已指出的，根據(jù)本發(fā)明的方法能夠?qū)崿F(xiàn)任何形狀或設(shè)計(jì)的分離的發(fā)光區(qū)域。因此，在根據(jù)本發(fā)明的OLED器件的優(yōu)選的實(shí)施例中，設(shè)置了第二電極的多個(gè)空間隔離區(qū)域，使得第一空間隔離區(qū)域被第二空間隔離區(qū)域所包圍。換言之，可以實(shí)現(xiàn)分離嵌套的區(qū)域，例如分離的同心區(qū)域。這在諸如由符號(hào)或字母組成的公司標(biāo)識(shí)、出口標(biāo)志或緊急標(biāo)志的應(yīng)用中可以是非常理想的。OLED可以被實(shí)現(xiàn)為底部發(fā)射(S卩，OLED通過(guò)基板發(fā)射，然后該基板通常是透明玻璃或塑料層)或頂部發(fā)射(在該情況下第二電極是透明的)。在底部發(fā)射OLED的情況下，用于絕緣橋和電導(dǎo)體7684材料的選擇不受到任何透明度限制。但是，在某些照明應(yīng)用中， OLED在關(guān)閉時(shí)應(yīng)該是透明的。因此，在根據(jù)本發(fā)明的OLED的進(jìn)一步優(yōu)選實(shí)施例中，使用透明材料來(lái)實(shí)現(xiàn)基板、第一電極、有源層和第二電極，并且絕緣橋還包括諸如清澈的光阻材料(photo-resist)之類(lèi)的透明材料。對(duì)于透明的0LED,可以將絕緣橋應(yīng)用為基本上覆蓋住整個(gè)OLED區(qū)的層。以該方式，當(dāng)OLED被關(guān)閉時(shí)，就不存在否則可能看得見(jiàn)，甚至模糊地看見(jiàn)的邊緣。實(shí)際上，在這一方法中，僅需要一個(gè)絕緣“橋”，并且接觸墊和任何隔離區(qū)域之間的電連接可以應(yīng)用到該絕緣層上(具有通孔適合于接入每個(gè)隔離區(qū)域上第二電極的表面)。對(duì)于透明0LED，為了確保接觸墊和隔離區(qū)域之間的導(dǎo)體也盡可能地不可見(jiàn)，可以將導(dǎo)體布置為一組窄線，從而每條線都形成接觸墊和隔離區(qū)域之間的電連接。當(dāng)如上所述通過(guò)印刷銀墨來(lái)布置電導(dǎo)體時(shí)，非常薄(因此基本上是看不見(jiàn)的)的印刷線的導(dǎo)電性可能是足夠的。顯然，如果更寬的電導(dǎo)體是所期望的，則可以使用透明材料用于電導(dǎo)體。例如，ITO或氧化鋅可被用作導(dǎo)體，并且導(dǎo)電線可以以公知的方式應(yīng)用在真空室內(nèi)。


圖I示出了使用已知技術(shù)制造的OLED器件的橫截面；圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)的具有構(gòu)造陰極層的OLED的平面圖；圖3說(shuō)明了制造具有隔離發(fā)光區(qū)域的OLED器件的根據(jù)本發(fā)明的方法的步驟；圖4示出了使用圖3中描述的步驟制造的根據(jù)本發(fā)明的OLED器件的實(shí)施例。附圖中，相同的標(biāo)記表示所有圖中相同的對(duì)象。圖中的各對(duì)象不是必定按比例繪制，特別是OLED器件層的層厚度和OLED器件元件的相對(duì)尺寸都不是按比例繪制的。
具體實(shí)施例方式圖I示出了使用已知技術(shù)制造的OLED器件10的橫截面。在此，第一電極層12布置到玻璃或塑料基板11上。對(duì)第一電極12的材料進(jìn)行構(gòu)造使得分離的區(qū)域12沉積在基板11上。在外側(cè)邊緣，沉積了陰極接觸墊13和陽(yáng)極接觸墊14。在隨后的步驟，通常以汽相沉積工藝布置有源層15 (—層或多層的有機(jī)材料)。然后，在有源層15的頂部上沉積陰極層16，以使得其至少部分覆蓋陰極接觸墊13。在最后的步驟中對(duì)器件10進(jìn)行封裝(未示出)，以留下陽(yáng)極接觸墊13和陰極接觸墊14暴露在外，而密封器件層以保護(hù)它們不受濕氣損傷。為了使器件10發(fā)光，在陰極接觸墊13和陽(yáng)極接觸墊14兩端施加電壓，以允許電流流過(guò)有源層15，并使其發(fā)光。可以透過(guò)基板11和/或陰極16發(fā)光，這取決于基板11和陰極16中的一個(gè)或二者是否是由透明材料制成的。