專利名稱：電路基板和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路基板和顯示裝置。更詳細地說，涉及適合用作顯示裝置的驅(qū)動電路的電路基板以及具有該電路基板的顯不裝置。
背景技術(shù)：
有源矩陣型的顯示裝置，以行單位選擇矩陣狀排列的像素電極，對所選擇的像素電極寫入與顯示數(shù)據(jù)相應的電壓，由此顯示圖像。為了以行單位選擇像素電極，需要在顯示裝置內(nèi)設(shè)置薄膜晶體管(TFT Thin Film Transistor)等開關(guān)元件,在使用TFT的情況下，需要設(shè)置柵極驅(qū)動器、源極驅(qū)動器等驅(qū)動電路。TFT是具有半導體層且具有柵極電 極、源極電極和漏極電極的三個端子的場效應晶體管，柵極電極與柵極驅(qū)動器連接，源極電極與源極驅(qū)動器連接。另外，源極電極經(jīng)由半導體層與漏極電極連接。驅(qū)動電路一般集成到IC (Integral Circuit :集成電路)芯片上，安裝在面板的外部。在面板外部的驅(qū)動電路中也適合使用TFT，使柵極驅(qū)動器、源極驅(qū)動器等能夠高速動作。作為TFT的半導體層的材料，多能夠使用非晶質(zhì)硅(非晶硅)、微晶硅、多晶硅、單晶硅等硅類材料。另外，TFT可以大致分為柵極電極形成于比源極電極和漏極電極更靠下層的底柵型；和柵極電極形成于比源極電極和漏極電極更靠上層的頂柵型。關(guān)于半導體層的材料使用何種材料，或者采用頂柵型和頂柵型中的哪一種，根據(jù)設(shè)計適當決定即可，例如為了在同一基板上形成具有不同特性的晶體管，可以分別在同一基板上形成具有單晶硅的半導體層的頂柵型的晶體管；和具有非晶硅的半導體層的底柵型的晶體管。近年來，出于降低成本和窄邊框化的觀點，在同一面板形成像素部和驅(qū)動電路部的柵極單片電路的開發(fā)在進行中，例如對于一次性制作像素部中的TFT和驅(qū)動電路部中的TFT雙方的方法在探討中。先行技術(shù)文獻專利文獻專利文獻I :日本特開2009-33145號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題本發(fā)明者們，在制作柵極單片型的顯示裝置時，對用于減少驅(qū)動電路部的面積、進行窄邊框化的措施進行了各種探討。圖18是表示一般的顯示裝置的驅(qū)動電路的一部分的電路圖。如圖18所示，在顯示裝置的驅(qū)動電路中，在電路內(nèi)的一部分設(shè)置有使上游側(cè)的TFTlOl的漏極電極與下游側(cè)102的TFT的柵極電極連接的部位。在這種電路中，各TFT成為如下所述的配置結(jié)構(gòu)。圖19是表示一般的顯示裝置的驅(qū)動電路的TFT的結(jié)構(gòu)的一部分的平面示意圖，圖20是表示一般的顯示裝置的驅(qū)動電路的TFT的結(jié)構(gòu)的一部分的截面示意圖。如圖19所示，在使用梳形的源極電極125和漏極電極126的情況下，上述源極電極125和上述漏極電極126采取彼此的梳齒空開一定間隔地嚙合的結(jié)構(gòu)，且以與這些梳齒整體重疊的方式配置柵極電極121。柵極電極121與源極電極125和漏極電極126之間配置有柵極絕緣膜和半導體層123，按對柵極電極121供給信號的定時，將供給到源極電極125的信號經(jīng)由半導體層123向漏極電極126供給。如圖20所示，上游側(cè)的TFTlOl和下游側(cè)的TFT102都通過層疊柵極電極121、柵極絕緣膜122、半導體層123、層間絕緣膜124、源極電極125和漏極電極126、以及層間絕緣膜127而構(gòu)成。在上游側(cè)的TFTlOl與下游側(cè)的TFT102之間，需要設(shè)置進行柵極與源極和漏極的連接替換的區(qū)域，在上游側(cè)的TFTlOl與下游側(cè)的TFT102之間設(shè)置有用于連接上游側(cè) 的TFTlOl的漏極電極126與下游側(cè)的TFT102的柵極電極121的接觸部105。在層間絕緣膜124和層間絕緣膜127內(nèi)，形成有接觸孔，以覆蓋露出的柵極電極121、層間絕緣膜124、漏極電極126、層間絕緣膜127的表面的方式配置有透明導電膜155，由此形成接觸部105。但是，出于顯示裝置的窄邊框化的觀點，并不優(yōu)選設(shè)置這種接觸部。接觸部，需要與第一 TFT和第二 TFT并排單獨形成，并且考慮到光刻法的校準精度、導通用的接觸孔的完成的偏差、電極間的接觸電阻的降低等，需要確保較大面積的余裕。因此，出于實現(xiàn)顯示裝置的窄邊框化的觀點，這種配置結(jié)構(gòu)尚有改善的余地。本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)狀而完成的，其目的在于提供一種電路面積縮小化后的電路基板和具有該電路基板且窄邊框化的顯示裝置。用于解決課題的方法本發(fā)明者們，對電路面積的縮小有效的TFT的結(jié)構(gòu)進行各種探討后，著眼于用于將不同的TFT的漏極電極或源極電極與柵極電極相互連接的接觸部。然后，本發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)在電路結(jié)構(gòu)中，為了將各TFT統(tǒng)一為底柵型和頂柵型中的任一種，需要設(shè)置新的接觸部，并且發(fā)現(xiàn)使用彼此結(jié)構(gòu)相反的底柵型的TFT和頂柵型的TFT這兩個并將它們連接，且使用包括彼此相同的材料的半導體層，由此即使不設(shè)置用于進行柵極電極與漏極電極或源極電極的連接替換的接觸部，也能夠?qū)⒕哂斜舜舜笾孪嗤匦缘母鱐FT的柵極電極與漏極電極或源極電極連接。這樣，本發(fā)明者們想到能夠完美地解決上述課題，到達本發(fā)明。S卩，本發(fā)明是一種電路基板(以下稱為本發(fā)明的第一電路基板)，其具有具有第一半導體層、第一柵極電極、第一源極電極和第一漏極電極的底柵型薄膜晶體管；以及具有第二半導體層、第二柵極電極、第二源極電極和第二漏極電極的頂柵型薄膜晶體管，其中，該第一半導體層和該第二半導體層包括同一材料，該第一漏極電極或該第一源極電極與該第二柵極電極以不隔著其他薄膜晶體管的方式連接，且彼此為同電位。