專利名稱：具有電流擴展層的發(fā)光二極管芯片的制作方法
具有電流擴展層的發(fā)光二極管芯片本專利申請要求德國專利申請10 2010 014 667. 6的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容就此通過引用并入本文。
背景技術(shù)：
在發(fā)光二極管芯片中，通常在電接觸部和發(fā)射光的半導(dǎo)體層序列之間設(shè)置由具有良好導(dǎo)電性的半導(dǎo)體材料制成的相對厚的電流擴展層，以便實現(xiàn)通過有源層的盡可能均勻的電流。例如,從參考文獻US 6, 426, 518 BI中已知發(fā)光二極管芯片,在所述發(fā)光二極管芯片中發(fā)射光的區(qū)域基于磷化物化合物半導(dǎo)體，其中在電接觸部和發(fā)射光的區(qū)域之間設(shè)置由P型AlGaAs制成的電流擴展層。所述電流擴展層具有I μ m和10 μ m之間的厚度。已被證實的是，通過所述相對厚的由AlGaAs制成的電流擴展層是良好的電流擴 展層，然而另一方面，發(fā)射的輻射的并非可忽略的一部分也被吸收。當(dāng)發(fā)射的輻射是短波的和/或電流擴展層中鋁份額是低的時，那么，厚的電流擴展層的吸收尤其是不可忽略的。此夕卜，已被證實的是，電流擴展層中鋁份額的增加提升了發(fā)光二極管芯片對濕度的敏感性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明基于下述目的，說明ー種具有電流擴展層的發(fā)光二極管芯片，所述電流擴展層具有低的光學(xué)吸收并且同時對濕度具有低的敏感性。所述目的通過根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管芯片來實現(xiàn)。本發(fā)明的有利的擴展方案和改進形式是從屬權(quán)利要求的對象。根據(jù)至少一個實施形式，所述發(fā)光二極管芯片包含半導(dǎo)體層序列，所述半導(dǎo)體層序列具有磷化物化合物半導(dǎo)體材料。所述半導(dǎo)體層序列尤其包括多個由InxGayAl1^P制成的層，其中并且x+y彡I。半導(dǎo)體層序列尤其包括P型磷化物化合物半導(dǎo)體區(qū)域、η型磷化物化合物半導(dǎo)體區(qū)域以及設(shè)置在P型磷化物化合物半導(dǎo)體區(qū)域和η型磷化物化合物半導(dǎo)體區(qū)域之間的用于發(fā)射電磁輻射的有源層。所述有源層例如能夠構(gòu)成為ρη結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、多異質(zhì)結(jié)構(gòu)、單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu)。名稱量子阱結(jié)構(gòu)在此包括載流子通過封閉(confinement)而得到其能量狀態(tài)的量化的每種結(jié)構(gòu)。尤其地，名稱量子阱結(jié)構(gòu)不包含對量化的大小的說明。因此，所述量子阱結(jié)構(gòu)此外包括量子槽、量子線或量子點以及上述結(jié)構(gòu)的每種組合。在發(fā)光二極管芯片中，η型半導(dǎo)體區(qū)域是面向發(fā)光二極管芯片的輻射出射面的，并且P型半導(dǎo)體區(qū)域是面向發(fā)光二極管芯片的支承件的。優(yōu)選地，所述發(fā)光二極管芯片是所謂的薄膜發(fā)光二極管芯片，其中用于半導(dǎo)體層序列的生長的生長襯底從發(fā)光二極管芯片脫落。原始的生長襯底能夠尤其從半導(dǎo)體層序列的η型半導(dǎo)體區(qū)域脫落。在與原始的生長襯底對置的P型半導(dǎo)體區(qū)域的側(cè)部上，發(fā)光二極管芯片優(yōu)選地與支承件連接，例如，借助于焊接連接。所述支承件在該情況下不同于半導(dǎo)體層序列的生長襯底，并且優(yōu)選地具有硅、鑰或鍺。