專利名稱：用于制造光電池和微電子器件的半導(dǎo)體襯底的雙面可重復(fù)使用的模板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及光伏和微電子領(lǐng)域，更具體地涉及薄膜(或薄箔)晶體(單晶、多晶)半導(dǎo)體襯底的制造工藝和制造設(shè)備，在一些實(shí)施例中，薄膜或薄箔的厚度范圍在大約I微米到100微米之間。本發(fā)明提供了這種低成本和高產(chǎn)出的生產(chǎn)。
背景技術(shù)：
目前，晶體硅在光伏(PV)產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)份額最大，占整個(gè)PV市場(chǎng)的80%以上。盡管制造更薄的晶體硅太陽(yáng)能電池長(zhǎng)期以來(lái)被認(rèn)為是降低PV成本最有效的方法之一(因?yàn)樘?yáng)能電池中使用的晶體硅片相對(duì)較高的材料成本占了 PV模塊總成本的一部分)，但是由于襯底尺寸較大較薄，以及薄結(jié)構(gòu)中一定程度上的光捕獲問(wèn)題(由于硅是一種間接帶隙的半導(dǎo)體材料)，這使得使用較薄的晶體的過(guò)程中存在很多機(jī)械破損問(wèn)題。要實(shí)現(xiàn)成本效益，PV制造工廠的產(chǎn)量必須要很高，因此高機(jī)械產(chǎn)量和降低晶片破損率的要求更加困難。對(duì)于無(wú)支撐的獨(dú)立式晶體硅太陽(yáng)能電池而言，比當(dāng)前的厚度范圍140 μ m-250 μ m再稍微降低一點(diǎn)也會(huì)在制造過(guò)程中嚴(yán)重危害到機(jī)械產(chǎn)量。因此，任何處理非常薄的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的方案必須是在整個(gè)電池工藝中電池完全由主載體支撐，或者是采用新穎的自支撐、獨(dú)立、利用具有結(jié)構(gòu)創(chuàng)新的襯底。使用薄膜半導(dǎo)體襯底(TFSS)作為活性材料以低成本制造太陽(yáng)能電池的創(chuàng)新制造工藝已在相關(guān)申請(qǐng)中公開。在一些實(shí)施例中，TFSS包括晶體半導(dǎo)體(更具體地，在一些實(shí)施例中為硅)。這種技術(shù)平臺(tái)使用可重復(fù)使用的半導(dǎo)體模板制造太陽(yáng)能電池。在某些實(shí)施例中，模板表面具有周期性排列的預(yù)結(jié)構(gòu)化的三維(3-D)結(jié)構(gòu)?；谔?yáng)能電池的3-DTFSS的例子包括，但不局限于，棱形蜂巢和倒金字塔型空腔，其在具有共同發(fā)明人和/或所有權(quán)的早期申請(qǐng)中已描述過(guò)。以下是相關(guān)申請(qǐng)的例子。美國(guó)專利US2008/0157283A1、US2008/0289684A1、US2010/0148318A1、US2010/0300518 ;序列號(hào)為 13/057104 的美國(guó)專利申請(qǐng);序列號(hào)為 PCT/US 10/60591，PCT/US 10/62614 的 PCT 申請(qǐng)。如以上文件公開的那樣，外延襯底在可重復(fù)使用的模板的頂部生長(zhǎng)，之后被移除。在一個(gè)實(shí)施例中，模板和襯底都包括單晶硅。之后，可重復(fù)使用的模板可被重復(fù)使用幾次，重整或不重整均可，以生長(zhǎng)更多外延襯底?？芍貜?fù)使用的模板具有平坦的頂部表面或具有預(yù)先形成的3-D微結(jié)構(gòu)，比如六角形的蜂巢空腔或倒金字塔型空腔的頂部表面。3-D TFSS的分離通過(guò)使用中間犧牲層來(lái)實(shí)現(xiàn)。犧牲層應(yīng)滿足兩個(gè)重要的標(biāo)準(zhǔn)。第一，其需將來(lái)自可重復(fù)使用模板的有關(guān)結(jié)晶性的信息傳遞到外延層。第二，與襯底和可重復(fù)使用的模板相比，其應(yīng)能夠被選擇性地去除。犧牲層的一個(gè)具體例子是多孔硅，其孔隙率可被調(diào)整以便獲得上述兩個(gè)重要功能。如以上文件所公開的那樣，制造平面或3-D的TFSS并將其從一面，即可重復(fù)使用的模板的頂部表面，分離。換句話說(shuō)，在每一個(gè)重復(fù)使用周期利用可重復(fù)使用的模板制造一個(gè)太陽(yáng)能襯底。在那些發(fā)明中，模板和襯底的制造設(shè)備、多孔硅的形成和外延硅增長(zhǎng)設(shè)備只能在硅模板的一個(gè)面上進(jìn)行處理。該設(shè)備可以批量處理的方式一次處理多個(gè)晶片，但是每個(gè)模板只有一面可用。與半導(dǎo)體工藝相比，制造太陽(yáng)能電池需要更高的生產(chǎn)力而成本卻低得多。因此，開發(fā)制造工藝以及能夠同時(shí)在可重復(fù)使用模板的兩面制造薄半導(dǎo)體襯底的設(shè)備是有利的。

發(fā)明內(nèi)容