另外，本發(fā)明也是一種電路基板(以下稱為本發(fā)明的第二電路基板)，其具有第三半導體層、第三柵極電極、第三源極電極和第三漏極電極的頂柵型薄膜晶體管；以及具有第四半導體層、第四柵極電極、第四源極電極和第四漏極電極的底柵型薄膜晶體管，其中，該第三半導體層和該第四半導體層包括同一材料，該第三漏極電極或該第三源極電極與該第四柵極電極以不隔著其他薄膜晶體管的方式連接，且彼此為同電位。作為本發(fā)明的第一和第二電路基板的結(jié)構(gòu)，只要以這樣的構(gòu)成要素為必須要素形成即可，并不對其他的構(gòu)成要素作特別限定。另外，也可以將具有本發(fā)明的第一電路基板的結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的組合、和具有本發(fā)明的第二電路基板的結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的組合雙方形成于一個電路基板內(nèi)。本發(fā)明的第一電路基板具有具有第一半導體層、第一柵極電極、第一源極電極和第一漏極電極的底柵型薄膜晶體管；以及具有第二半導體層、第二柵極電極、第二源極電極和第二漏極電極的頂柵型薄膜晶體管。另外，本發(fā)明的第二電路基板具有具有第三半導體層、第三柵極電極、第三源極電極和第三漏極電極的頂柵型薄膜晶體管；以及具有第四半導體層、第四柵極電極、第四源極電極和第四漏極電極的底柵型薄膜晶體管。在本說明書中，所謂底柵型薄膜晶體管(TFT)，是指柵極電極位于比源極電極和漏極電極都更靠下層，所謂頂柵型薄膜晶體管(TFT)，是指柵極電極位于比源極電極和漏極電極都更靠下層。上述第一半導體層和上述第二半導體層包括同一材料。另外，上述第三半導體層和上述第四半導體層包括同一材料。由于TFT的特性大致由半導體層的特性決定，所以通過使底柵型TFT和頂柵型TFT的半導體材料分別相同，能夠不區(qū)別底柵型和頂柵型地得到具有大致相同特性的TFT，能夠得到良好的電路。 在本發(fā)明的第一電路基板中，上述第一漏極電極或第一源極電極與上述第二柵極電極以不隔著其他薄膜晶體管的方式連接，且彼此為同電位。即，在本發(fā)明的第一電路基板中，頂柵型TFT的漏極電極或源極電極與頂柵型TFT的柵極電極直接連接，在施加底柵型TFT的漏極電極或源極電極中的電壓時，頂柵型TFT的柵極電極也被施加相同的電壓。即，底柵型TFT的漏極電極或源極電極與頂柵型TFT的柵極電極在電性質(zhì)上是同一部件。在本發(fā)明的第二電路基板中，上述第三漏極電極或第三源極電極與上述第四柵極電極以不隔著其他薄膜晶體管的方式連接，且彼此為同電位。即，在本發(fā)明的第二電路基板中，頂柵型TFT的漏極電極或源極電極與底柵型TFT的柵極電極直接連接，在施加頂柵型TFT的漏極電極或源極電極中的電壓時，底柵型TFT的柵極電極也被施加相同的電壓。即，頂柵型TFT的漏極電極或源極電極與底柵型TFT的柵極電極，在電性質(zhì)上是同一部件。根據(jù)本發(fā)明的第一和第二電路基板，通過底柵型TFT和頂柵型TFT的組合構(gòu)成電路的一部分，所以不需要設(shè)置額外的接觸部，能夠在例如應用于顯示裝置時實現(xiàn)窄邊框化。下面對本發(fā)明的第一和第二電路基板的優(yōu)選方式進行詳細說明。在本發(fā)明的第一電路基板中，優(yōu)選上述第一柵極電極、上述第二源極電極和上述第二漏極電極包括同一材料。另外，優(yōu)選上述第一柵極電極、上述第二源極電極和上述第二漏極電極配置于同一層。通過將這些電極使用相同材料構(gòu)成或者配置于同一層，能夠使制造工序聞效化。在本發(fā)明的第二電路基板中，優(yōu)選上述第三柵極電極、上述第四源極電極和上述第四漏極電極包括同一材料。另外，優(yōu)選上述第三柵極電極、上述第四源極電極和上述第四漏極電極配置于同一層。通過將這些電極使用相同材料構(gòu)成或者配置于同一層，能夠使制造工序聞效化。在本發(fā)明的第一電路基板中，優(yōu)選上述第一半導體層和上述第二半導體層的材料是氧化物半導體。另外，在本發(fā)明的第二電路基板中，優(yōu)選上述第三半導體層和上述第四半導體層的材料是氧化物半導體。作為上述氧化物半導體，優(yōu)選包含Ga (鎵)、In (銦)、Zn(鋅)和O (氧)作為構(gòu)成原子。由此，能夠容易地實現(xiàn)具有優(yōu)秀的電特性和工藝耐性的TFT。因此，通過使用氧化物半導體即使溝道寬度小也能夠得到充分的導電特性，所以能夠?qū)⒈∧ぞw管的尺寸設(shè)定得小，能夠減小電路面積。氧化物半導體的組成，能夠用俄歇電子分光法(AES Auger Electron Spectroscopy)、X 射線電子分光法(XPS X-rayPhotoelectronSpectroscopy)等確認。本發(fā)明的第一電路基板，優(yōu)選具有信號總線；從該信號總線的一部分延伸，與上述第一柵極電極連接的柵極引出配線；和從該信號總線的另一部分延伸，與上述第一源極電極連接的源極引出配線，上述第一柵極電極和該柵極引出配線包括同一材料，上述第一源極電極和該源極引出配線包括同一材料，該信號總線和該柵極引出配線分別包括不同的材料，該信號總線的寬度大于該柵極引出配線的寬度，該信號總線與該柵極引出配線經(jīng)由接觸部連接，該接觸部貫通與該信號總線重疊的位置的絕緣膜。本發(fā)明的第二電路基板，優(yōu)選具有信號總線；從該信號總線的一部分延伸，與上述第三柵極電極連接的柵極引出配線；和從該信號總線的另一部分延伸，與上述第三源極電極連接的源極引出配線，上述第三柵極電極和該柵極引出配線包括同一材料，上述第三源極電極和該源極引出配線包括同一材料，該信號總線和該柵極引出配線分別包括不同的材料，該信號總線的寬度大于該柵極引出配線的寬度，該信號總線與該柵極引出配線經(jīng)由 接觸部連接，該接觸部貫通與該信號總線重疊的位置的絕緣膜。這些方式著眼于總線的粗細形成得比電路內(nèi)配線更粗的方面，通過將柵極引出配線與信號總線之間的導通點形成在與信號總線重疊的位置，由于不必在電路內(nèi)形成接觸部，所以能夠縮小電路面積。本發(fā)明也是一種顯示裝置，其包括上述本發(fā)明的第一和第二電路基板中的至少一種。根據(jù)本發(fā)明的第一和第二電路基板，能夠縮小電路面積地形成，所以能夠得到邊框面積窄的顯示裝置。發(fā)明效果本發(fā)明的電路基板通過底柵型TFT和頂柵型TFT的組合構(gòu)成電路的一部分，所以不需要設(shè)置額外的接觸部，能夠削減電路面積，能夠在應用于顯示裝置時實現(xiàn)窄邊框化。