與通常η型半導(dǎo)體區(qū)域是面向村底的并且p型半導(dǎo)體區(qū)域是面向輻射出射面的傳統(tǒng)LED相反，在所述發(fā)光二極管芯片中，P型半導(dǎo)體區(qū)域是面向支承件的并且η型半導(dǎo)體區(qū)域是面向輻射出射面的。在支承件和P型半導(dǎo)體區(qū)域之間設(shè)置有小于500nm厚的電流擴展層，所述電流擴展層由Iv或多個P慘雜的AlxGa1-JiAs層組成，其中O. 5〈x く I。通過將電流擴展層設(shè)置在支承件和P型半導(dǎo)體區(qū)域之間，與電流擴展層在發(fā)光二極管芯片的輻射出射側(cè)上鄰接環(huán)境介質(zhì)、尤其是空氣時相比，所述電流擴展層更好地抵御氧化和/或濕度的影響。此外，已被證實的是，小于500nm厚的電流擴展層與相對厚的電流擴展層相比對氧化和/或濕度具有更低的敏感性。這可能由干，當(dāng)AlGaAs層部分地氧化時，所述AlGaAs層的體積増大。所述效應(yīng)在僅小于500nm厚的電流擴展層中與在更厚的層中相比表現(xiàn)得更 低。此外由于電流擴展層小于500nm的較小的厚度，電流擴展層所需要的生長時間有利地減少。因為電流擴展層的生長在升高的溫度下發(fā)生，所以通過生長時間的減少，雜質(zhì)從相鄰半導(dǎo)體層序列到電流擴展層中的擴散也降低，例如為Mg和Zn的摻雜物從半導(dǎo)體層序列的P型半導(dǎo)體區(qū)域的擴散降低。此外，電流擴展層小于500nm的小的厚度有利地降低了電流擴展層中的光學(xué)吸收。因此，在半導(dǎo)體層序列的有源層中首先朝電流擴展層和支承件發(fā)射的輻射在該電流擴展層中與在基本上更厚的電流擴展層的情況下相比被更少地吸收。朝支承件發(fā)射的輻射優(yōu)選通過設(shè)置在支承件上的鏡面層而沿朝向發(fā)光二極管芯片的輻射出射側(cè)的方向反射。因此，電流擴展層中的光學(xué)吸收也有利地相對較低，這是因為所述電流擴展層具有一個或多個構(gòu)成電流擴展層的P摻雜的AlxGahAs層和x>0. 5的鋁份額。由于相對大的鋁份額，電流擴展層具有相對較大的電帶隙，通過所述電帶隙對輻射的吸收減少。在一個優(yōu)選的擴展方案中，電流擴展層具有小于300nm的厚度。由此，所述層對氧化和/或濕度的影響的穩(wěn)定性進ー步改善并且光學(xué)吸收減少。對于電流擴展層中的鋁份額X而言滿足O. 6 < X < O. 8是尤其有利的。在該情況中，在電流擴展層中尤其實現(xiàn)小的光學(xué)吸收。電流擴展層能夠是由AlxGahAs制成的單層或由AlxGahAs制成的多個子層。對于電流擴展層由多個子層組成的情況而言，電流擴展層的在此處和以下描述的有利的擴展方案適用于子層的總體。尤其地，由多個子層組成的電流擴展層的厚度總共小于500nm或者尤其優(yōu)選地甚至為總共小于300nm。電流擴展層有利地具有大于I X IO19CnT3的摻雜濃度。尤其優(yōu)選地，電流擴展層中的摻雜濃度至少為5X1019cnT3。通過高的摻雜濃度，在電流擴展層中有利地實現(xiàn)高的導(dǎo)電性。在一個優(yōu)選的擴展方案中，電流擴展層包括作為摻雜物的碳。被證實為有利的是，通過作為在AlGaAs層中的摻雜物的碳，能夠以良好的可重復(fù)性實現(xiàn)高摻雜濃度。在另ー個優(yōu)選的擴展方案中，電流擴展層包括其側(cè)面在內(nèi)設(shè)有封裝層。所述封裝層能夠尤其包含氧化硅、氮化硅、例如為氧化鋅的透明導(dǎo)電氧化物或金屬。為了能夠?qū)㈦娏鲾U展層的側(cè)面也設(shè)有封裝層，例如能夠在施加封裝層之前使電流擴展層結(jié)構(gòu)化。在結(jié)構(gòu)化時，例如能夠去除電流擴展層的邊緣區(qū)域，使得隨后借助于覆層方法施加的封裝層也覆蓋電流擴展層的側(cè)面。通過所述封裝層，尤其地，電流擴展層對環(huán)境影響、尤其是對氧化和/或濕度的影響的敏感性進ー步降低?？尚械氖牵煌訁^(qū)域中的封裝層包含不同的材料。例如，封裝層在子區(qū)域中由電絕緣材料例如氧化硅或氮化硅制成，而封裝層在其他區(qū)域中由導(dǎo)電材料例如氧化鋅或由金屬形成。