為了降低薄膜晶體半導(dǎo)體(比如硅)襯底的制造成本并提高生產(chǎn)量，本發(fā)明提供用于在可重復(fù)使用的半導(dǎo)體模板的兩面制造TFSS(或薄半導(dǎo)體，比如硅箔片)的制造方法 和設(shè)備，從而有效地增加襯底的制造產(chǎn)量并減低制造成本。對(duì)于給定的模板重復(fù)使用的次數(shù)而言，這種方法也將每一個(gè)制造出的襯底(TFSS)的分?jǐn)偟钠鹗寄０宄杀窘档土舜蠹s一半。根據(jù)本發(fā)明，制備具有平坦表面或預(yù)結(jié)構(gòu)化的3-D結(jié)構(gòu)的雙面半導(dǎo)體(比如硅)晶片，以將其作為可重復(fù)使用的模板(或可重復(fù)使用的微模具)使用?？蓪?duì)平面模板的表面進(jìn)行拋光或?qū)ζ溥M(jìn)行結(jié)構(gòu)化使其表面為隨機(jī)或規(guī)則排列的粗糙表面。3-D模板具有3-D結(jié)構(gòu)，比如在模板兩面制造的蜂巢式棱柱或倒金字塔型空腔。模板正面和背面的表面結(jié)構(gòu)可以相同或不同。例如，與正面結(jié)構(gòu)相比，背面結(jié)構(gòu)可不必對(duì)齊以確保模板的機(jī)械強(qiáng)度能夠增強(qiáng)。在另一種示例中，模板的正面可由3-D結(jié)構(gòu)組成，而其背面可為平面；然而，兩面均可有效地用于制造TFSS。在再另一種示例中，模板的兩面可以是不帶有任何預(yù)結(jié)構(gòu)化的3D圖案的平面以制造TFSS (或薄硅箔片)。根據(jù)本發(fā)明，在模板的兩面形成合適的薄犧牲層，比如多孔硅層，用于襯底分離?？墒褂靡粋€(gè)批量處理工具來(lái)形成這些犧牲層(盡管犧牲層可通過(guò)在一個(gè)或兩個(gè)多孔硅形成處理工具中按順序使用兩個(gè)分開的順序步驟在兩個(gè)面上形成)。多孔硅層被用作種子層用于外延硅生長(zhǎng)，也用作機(jī)械薄弱層以加速外延硅層(即，TFSS)在空間上與模板選擇性地分離(正面和背面，從而有效地使生產(chǎn)量加倍)。根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)使用化學(xué)汽相沉積(CVD)，在單次外延工藝中在模板的兩面同時(shí)生長(zhǎng)薄外延娃層。根據(jù)本發(fā)明，由外延硅層制造的TFSS在將掩埋的多孔硅層從模板邊緣暴露后與模板的兩面分離。從兩面分離的TFSS薄膜或箔片(或晶片)的物理結(jié)構(gòu)可以相同或不同然而，無(wú)論其形狀和尺寸如何，從模板的正面和背面分離的TFSS部分可用于制造太陽(yáng)能電池(或微型電子器件)。根據(jù)本發(fā)明，TFSS從模板的每一個(gè)面分離后，可按需要對(duì)該模板進(jìn)行修整和清洗，緊接著進(jìn)行下一次循環(huán)使用。在本發(fā)明中的每一個(gè)模板都可多次循環(huán)使用，直到其變得太薄而無(wú)法處理或失去結(jié)構(gòu)性能。在那些情況，可回收使用過(guò)的模板。


通過(guò)以下結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本發(fā)明的特征、性質(zhì)和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得顯而易見(jiàn)，其中相似的標(biāo)號(hào)表示相似的特征，其中圖IA和IB分別出示了雙面平面模板在其TFSS分離前和分離后的剖面示意圖；圖2A出示了具有六角形蜂巢互連溝槽的雙面可重復(fù)使用的模板的前視圖；圖2B出示了具有棱形蜂巢3-D結(jié)構(gòu)以及TFSS已從模板兩面分離的雙面模板的剖面示意圖；圖3A出示了具有倒金字塔型空腔的雙面可重復(fù)使用的模板的前視示意圖；圖3B出示了具有倒金字塔型3-D結(jié)構(gòu)以及TFSS已從模板兩面分離的雙面模板的剖面示意圖； 圖4圖示了使用雙面可重復(fù)使用的模板制造平面TFSS的框圖；圖5A-5E出示了主要處理步驟之后，使用雙面可重復(fù)使用的模板制造平面TFSS的過(guò)程的剖面示意圖；圖6圖示了用于制造具有六角形蜂巢式溝槽的雙面可重復(fù)使用的模板的主要制造工藝步驟；圖7圖示了用于制造具有倒金字塔型空腔的雙面可重復(fù)使用的模板的主要制造工藝步驟；圖8出示了批量工藝中用于在硅模板的兩面形成多孔硅層的設(shè)備的概念性剖面圖；和圖9出示了批量工藝中用于在硅模板的兩面生長(zhǎng)外延硅層的設(shè)備的概念性剖面圖。
具體實(shí)施例方式盡管參考具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行描述，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員無(wú)需進(jìn)行過(guò)度的實(shí)驗(yàn)便可將此處討論的原理應(yīng)用到其它地方和/或?qū)嵤├?。圖IA和圖IB出示了在TFSS12從兩面分離前后，雙面平面模板10的剖面示意圖。如圖IA所圖示的那樣，通過(guò)外延硅生長(zhǎng)工藝，在一些實(shí)施例中同時(shí)地，在平面模板的兩側(cè)以及模板正面和背面表面上的多孔硅層14的頂部形成外延生長(zhǎng)硅層。模板可由表面拋光的單晶硅晶片制成(盡管表面未拋光的晶片和/或多晶硅晶片也可用作模板)。晶片直徑可在大約150至450毫米的范圍內(nèi)，晶片厚度可在大約O. 5至I毫米的范圍內(nèi)?？墒褂酶竦木浜穸瓤蛇_(dá)幾毫米。模板可以是圓形、正方形/矩形，或帶有圓角的近似正方形/近似矩形。多孔硅層可由單層、具有不同孔隙率的雙層或多層，或具有分等級(jí)的孔隙率的層組成。例如，多孔硅接觸模板的子層比接觸外延層的子層具有更高孔隙率?？偟耐庋訉雍穸瓤稍诖蠹sI至100微米的范圍內(nèi)，其可由不同摻雜類型和級(jí)別的層組成。