圖I是表示實施方式I的電路基板的底柵型TFT與頂柵型TFT的連接部分的平面示意圖。圖2是表示比較例I的電路基板的兩個底柵型TFT的連接部分的平面示意圖。圖3是表示比較例I的電路基板的接觸部的截面示意圖。圖4是實施方式I的電路基板的截面示意圖。圖5是實施方式I的電路基板的單位電路的電路圖。圖6是實施方式I的電路基板的各信號的時序圖。圖7是表不實施方式I的電路基板的一部分的平面不意圖。圖8是表示比較例I的電路基板的一部分的平面示意圖。圖9是將實施方式I的電路基板應用于有源矩陣型的液晶顯示裝置時的框圖。圖10是實施方式2的電路基板的截面示意圖。圖11是實施方式3的電路基板的電路圖。圖12是比較例2的電路基板的電路圖。
圖13是實施方式4的電路基板的頂柵型TFT的截面示意圖。圖14是表不實施方式5的電路基板的頂柵型TFT的截面不意圖。圖15是表不實施方式5的電路基板的頂柵型TFT的截面不意圖。圖16是表示實施方式6的電路基板的頂柵型TFT的截面示意圖。圖17是表不實施方式6的電路基板的頂柵型TFT的截面不意圖。圖18是表示一般的顯示裝置的驅(qū)動電路的一部分的電路圖。圖19是表示一般的顯示裝置的驅(qū)動電路的TFT的結(jié)構(gòu)的一部分的平面示意圖。
圖20是表示一般的顯示裝置的驅(qū)動電路的TFT的結(jié)構(gòu)的一部分的截面示意圖。
具體實施例方式以下揭示實施方式，參照附圖對本發(fā)明進行更詳細的說明，但本發(fā)明并不只限定于這些實施方式。(實施方式I)圖I是表示實施方式I的電路基板的底柵型TFT與頂柵型TFT的連接部分的平面示意圖。另一方面，圖2是表示比較例I的電路基板的兩個底柵型TFT的連接部分的平面示意圖。如圖I所示，實施方式I的電路基板，具有配置于上游側(cè)的底柵型TFTl和配置于下游側(cè)的頂柵型TFT2。底柵型TFTl與頂柵型TFT2彼此連接，由于底柵型TFTl的漏極電極(第一漏極電極)26與頂柵型TFT2的柵極電極(第二柵極電極)35直接連接，所以這些電極為同電位。底柵型TFTl與頂柵型TFT2之間沒有配置其他的TFT。即，實施方式I的電路基板相當于本發(fā)明的第一電路基板。底柵型TFTl具有半導體層(第一半導體層)23、柵極電極(第一漏極電極)21、源極電極(第一源極電極)25和漏極電極(第一漏極電極)26。如圖I所不,在底柵型TFTl中，源極電極25和漏極電極26均具有梳形結(jié)構(gòu)，彼此的梳齒空開一定間隔嚙合配置。在源極電極25與漏極電極26之間配置有半導體層23，按對柵極電極21供給掃描信號的定時，源極電極25與漏極電極26導通。頂柵型TFT2具有半導體層(第二半導體層)33、柵極電極(第二漏極電極)35、源極電極(第二源極電極)31和漏極電極(第二漏極電極)32。在頂柵型TFT2中，源極電極31和漏極電極32均具有梳形結(jié)構(gòu)，彼此的梳齒空開一定間隔地嚙合配置。在源極電極31與漏極電極32之間配置有半導體層33，按對柵極電極35供給掃描信號的定時，源極電極31與漏極電極32導通。在實施方式I中，在底柵型TFTl與頂柵型TFT2之間不設(shè)置將漏極與柵極連接替換的接觸部，也能夠?qū)⒐┙o到底柵型TFTl的漏極電極26的信號作為頂柵型TFT2的掃描信號供給到頂柵型TFT2的柵極電極35。另一方面，如圖2所示，比較例I的電路基板具有配置于上游側(cè)的底柵型TFTlOl和配置于下游側(cè)的底柵型TFT102。在底柵型TFTlOl與底柵型TFT102之間配置有接觸部105，通過接觸部105，底柵型TFTlOl與底柵型TFT102彼此連接。接觸部105是為了將底柵型TFTlOl的漏極電極126與底柵型TFT102的柵極電極135在不同的層連接替換而設(shè)置的結(jié)構(gòu)，底柵型TFTlOl的漏極電極126與底柵型TFT102的柵極電極135為同電位，但為此需要形成接觸部105。圖3是表示比較例I的電路基板的接觸部的截面示意圖。在第二絕緣膜124和第三絕緣膜127，形成有貫通它們的接觸孔，以覆蓋露出的柵極電極151、第二絕緣膜124、漏極電極126、第三絕緣膜127的表面的方式，形成有在像素電極中使用的透明電極膜155。另外，比較例I的結(jié)構(gòu)，在將頂柵型TFT兩個組合使用的情況下也同樣需要形成接觸部。將圖I和圖2相比可知，在比較例I的電路基板中，由均為底柵型的兩個TFT構(gòu)成電路的一部分，所以需要在各TFT之間設(shè)置用于進行漏極與柵極的替換的接觸部，需要確保一定范圍的空間。與之相對地，在實施方式I的電路基板中，由彼此結(jié)構(gòu)相反的底柵型TFT和頂柵型TFT構(gòu)成電路的一部分，所以不需要另外設(shè)置接觸部，能夠縮小電路面積。具體而言，圖I中的用虛線圍起來的區(qū)域是空閑空間，能夠?qū)⑵渌考苿优渲玫皆搮^(qū)域，所·以整體上縮小了電路面積。另外，實施方式I的電路基板的電路圖，與圖18所示的電路圖相同。圖4是實施方式I的電路基板的截面示意圖。如圖4所示，實施方式I的電路基板具有玻璃基板12作為母體，底柵型TFTl和頂柵型TFT2分別配置在玻璃基板12上。玻璃基板12只要表面具有絕緣性，就能夠用其他材料代替。實施方式I中，底柵型TFTl從玻璃基板一側(cè)12起依次層疊有柵極電極21、柵極絕緣膜(第一絕緣膜)22、半導體層23、第二絕緣膜24、以及源極電極25和漏極電極26。另夕卜，實施方式I中，頂柵型TFT2從玻璃基板12 —側(cè)起依次層疊有源極電極31和漏極電極32、半導體層33、柵極絕緣膜(第四絕緣膜)34、以及柵極電極35。下面對制作底柵型TFTl和頂柵型TFT2的方法進行詳述。