封裝層的導(dǎo)電子區(qū)域在該情況中尤其用于將電流注入到擴展層中。在另ー個優(yōu)選的擴展方案中，電流擴展層具有傾斜的側(cè)面，所述傾斜的側(cè)面以在20°和70°之間的包含20°和包含70°在內(nèi)的角相對于電流擴展層的層平面傾斜。以這種方式能夠改進來自光電組件的輻射耦合輸出。尤其地，電流擴展層的傾斜的側(cè)面能夠用作微棱鏡，通過所述微棱鏡，在有源層中朝支承件發(fā)射的輻射朝向發(fā)光二極管芯片的輻射出射側(cè)反射?？尚械氖?，所述傾斜的側(cè)面延伸直至進入到磷化物化合物半導(dǎo)體層序列中，使得半導(dǎo)體層序列的一個或多個層也具有傾斜的側(cè)面。在另ー個有利的擴展方案中，在電流擴展層中構(gòu)成至少ー個槽。所述至少ー個槽優(yōu)選地用氮化硅、氧化硅、氧化鋅或金屬填充。在電流擴展層的槽的區(qū)域中，填充材料直接 地鄰接P型半導(dǎo)體區(qū)域。通過所述槽能夠目標(biāo)明確地限定通過半導(dǎo)體層序列的電流路徑。也可有利的是，所述至少ー個槽延伸直至進入到P型磷化物化合物半導(dǎo)體區(qū)域中。在另ー個有利的擴展方案中，至少ー個由InxGayAlmAs制成的層鄰接于電流擴展層，其中O彡X彡1，0彡y彡I并且x+y彡1，所述層與電流擴展層相比具有更小的帶隙和更低的摻雜濃度。在該情況下，在電流擴展層和帶有更小的帶隙和更低的摻雜濃度的層之間的分界面上，分別出現(xiàn)導(dǎo)電帶和價帶的帶棱邊的彎曲，所述彎曲導(dǎo)致形成帶有高導(dǎo)電性的ニ維空穴氣體。以這種方式能夠目標(biāo)明確地生成帶有高的載流子濃度和載流子遷移率的區(qū)域。可能的是，電流擴展層中的至少ー個AlGaAs層包含一個或多個其他元素的低的份額。電流擴展層中一個或多個其他元素的份額在該情況中小于10%。所述ー個或多個其他元素能夠是摻雜物，或者是元素周期表的第三或第五主族的少量其他材料。


以下根據(jù)實施例結(jié)合圖I至5進ー步地闡明本發(fā)明。附圖示出圖I是貫穿根據(jù)第一實施例的發(fā)光二極管芯片的橫截面的示意圖，圖2是貫穿根據(jù)第二實施例的發(fā)光二極管芯片的橫截面的示意圖，圖3是貫穿根據(jù)第三實施例的發(fā)光二極管芯片的橫截面的示意圖，圖4是貫穿根據(jù)第四實施例的發(fā)光二極管芯片的橫截面的示意圖，圖5是貫穿根據(jù)第五實施例的發(fā)光二極管芯片的橫截面的示意圖。
具體實施例方式相同的或相同地作用的元件在圖中設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。單個元件的尺寸以及元件彼此間的尺寸關(guān)系不視作是比例正確的。在圖I中示出的薄膜發(fā)光二極管芯片包含半導(dǎo)體層序列5，所述半導(dǎo)體層序列5具有P型半導(dǎo)體區(qū)域2和η型半導(dǎo)體區(qū)域4。在P型半導(dǎo)體區(qū)域2和η型半導(dǎo)體區(qū)域4之間設(shè)有源層3。有源層3優(yōu)選地具有單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體層序列5基于磷化物化合物半導(dǎo)體，也就是說，包含在半導(dǎo)體層序列5中的半導(dǎo)體層尤其具有InxGayAlh_yP，其中O彡x彡1，0彡y彡I并且x+y彡I。尤其地，p型半導(dǎo)體區(qū)域2、有源層3和η型半導(dǎo)體區(qū)域由磷化物化合物半導(dǎo)體材料形成。所述發(fā)光二極管芯片是所謂的薄膜LED，在所述薄膜LED中，用于生長半導(dǎo)體層序列5的生長襯底從半導(dǎo)體層序列5脫落。尤其地，所述生長襯底能夠從η型半導(dǎo)體區(qū)域4脫落，所述η型半導(dǎo)體區(qū)域4現(xiàn)在具有發(fā)光二極管芯片的輻射出射面6。在與原始的生長襯底和輻射出射面6對置的側(cè)部上，發(fā)光二極管芯片與支承件7連接，所述支承件7優(yōu)選地具有硅、鍺或鑰。