例如，對(duì)于太陽(yáng)能電池的應(yīng)用而言，與掩埋的多孔硅層接觸的薄層16可以是η+(磷)摻雜以形成太陽(yáng)能電池的正表面場(chǎng)(FSF)沖間層18可以是η (磷)摻雜以形成太陽(yáng)能電池的基極區(qū)域；外部外延層20可以是ρ+(硼)摻雜以形成太陽(yáng)能電池的太陽(yáng)能電池發(fā)射機(jī)區(qū)域(或選擇性地對(duì)于基極為P-型的太陽(yáng)能電池可用相反的摻雜極性)?？沙ゾ吘壍耐庋訉?如圖IB所示)來(lái)暴露掩埋的多孔硅層以便將外延層與模板分離。選擇性地，可通過(guò)機(jī)械遮蔽和/或氫氣流清除清洗來(lái)避免外延層在模板邊緣生長(zhǎng)。在另一種可替代的方法中，TFSS邊緣由激光溝槽切割限定，切割深度不大于外延層的厚度。在這種方法中，在TFSS與模板分離后，通過(guò)對(duì)模板邊緣進(jìn)行研磨、磨削或拋光可除去模板邊緣剩余的外延硅層。如圖IB中所圖示的那樣，將外延層與模板分離以形成具有可選擇的增強(qiáng)/支撐板22的TFSS。薄硅增強(qiáng)或支撐板可臨時(shí)或永久地安裝在TFSS上以提高其在后續(xù)太陽(yáng)能電池工藝步驟中的可處理性。如在相關(guān)申請(qǐng)中所公開的那樣，增強(qiáng)板可由太陽(yáng)能等級(jí)玻璃、聚合物，或其它材料制造。也可以存在太陽(yáng)能等級(jí)粘著層，用于形成增強(qiáng)板和TFSS之間的永久性結(jié)合。在外延層的厚度大于大約50微米而TFSS的直徑小于大約150毫米的情況下，可不需要增強(qiáng)板。TFSS分離后，可清洗，修整模板(按此順序或按照相反的順序，先修整再清洗)，然后重新使用。然后，TFSS經(jīng)歷隨后的太陽(yáng)能電池制作過(guò)程，包括，但不局限于，表面清洗、摻雜、鈍化和觸點(diǎn)制造步驟，如在相關(guān)申請(qǐng)中公開的那樣。圖2A和2B圖示了具有六角形蜂巢式三維結(jié)構(gòu)的雙面模板和在可重復(fù)使用的模板兩面制造的TFSS。圖2A圖示了模板的部分前視示意圖。模板可由單晶硅晶片制成 ，雖然多晶硅晶片也可用作模板。模板具有預(yù)結(jié)構(gòu)化的正面和背面表面。更具體地，在硅模板兩面上制造側(cè)壁為錐形的六角形蜂巢式溝槽30。圖2B圖示了 TFSS34分離后模板的剖面示意圖(沿著A-A切割方向)(附圖尺寸未按比例示出)。如圖所示，溝槽側(cè)壁32為錐形且錐角可從幾度到十幾度(在一些實(shí)施例中大約為3到10度)。溝槽高度大約為50至300微米，或更具體地在一些實(shí)施例中大約為75至150微米。頂部溝槽寬度大約為10至100微米，或更具體地在一些實(shí)施例中大約為20至50微米。背面結(jié)構(gòu)可不與正面結(jié)構(gòu)對(duì)齊以確保模板增強(qiáng)的機(jī)械強(qiáng)度。模板晶片直徑在大約150至450毫米的范圍內(nèi)，晶片厚度大約在O. 5至I毫米以上的范圍內(nèi)(也可使用更厚的晶片，其厚度可達(dá)到幾毫米)。多孔硅層(未示出)最初是在模板表面的兩面上形成的，如在平面TFSS的情況下討論的那樣。然后在模板兩面上的多孔硅層的頂部形成外延生長(zhǎng)硅層。外延層的厚度大約在I至100微米的范圍內(nèi)，且在其整個(gè)深度內(nèi)，其由各種的摻雜類型和摻雜等級(jí)組成，如在平面TFSS的情況下所解釋的那樣。示意圖出于簡(jiǎn)單的目的，摻雜類型和等級(jí)并未在圖2B中示出。為了將外延層從模板上分離，將晶片邊緣的外延層除去以暴露掩埋的多孔硅層。選擇性地，通過(guò)機(jī)械遮蔽可避免在模板邊緣的外延生長(zhǎng)。在另一種可替代的方法中，TFSS邊緣由激光溝槽切割限定，切割深度不大于外延層的厚度。在這種方法中，在TFSS與模板分離后，通過(guò)對(duì)模板邊緣進(jìn)行研磨、磨削或拋光可除去模板邊緣剩余的外延硅層。如圖2B中所圖示的那樣，將外延層與模板分離以形成獨(dú)立，不需要增強(qiáng)板的TFSS。TFSS分離后，可清洗，修整模板，然后再次使用。TFSS經(jīng)歷隨后的太陽(yáng)能電池制作過(guò)程，包括，但不局限于，表面清洗、摻雜、鈍化和觸點(diǎn)制造步驟，如在相關(guān)申請(qǐng)中公開的那樣。圖3A和3B圖示了具有倒金字塔型3_D結(jié)構(gòu)的雙面模板和在可重復(fù)使用的模板兩面制造的TFSS。圖3A出示了模板的部分前視示意圖。模板可由單晶硅晶片制成，盡管多晶硅晶片也可用作模板。模板具有預(yù)結(jié)構(gòu)化的正面和背面表面。更具體地，在硅模板兩面上制造倒金字塔型空腔40。為了促進(jìn)金字塔型圖案形成，模板可以為單晶硅晶片(100)。倒金字塔型空腔被對(duì)準(zhǔn)到(100)的方向，且其側(cè)壁被蝕刻至單晶硅的晶體平面(111)。側(cè)壁與頂部橫向平面呈54. 7°角?？涨豁敳块_口大約在50至500微米的范圍內(nèi)，深度大約在50至250微米的范圍內(nèi)。圖3B出示了 TFSS42分離后模板的剖面示意圖(沿著A-A切割方向)(附圖尺寸未按比例示出)。背面結(jié)構(gòu)可不與正面結(jié)構(gòu)對(duì)齊以確保模板增強(qiáng)的機(jī)械強(qiáng)度。模板晶片直徑可在大約150至450毫米的范圍內(nèi)，晶片厚度可大約在O. 5至I毫米以上的范圍內(nèi)(或甚至幾毫米)。如以上描述的，一個(gè)或者多個(gè)多孔硅層可在模板的兩面上形成。然后在模板兩面上的多孔硅層的頂部形成外延生長(zhǎng)硅層。外延層的厚度大約在I至100微米的范圍內(nèi)，且在其整個(gè)深度內(nèi)，其由各種的摻雜類型和摻雜級(jí)別組成，如在平面TFSS的情況下所解釋的那樣。