在任何一種情況下，當(dāng)在陽(yáng)極12和陰極16兩端施加電壓時(shí)激發(fā)整個(gè)有源層15，從而整個(gè)有源層發(fā)光。器件層的相對(duì)厚度不是按比例示出的。典型地，電極層12、16的厚度可以大約是80nm到300nm，而有源層的厚度可以大約是從80nm到500nm。圖2示出了具有為了允許分離的發(fā)光區(qū)160而構(gòu)造的陰極層的現(xiàn)有技術(shù)OLED 20的平面圖。為此，已使用具有適當(dāng)形狀開(kāi)口的蔭罩來(lái)沉積陰極層，以使得陰極材料僅沉積在空間上彼此分離的區(qū)160內(nèi)。為了允許器件20在這些區(qū)160中發(fā)光，這些區(qū)160中的每一個(gè)都必須與OLED器件20邊上的陰極墊13電接觸。這明顯限制了分離發(fā)光區(qū)的實(shí)現(xiàn)，這是因?yàn)槊總€(gè)分離發(fā)光區(qū)都必須以某種方式連接到陰極墊13。此外，在汽相沉積步驟中使用蔭罩增加了器件的總體成本。而且，蔭罩的已知限制意味著分離的陰極區(qū)160僅能夠被實(shí)現(xiàn)為具有規(guī)則的幾何形狀。以該方式制造的現(xiàn)有技術(shù)OLED的尺寸被限制在約5cmX5cm的器件。 圖3說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明，制造具有隔離發(fā)光區(qū)域的OLED器件I的方法的步驟。首先，圖I中所描述類(lèi)型的OLED器件被用作為基礎(chǔ)，具有基板11、第一電極12(例如陽(yáng)極12)、有源層15、第二電極16 (例如陰極16)和接觸墊13、14。在第一階段S-I中，對(duì)將在沉積后燒蝕工藝中燒蝕的區(qū)域A、A2、A3進(jìn)行標(biāo)記，如由垂直虛線所指示的那樣。在接下來(lái)的階段S-II中，激光束1^被引導(dǎo)到每個(gè)將被燒蝕的區(qū)域41、42、43，并且去除這些區(qū)域41、4243中的材料，如由指示原始層厚度的水平虛線所指示的那樣。例如，可以蒸發(fā)第二電極層和下面的有源層15的材料。在下面的有源層15中燒蝕的深度可以取決于激光被驅(qū)動(dòng)的方式。燒蝕之后，在階段S-III中，形成了空間上及電氣上隔離的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2，第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2空間上彼此分離，并且不與器件I邊緣處的接觸墊13電接觸?，F(xiàn)在剩下將隔離區(qū)域連接到器件的接觸墊。階段S-IV示出了如何將絕緣橋20布置在器件I邊緣處的接觸墊13與第一隔離區(qū)域R1之間，該絕緣橋20穿過(guò)或橫越另一個(gè)隔離區(qū)域R2以及這兩個(gè)隔離區(qū)域RpR2之間暴露的有源層。在第五階段S-V中，例如通過(guò)使用噴墨印刷工藝進(jìn)行印刷，來(lái)布置電導(dǎo)體30，以在器件I邊緣處的接觸墊13與第一隔離區(qū)域R1之間做出電連接30。顯然，盡管圖中沒(méi)有示出，但可以布置類(lèi)似的絕緣橋20和導(dǎo)體30以將第二隔離區(qū)域R2連接到器件I邊緣處的接觸墊。圖4示出了已使用上面圖3中所描述的步驟制造出的器件I的平面圖。在此，可以看到，已經(jīng)通過(guò)在沉積后燒蝕過(guò)程中燒蝕第二電極層和有源層中其它“不需要的”區(qū)ApA2、A3，形成了三個(gè)空間上及電氣上隔離的區(qū)域HR315取決于被去除材料的多少，燒蝕后的區(qū)Ap A2、A3可以暴露有源層和/或第一電極層。在該例子中，將隔離區(qū)域HR3示出為采用同心圓Ri、R2、R3的形式，但應(yīng)當(dāng)清楚的是，任何形狀或輪廓都是可能的。這些隔離區(qū)域HR3中的每一個(gè)都可以發(fā)光，借助于在區(qū)域HR3與對(duì)應(yīng)的接觸墊13之間的絕緣橋20上印刷的電導(dǎo)體30，這些隔離區(qū)域RpRyR3中的每一個(gè)都連接到器件I邊緣處的接觸墊13。當(dāng)電壓施加到陰極和陽(yáng)極的接觸墊兩端(圖中未示出)時(shí)，電流可以流過(guò)每個(gè)隔離區(qū)域Ri、R2、R3下面的有源層，使得它們發(fā)光。