專利名稱：太陽能電池設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種太陽能電池設(shè)備及其制造方法。
背景技術(shù)：
近來，隨著對能源的需求增加，已經(jīng)積極研制了將太陽能轉(zhuǎn)換為電能的太陽能電池。具體地，已廣泛使用基于銅銦鎵硒(基于CIGS)的太陽能電池，所述太陽能電池是具有襯底結(jié)構(gòu)的PN異質(zhì)結(jié)設(shè)備。在本文中，所述襯底結(jié)構(gòu)包括玻璃襯底、金屬后電極層、P型基于CIGS的光吸收層、高阻緩沖層和N型窗ロ層
發(fā)明內(nèi)容

技術(shù)問題實(shí)施例提供ー種阻止漏電流并且具有提高的光電轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池設(shè)備及其制造方法。技術(shù)方案在一個(gè)實(shí)施例中，ー種太陽能電池設(shè)備包括支撐襯底；布置在所述支撐襯底上的第一后電極；布置在所述第一后電極上的光吸收部；布置在所述光吸收部上的緩沖部；以及布置在所述光吸收部的側(cè)面上并且從所述緩沖部延伸的阻擋膜。在另ー實(shí)施例中，ー種太陽能電池設(shè)備包括支撐襯底；布置在所述支撐襯底上的后電極層；光吸收層，布置在所述后電極層上，并且所述光吸收層中形成有貫穿槽；布置在所述光吸收層的上表面和所述貫穿槽的內(nèi)表面上的緩沖層；以及布置在所述緩沖層上的窗ロ層。在又一實(shí)施例中，根據(jù)又ー實(shí)施例的制造太陽能電池設(shè)備的方法包括在支撐襯底上形成后電極層；在所述后電極層上形成光吸收層；在所述光吸收層上形成貫穿槽；在所述光吸收層的上表面和所述貫穿槽的內(nèi)表面上形成緩沖層；以及在所述緩沖層上形成開ロ區(qū)域，該開ロ區(qū)域露出所述后電極層并且與所述貫穿槽部分重疊。有益效果因此，根據(jù)實(shí)施例的太陽能電池設(shè)備具有阻擋膜。阻擋膜可以使光吸收部的側(cè)面絕緣。因此，根據(jù)實(shí)施例的太陽能電池設(shè)備防止電流通過光吸收部的側(cè)面泄漏。因此，根據(jù)實(shí)施例的太陽能電池設(shè)備防止漏電流并且具有提高的發(fā)電效率。具體地，阻擋膜可以由未摻雜雜質(zhì)的氧化鋅和硫化鎘形成，并且因此阻擋膜具有高電阻。因此，阻擋膜可以有效地防止漏電流。并且，可以通過傾斜沉積過程形成緩沖部和阻擋膜。因此，阻擋膜可以比緩沖部相對厚。因此，根據(jù)實(shí)施例的太陽能電池設(shè)備更有效地防止漏電流并且具有提高的發(fā)電效率。


圖I是圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的太陽能電池設(shè)備的平面圖；圖2是沿圖I的A-A’線截取的剖視圖；圖3至7是圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的太陽能電池設(shè)備制造方法的剖視圖；圖8是圖示根據(jù)另一實(shí)施例的太陽能電池設(shè)備的剖視圖；圖9至11是圖示根據(jù)另一實(shí)施例的太陽能電池設(shè)備制造方法的剖視圖。
具體實(shí)施例方式在實(shí)施例的描述中，應(yīng)該理解，當(dāng)襯底、膜、電極、槽或?qū)颖槐硎鰹樵谄渌r底、膜、電極、槽或?qū)印吧稀被颉跋隆睍r(shí)，術(shù)語“上”和“下”包括“直接地”和“間接地”的含義。此外，將基于附圖涉及每個(gè)部件的“上”和“下”。另外，為了進(jìn)一步理解本公開，可以夸大元件的 尺寸和元件之間的相對尺寸。圖I是示出根據(jù)實(shí)施例的太陽能電池設(shè)備的平面圖。圖2是沿圖I的A-A’線截取的剖視圖。參照圖I和2，所述太陽能電池設(shè)備包括支撐襯底100、后電極層200、光吸收層310、第一緩沖層320、第二緩沖層330、阻擋膜303、窗口層400和連接部500。支撐襯底100具有板形形狀并且支撐后電極層200、光吸收層310、第一緩沖層