首先，在玻璃基板12上用濺射法形成膜厚20(T600nm的導電膜之后，通過光刻工序圖案形成為期望的形狀，由此形成底柵型TFTl的柵極電極21、頂柵型TFT2的源極電極31和頂柵型TFT2的漏極電極32。作為各電極的材料，優(yōu)選為鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鑰(Mo)等高熔點金屬、或者以這些高熔點金屬為主成分的合金或化合物。另外，作為以高熔點金屬為主成分的化合物，優(yōu)選為氮化物。由此，能夠一起制作配置在同一層、且包括同樣的材料的底柵型TFTl的柵極電極21、頂柵型TFT2的源極電極31和頂柵型TFT2的漏極電極32。 接著，在底柵型TFTl的柵極電極21上，形成有底柵型TFTl用的柵極絕緣膜22。柵極絕緣膜22能夠通過以下方法形成通過使用有包含硅的絕緣材料(例如Si02、SiN、SiN0)的等離子體CVD法或濺射法形成膜厚3(Tl00nm的絕緣膜，之后，通過光刻法圖案形成為期望的形狀。接著，在底柵型TFTl的柵極絕緣膜22上、以及頂柵型TFT2的源極電極31上和漏極電極32上，形成有半導體層23、33。作為半導體層23、33的材料，可以使用非晶質(zhì)硅(非晶硅)、微晶硅、多晶硅、單晶硅等硅類材料，但優(yōu)選包含In、Ga、Zn和O的氧化物半導體(IGZO)0在使用氧化物半導體的情況下，首先，用濺射法使膜厚IOlOOnm的氧化物半導體的材料堆積，形成膜之后，用光刻法進行圖案形成為期望的形狀，由此能夠形成氧化物半導體。由此，能夠一起制作配置在同一層、且包括同樣的材料的底柵型TFTl的半導體層23和頂柵型TFT2的半導體層33。另外，氧化物半導體由于相比進行摻雜了雜質(zhì)(例如N+)的類型的半導體材料具有優(yōu)秀的導電特性，所以可以將各TFT的溝道寬度設(shè)計得比一般的尺寸小，能夠減小電路面積。接著，形成底柵型TFTl用的第二絕緣膜24和頂柵型TFT2用的柵極絕緣膜34。首先，在整個面形成膜厚3(Tl00nm的絕緣膜之后，利用光刻法進行圖案形成，使得底柵型TFTl的源極電極25和漏極電極26與半導體層23導通的部分開口。接著，在利用濺射法形成膜厚20(T600nm的導電膜之后，通過光刻工序圖案形成到期望的形狀，由此形成底柵型TFTl的源極電極25、底柵型TFTl的漏極電極26和頂柵型TFT2的柵極電極35。作為各電極的材料，優(yōu)選鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鑰(Mo)等高熔點金屬、或者以這些高熔點金屬為主成分的合金或化合物。另外，作為以高熔點金屬為主成分的化合物，優(yōu)選氮化物。由此，能夠一起制作配置在同一層、且包括同樣的材料的底柵型TFTl的源極電極25、底柵型TFTl的漏極電極26和頂柵型TFT2的柵極電極35。
下面對實施方式I的電路基板的結(jié)構(gòu)進行更詳細的說明。實施方式I中，電路基板具有多個單位電路被多級連接的電路。圖5是實施方式I的電路基板的單位電路的電路圖，構(gòu)成移位寄存器。各單位電路具有輸入端子INa和INb、時鐘端子CK和CKB、電源端子VSS、清零端子CLR、輸出端子OUT。如圖5所示，各單位電路包括TFTlla Ilj和電容部41。TFTlla的漏極與時鐘端子CK連接，源極與輸出端子OUT連接。TFTllb的漏極和柵極與輸入端子INa連接，源極與TFTlla的柵極連接。在TFTlla的柵極與源極之間設(shè)置有電容部41。TFTllc的漏極與輸出端子OUT連接，TFTlld的漏極與TFTlla的柵極連接。TFTllc和Ild的柵極與輸入端子INb連接，源極與電源端子VSS連接。TFTlle的漏極與輸出端子OUT連接，柵極與時鐘端子CKB連接，源極與電源端子VSS連接。TFTllf的漏極與TFTlla的柵極連接，柵極與清零端子連接，源極與電源端子VSS連接。TFTllg的漏極與TFTlla的柵極連接，源極與電源端子VSS連接。TFTllg的柵極與TFTllh的源極、TFTlli和Ilj的漏極連接。TFTllh的漏極和柵極，與時鐘端子CKB連接。TFTlli的柵極與TFTlla的柵極連接，源極與電源端子VSS連接。TFTllj的柵極與時鐘端子CK連接，源極與電源端子VSS連接。TFTlla設(shè)置在時鐘端子CK與輸出端子OUT之間，作為根據(jù)柵極電位切換是否使時鐘信號通過的輸出晶體管(傳送柵極)起作用。另外，TFTlla的柵極與輸出端子OUT —側(cè)的導通端子(源極)電容耦合。因此，如后所示，在TFTlla為導通狀態(tài)且時鐘信號CK為高電平的期間，TFTlla的柵極電位變得比時鐘信號CK的高電平電位更高。下面將連接有TFTlla的柵極的節(jié)點稱作netA。圖6是實施方式I的電路基板的各信號的時序圖。圖6圖示了第奇數(shù)級的單位電路的輸入輸出信號和節(jié)點netA的電壓變化。對第奇數(shù)級的單位電路，從時鐘端子CK輸入時鐘信號CK1，從時鐘端子CKB輸入時鐘信號CK2。時鐘信號CKl是電位為高電平期間的長度比1/2周期略短的時鐘信號。時鐘信號CK2是使時鐘信號CKl延遲1/2周期的信號。SP，時鐘信號CKl和時鐘信號CK2，具有電位在高電平期間彼此不重疊的相位關(guān)系。另外，在下面的說明中，只要沒有特別否定，將高電平電位設(shè)為VGH，低電平電位設(shè)為VGL。另外，電源端子VSS等于低電平電位VGL。而且，將經(jīng)由電路的某個端子輸入或輸出的信號稱作與該端子相同的名稱。例如，將經(jīng)由時鐘端子CK輸入的信號稱為時鐘信號CK。η和m為2以上的整數(shù)，i為I以上η以下的整數(shù)，j為I以上m以下的整數(shù)。啟動脈沖SP在移動動作開始前，時鐘信號CKl的電位在與高電平期間相同長度的時間為高電平。結(jié)束脈沖移動動作完成后，時鐘信號CKl的電位在與高電平期間相同長度的時間為高電平。在時刻tl，當輸入信號INa(前級的單位電路的輸出信號)從低電平變?yōu)楦唠娖綍r，經(jīng)由二極管連接的TFTllb，節(jié)點netA的電位也變?yōu)楦唠娖剑琓FTlla成為導通狀態(tài)。在時刻t2，當輸入信號INa變?yōu)榈碗娖綍r，TFTllb成為斷開狀態(tài)，節(jié)點netA成為浮置狀態(tài)，而TFTlla保持導通狀態(tài)。在時刻t3，當時鐘信號CK (時鐘信號CKl)從低電平變?yōu)楦唠娖綍r，因啟動(Bootstrap)效應而使節(jié)點netA的電位上升至時鐘信號的振幅Vck( =VGH-VGL)的2倍程度。由于TFTlla的柵極電位充分高，所以時鐘信號CK以不發(fā)生電壓降低的方式通過TFTlla。·