示意圖出于簡(jiǎn)單的目的，摻雜類型和等級(jí)并未在圖3B中示出。為了將外延層從模板上分離，將晶片邊緣的外延層除去以暴露掩埋的多孔硅層。選擇性地，通過(guò)機(jī)械遮蔽可避免在模板邊緣生長(zhǎng)外延層。在另一種可替代的方法中，TFSS邊緣由激光溝槽切割限定，切割深度不大于外延層的厚度。在這種方法中，在TFSS與模板分離后，通過(guò)對(duì)模板邊緣進(jìn)行研磨、磨削或拋光可除去模板邊緣剩余的外延硅層。如圖3B中所圖示的那樣，將外延層與模板分離以形成獨(dú)立的、不需要增強(qiáng)板的TFSS0 TFSS分離后，可清洗，修整模板，然后再次使用。TFSS經(jīng)歷隨后的太陽(yáng)能電池制作過(guò)程，包括，但不局限于，表面清洗、摻雜、鈍化和觸點(diǎn)制造步驟，如在相關(guān)申請(qǐng)中公開的那樣。 圖4概括了在一個(gè)實(shí)施例中使用本發(fā)明的雙面可重復(fù)使用的模板的方法來(lái)制造平面TFSS的工藝流程的主要處理步驟。制造工藝始于步驟50，從一個(gè)大體上是平面的模板開始，其可以是單晶硅晶片(100)。起始的晶片可以是圓形、正方形或矩形或多角形的形狀。模板表面的兩面，就其表面處理而言，可以相同或不同。在一個(gè)實(shí)施例中，正面和背面表面沒(méi)有被結(jié)構(gòu)化或拋光。在另一種實(shí)施例中，在模板表面的兩面形成很淺(例如小于大約10微米)且隨機(jī)的紋理。硅晶片(100)表面結(jié)構(gòu)化工藝已為現(xiàn)有技術(shù)所知，且通常通過(guò)稀釋的堿性化學(xué)方法進(jìn)行，比如KOH或NaOH硅蝕刻。在步驟52中，通過(guò)對(duì)模板表面的正面和背面的硅進(jìn)行電化學(xué)陽(yáng)極HF蝕刻，在該模板上形成多孔硅層。在HF/IPA(或HF/醋酸)溶液中形成多孔硅的過(guò)程中，周期性地將電流極性在正電流和負(fù)電流之間轉(zhuǎn)換，使得每一個(gè)模板面/表面都能被順序地蝕刻，以在模板的正面和背面形成雙層或多層多孔硅結(jié)構(gòu)。除了周期性的電流極性轉(zhuǎn)換，電流強(qiáng)度也以一種受控的方式被改變以形成由所希望的不同(低和高)孔隙率組成的多孔硅層。第一薄多孔硅層在頂部，且首先從塊狀硅晶片制成。第一薄層優(yōu)選地具有較低的孔隙率，其孔隙率在15%到30%之間。第二薄多孔硅層直接從塊狀硅上生長(zhǎng)，且位于第一薄多孔硅層下面。第二薄多孔硅層可具有較高的孔隙率，其孔隙率在大約40%到80%的范圍內(nèi)。頂部較低孔隙率多孔硅層用作為晶體種子層，以獲得高質(zhì)量的外延硅生長(zhǎng)，下面的較高孔隙率多孔硅層由于其物理連接(在外延硅和塊狀硅界面之間)密度較低以及機(jī)械強(qiáng)度弱，因此被用于促進(jìn)TFSS的分離。選擇性地，也可使用孔隙率從頂部到底部逐漸增大的單孔隙率分離層。在這種情況下，多孔硅層頂部的孔隙率較低，大約在15%到30%之間，而多孔硅層下部的孔隙率較高，大約在40%以80%之間，二者之間有一個(gè)孔隙率分等級(jí)的區(qū)域。在步驟54中，在外延硅生長(zhǎng)之前，將晶片放入外延硅沉積反應(yīng)器內(nèi)，在高溫(大約950度到1200度，且更具體地在一些實(shí)施例中，在1050度到1150度的范圍內(nèi))氫環(huán)境下烘焙以便在較高孔隙率掩埋的多孔硅層內(nèi)形成燒結(jié)結(jié)構(gòu)(空隙相對(duì)較大)，同時(shí)在孔隙率較低的多孔硅層頂部形成連續(xù)的晶體硅表面種子層。接下來(lái)，在步驟56中，同時(shí)在模板的兩面沉積單晶外延硅層，優(yōu)選地在生產(chǎn)量高，批量大的外延火爐中進(jìn)行。外延層可原位摻雜。例如，對(duì)于太陽(yáng)能電池的應(yīng)用，外延層的塊狀基極可以是η(磷)摻雜，內(nèi)層可以是η+(磷)摻雜以形成FSF，且外層可以是ρ(硼)摻雜以形成太陽(yáng)能電池的發(fā)射極區(qū)域。外延層的厚度在I到100微米的范圍內(nèi)。在可選擇的步驟58中，薄氧化層在外延表面熱生長(zhǎng)。薄氧化層可用于太陽(yáng)能電池表面鈍化或用于后續(xù)選擇性表面開口的掩蔽層。在可選擇的步驟60中，臨時(shí)性或永久性增強(qiáng)板被安裝在硅表面的正面和背面。增強(qiáng)板可作為載體以允許使用商業(yè)上可獲得的太陽(yáng)能電池制造設(shè)備對(duì)薄TFSS進(jìn)行加工和處理，如在序列號(hào)為PCT/US10/60591和PCT/US10/62614的PCT申請(qǐng)中所公開的那樣。接下來(lái)，在步驟62中，可通過(guò)對(duì)模板邊緣進(jìn)行研磨、磨削或拋光來(lái)除去晶片邊緣的外延層以暴露掩埋的多孔硅層以便外延層與模板分離。選擇性地，可通過(guò)機(jī)械遮蔽來(lái)避免外延在模板邊緣生長(zhǎng)。在另一種可替代的方法中，如在相關(guān)申請(qǐng)中公開的那樣，TFSS邊緣由激光溝槽切割限定，切割深度不大于外延層的厚度。在步驟64中，被強(qiáng)化(可選地)的外延硅層與模板分離/分開，分離的外延硅層因 此被稱作薄膜硅襯底。相關(guān)申請(qǐng)公開了分離外延層以形成TFSS的詳細(xì)方法。在一個(gè)公開的方法中，TFSS在超聲Dl-水浴中被分離。在另一種公開的方法中，在晶片背面和頂部外延層被真空吸緊的情況下，通過(guò)直接拉拔來(lái)分離該TFSS。