320、第二緩沖層330、窗口層400和連接部500。支撐襯底100可以是電絕緣體。支撐襯底100可以是玻璃襯底、塑料襯底或金屬襯底。更詳細(xì)地，支撐襯底100可以是鈉鈣玻璃襯底。支撐襯底100可以是透明的。支撐襯底100可以是剛性或撓性的。后電極層200布置在支撐襯底100上。后電極層200是導(dǎo)電層。例如，后電極層200可以由諸如鑰(Mo)的金屬形成。此外，后電極層200可以包括兩層或更多層。在此情形中，所述兩層或更多層可以由相同金屬或不同金屬形成。后電極層200中形成第一貫穿槽THl。第一貫穿槽THl是露出支撐襯底100的上表面的開口區(qū)域。當(dāng)俯視時(shí)，第一貫穿槽THl可以沿一個(gè)方向延伸。第一貫穿槽THl可以具有約80 μ m至約200 μ m的寬度。第一貫穿槽THl將后電極層200劃分為多個(gè)后電極210、220···。就是說，第一貫穿槽THl限定多個(gè)后電極210、220…。在圖3中，示出后電極210、220…中的第一后電極210和第二后電極220。后電極210、220…通過第一貫穿槽THl彼此分隔開。后電極210、220…布置為條狀形式?；蛘?，后電極210、220···可以布置為矩陣形式。在此情形中，當(dāng)俯視時(shí)，第一貫穿槽THl可以具有網(wǎng)格形狀。光吸收層310布置在后電極層200上。并且，形成光吸收層310的材料填充在第一貫穿槽THl中。光吸收層310包括I-III-V族化合物。例如，光吸收層310可以具有基于銅銦鎵砸(Cu (In, Ga) Se2 ;基于CIGS)的晶體結(jié)構(gòu)、基于銅鋼砸的晶體結(jié)構(gòu)或基于銅嫁砸的晶體結(jié)構(gòu)。
光吸收層310可以具有約IeV至約I. 8eV的能帶隙。在光吸收層310中形成第二貫穿槽TH2。第二貫穿槽TH2穿過光吸收層310。并且，第二貫穿槽TH2是露出后電極層200的上表面的開口區(qū)域。第二貫穿槽TH2與第一貫穿槽THl相鄰。就是說，當(dāng)俯視時(shí)，第二貫穿槽TH2平行于第一貫穿槽THl。第二貫穿槽TH2可以具有約80 μ m至約200 μ m的寬度。并且，通過第二貫穿槽TH2，光吸收層310限定多個(gè)光吸收部311、312···。就是說，光吸收層310被第二貫穿槽TH2劃分為多個(gè)光吸收部311、312···。第一緩沖層320布置在光吸收層310的上表面和第二貫穿槽TH2的內(nèi)表面上。第一緩沖層320包括硫化鎘(CdS)，并且具有約2. 2eV至約2. 4eV的能帶隙。 第二緩沖層330布置在第一緩沖層320上。并且，第二緩沖層330可以布置在第二貫穿槽TH2的內(nèi)表面上。第二緩沖層330包括未摻雜雜質(zhì)的氧化鋅(i-ZnO)。第二緩沖層330具有約3. IeV至約3. 3eV的能帶隙。第一緩沖層320和第二緩沖層330在光吸收層310和窗口層400之間執(zhí)行緩沖功能。并且，可以僅將第一緩沖層320布置在光吸收層310和窗口層400之間并且獨(dú)立地執(zhí)行緩沖功能?；蛘撸梢詢H將第二緩沖層330布置在光吸收層310和窗口層400之間并且獨(dú)立地執(zhí)行緩沖功能。與第二貫穿槽TH2重疊的開口區(qū)域OR將第一緩沖層320劃分為多個(gè)下緩沖部