在時鐘信號CK從成為高電平的時刻t3到時刻t4的期間，節(jié)點netA的電位成為Vck的2倍程度，輸出信號OUT成為高電平。在時刻t4，節(jié)點netA的電位成為高電平，輸出信號OUT成為低電平。在時刻t5，當輸入信號INb (后級的單位電路的輸出信號)從低電平變?yōu)楦唠娖綍r，TFTllc和Ild成為導通狀態(tài)。在TFTllc為導通狀態(tài)的期間，對輸出端子OUT施加低電平電位。另外，當TFTlld成為導通狀態(tài)時，節(jié)點netA的電位變?yōu)榈碗娖剑琓FTlIa成為斷開狀態(tài)。在時刻t6，當輸入信號INb變?yōu)榈碗娖綍r，TFTlIc和IId成為斷開狀態(tài)。此時，節(jié)點netA成為浮置狀態(tài)，而TFTlla保持斷開狀態(tài)。在輸入信號INa成為下一個高電平之前，理想的是TFTlla保持斷開狀態(tài)，輸出信號OUT保持低電平。TFTlle在時鐘信號CKB (時鐘信號CK2)為高電平時成為導通狀態(tài)。因此，每次時鐘信號CKB成為高電平時，對輸出端子OUT施加低電平電位。像這樣TFTlle具有將輸出端子OUT反復設(shè)定為低電平，使輸出信號OUT穩(wěn)定的功能。TFTllf在清零信號CLR (清零脈沖CP)為高電平時成為導通狀態(tài)。此時，對節(jié)點netA施加低電平電位。像這樣TFTllf具有將節(jié)點netA的電位初始化為低電平的功能。TFTllh在時鐘信號CKB (時鐘信號CK2)為高電平時成為導通狀態(tài)。此時，對節(jié)點netB施加時鐘信號CKB高電平電位。TFTlli在節(jié)點netA的電位為Vck以上時成為導通狀態(tài)。此時，對節(jié)點netB施加低電平電位。TFTllj在時鐘信號CK (時鐘信號CKl)為高電平時成為導通狀態(tài)。此時，對節(jié)點netB施加低電平電位。因此，節(jié)點netB的電位在時鐘信號CK為低電平、時鐘信號CKB為高電平、且節(jié)點netA的電位為低電平時成為高電平，除此以外時成為低電平。TFTllg在節(jié)點netB的電位為高電平時成為導通狀態(tài)。此時，對節(jié)點netA施加低電平電位。像這樣TFTllg Ilj具有維持施加到節(jié)點netA的低電平電位的功能。像這樣，TFTllc和Ile在輸出信號OUT的輸出時以外的時刻，是用于對輸出端子OUT施加低電平電壓而起作用的TFT (低電平引入用的TFT)。另一方面，TFTllcUllf Ilh和11 j，在用于使TFTlla (輸出TFT)成為導通狀態(tài)的期間以外，是用于對與TFTlla的柵極連接的節(jié)點netA施加低電平電壓而起作用的TFT(低電平引入用的TFT)。另外，TFTlli在輸入信號INa被輸入時成為導通狀態(tài)，是用于對節(jié)點netB施加低電平電壓而起作用的TFT。由此在該期間TFTllg不會成為導通狀態(tài)，能夠?qū)?jié)點netA施加輸入信號INa。像這樣，TFTlli在用于使TFTlla (輸出TFT)成為導通狀態(tài)的期間，是用于對與TFTllg的柵極連接的節(jié)點netB施加低電平電壓而起作用的TFT (低電平引入用的TFT) ο圖7是表示實施方式I的電路基板的一部分的平面示意圖。圖8是表示比較例I的電路基板的一部分的平面示意圖。實施方式I的電路基板與比較例I的電路基板，作為電路是相同的，但實際的結(jié)構(gòu)彼此不同。圖7所示的各TFTllb、llc、lld、llf、llg、llh、lli、llj，分別相當于圖5中的各TFTllb、llc、lld、llf、llg、llh、lli、llj。各TFT經(jīng)由引出配線彼此連接,根據(jù)需要形成有接觸部。
在實施方式I 中，TFTllb、llc、lld、llf、llg 是底柵型 TFT, TFTllh、lli、11 j 是頂柵型TFT。另外，TFTllb、llc、lld、lli、llj是源極電極和漏極電極具有梳形結(jié)構(gòu)的TFT，TFTllfUlh是源極電極和漏極電極不具有梳形結(jié)構(gòu)的TFT。另一方面，在比較例I中，TFTllb、llc、lld、llf、llg、llh、lli、llj 全部都是底柵型 TFT。如圖7所示，在實施方式I的電路基板中，由底柵型TFT和頂柵型TFT的組合構(gòu)成電路的一部分，所以即使不形成接觸部也能夠?qū)崿F(xiàn)各TFT的連接，能夠削減電路面積。另一方面，如圖8所示，在比較例I的電路基板中，由2個底柵型TFT的組合構(gòu)成電路的一部分，所以是必須形成接觸部的部位。圖7中，虛線所示的接觸部，表示實施方式I中不需要的接觸部，具體而言，根據(jù)實施方式I，能夠削減用于連接TFTllb與TFTlli之間的接觸部、用于連接TFTllh與TFTllg之間的接觸部。比較圖7和圖8可知，根據(jù)實施方式I的電路基板，能夠大幅削減電路面積。另外，在實施方式I中，為了消除配線的重疊，也能夠根據(jù)需要形成接觸部。圖9是將實施方式I的電路基板應用于有源矩陣型的液晶顯示裝置時的框圖。如圖9所示，實施方式I的液晶顯示裝置，包括像素部62、顯示控制電路63、柵極驅(qū)動器64和源極驅(qū)動器65。在實施方式I中，本發(fā)明的底柵型TFT和頂柵型TFT的組合構(gòu)成移位寄存器61的一部分，應用于柵極驅(qū)動器64。像素部62和柵極驅(qū)動器64形成在玻璃基板等透明的絕緣基板上，源極驅(qū)動器65形成于柔性印制電路板，顯示控制電路63形成于控制基板。像這樣，在一個基板上，柵極驅(qū)動器64與像素部62被做入于單片。