器件的其他部分將不會(huì)發(fā)光。在圖中，示出了絕緣橋20和電導(dǎo)體20的相對(duì)寬度要比它們?cè)谄骷蘒的實(shí)際實(shí)現(xiàn)中的寬得多。此外，如果OLED器件被實(shí)現(xiàn)為底部發(fā)射器件，即，它透過(guò)基板11發(fā)射，則絕緣橋20和電導(dǎo)體30在任何情況下都是不可見(jiàn)的。使用這一技術(shù)，對(duì)于大型OLED顯示器，例如，對(duì)于裝飾性照明應(yīng)用，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光區(qū)的興趣圖案。盡管以?xún)?yōu)選實(shí)施例及其變型的形式公開(kāi)了本發(fā)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，可以對(duì)其作出許多種另外的改進(jìn)和變型，而不脫離本發(fā)明的范圍。 為了清楚起見(jiàn)，應(yīng)理解的是，整個(gè)本申請(qǐng)中“一個(gè)”或“一種”的使用并不排除多個(gè)或多種，并且“包括”的表述并不排除其他的步驟或元件。
權(quán)利要求
1.一種在OLED器件(I)的公共基板(11)上設(shè)置空間隔離的發(fā)光區(qū)(Ri、R2、R3)的方法，所述OLED器件(I)包括多個(gè)器件層(12、15、16)，所述器件層(12、15、16)包括裝在第一電極(12)與第二電極(16)之間的有源層(15)，所述方法包括以下步驟 -在接觸墊(13)與所述第二電極(16)的隔離區(qū)域(RpR2'R3)之間布置絕緣橋(20)； -以及隨后從接觸墊(13)到所述第二電極(16)的所述隔離區(qū)域(Rp R2> R3)布置導(dǎo)體(30)，以在所述接觸墊(13)和所述隔離區(qū)域(Rp R2、R3)之間形成電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，包括選擇性地去除所述器件層(15、16)的至少一個(gè)區(qū)域(ApA2、A3)，以空間及電氣隔離所述第二電極(16)的區(qū)域(RpR2'R3)的初始步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，選擇性地去除所述器件層(16)的材料的步驟包括去除所述第二電極(16)的材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其中，選擇性地去除所述器件層(15、16)的材料的步驟包括去除所述有源層(15)中與所述第二電極(16)的被去除區(qū)域(Ap A2、A3)對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求2到4中的任意一項(xiàng)所述的方法，其中，通過(guò)將激光束(L)引導(dǎo)到將被去除的區(qū)域(ApA2、A3)的上方以燒蝕該區(qū)域(ApA2、A3)中的材料，來(lái)去除所述器件層(15、16)的所述材料。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項(xiàng)所述的方法，其中，在接觸墊(13)與所述第二電極(16)的所述隔離區(qū)域(Ri、R2、R3)之間布置絕緣橋(20)的步驟包括布置非導(dǎo)電層(20)以橫越已被去除器件層材料的暴露區(qū)域(ApAyA3)15
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項(xiàng)所述的方法，其中，布置絕緣橋(20)的步驟包括在所述接觸墊(13)與所述第二電極(16)的所述隔離區(qū)域(Ri、R2、R3)之間印刷非導(dǎo)電條(20)。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項(xiàng)所述的方法，其中，從所述接觸墊(13)到所述第二電極(16)的所述隔離區(qū)域(Ri、R2、R3)布置導(dǎo)體(30)的步驟包括將導(dǎo)電條(30)印刷到所述絕緣橋(20)上。