在所述薄膜半導(dǎo)體芯片中，因此，η型半導(dǎo)體區(qū)域4是面向輻射出射面6的并且P型半導(dǎo)體區(qū)域2是面向支承件7的。在支承件7和P型磷化物化合物半導(dǎo)體區(qū)域2之間設(shè)有電流擴展層I。電流擴展層I是具有小于500nm的厚度的p摻雜的AlxGa1^xAs層，其中O. 5〈x彡I。 優(yōu)選地，電流擴展層I的厚度甚至僅小于300nm。對于電流擴展層I的鋁份額x而言，優(yōu)選地滿足O. 6 < X < O. 8。電流擴展層I鄰接于至少在電接觸部9上的子區(qū)域中的面向支承件7的側(cè)部。發(fā)光二極管芯片的至少另ー電接觸部9例如設(shè)置在發(fā)光二極管芯片的與所述支承件對置的輻射出射側(cè)6上。電流擴展層I優(yōu)選地具有大于I X IO19CnT3的摻雜濃度并且尤其優(yōu)選地具有大于5X1019cm_3的摻雜濃度。以這種方式實現(xiàn)電流擴展層I的橫向?qū)щ娦?，使得?dāng)背側(cè)的接觸部9例如僅施加在電流擴展層I的小的中央?yún)^(qū)域上時，那么電流也相對均勻地流過半導(dǎo)體層序列5。電流擴展層I由于其小于500nm或者優(yōu)選地小于300nm的小的厚度以及由于大于O. 5的高的鋁份額而具有有利地低的光學(xué)吸收。此外，已被證實的是，這種類型的薄的電流擴展層I與相對較厚的典型地具有Iym或更大的厚度的傳統(tǒng)電流擴展層相比對氧化和/或濕度的影響是更不敏感的。盡管所述小的厚度，通過電流擴展層I實現(xiàn)了良好的電流擴展，其中有利的是，電流擴展層I具有至少為IX IO19CnT3并且尤其優(yōu)選地具有至少為5X IO19CnT3的摻雜濃度。此外，有利的是，與P型半導(dǎo)體區(qū)域2鄰接的電流擴展層I設(shè)置在支承件7和P型半導(dǎo)體區(qū)域2之間，這是因為與電流擴展層I在發(fā)光二極管芯片的表面上鄰接于環(huán)境介質(zhì)相比，所述電流擴展層I在該布置中更好地抵御例如為氧化或濕度的外部影響?？尚械氖牵娏鲾U展層I由多個由AlxGahAs制成的子層(沒有示出)所組成，其中分別地O. 5〈x< 1，其中所述子層能夠例如在其摻雜濃度方面和/或在其鋁含量方面彼此不同。在該情況中，在本申請的范圍中，將子層的總體視作電流擴展層1，使得尤其地，全部子層的總厚度小于500nm并且優(yōu)選地小于300nm。也能夠考慮的是，電流擴展層I或電流擴展層的子層具有少量的附加材料，然而，附加材料的份額總共小于10%。為了使電流擴展層I更好地抵御外部的影響，優(yōu)選地，電流擴展層I包括其側(cè)面11在內(nèi)設(shè)有封裝層8。尤其地，封裝層8尤其能夠具有例如為氮化硅或氧化硅的透明的絕緣材料。替選地，也可行的是，封裝層8具有例如為氧化鋅或金屬的透明的導(dǎo)電氧化物。尤其地，在封裝層8由絕緣材料制成的情況中，用于電流擴展層I的電接觸部9能夠設(shè)置在封裝層8的凹部中。在封裝層8、電接觸層9和支承件7之間設(shè)置由金屬或金屬合金制成的層序列10。金屬層10例如能夠包含鏡面層以用于反射從有源層3朝向支承件7發(fā)射的輻射。此外，金屬層10也能夠具有釬焊層以用于將發(fā)光二極管芯片與支承件7連接。圖2中示出的發(fā)光二極管芯片的實施例與圖I的實施例的不同在于，電流擴展層I具有傾斜的側(cè)面12。傾斜的側(cè)面12優(yōu)選地與電流擴展層I的層平面圍成在20°和70°之間的包括20°和70°在內(nèi)的角度。已被證實的是，通過電流擴展層I的傾斜的側(cè)面12，能夠改進來自發(fā)光二極管芯片的輻射耦合輸出。由于電流擴展層I和封裝層8之間的折射率差異，傾斜的側(cè)面12用作能夠朝向輻射出射面6反射輻射的反射器。尤其可能的是，電流擴展層I的對置的傾斜的側(cè)面12構(gòu)成微棱鏡。也可能的是，傾斜的側(cè)面12延伸直至進入到半導(dǎo)體層序列5中(沒有示出)。