321、322···，第一阻擋膜323和第一虛設(shè)部324。同樣，開口區(qū)域OR將第二緩沖層330劃分為多個(gè)上緩沖部331、332···，第二阻擋膜333和第二虛設(shè)部334。開口區(qū)域OR部分地去除第一緩沖層320和第二緩沖層330，以露出后電極層200的上表面。第一阻擋膜323從布置在第一光吸收部311上的第一下緩沖部321延伸，并且布置在第一光吸收部311的側(cè)面上。第一阻擋膜323與第一下緩沖部321 —體形成，并且被布置在第一光吸收部311和第二阻擋膜333之間。第一虛設(shè)部324從第一阻擋膜323沿后電極層200的上表面延伸。更詳細(xì)地，第一虛設(shè)部324從第一阻擋膜323延伸，并且與第二后電極220的上表面接觸。第一虛設(shè)部324與第一阻擋膜323 —體形成。第二阻擋膜333從布置在第一下緩沖部321上的第一上緩沖部331延伸，并且布置在第一阻擋膜323上。第二阻擋膜333與第一上緩沖部331 —體形成，并且被布置在第一阻擋膜323和第一連接部500之間。與第一上緩沖部331相同，第二阻擋膜333具有高電阻。第二虛設(shè)部334從第二阻擋膜333沿后電極層200的上表面延伸。更詳細(xì)地，第二虛設(shè)部334從第二阻擋膜333延伸，并且與第一虛設(shè)部324的上表面相接觸。第二虛設(shè)部334與第二阻擋膜333 —體形成。以此方式，第一阻擋膜323和第二阻擋膜333構(gòu)成阻擋膜303。就是說，阻擋膜303從下緩沖部321、322…和上緩沖部331、332…延伸，并且布置在光吸收部311、312…的側(cè)表面上。
同樣，第一虛設(shè)部324和第二虛設(shè)部334構(gòu)成虛設(shè)部。該虛設(shè)部從阻擋膜303沿后電極層200的上表面延伸。窗口層400布置在第二緩沖層330上。窗口層400是透明導(dǎo)電層。窗口層400的電阻大于后電極層200的電阻。例如，窗口層400的電阻可以是后電極層200的電阻的約10至200倍。例如，窗口層400可以由摻雜Al的ZnO (AZO)形成。在窗口層400中 形成第三貫穿槽TH3。第三貫穿槽TH3是露出后電極層200的上表面的開口區(qū)域。例如，第三貫穿槽TH3可以具有約80 μ m至約200 μ m的寬度。第三貫穿槽TH3與第二貫穿槽TH2相鄰。更詳細(xì)地，第三貫穿槽TH3布置在第二貫穿槽TH2旁邊。就是說，當(dāng)俯視時(shí)，第三貫穿槽TH3平行于第二貫穿槽TH2。第三貫穿槽TH3將窗口層400劃分為多個(gè)窗口 410、420…。就是說，第三貫穿槽TH3限定多個(gè)窗口 410、420…。窗口 410、420…的形狀與后電極210、220…的形狀相對應(yīng)。就是說，窗口 410、420…被布置為條狀形式?；蛘?，窗口 410、420…可以被布置為矩陣形狀。并且，第三貫穿槽TH3限定多個(gè)電池C1、C2···。更詳細(xì)地，通過第二貫穿槽TH2和第三貫穿槽TH3限定電池Cl、C2…。就是說，根據(jù)實(shí)施例的太陽能電池設(shè)備被第二貫穿槽TH2和第三貫穿槽TH3劃分為電池Cl、C2…。就是說，根據(jù)實(shí)施例的太陽能電池設(shè)備包括多個(gè)電池C1、C2···。例如，根據(jù)實(shí)施例的太陽能電池設(shè)備包括布置在支撐襯底100上的第一電池Cl和第二電池C2。第一電池Cl包括第一后電極210、第一光吸收部311、第一下緩沖部321、第一上緩沖部331和第一窗口 410。第一后電極210布置在支撐襯底100上。第一光吸收部311、第一下緩沖部321和第一上緩沖部331順序地層疊在第一后電極210上。第一窗口 410布置在第一上緩沖部331 上。就是說,第一后電極210和第一窗口 410彼此面對，同時(shí)第一光吸收部311插置在第一后電極210和第一窗口 410之間。盡管附圖中未不出，但是，第一光吸收部311和第一窗口 410覆蓋第一后電極210,同時(shí)部分地露出第一后電極210的上表面。第二電池C2布置在支撐襯底100上，并且與第一電池Cl相鄰。第二電池C2包括第二后電極220、第二光吸收部312、第二下緩沖部322、第二上緩沖部332和第二窗口 420。第二后電極220布置在支撐襯底100上，并且與第一后電極210分隔開。第二光吸收部312布置在第二后電極220上，并且與第一光吸收部311分隔開。第二窗口 420布置在第二上緩沖部332上，并且與第一窗口 410分隔開。第二光吸收部312和第二窗口 420覆蓋第二后電極220，同時(shí)部分地露出第二后電極220的上表面。連接部500布置在第二貫穿槽TH2的內(nèi)表面上。連接部500從窗口層400向下延伸，并且與后電極層200直接接觸。例如，連接部500從第一窗口層410向下延伸，以與第二后電極層220直接接觸。因此，連接部500將包括在相鄰電池Cl、C2···中的每個(gè)中的窗口和后電極相連接。就是說，連接部500將第一窗口 410和第二后電極220連接。