在步驟66中，通過(guò)使用KOH或TMAH溶液進(jìn)行淺硅蝕刻來(lái)清潔分離的TFSS背面表面以便去除硅碎屑并完整地或局部地去除偽單晶硅(QMS)層。與此同時(shí)，且在邊緣外延硅層從模板上被去除后，使用稀釋的HF和稀釋的濕硅蝕刻溶液清潔模板，比如使用TMAH和/或KOH去除剩余的多孔硅層和硅微粒。然后用傳統(tǒng)硅晶片清洗方法，比如SCI和SC2濕法凈化(或所謂的RCA清洗工藝)進(jìn)一步清洗模板以去除可能的有機(jī)和金屬污染。最后，用去離子水進(jìn)行適當(dāng)?shù)臎_洗且進(jìn)行N2干燥后，該模板便可用于另一個(gè)重復(fù)使用循環(huán)。圖5A-5E出示了主要處理步驟后，使用雙面可重復(fù)使用的模板制作平面TFSS的過(guò)程的剖面示意圖。這些附圖中的尺寸未按比例示出。圖5A圖示了具有大體上是平面的正面和背面表面的起始模板70。圖5B圖示了在其正面和背面表面形成多孔硅72后的模板。然而，在正面和背面表面上的多孔硅層并未連接，因?yàn)樵谀０宓淖钸吘壔蛐苯菂^(qū)域內(nèi)未形成多孔硅。圖5C圖不了模板正面和背面表面上生長(zhǎng)的外延層74。在本不例中外延層74包括η+摻雜的FSF層76、η摻雜的基極78和ρ+摻雜的發(fā)射極80。根據(jù)外延生長(zhǎng)室內(nèi)模板的夾持配置，模板表面的最邊緣或斜角區(qū)域上可有或沒(méi)有薄外延硅層生長(zhǎng)。示了安裝增強(qiáng)板82并在TFSS的邊緣制造邊界限定溝槽84后的步驟?？稍赥FSS分離之前或之后除去邊緣外延層86。圖5E圖示了具有增強(qiáng)板的TFSS 88的分離。TFSS 88與模板表面的分離在掩埋的多孔硅層發(fā)生。TFSS分離后，TFSS和模板表面上剩余的多孔硅層和/或QMS薄層通過(guò)濕化學(xué)蝕刻，比如稀釋的KOH或NaOH溶液(或選擇性地使用HF-硝酸-醋酸(HNA)溶液)被蝕刻掉。在下一個(gè)模板重復(fù)使用循環(huán)之前，同樣將模板邊緣剩余的外延硅層和QMS硅層除去或蝕刻掉。圖6示出工藝流程且圖示了經(jīng)過(guò)用于制造具有六角形蜂巢式溝槽的雙面可重復(fù)使用的模板的主要制造工藝步驟后的模板。這種3-D模板用于制造蜂巢式TFSS。
模板制造工藝從使用單晶(100)硅晶片的步驟90開始。在步驟92中，將光致抗蝕劑層93覆蓋在模板的正面表面和背面表面并進(jìn)行圖案化。選擇性地，可絲網(wǎng)印刷阻擋層。接下來(lái)，在步驟94中，使用硅蝕刻氣體，比如SF6，以深反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)或反應(yīng)離子蝕刻(RIE)工藝對(duì)正面和背面硅槽進(jìn)行蝕刻。在DRIE工藝中，使用C4F8氣體進(jìn)行周期性表面鈍化以控制側(cè)壁表面。溝槽蝕刻受時(shí)間控制。溝槽蝕刻之后，在步驟96除去剩余的阻擋層，且在步驟98徹底清洗所有暴露的硅表面?？蛇x擇地，對(duì)溝槽側(cè)壁粗糙的表面略微進(jìn)行蝕刻以使其平滑一些。在步驟100，可重復(fù)使用的模板被完成。除了在TFSS分離前可能不需要增強(qiáng)板之外，使用雙面蜂巢式模板的3-D TFSS制造工藝與平面TFSS的制作過(guò)程大體相同。為了簡(jiǎn)單化，3-D TFSS制作過(guò)程未在圖中示出。圖7圖示了用于制造具有倒金字塔型空腔的雙面可重復(fù)使用的模板的主要制造工藝步驟。這種3-D模板用于制造金字塔型TFSS。模板制造工藝從使用單晶硅晶片(100)的步驟110開始。晶片厚度大約在O. 5至I毫米(或甚至幾毫米)的范圍內(nèi)。在步驟112中，熱生長(zhǎng)的氧化層，其厚度大約為O. 5至I. 5微米，被用作硬掩膜層113。硅氧化層覆蓋整 個(gè)晶片表面，包括邊緣。晶片邊緣上的氧化物未示出。接下來(lái)，在步驟114，光刻限定的或絲網(wǎng)印刷的光致抗蝕劑圖案被施加到晶片的正面表面和背面表面。光刻工藝包括光致抗蝕劑涂覆、烘焙、曝光、顯影和后烘焙。光刻圖案由參差不齊的大正方形開口和小正方形開口組成。在正面表面上將正方形開口圖案精確地對(duì)準(zhǔn)到晶片〈100〉方向很重要。然后圖案化的阻擋圖案在步驟116被轉(zhuǎn)移到硬掩蔽層，即，正面氧化層。圖案從光致抗蝕劑層轉(zhuǎn)移到氧化層是通過(guò)在緩沖HF溶液中控制氧化物蝕刻來(lái)實(shí)現(xiàn)的。在HF濕蝕刻過(guò)程中，同時(shí)對(duì)正面和背面氧化物開口進(jìn)行蝕刻，且邊緣氧化層受到完整保護(hù)，并保持原來(lái)的厚度。晶片表面的氧化物圖案也由參差不齊的、對(duì)準(zhǔn)到結(jié)晶方向〈100〉的大小正方形開口組成。圖案轉(zhuǎn)移后，在步驟118，通過(guò)濕法或干法光致抗蝕劑去除方法除去剩余的光致抗蝕劑層。接下來(lái)，在步驟120，硅各向異性蝕刻通過(guò)受時(shí)間控制的KOH、NaOH或TMAH蝕刻(其結(jié)果是形成大金字塔型硅空腔)來(lái)進(jìn)行。蝕刻溫度大約可在50° C至80° C的范圍內(nèi)。對(duì)正面和背面暴露的硅表面同時(shí)進(jìn)行蝕刻，且晶片邊緣表面受到未圖案化的氧化層的全面保護(hù)。KOH蝕刻受時(shí)間控制以便使金字塔型空腔達(dá)到一定深度。選擇性地，當(dāng)金字塔型