被稱為柵極單片、無柵極驅(qū)動器(gate-driverless)、面板內(nèi)置柵極驅(qū)動器、柵極集成面板(gate-in-panel)等的柵極驅(qū)動器全部能夠包含于柵極驅(qū)動器64。像素部62包括η條掃描信號線Gf Gn，m條數(shù)據(jù)信號線S fSm和(mXn)個像素電路P。掃描信號線GfGn相互平行地配置，數(shù)據(jù)信號線SfSm以與掃描信號線GfGn正交的方式相互平行地配置。在掃描信號線Gi與數(shù)據(jù)信號線Sj的交點附近，設(shè)置有像素電路P。而且，這樣的(mXn)個像素電路P，在行方向每行設(shè)置m個，在列方向每列設(shè)置η個，二維狀(矩陣狀)地設(shè)置。掃描信號線Gi與設(shè)置于第i行的像素電路P共用地連接，數(shù)據(jù)信號線Sj與設(shè)置于第j列的像素電路Pij共用地連接。另外，在像素電路Pij，作為開關(guān)元件分別配置有像素用TFT，像素用TFT的柵極電極與掃描信號線Gi連接，該TFT的源極電極與數(shù)據(jù)信號線Sj連接，像素用TFT的漏極電極與像素電極連接。對實施方式I的液晶顯示裝置的顯示控制電路63供給水平同步信號HSYNC、垂直同步信號VSYNC等控制信號和顯示數(shù)據(jù)DT。顯示控制電路63基于這些信號，對柵極驅(qū)動器64輸出時鐘信號CKl和CK2，輸出啟動脈沖SP，對源極驅(qū)動器65輸出控制信號SC和顯示數(shù)據(jù)DT。柵極驅(qū)動器64包括η級的移位寄存器61。移位寄 存器61基于時鐘信號CKl和CK2，將輸出信號SROUTfSROUTn逐個依次控制為高電平(表示選擇狀態(tài))。輸出信號SROUTfSROUTn分別被供給掃描信號線Gf Gn。由此，掃描信號線GfGn被逐個依次選擇，I行的像素電路P被一次性選擇。源極驅(qū)動器65基于控制信號SC和顯示數(shù)據(jù)DT，對數(shù)據(jù)信號線Sf Sm施加與顯示數(shù)據(jù)DT相應的電壓。由此，對所選擇的I行的像素電路P寫入與顯示數(shù)據(jù)DT相應的電壓。通過這樣的方式，液晶顯示裝置100顯示圖像。在實施方式I的液晶顯示裝置中，由于不需要在驅(qū)動電路內(nèi)額外形成接觸部，所以能夠?qū)崿F(xiàn)窄邊框化。(實施方式2)實施方式2的電路基板，除了底柵型的TFT與頂柵型的TFT的連接順序與實施方式I不同的點以外，與實施方式I相同。即，在實施方式2中，存在頂柵型的TFT與底柵型的TFT以此順序連接的部位。由于頂柵型TFT的漏極電極(第三漏極電極)與底柵型TFT的柵極電極(第四柵極電極)直接連接，所以這些電極為同電位。在頂柵型TFT3與底柵型TFT4之間沒有隔著其他的TFT。即，實施方式2的電路基板相當于本發(fā)明的第二電路基板。另夕卜，實施方式2的電路基板的電路圖，與實施方式I中的圖5同樣。圖10是實施方式2的電路基板的截面示意圖。如圖10所示，實施方式2的電路基板具有玻璃基板12作為母體，頂柵型TFT3和底柵型TFT4分別配置在玻璃基板上。玻璃基板12只要表面具有絕緣性，就能夠用其他材料代替。實施方式2中，頂柵型TFT3從玻璃基板12 —側(cè)起依次層疊有源極電極31和漏極電極32、半導體層33、柵極絕緣膜(第四絕緣膜)34、以及柵極電極35。另外，實施方式2中，底柵型TFT4從玻璃基板12 —側(cè)起依次層疊有柵極電極21、柵極絕緣膜(第一絕緣膜)22、半導體層23、第二絕緣膜24、以及源極電極25和漏極電極26。如實施方式2所示，即使底柵型的TFT與頂柵型的TFT的連接順序與實施方式I的情況相反，由于使用彼此結(jié)構(gòu)相反的底柵型的TFT和頂柵型的TFT兩種TFT，所以與實施方式I同樣，不需要在這些TFT間設(shè)置新的連接替換下層與上層的接觸部，能夠得到縮小電路面積的效果。(實施方式3)圖11是實施方式3的電路基板的電路圖。實施方式3的電路基板，具有彼此連接的底柵型TFT和頂柵型TFT。底柵型TFT和頂柵型TFT的連接順序并不特別限定，實施方式3的電路基板可以應用本發(fā)明的第一電路基板和本發(fā)明的第二電路基板中的任一個。圖12是比較例2的電路基板的電路圖。比較例2的電路基板，電路圖與實施方式3相同，由均為底柵型的兩個TFT，或者均為頂柵型的兩個TFT構(gòu)成電路的一部分，所以進行漏極與柵極的連接替換的接觸部的位置不同。
如圖11和圖12所示，在實施方式3和比較例2的電路基板中，第一引出配線(柵極引出配線)73、173從第一信號總線76、176的一部分起延伸，與上游側(cè)的TFT71U71 (以下稱為第一 TFT)的柵極電極連接。另外，第二引出配線(源極引出配線)74、174從第二信號總線77、177的一部分起延伸，分別與第一 TFT71、171的源極電極和下流區(qū)域的TFT72、172(以下稱為第二 TFT)的源極電極連接。而且，在第一 TFT71U71與第二 TFT72、172之間，延伸有連結(jié)它們的第三引出配線(柵極引出配線)75、175，第一 TFT71U71與第二 TFT72U72分別連接。根據(jù)這種電路結(jié)構(gòu)，基于施加到第一 TFT71U71的柵極電極的信號，經(jīng)由第二引出配線74、174供給到第一 TFT71U71的源極電極的信號，經(jīng)由第三引出配線75、175向第二 TFT72U72的柵極電極供給。而且，基于施加到第二 TFT72U72的柵極電極的信號，經(jīng)由第二引出配線74、174供給到第二 TFT72、172的源極電極的信號，被向第二 TFT72、172的漏極電極供給，直接流到外部。在圖11所示的實施方式3中，第一引出配線73，全部包括與第一 TFT71的柵極電 極相同的材料(以下稱為柵極金屬)，且它們形成在同一層。第二引出配線74具有分支點，以分支點為界分為前往第一 TFT71的路徑和前往第二 TFT72的路徑。其中，從第二信號總線77至上述分支點的配線、以及從上述分支點至第一 TFT71的源極電極的配線，包括與第