連接部500與窗口 410、420…一體形成。換言之，連接部500和窗口層400由相同材料形成。阻擋膜303使光吸收部311、312…的側(cè)面絕緣。就是說，阻擋膜303分別布置在光吸收部311、312…和連接部500之間。因此，阻擋膜303可以阻擋來自光吸收部311和312的側(cè)面的漏電流。例如，阻擋膜303可以防止電流從連接部500通過第一光吸收部311的側(cè)面漏到第一后電極210。。不必增加第一貫穿槽THl的寬度來阻擋漏電流。就是說，即使第一貫穿槽THl的寬度減小，阻擋膜303也可以有效地阻擋漏電流。因此，根據(jù)實(shí)施例的太陽能電池設(shè)備，可以減小第一貫穿槽THl的寬度，并且可以減小無法發(fā)電的死區(qū)。
因此，根據(jù)實(shí)施例的太陽能電池設(shè)備具有提高的發(fā)電效率。 圖3至7是示出根據(jù)實(shí)施例的太陽能電池設(shè)備制造方法的剖視圖。將參照太陽能電池設(shè)備的前述描述來描述該方法。參照圖3，后電極層200形成在支撐襯底100上。并且，圖案化后電極層200以形成第一貫穿槽THl。因此，在支撐襯底100上形成多個(gè)后電極210、220···。利用激光圖案化后電極層200。第一貫穿槽THl可以露出支撐襯底100的上表面，并且可以具有約80 μ m至約200 μ m的寬度。并且，可以在支撐襯底100和后電極層200之間布置諸如擴(kuò)散阻擋膜的額外層。在此情形中，第一貫穿槽THl露出該額外層的上表面。參照圖4，在后電極200上形成光吸收層310。光吸收層310可以利用濺射過程或蒸發(fā)方法形成。例如，可以通過同時(shí)或單獨(dú)蒸發(fā)銅、銦、鎵和硒的光吸收層的方法，或者形成金屬前驅(qū)膜、然后利用硒化過程的方法形成基于銅銦鎵硒(Cu (In，Ga) Se2 ;基于CIGS)半導(dǎo)體化合物的光吸收層310。關(guān)于形成金屬前驅(qū)膜、然后利用硒化過程的更多細(xì)節(jié)，是通過利用銅靶、銦靶或鎵靶的濺射過程在后電極200上形成金屬前驅(qū)膜。之后，通過利用金屬前驅(qū)膜的硒化過程，形成基于銅銦鎵硒(Cu (In，Ga) Se2 ;基于CIGS)半導(dǎo)體化合物的光吸收層310。或者，可以同時(shí)執(zhí)行利用銅靶、銦靶和鎵靶的濺射過程和硒化過程?；蛘撸梢酝ㄟ^利用銅靶和銦靶或利用銅靶和鎵靶的濺射過程以及硒化過程形成基于CIS或CIG半導(dǎo)體化合物的光吸收層310。部分地去除光吸收層310以形成第二貫穿槽TH2?？梢酝ㄟ^利用諸如尖頭工具的機(jī)械裝置或激光裝置形成第二貫穿槽TH2。例如，可以利用寬度為約40 μ m至約180 μ m的尖頭工具來圖案化光吸收層310和第一緩沖層320。此外，可以利用波長為約200nm至約600nm的激光來形成第二貫穿槽TH2。在此情形中，第二貫穿槽TH2可以具有約ΙΟΟμπι至約200μπι的寬度。并且，第二貫穿槽ΤΗ2部分地露出后電極層200的上表面。參照圖5，利用濺射過程或化學(xué)浴沉積(CBD)方法在光吸收層310的上表面和第二貫穿槽TH2的內(nèi)表面上沉積硫化鎘，以形成第二緩沖層320。之后，通過濺射過程在第一緩沖層320上沉積氧化鋅，以形成第二緩沖層330。參照圖6，通過激光或機(jī)械劃線部分地去除第一緩沖層320和第二緩沖層330，以形成開口區(qū)域0R。開口區(qū)域OR與第二貫穿槽TH2部分重疊。