鑒于其他的有利的擴展方案，圖2中不出的實施例符合第一實施例。圖3中示出的發(fā)光二極管芯片的實施例與圖I中示出的實施例的不同在于，金屬的層序列10在發(fā)光二級管芯片的側(cè)面的區(qū)域中一直到達P型半導(dǎo)體區(qū)域2。因此，電流擴展層I包括其側(cè)面11在內(nèi)由封裝層8所包圍，并且封裝層8由金屬的層序列10所包圍。以這種方式實現(xiàn)了電流擴展層I對氧化或濕度的影響的尤其好的抵御性。圖3中示出的實施例與圖I中示出的實施例的不同還在于，InxGayAlnyAs層14鄰接于電流擴展層1，其中0彡叉彡1,0 ^ y ^ I并且x+y ( 1，所述InxGayAl1TyAs層14與電流擴展層I相比具有更低的摻雜濃度和更小的帶隙。層14優(yōu)選地設(shè)置在電流擴展層I和P型半導(dǎo)體區(qū)域2之間。層14在與較高摻雜的電流擴展層I的分界面上構(gòu)成勢阱，在所述勢阱中自由的載流子以空穴的形式聚集?？昭ㄔ趯?4中構(gòu)成所謂的ニ維空穴氣體。以這種方式在層14中實現(xiàn)了尤其高的橫向?qū)щ娦?。在圖4中示出的發(fā)光二極管芯片的實施例中，在電流擴展層I中構(gòu)成兩個槽13，封裝層8伸入到所述槽13中。電流擴展層I的設(shè)置在槽13間的區(qū)域借助于電接觸部9和金屬的層序列10電接通。與此相反，電流擴展層I的邊緣區(qū)域la、lb不是電接通的。以這種方式，在半導(dǎo)體芯片的下述區(qū)域中降低了輻射生成，所述區(qū)域設(shè)置在發(fā)光二極管芯片的輻射出射面上的設(shè)置在邊緣區(qū)域中的接觸部9之下。在圖5中示出了發(fā)光二極管芯片的另一個實施例，其中在電流擴展層I中構(gòu)成兩個槽13。在這些槽中，金屬的層序列10延伸直至進入到P型半導(dǎo)體區(qū)域2中。金屬的層序列10在接觸部9的區(qū)域之外通過封裝層8而與電流擴展層I絕緣。本發(fā)明沒有通過根據(jù)實施例的描述而受限。相反地，本發(fā)明包括每種新的特征以及特征的每種組合，這尤其包含權(quán)利要求中特征的每種組合，即使所述特征或所述組合自身沒有在權(quán)利要求或?qū)嵤├性敿毜卣f明。
權(quán)利要求
1.帶有半導(dǎo)體層序列(5)的發(fā)光二極管芯片，所述半導(dǎo)體層序列具有磷化物化合物半導(dǎo)體材料，其中所述半導(dǎo)體層序列(5)包括 -P型半導(dǎo)體區(qū)域(2)， -n型半導(dǎo)體區(qū)域(4)，以及 -用于發(fā)射電磁輻射的有源層(3)，所述有源層設(shè)置在所述p型半導(dǎo)體區(qū)域(2)和所述n型半導(dǎo)體區(qū)域(4)之間， 其中所述n型半導(dǎo)體區(qū)域(4)面向所述發(fā)光二極管芯片的輻射出射面(6)，并且所述p型半導(dǎo)體區(qū)域(2)面向所述發(fā)光二極管芯片的支承件(7)， 其特征在于， 在所述支承件和所述P型半導(dǎo)體區(qū)域(2)之間設(shè)有小于500nm厚的電流擴展層(I )，所述電流擴展層(I)具有一個或多個P摻雜的AlxGahAs層，其中0. 5〈x< I。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管芯片， 其中所述電流擴展層(I)是小于300nm厚的。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的發(fā)光二極管芯片， 其中對于所述電流擴展層(I)的鋁份額X而言滿足0. 6 < X < 0. 8。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的發(fā)光二極管芯片， 其中所述電流擴展層(I)具有大于l*1019cnT3的摻雜濃度。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的發(fā)光二極管芯片， 其中所述電流擴展層(I)具有至少為5*1019cm_3的摻雜濃度。