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項(xiàng)所述的方法，其中，通過(guò)將所述導(dǎo)電條(30)延伸越過(guò)所述絕緣橋(20)的末端印刷到所述隔離區(qū)域(Ri、R2、R3)上，來(lái)在所述導(dǎo)體(30)和所述隔離區(qū)域(RpRyR3)之間形成電連接。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項(xiàng)所述的方法，其中，經(jīng)由所述絕緣橋(20)的所述末端中的開(kāi)口(21)，在所述導(dǎo)體(30)和所述隔離區(qū)域(Rp R2、R3)之間形成電連接(31)。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項(xiàng)所述的方法，包括對(duì)所述電導(dǎo)體(30)進(jìn)行退火的步驟。
12.—種OLED器件(I)，包括在公共基板(11)上的多個(gè)空間隔離的發(fā)光區(qū)(R1、R2、R3)，其中，所述OLED器件的多個(gè)器件層(12、15、16)最初包括裝在第一電極(12)和第二電極(16 )之間的有源層(15 )，并且其中，所述OLED器件(I)包括 -所述第二電極(16)的至少一個(gè)空間及電氣隔離區(qū)域(Rp R2、R3)； -布置在接觸墊(13)與所述第二電極(16)的所述隔離區(qū)域(Rp R2> R3)之間的絕緣橋(20)； -以及導(dǎo)體(30)，其布置到所述絕緣橋(20)上，用于將所述接觸墊(13)和所述第二電極(16)的所述隔離區(qū)域(Rp R2、R3)進(jìn)行電連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的OLED器件，包括所述第二電極(16)的多個(gè)空間隔離區(qū)域(HR3)，所述多個(gè)空間隔離區(qū)域(HR3)被設(shè)置為使得第一空間隔離區(qū)域(Ri、R2)被第二空間隔離區(qū)域(R2、R3)所包圍。
14.根據(jù)權(quán)利要求11或權(quán)利要求12所述的OLED器件，其中，所述導(dǎo)體(30)包括印刷到所述絕緣橋(20 )上的銀墨的印刷線(30 )。
15.根據(jù)權(quán)利要求11到13中的任意一項(xiàng)所述的OLED器件，其中，所述絕緣橋(20)和/或所述導(dǎo)體(30)包括透明材料。
全文摘要
本發(fā)明描述了一種在OLED器件(1)的公共基板(11)上形成空間隔離發(fā)光區(qū)(R1、R2、R3)的方法，OLED器件(1)包括多個(gè)器件層(12、15、16)，器件層(12、15、16)包括裝在第一電極(12)和第二電極(16)之間的有源層(15)，該方法包括以下步驟在接觸墊(13)與第二電極(16)的隔離區(qū)域(R1、R2、R3)之間布置絕緣橋(20)；隨后從接觸墊(13)到第二電極(16)的隔離區(qū)域(R1、R2、R3)布置導(dǎo)體(30)，以在接觸墊(13)與隔離區(qū)域(R1、R2、R3)之間形成電連接。本發(fā)明還描述了一種包括在公共基板(11)上的多個(gè)空間隔離發(fā)光區(qū)(R1、R2、R3)的OLED器件(1)，其中OLED器件的多個(gè)器件層(12、15、16)最初包括裝在第一電極(12)和第二電極(16)之間的有源層(15)，并且其中OLED器件(1)包括第二電極(16)的至少一個(gè)空間上及電氣上隔離的區(qū)域(R1、R2、R3)；布置在接觸墊(13)與第二電極(16)的隔離區(qū)域(R1、R2、R3)之間的絕緣橋(20)；以及布置到絕緣橋(20)上用于將接觸墊(13)與第二電極(16)的隔離區(qū)域(R1、R2、R3)進(jìn)行電連接的導(dǎo)體(30)。
文檔編號(hào)H01L51/00GK102812577SQ201180015128
公開(kāi)日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2011年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月22日
發(fā)明者H·施瓦布 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司