就是說，開口區(qū)域OR偏離第二貫穿槽TH2。因此，在光吸收部311、312…的側(cè)面中的每個(gè)上形成阻擋膜303，并且在后電極層200上形成虛設(shè)部。就是說，在形成開口區(qū)域OR的過程中，難以精確地控制用于進(jìn)行劃線或激光圖案化的位置，以留下阻擋膜303。因此，由于第二緩沖層330被圖案化以留下少量邊緣部分，由此形成虛設(shè)部。參照圖7，在第二緩沖層330上形成窗口層400。在此情形中，形成窗口層400的材料填充在第二貫穿槽TH2中。為了形成窗口層400，在第二緩沖層330上層疊透明導(dǎo)電材料。透明導(dǎo)電材料填充在第二貫穿槽TH2中。例如，透明導(dǎo)電材料可以是摻雜鋁的氧化鋅(ΑΖ0)。因此，在第二貫穿槽TH2的內(nèi)表面上形成從窗口層400延伸并且與后電極層200接觸的連接部500。之后，部分去除窗口層400以形成第三貫穿槽TH3。就是說，圖案化窗口層400，從而限定多個(gè)窗口 410、420…和多個(gè)電池C1、C2…。第三貫穿槽TH3可以具有約80 μ m至約200 μ m的寬度。以此方式，可以形成阻擋膜303，由此提供具有高效率的太陽能電池設(shè)備。圖8是圖示根據(jù)另一實(shí)施例的太陽能電池設(shè)備的剖視圖。本實(shí)施例涉及以上描述的實(shí)施例并且額外描述第一貫穿槽和第二貫穿槽。就是說，除了不同的部分，前述實(shí)施例的描述可以合并在本實(shí)施例的以下描述中。參照圖8，第一貫穿槽THl和第二貫穿槽TH2彼此重疊。因此，阻擋膜303完全覆蓋光吸收部311、312…的側(cè)面。并且，虛設(shè)部324和334與支撐襯底100接觸。就是說，第一緩沖層320和第二緩沖層330可以延伸到第一貫穿槽THl內(nèi)。此外，第一緩沖層320和第二緩沖層330可以布置在第一貫穿槽THl的內(nèi)表面上。阻擋膜303及虛設(shè)部324和334布置在多個(gè)后電極210、220···之間。就是說，阻擋膜303及虛設(shè)部324和334布置在第一貫穿槽THl的內(nèi)表面上。由于阻擋膜303完全覆蓋光吸收部311、312…的側(cè)面，因此阻擋膜303可以容易地阻擋多個(gè)后電極210、220···之間的漏電流。就是說，第一光吸收部311通過阻擋膜303與第二光吸收部312有效地絕緣。此外，根據(jù)本發(fā)明的太陽能電池設(shè)備可以利用阻擋膜303容易地阻擋漏電流，由此減小第一貫穿槽THl的寬度。因此，根據(jù)實(shí)施例的太陽能電池設(shè)備可以減小死區(qū)并具有提聞的發(fā)電效率。圖9至11是圖示根據(jù)另一實(shí)施例的太陽能電池設(shè)備制造方法的剖視圖。本實(shí)施例涉及以上描述的太陽能電池設(shè)備及其制造方法。就是說，除了不同的部分，前述實(shí)施例的描述可以合并在本實(shí)施例的制造方法的描述中。參照圖9，利用濺射過程或化學(xué)浴沉積(CBD)方法在光吸收層310的上表面和第二貫穿槽TH2的內(nèi)表面和下表面上沉積硫化鎘，以形成第一緩沖層320。之后，通過濺射過程在第一緩沖層320上沉積摻雜鎵的氧化鋅、摻雜鎵的氧化銦或未摻雜雜質(zhì)的氧化鋅，以形成第二緩沖層330。在此情形中，形成第二緩沖層330的材料可以沿相對于支撐襯底傾斜的方向沉積在第一緩沖層320上。例如，沉積用于形成第二緩沖層330的材料的方向相對于支撐襯底100傾斜約10°至約40°。第二緩沖層330被描述為通過傾斜沉積過程形成，但本公開不限于此。就是說，可以通過傾斜沉積過程形成第一緩沖層320，或者通過傾斜沉積過程形成第一緩沖層320和第二緩沖層330兩者。因此，第二阻擋膜335可以形成為具有大厚度T2。就是說，第二阻擋膜335的厚度可以大于形成在光吸收層310上表面上的第二緩沖層330的厚度Tl。就是說，在第二緩沖 層330中，形成在光吸收層310上的第二緩沖層331和332的厚度Tl可以小于形成在光吸收部311的側(cè)面上的第二阻擋膜335的厚度T2。