一TFT71的源極電極和漏極電極相同材料(以下稱為源極金屬)，且它們形成在同一層。另一方面，從上述分支點至第二 TFT72的配線，使用柵極金屬。在上述分支點形成有接觸部81，該接觸部81連結(jié)配置有由源極金屬形成的配線的層和配置有由柵極金屬形成的配線的層，各層通過配置在它們之間的貫通絕緣膜的接觸部81分別連結(jié)。連結(jié)第一 TFT71與第
二TFT72之間的第三引出配線75由源極金屬構(gòu)成，且形成在與配置有由上述源極金屬形成的配線的層相同的層。另外，在第一信號總線76與第一引出配線73的分支點，形成有貫通與第一信號總線76的一部分重疊的絕緣膜的接觸部82，經(jīng)由接觸部82，第一信號總線76與第一引出配線73彼此連接。各信號總線76、77的寬度形成得比電路內(nèi)配線各自的寬度大。具體而言，各信號總線76、77的寬度，能夠形成為2(Γ50μπι。因此，即使在各單位電路不單獨設(shè)置接觸部，通過將接觸部設(shè)置在與第一信號總線76重合的位置，能夠在電路內(nèi)配線外確保導通所需的空間，能夠進一步縮小電路面積。在圖12所示的比較例2中，第二引出配線174也全部包括源極金屬。另一方面，第一引出配線173具有分支點，以分支點為界分為前往第一 TFT171的路徑和前往外部的路徑。其中，從上述分支點至第一 TFT171的配線包括柵極金屬，從上述分支點持續(xù)到外部的配線包括源極金屬。在上述分支點形成有接觸部181，該接觸部181連結(jié)配置有由源極金屬形成的配線的層和配置有由柵極金屬形成的配線的層，各層通過配置在它們之間的貫通絕緣膜的接觸部181分別連結(jié)。連結(jié)第一 TFT71與第二 TFT72之間的第三引出配線75，具有包括柵極金屬的配線和包括源極金屬的配線，這些配線配置在彼此不同的層，且通過貫通絕緣膜的接觸部182分別連結(jié)。圖12所示的比較例2中，由均為底柵型的兩個TFT、或者均為頂柵型的兩個TFT構(gòu)成電路的一部分，所以在電路內(nèi)配線中至少2個部位形成接觸部。因此，根據(jù)實施方式3，與比較例2相比，能夠進一步減小電路面積。
(實施方式4)實施方式4的電路基板，除了頂柵型TFT的結(jié)構(gòu)不同的點以外，與實施方式2同樣。即，實施方式4的電路基板是本發(fā)明的第二電路基板。圖13是實施方式4的電路基板的頂柵型TFT的截面示意圖。如圖13所示，實施方式4中，頂柵型TFT3在玻璃基板12上層疊有半導體層33、柵極絕緣膜(第四絕緣膜)34、以及源極電極31、漏極電極32和柵極電極35。源極電極31、漏極電極32和柵極電極35全部由相同的材料構(gòu)成，且設(shè)置在同一層，但它們空開一定間隔設(shè)置以使彼此不導通。另外，在實施方式4中，頂柵型TFT3中的全部電極包括與底柵型TFT的源極電極和漏極電極相同的材料。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，由于能夠一次性形成源極電極、漏極電極和柵極電極，所以能夠簡化制造工序。另外，由于由頂柵型TFT和底柵型TFT構(gòu)成電路的一部分，所以因減少接觸部能夠得到削減電路面積的效果。 (實施方式5)實施方式5的電路基板，除了頂柵型TFT的結(jié)構(gòu)不同的點以外，與實施方式2相同。即，實施方式5的電路基板是本發(fā)明的第二電路基板。圖14和圖15是表示實施方式5的電路基板的頂柵型TFT的截面示意圖。如圖14和圖15所示，實施方式5中，頂柵型TFT3在玻璃基板12上層疊有半導體層33、柵極絕緣膜(第四絕緣膜)34、以及源極電極31、漏極電極32和柵極電極35。源極電極31、漏極電極32和柵極電極35，至少一部分包含相同的材料，而源極電極31和漏極電極32由不同的材料層疊而成，所以它們與柵極電極35的層結(jié)構(gòu)不同。具體而言，頂柵型TFT3的源極電極31和漏極電極32，分別分為下層膜31a、32a和上層膜31b、32b，下層膜31a、32a包括與底柵型TFT的柵極電極相同的材料，上層膜31b、32b包括與底柵型TFT的源極電極和漏極電極相同的材料。另外，底柵型TFT的柵極電極、頂柵型TFT3的源極電極的下層膜31a和漏極電極的下層膜32a形成在同一層，底柵型TFT的源極電極和漏極電極，與頂柵型TFT3的源極電極的上層膜31b、漏極電極的上層膜32b和柵極電極35，形成在同一層。在圖14所示例中，源極電極的下層膜31a和漏極電極的下層膜32a與半導體層33配置在同一層，與之相對地，在圖15所示例中，源極電極的下層膜31a和漏極電極的下層膜32a配置在比半導體層33更靠下層。如實施方式5所示，構(gòu)成TFT的各電極可以包括層疊膜，能夠根據(jù)設(shè)計適當變更。另外，由于由頂柵型TFT和底柵型TFT構(gòu)成電路的一部分，所以因減少接觸部能夠得到削減電路面積的效果。(實施方式6)實施方式6的電路基板，除了頂柵型TFT的結(jié)構(gòu)不同的點以外，與實施方式2相同。即，實施方式6的電路基板是本發(fā)明的第二電路基板。圖16和圖17是表不實施方式6的電路基板的頂柵型TFT的截面不意圖。如圖16和圖17所示，實施方式6中，頂柵型TFT3在玻璃基板12上層疊有半導體層33、柵極絕緣膜(第四絕緣膜)34、以及源極電極31、漏極電極32和柵極電極35。源極電極31、漏極電極32和柵極電極35，至少一部分包含相同的材料，而源極電極31和漏極電極32由不同的材料層疊而成，所以它們與柵極電極35的層結(jié)構(gòu)不同。具體而言，頂柵型TFT3的源極電極31和漏極電極32，均分為下層膜31a、32a和上層膜31c、32c，下層膜31a、32a包括與底柵型TFT的柵極電極相同的材料，上層膜31c、32c包括與底柵型TFT和頂柵型TFT3所用的材料不同的材料。作為頂柵型TFT3的源極電極31和漏極電極32的上層膜31c、32c，例如能夠用像素電極所用的ITO (銦錫氧化物)等透明導電膜形成。底柵型TFT的柵極電極、頂柵型TFT3的源極電極的下層膜31a和漏極電極的下層膜32a形成在同一層，底柵型TFT的源極電極和漏極電極，與頂柵型TFT3的柵極電極35形成在同一層，頂柵型TFT3的源極電極的上層膜31c與漏極電極的上層膜和柵極32c形成在同一層。頂柵型TFT3的柵極電極35，配置在比頂柵型TFT3的源極電極的上層膜31c和漏極電極的上層膜32c更靠下層。