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的發(fā)光二極管芯片， 其中所述電流擴展層(I)摻雜有碳。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的發(fā)光二極管芯片， 其中所述電流擴展層(I)包括其側(cè)面(11)在內(nèi)設(shè)有封裝層(8 )。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管芯片， 其中所述封裝層(8 )包括氧化硅、氮化硅、氧化鋅或金屬。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的發(fā)光二極管芯片， 其中所述電流擴展層(I)具有傾斜的側(cè)面(12)，所述傾斜的側(cè)面(12)以在20°和70°之間的、包含20°和70°在內(nèi)的角度相對于所述電流擴展層(I)的層平面傾斜。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的發(fā)光二極管芯片， 其中在所述電流擴展層(I)中構(gòu)造有至少一個槽(13)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管芯片， 其中所述至少一個槽(13)用氮化硅、氧化硅、氧化鋅或金屬填充。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的發(fā)光二極管芯片， 其中所述至少一個槽(13)延伸直至進入到所述p型半導(dǎo)體區(qū)域(2)中。
13.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的發(fā)光二極管芯片， 其中由InxGayAlnyAs制成的至少一個層鄰接于所述電流擴展層(I )，其中0 < x < 1，0彡y彡I并且x+y彡I,由InxGayAl1IyAs制成的至少一個層與所述電流擴展層(I)相比具有更小的帶隙和更低的摻雜濃度。
14.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的發(fā)光二極管芯片，其中生長襯底從所述半導(dǎo)體層序列(5)脫落并且所述支承件(7)不同于所述半導(dǎo)體層序列(5)的生長襯底。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管芯片， 其中所述支承件(7)具有硅、鑰或鍺。
全文摘要
本發(fā)明提出帶有半導(dǎo)體層序列(5)的發(fā)光二極管芯片，所述半導(dǎo)體層序列具有磷化物化合物半導(dǎo)體材料，其中所述半導(dǎo)體層序列(5)包括p型半導(dǎo)體區(qū)域(2)、n型半導(dǎo)體區(qū)域(4)和設(shè)置在所述p型半導(dǎo)體區(qū)域(2)和所述n型半導(dǎo)體(4)之間的用于發(fā)射電磁輻射的有源層(3)。所述n型半導(dǎo)體區(qū)域(4)是面向發(fā)光二極管芯片的輻射出射面(6)的，并且所述p型半導(dǎo)體區(qū)域(2)是面向發(fā)光二極管芯片的支承件(7)的。在所述支承件(7)和所述p型半導(dǎo)體區(qū)域(2)之間設(shè)置有小于500nm厚的電流擴展層(1)，所述電流擴展層具有一個或多個p摻雜的AlxGa1-xAs層，其中0.5<x≤1。
文檔編號H01L33/40GK102834937SQ201180018587
公開日2012年12月19日 申請日期2011年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月12日
發(fā)明者彼得魯斯·松德格倫, 埃爾馬·鮑爾, 馬丁·霍厄納德勒, 克萊門斯·霍夫曼 申請人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司