參照圖10，通過激光或機(jī)械劃線部分地去除第一緩沖層320和第二緩沖層330，以形成開口區(qū)域0R。開口區(qū)域OR與第二貫穿槽TH2部分重疊。就是說，開口區(qū)域OR偏離第二貫穿槽TH2。參照圖11，在第二緩沖層330上形成窗口層400和第三貫穿槽TH3。根據(jù)本實(shí)施例的太陽能電池設(shè)備包括相對厚的阻擋膜304，即第二阻擋膜335。因此，可以進(jìn)一步提高光吸收部311的側(cè)面的絕緣性。因此，根據(jù)本實(shí)施例的太陽能電池設(shè)備進(jìn)一步改進(jìn)電池之間的連接并且具有提高的發(fā)電效率。以上實(shí)施例中描述的特征、結(jié)構(gòu)和效果合并到本公開的至少一個(gè)實(shí)施例中，但是不限于僅一個(gè)實(shí)施例中。此外，在本領(lǐng)域技術(shù)人員可以將一個(gè)實(shí)施例中舉例說明的特征、結(jié)構(gòu)和效果容易地結(jié)合和改進(jìn)用于另一實(shí)施例。因此，這些結(jié)合和改進(jìn)應(yīng)該被認(rèn)為落在本公開的范圍內(nèi)。盡管已參照本發(fā)明的若干示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以推導(dǎo)出的許多其它改進(jìn)和實(shí)施例都將落在本公開的原理的精神和范圍內(nèi)。更具體地，在本公開、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)可以對所討論的結(jié)合布置的組成部件和/或排列方式進(jìn)行各種變型和改進(jìn)。除了對組成部件和/或排列方式進(jìn)行變型和改進(jìn)之外，替換使用對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說也是顯而易見的。工業(yè)應(yīng)用性根據(jù)實(shí)施例的太陽能電池設(shè)備可應(yīng)用于太陽能光伏領(lǐng)域。
權(quán)利要求
1.一種太陽能電池設(shè)備，包括 支撐襯底； 布置在所述支撐襯底上的第一后電極； 布置在所述第一后電極上的光吸收部； 布置在所述光吸收部上的緩沖部；以及 布置在所述光吸收部的側(cè)面上并且從所述緩沖部延伸的阻擋膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述太陽能電池設(shè)備，進(jìn)一步包括 布置在所述第一后電極旁邊的第二后電極； 布置在所述緩沖部上的窗口 ；以及 從所述窗口延伸并且與所述第二后電極連接的連接部， 其中，所述阻擋膜布置在所述光吸收部和所述連接部之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述太陽能電池設(shè)備，進(jìn)一步包括沿所述第二后電極的上表面從所述阻擋膜延伸的虛設(shè)部。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述太陽能電池設(shè)備，其中，所述阻擋膜布置在所述第一后電極和所述第二后電極之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述太陽能電池設(shè)備，其中，所述緩沖部包括 布置在所述光吸收部上的第一緩沖部；以及 布置在所述第一緩沖部上的第二緩沖部，并且其中，所述阻擋膜包括 從所述第一緩沖部延伸的第一阻擋膜；以及 從所述第二緩沖部延伸的第二阻擋膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述太陽能電池設(shè)備，其中，所述第一阻擋膜與所述第一緩沖部一體形成，并且所述第二阻擋膜與所述第二緩沖部一體形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述太陽能電池設(shè)備，其中，所述第一阻擋膜包括硫化鎘，并且所述第二阻擋膜包括未摻雜雜質(zhì)的氧化鋅。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述太陽能電池設(shè)備，其中，所述阻擋膜比所述緩沖部厚。