在柵極電極35與源極電極和漏極電極之間，形成有第五絕緣膜36。 在圖16所示例中，頂柵型TFT3的源極電極的下層膜31a和漏極電極的下層膜32a與半導體層33配置在同一層，與之相對地，在圖17所示例中，頂柵型TFT3的源極電極的下層膜31a和漏極電極的下層膜32a配置在比半導體層33更靠下層。另外，在圖16所示例中，頂柵型TFT3的源極電極31和漏極電極32經(jīng)由一個接觸部與底柵型的TFT連接，與之相對地，在圖17所示例中，頂柵型TFT3的源極電極的31和漏極電極32經(jīng)由兩個接觸部與底柵型的TFT連接。如實施方式6所示，構(gòu)成TFT的各電極可以包括層疊膜，能夠根據(jù)設(shè)計適當變更。另外，由于由頂柵型TFT和底柵型TFT構(gòu)成電路的一部分，所以因減少接觸部能夠得到削減電路面積的效果。另外，本申請以2010年5月13日提出的日本專利申請2010-111423號為基礎(chǔ)，基于巴黎公約或進入階段的該國法規(guī)主張優(yōu)先權(quán)。該申請的內(nèi)容全部作為參考被引入本申請。符號說明1、4 :底柵型TFT (薄膜晶體管)2、3 :頂柵型TFT (薄膜晶體管)Ila IljUlla Illj :TFT (薄膜晶體管)12、112:玻璃基板21、121:柵極電極22、122 :柵極絕緣膜(第一絕緣膜)23、123:半導體層24:第二絕緣膜25、125:源極電極26、126:漏極電極27:第三絕緣膜31、131:源極電極31a:下層膜31b、31c:上層膜
32、132:漏極電極32a:下層膜32b、32c:上層膜33、133:半導體層34 :柵極絕緣膜(第四絕緣膜)35、135:柵極電極36:第五絕緣膜
41:電容部61 :移位寄存器62:像素部63:顯示控制電路64:柵極驅(qū)動器65 :源極驅(qū)動器71、171:第一 TFT72、172:第二 TFT73、173 :第一引出配線74、174 :第二引出配線75、175 :第三引出配線76、176:第一信號總線77、177 :第二信號總線81、82、181、182 :接觸部105:接觸部124、127 :層間絕緣膜151 :柵極電極155:透明導電膜
權(quán)利要求
1.一種電路基板，其特征在于，具有 具有第一半導體層、第一柵極電極、第一源極電極和第一漏極電極的底柵型薄膜晶體管；以及 具有第二半導體層、第二柵極電極、第二源極電極和第二漏極電極的頂柵型薄膜晶體管，其中， 該第一半導體層和該第二半導體層包括同一材料， 該第一漏極電極或該第一源極電極與該第二柵極電極以不隔著其他薄膜晶體管的方式連接,且彼此為同電位。
2.如權(quán)利要求I所述的電路基板，其特征在于 所述第一柵極電極、所述第二源極電極和所述第二漏極電極包括同一材料。
3.如權(quán)利要求I或2所述的電路基板，其特征在于 所述第一柵極電極、所述第二源極電極和所述第二漏極電極配置于同一層。
4.如權(quán)利要求I至3中任一項所述的電路基板，其特征在于 所述第一半導體層和所述第二半導體層的材料是氧化物半導體。
5.如權(quán)利要求I至4中任一項所述的電路基板，其特征在于 所述電路基板具有信號總線；從該信號總線的一部分延伸，與所述第一柵極電極連接的柵極引出配線；和從該信號總線的另一部分延伸，與所述第一源極電極連接的源極引出配線， 所述第一柵極電極和該柵極引出配線包括同一材料， 所述第一源極電極和該源極引出配線包括同一材料， 該信號總線和該柵極引出配線分別包括不同的材料， 該信號總線的寬度大于該柵極引出配線的寬度， 該信號總線與該柵極引出配線經(jīng)由接觸部連接，該接觸部貫通與該信號總線重疊的位置的絕緣膜。
6.一種電路基板，其特征在于，具有 具有第三半導體層、第三柵極電極、第三源極電極和第三漏極電極的頂柵型薄膜晶體管；以及 具有第四半導體層、第四柵極電極、第四源極電極和第四漏極電極的底柵型薄膜晶體管，其中， 該第三半導體層和該第四半導體層包括同一材料， 該第三漏極電極或該第三源極電極與該第四柵極電極以不隔著其他薄膜晶體管的方式連接,且彼此為同電位。
7.如權(quán)利要求6所述的電路基板，其特征在于 所述第三柵極電極、所述第四源極電極和所述第四漏極電極包括同一材料。
8.如權(quán)利要求6或7所述的電路基板，其特征在于 所述第三柵極電極、所述第四源極電極和所述第四漏極電極配置于同一層。
9.如權(quán)利要求6至8中任一項所述的電路基板，其特征在于 所述第三半導體層和所述第四半導體層的材料是氧化物半導體。
10.如權(quán)利要求6至9中任一項所述的電路基板，其特征在于所述電路基板具有信號總線；從該信號總線的一部分延伸，與所述第三柵極電極連接的柵極引出配線；和從該信號總線的另一部分延伸，與所述第三源極電極連接的源極引出配線， 所述第三柵極電極和該柵極引出配線包括同一材料， 所述第三源極電極和該源極引出配線包括同一材料， 該信號總線和該柵極引出配線分別包括不同的材料， 該信號總線的寬度大于該柵極引出配線的寬度， 該信號總線與該柵極引出配線經(jīng)由接觸部連接，該接觸部貫通與該信號總線重疊的位置的絕緣膜。
11.一種顯示裝置，其特征在于 所述顯示裝置包括權(quán)利要求I至10中任一項所述的電路基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電路面積被縮小化后的電路基板和具備該電路基板且被窄邊框化的顯示裝置。本發(fā)明的電路基板具有具有第一半導體層、第一柵極電極、第一源極電極和第一漏極電極的底柵型薄膜晶體管；以及具有第二半導體層、第二柵極電極、第二源極電極和第二漏極電極的頂柵型薄膜晶體管，其中，該第一半導體層與該第二半導體層包括同一材料，該第一漏極電極或第一源極電極與該第二柵極電極以不隔著其他薄膜晶體管的方式連接，且彼此為同電位。
文檔編號H01L21/8234GK102884633SQ201180022959
公開日2013年1月16日 申請日期2011年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月13日
發(fā)明者山崎周郎, 田中信也, 菊池哲郎, 嶋田純也 申請人:夏普株式會社