(111)的四個(gè)側(cè)壁在底部相遇時(shí)，KOH蝕刻可自行結(jié)束。KOH蝕刻之后，由于氧化物在KOH或TMAH溶液中也受到一定程度的蝕刻，雖然其蝕刻速率比硅蝕刻要慢很多，但是剩余的氧化層較之前要薄一些。然后在步驟122將剩余的氧化層在稀釋的HF溶液中除去，接著在SC2和SC2中進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)晶片清洗、DI水沖洗和N2干燥。在步驟124，可重復(fù)使用的金字塔型雙面模板被完成。除了在TFSS分離前可能不需要增強(qiáng)板之外，使用雙面金字塔型模板的3-D TFSS制造工藝與平面TFSS的制作過(guò)程相同。為了簡(jiǎn)單化，3-D TFSS制作過(guò)程未在圖中示出。圖8出示了下述設(shè)備的一種可能的實(shí)施例的概念剖面圖，該設(shè)備用于在批量電化學(xué)陽(yáng)極蝕刻工藝中在硅模板兩面形成多孔硅層。模板130被批量裝入蝕刻室且各自在其邊緣通過(guò)封條132被支撐和密封。因此在模板的最邊緣表面沒(méi)有形成多孔硅層。裝入的模板在蝕刻室中被均勻地隔開，且模板之間的電解液體(HF、IPA和DI水混合液)具有一致的濃度和體積?？伸`活地控制液體溫度，且工藝過(guò)程中產(chǎn)生的氣泡通過(guò)外部液體循環(huán)和氣泡提取被及時(shí)地除去。電源134將有電流強(qiáng)度控制、時(shí)間控制和極性轉(zhuǎn)換能力的電能提供給電極136。周期性地轉(zhuǎn)換電流極性以便每一個(gè)模板面都能被連續(xù)不斷積累地蝕刻。除了周期性的電流極性轉(zhuǎn)換，電流強(qiáng)度也以一種受控的方式被改變，以形成可由兩個(gè)或多個(gè)具有不同孔隙率或孔隙率分等級(jí)的薄層組成的多孔硅層。普通的技術(shù)人員知道不同的電解液體積和濃度、蝕刻室尺寸，相鄰模板之間的距離、電流大小和極性可用于圖8所示的實(shí)施例中。電流的流過(guò)產(chǎn)生多孔硅層138。圖9出示了用于在批量工藝中在硅模板的兩面同時(shí)生長(zhǎng)外延硅層的設(shè)備的概念性剖面圖。如以上描述的，多孔硅層在硅模板的兩面，除了邊緣的地方形成。模板被批量裝入外延反應(yīng)室內(nèi)，并且從沒(méi)有多孔硅層的邊緣處對(duì)模板分別進(jìn)行支撐。這種邊緣支撐的方法可避免破損的多孔硅碎屑在模板裝卸工藝中積累。裝入的模板在反應(yīng)室內(nèi)被均勻地隔開。有了這種分布式氣體注入布局，反應(yīng)氣體可均勻地從氣體注射器144中釋放到所有暴露的硅表面，并通過(guò)排氣裝置146被排出，使得在單晶片內(nèi)和晶片之中進(jìn)行均勻的外延生長(zhǎng)。在此工藝過(guò)程中，反應(yīng)室被加熱到950° C至1200° C的高溫 范圍內(nèi)。出于簡(jiǎn)單說(shuō)明的目的，加熱及其控制功能未在圖9中示出。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到除了以上描述的具體示例，本公開的實(shí)施例涉及的領(lǐng)域很寬泛。提供上述示例性實(shí)施例的描述是為了使本領(lǐng)域的任何技術(shù)人員制造或使用所請(qǐng)求保護(hù)的主題。這些實(shí)施例的各種修改對(duì)本領(lǐng)域中的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是很明顯的，且此處確定的基本原則可應(yīng)用于其它實(shí)施例，無(wú)需創(chuàng)造性勞動(dòng)。因此，所要求保護(hù)的主題不是要限于此處展示的實(shí)施例，而是要覆蓋與此處公開的原理和新穎特征相一致的最廣的范圍。本發(fā)明內(nèi)容的意圖是將所有包含在本說(shuō)明書內(nèi)的那些其它的系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)都在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于制造一對(duì)單晶薄膜硅襯底的方法，所述方法包括 提供單晶娃晶片； 用具有六角形圖案的阻擋層將所述單晶硅晶片的第一表面和第二表面圖案化； 蝕刻所述單晶硅晶片，從而在所述第一表面和所述第二表面上制作一組結(jié)構(gòu)性表面形貌特征，所述結(jié)構(gòu)性表面形貌特征包括多個(gè)獨(dú)立的六角形支柱； 將所述阻擋層從所述單晶硅晶片上除去；和 清洗所述單晶硅晶片的第一表面和第二表面，所述單晶硅晶片包括雙面可重復(fù)使用的模板； 通過(guò)陽(yáng)極蝕刻エ藝在所述雙面可重復(fù)使用的模板的第一表面上制作第一多孔硅層，在其第二表面上制作第二多孔硅層，所述多孔硅層具有與所述雙面可重復(fù)使用的模板一致的結(jié)晶性； 在所述第一多孔硅層上外延沉積第一單晶薄膜硅襯底，在所述第二多孔硅層上外延沉積第二單晶薄膜硅襯底，所述單晶薄膜硅襯底具有與所述多孔硅層一致的結(jié)晶性； 將所述第一和第二單晶薄膜硅襯底從所述第一和第二多孔硅層分離。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述第一多孔硅層包括具有至少兩個(gè)不同孔隙率的第一多孔硅雙層，所述第二多孔硅層包括具有至少兩個(gè)不同孔隙率的第二多孔硅雙層。
3.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述第一多孔硅層包括第一孔隙率分級(jí)層，所述第ニ多孔硅層包括第二孔隙率分級(jí)層。