9.一種太陽能電池設(shè)備，包括 支撐襯底； 布置在所述支撐襯底上的后電極層； 光吸收層，布置在所述后電極層上，并且所述光吸收層中形成有第二貫穿槽； 布置在所述光吸收層的上表面和所述第二貫穿槽的內(nèi)表面上的緩沖層；以及 布置在所述緩沖層上的窗口層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述太陽能電池設(shè)備，其中，所述緩沖層包括露出所述第二貫穿槽的下表面的開口區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述太陽能電池設(shè)備，其中，在所述第二緩沖層中，布置在所述第二貫穿槽的內(nèi)表面上的緩沖層具有比布置在所述光吸收層的上表面上的第二緩沖層的厚度大的厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述太陽能電池設(shè)備，其中，所述緩沖層沿所述第二貫穿槽的內(nèi)表面延伸到所述第二貫穿槽的下表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述太陽能電池設(shè)備，其中，與所述第二貫穿槽重疊的第一貫穿槽形成在所述后電極層中。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述太陽能電池設(shè)備，其中，所述緩沖層在所述第一貫穿槽內(nèi)延伸。
15.一種制造太陽能電池設(shè)備的方法，所述方法包括 在支撐襯底上形成后電極層； 在所述后電極層上形成光吸收層； 在所述光吸收層上形成貫穿槽； 在所述光吸收層的上表面和所述貫穿槽的內(nèi)表面上形成緩沖層；以及 在所述緩沖層上形成開口區(qū)域，該開口區(qū)域露出所述后電極層并且與所述貫穿槽部分重疊。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，形成所述貫穿槽的步驟包括利用機(jī)械裝置或激光來圖案化所述光吸收層，以部分露出所述后電極層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，形成所述開口區(qū)域的步驟包括利用機(jī)械裝置或激光來圖案化所述緩沖層，以部分露出所述后電極層。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，形成所述緩沖層的步驟包括沿相對于所述支撐襯底傾斜的方向在所述光吸收層的上表面和所述貫穿槽的內(nèi)表面上沉積用于形成所述緩沖層的材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，形成所述緩沖層的步驟包括沿相對于所述支撐襯底傾斜的方向在所述光吸收層的上表面和所述貫穿槽的內(nèi)表面上沉積未摻雜雜質(zhì)的氧化鋅。
全文摘要
本發(fā)明公開一種太陽能電池設(shè)備及其制造方法。該太陽能電池設(shè)備包括支撐襯底；布置在所述支撐襯底上的第一后電極；布置在所述第一后電極上的光吸收部；布置在所述光吸收部上的緩沖部；以及從所述緩沖部延伸并且布置在所述光吸收部的側(cè)面上的阻擋膜。
文檔編號H01L31/042GK102844879SQ201180015276
公開日2012年12月26日 申請日期2011年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月24日
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