4.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述單晶薄膜硅襯底包括原位摻雜的單晶薄膜硅襯底。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，每ー個(gè)所述原位摻雜的單晶薄膜硅襯底包括用于光伏太陽(yáng)能電池的前表面場(chǎng)層和基極層。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，每ー個(gè)所述原位摻雜的單晶薄膜硅襯底包括用于光伏太陽(yáng)能電池的前表面場(chǎng)層、基極層和發(fā)射極層。
7.如權(quán)利要求I所述的方法，進(jìn)ー步包括，在原位制作所述第一和第二多孔硅層后且在所述外延沉積步驟之前，在氫氣環(huán)境中加熱所述雙面可重復(fù)使用的模板的步驟。
8.一種用于制造一對(duì)單晶薄膜硅襯底的方法，所述方法包括 提供單晶娃晶片； 在所述單晶硅晶片的第一表面和第二表面上制作熱生長(zhǎng)的硅氧化層； 用包括大正方形和小正方形的阻擋層對(duì)所述單晶硅晶片的第一表面和第二表面進(jìn)行圖案化，所述大小正方形被對(duì)準(zhǔn)到所述單晶硅晶片〈110〉的方向； 將所述大正方形和小正方形圖案轉(zhuǎn)移到所述硅氧化層； 對(duì)所述單晶硅晶片進(jìn)行各向異性蝕刻，從而在所述第一表面和所述第二表面上制作一組結(jié)構(gòu)性表面形貌特征，所述結(jié)構(gòu)性表面形貌特征包括多個(gè)正方形金字塔型空腔； 將所述阻擋層從所述單晶硅晶片上除去；和 清洗所述單晶硅晶片的第一表面和第二表面，所述單晶硅晶片包括雙面可重復(fù)使用的模板； 通過(guò)陽(yáng)極蝕刻エ藝在所述雙面可重復(fù)使用的模板的第一表面上制作第一多孔硅層，在其第二表面上制作第二多孔硅層，所述多孔硅層具有與所述雙面可重復(fù)使用的模板一致的結(jié)晶性； 在所述第一多孔硅層上外延沉積第一單晶薄膜硅襯底，在所述第二多孔硅層上外延沉積第二單晶薄膜硅襯底，所述單晶薄膜硅襯底具有與所述多孔硅層一致的結(jié)晶性； 將所述第一和第二單晶薄膜硅襯底從所述第一和第二多孔硅層分離。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第一多孔硅層包括具有至少兩個(gè)不同孔隙率的第一多孔硅雙層，所述第二多孔硅層包括具有至少兩個(gè)不同孔隙率的第二多孔硅雙層。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第一多孔硅層包括第一孔隙率分級(jí)層，所述第二多孔硅層包括第二孔隙率分等層。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述單晶薄膜硅襯底包括原位摻雜的單晶薄膜硅襯底。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，每ー個(gè)所述原位摻雜的單晶薄膜硅襯底包括前表面場(chǎng)層、基極層和發(fā)射極層。
13.如權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)ー步包括，在制作所述第一和第二多孔硅層后，在氫氣環(huán)境中加熱所述雙面可重復(fù)使用的模板的步驟。
14.一種用于制造一對(duì)單晶薄膜硅襯底的方法，所述方法包括 提供單晶娃晶片； 對(duì)所述單晶硅晶片的第一表面和第二表面進(jìn)行拋光、研磨，或除去其鋸傷。
清洗所述單晶硅晶片的第一表面和第二表面，所述單晶硅晶片包括雙面可重復(fù)使用的模板； 通過(guò)陽(yáng)極蝕刻エ藝在所述雙面可重復(fù)使用的模板的第一表面上制作第一多孔硅層，在其第二表面上制作第二多孔硅層，所述多孔硅層具有與所述雙面可重復(fù)使用的模板一致的結(jié)晶性； 在所述第一多孔硅層上外延沉積第一單晶薄膜硅襯底，在所述第二多孔硅層上外延沉積第二單晶薄膜硅襯底，所述單晶薄膜硅襯底具有與所述多孔硅層一致的結(jié)晶性； 將所述第一和第二單晶薄膜硅襯底從所述第一和第二多孔硅層分離。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述第一多孔硅層包括具有至少兩個(gè)不同孔隙率的第一多孔硅雙層，所述第二多孔硅層包括具有至少兩個(gè)不同孔隙率的第二多孔硅雙層。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述第一多孔硅層包括第一孔隙率分級(jí)層，所述第二多孔硅層包括第二孔隙率分等層。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述單晶薄膜硅襯底包括原位摻雜的單晶薄膜硅襯底。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，每ー個(gè)所述原位摻雜的單晶薄膜硅襯底至少包括前表面場(chǎng)層、基極層或發(fā)射極層其中之一。
19.如權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)ー步包括，在制作所述第一和第二多孔硅層后，在氫氣環(huán)境中加熱所述雙面可重復(fù)使用的模板的步驟。
20.一種用于制造一對(duì)晶體薄膜硅襯底的方法，所述方法包括 提供晶體半導(dǎo)體晶片； 以隨機(jī)的紋理或規(guī)則圖案對(duì)所述單晶硅晶片的第一表面和第二表面進(jìn)行預(yù)結(jié)構(gòu)化，從而在所述第一表面和第二表面上制作一組結(jié)構(gòu)化表面形貌特征，所述結(jié)構(gòu)化表面形貌特征包括多個(gè)形貌特征；和 清洗所述單晶硅晶片的第一表面和第二表面，所述單晶硅晶片用作雙面可重復(fù)使用的模板； 通過(guò)陽(yáng)極蝕刻エ藝在所述雙面可重復(fù)使用的模板的第一表面上制作第一多孔半導(dǎo)體層，在其第二表面上制作第二多孔半導(dǎo)體層，所述多孔半導(dǎo)體層具有與所述雙面可重復(fù)使用的模板一致的結(jié)晶性； 在所述第一多孔半導(dǎo)體層上沉積第一晶體薄膜半導(dǎo)體襯底，在所述第二多孔半導(dǎo)體層上沉積第二晶體薄膜半導(dǎo)體襯底，所述晶體薄膜半導(dǎo)體襯底具有與所述可重復(fù)使用的模板一致的結(jié)晶性； 將所述第一和第二單晶薄膜半導(dǎo)體襯底從所述第一和第二多孔半導(dǎo)體層分離。
21.一種用于制造一對(duì)晶體薄膜硅襯底的方法，所述方法包括 提供晶體娃晶片； 以隨機(jī)的紋理對(duì)所述晶體硅晶片的第一表面和第二表面同時(shí)進(jìn)行預(yù)結(jié)構(gòu)化，從而在所述第一表面和第二表面上制作一組結(jié)構(gòu)化表面形貌特征，所述結(jié)構(gòu)化表面形貌特征包括多個(gè)形貌特征；和 清洗所述晶體硅晶片的第一表面和第二表面，所述晶體硅晶片用作雙面可重復(fù)使用的模板； 通過(guò)陽(yáng)極蝕刻エ藝在所述雙面可重復(fù)使用的模板的第一表面上制作第一多孔硅層，在其第二表面上制作第二多孔硅層，所述多孔硅層具有與所述雙面可重復(fù)使用的模板一致的結(jié)晶性； 在所述第一多孔硅層上沉積第一晶體薄膜硅襯底，在所述第二多孔硅層上沉積第二晶體薄膜硅襯底，晶體薄膜硅襯底具有與所述多孔硅層和所述可重復(fù)使用的模板一致的結(jié)晶性； 將所述第一和第二單晶薄膜半導(dǎo)體襯底從所述第一和第二多孔半導(dǎo)體層分離。
22.一種用于制造一對(duì)晶體薄膜硅襯底的方法，所述方法包括 提供晶體娃晶片； 以三維紋理對(duì)所述單晶硅晶片的第一表面和第二表面進(jìn)行預(yù)結(jié)構(gòu)化，從而在所述第一表面和第二表面上制作一組結(jié)構(gòu)化表面形貌特征，所述結(jié)構(gòu)化表面形貌特征包括多個(gè)創(chuàng)立非平面結(jié)構(gòu)的形貌特征； 和清洗所述單晶硅晶片的第一表面和第二表面，所述單晶硅晶片用作雙面可重復(fù)使用的模板； 通過(guò)陽(yáng)極蝕刻エ藝在所述雙面可重復(fù)使用的模板的第一表面上制作第一多孔硅層，在其第二表面上制作第二多孔硅層，所述多孔硅層具有與所述雙面可重復(fù)使用的模板一致的結(jié)晶性； 在所述第一多孔硅層上外延沉積第一單晶薄膜硅襯底，在所述第二多孔硅層上外延沉積第二單晶薄膜硅襯底，所述單晶薄膜硅襯底具有與所述多孔硅層和所述可重復(fù)使用的模板一致的結(jié)晶性； 將所述第一和第二單晶薄膜硅襯底從所述第一和第二多孔硅層分離。
23.一種用于制造一對(duì)單晶薄膜硅襯底的方法，所述方法包括 提供單晶半導(dǎo)體晶片； 同時(shí)清洗所述單晶硅晶片的第一表面和第二表面，所述單晶硅晶片用作雙面可重復(fù)使用的模板； 通過(guò)陽(yáng)極蝕刻エ藝在所述雙面可重復(fù)使用的模板的第一表面上制作第一多孔硅層，在其第二表面上制作第二多孔硅層，所述多孔硅層具有與所述雙面可重復(fù)使用的模板一致的結(jié)晶性； 在所述第一多孔硅層上外延沉積第一單晶薄膜硅襯底，在所述第二多孔硅層上外延沉積第二單晶薄膜硅襯底，所述單晶薄膜硅襯底具有與所述多孔硅層和所述可重復(fù)使用的模板一致的結(jié)晶性； 將所述第一和第二單晶薄膜硅襯底從所述第一和第二多孔硅層分離。
24.—種用于以批量電化學(xué)陽(yáng)極蝕刻エ藝在多個(gè)娃模板的至少兩個(gè)表面上形成多孔娃層的設(shè)備，所述設(shè)備包括 多個(gè)邊緣密封模板架，在所述架內(nèi)設(shè)有多個(gè)模板，所述多個(gè)架工作時(shí)可避免在所述模板邊緣形成多孔硅； 電解液，其設(shè)置在所述多個(gè)模板之中； 電解液溫度控制器； 氣泡抽出器，其工作時(shí)通過(guò)循環(huán)所述電解液去除來(lái)自所述多個(gè)模板的氣泡；和 電源，其工作時(shí)可轉(zhuǎn)換極性、改變電流強(qiáng)度并控制蝕刻時(shí)間以制作所述多孔硅層。
25.—種用于在多個(gè)娃模板的至少兩個(gè)表面同時(shí)生長(zhǎng)外延娃層的設(shè)備,所述設(shè)備包括 多個(gè)均勻隔開的豎直邊緣夾持模板架； 多個(gè)均勻隔開的孔，其工作時(shí)可注入并排出氣體來(lái)沉積所述外延硅層。
全文摘要
本發(fā)明提供了用于在可重復(fù)使用的半導(dǎo)體模板的兩面制造TFSS的制造方法和設(shè)備，從而有效地提高襯底的產(chǎn)量并降低其制造成本。對(duì)于給定的模板重復(fù)使用循環(huán)次數(shù)，這種方法可將每一個(gè)制造出的襯底(TFSS)所分?jǐn)偟钠鹗寄０宄杀窘档鸵话搿?br> 文檔編號(hào)H01L31/042GK102844883SQ201180018589
公開日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2011年2月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月12日
發(fā)明者M·M·穆斯利赫, K·J·克拉默, D·X·王, P·卡普爾, S·納格, G·卡米安, J·亞西伊, T·米原隆夫 申請(qǐng)人:速力斯公司