專利名稱：具有介入物的內(nèi)建非凹凸層封裝設(shè)計(jì)的制作方法
具有介入物的內(nèi)建非凹凸層封裝設(shè)計(jì)
背景技術(shù)：
本說(shuō)明書的實(shí)施例一般涉及微電子器件封裝設(shè)計(jì)領(lǐng)域，更具體地涉及使用內(nèi)建非凹凸層(BBUL,bumpless build-up layer)設(shè)計(jì)的封裝。隨著微電子器件尺寸的縮小，微電子器件封裝需要占據(jù)更小的空間，這可通過(guò)堆疊微電子部件來(lái)實(shí)現(xiàn)。附圖簡(jiǎn)沭本公開的主題在說(shuō)明書的結(jié)束部分被特別指出和清楚地要求保護(hù)。通過(guò)結(jié)合附圖，從以下描述和所附權(quán)利要求書，本公開前面和其它特征將變得十分清楚。應(yīng)該理解，附圖僅示出根據(jù)本公開的若干實(shí)施例，并因此不應(yīng)視為對(duì)其范圍構(gòu)成限制。通過(guò)使用附圖以附加的特征和細(xì)節(jié)描述本公開，以使本公開的優(yōu)勢(shì)更容易被確定，在附圖中圖I和圖2示出在內(nèi)建非凹凸層設(shè)計(jì)中具有介入物的微電子封裝的實(shí)施例的橫截面?zhèn)纫晥D。圖3和圖4示出描繪介入物實(shí)施例的沿圖I中線A-A的俯視圖。圖5示出在內(nèi)建非凹凸層設(shè)計(jì)中具有介入物的微電子封裝的另一實(shí)施例的橫截面?zhèn)纫晥D。圖6示出描繪介入物實(shí)施例的沿圖5中線B-B的俯視圖，它示出。圖7和圖8示出在內(nèi)建非凹凸層設(shè)計(jì)中具有與微電子管芯集成的介入物的微電子封裝的實(shí)施例的橫截面?zhèn)纫晥D。圖9和

圖10示出描繪被納入到微電子管芯中的介入物實(shí)施例的沿圖7中線C-C的俯視圖。圖11示出在內(nèi)建非凹凸層設(shè)計(jì)中具有與微電子管芯集成的介入物的微電子封裝另一實(shí)施例的橫截面?zhèn)纫晥D。圖12示出描繪與微電子管芯集成的介入物實(shí)施例的沿圖11中線D-D的俯視圖。圖13是將介入物納入到微電子封裝中的工藝的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。
具體實(shí)施例方式在后面的詳細(xì)說(shuō)明中參照附圖，這些附圖以解說(shuō)方式示出可實(shí)施所要求保護(hù)的主題的具體實(shí)施例。以充分詳盡的方式描述這些實(shí)施例以使本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員實(shí)施本主題。要理解，各實(shí)施例盡管不同但不一定是相互排斥的。例如，本文結(jié)合一個(gè)實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可運(yùn)用到其它實(shí)施例中而不脫離所要求保護(hù)的主題的精神和范圍。另外要理解，每個(gè)公開的實(shí)施例中的各要素的位置或配置可改變而不脫離所要求保護(hù)的主題的精神和范圍。因此，下面的詳細(xì)說(shuō)明不應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是限制，并且本主題的范圍僅由所附權(quán)利要求書限定，應(yīng)結(jié)合所附權(quán)利要求書授權(quán)的等同方案的全部范圍被適當(dāng)?shù)亟忉?。在附圖中，類似的附圖標(biāo)記指示幾張附圖中相同或相似的要素或功能，并且所示出的要素不一定彼此按照比例繪制，而是可放大或縮小個(gè)別要素以便在本說(shuō)明書上下文中更容易領(lǐng)會(huì)這些要素。本說(shuō)明書的實(shí)施例涉及制造微電子封裝的領(lǐng)域，其中介入物(例如硅通孔介入物)可用于內(nèi)建非凹凸層封裝以方便堆疊的微電子部件。
圖I和圖2示出根據(jù)本說(shuō)明書一個(gè)實(shí)施例具有介入物的內(nèi)建非凹凸層-無(wú)芯襯底技術(shù)(BBUL-C)微電子封裝的橫截面圖。如圖所示，微電子封裝100可包括至少一個(gè)微電子管芯102，其中該微電子管芯102可包括有源表面104、大致與微電子管芯有源表面104平行的后表面106以及從微電子管芯有源表面104延伸至微電子管芯后表面106的至少兩個(gè)相對(duì)側(cè)108。參見圖2，微電子管芯102可進(jìn)一步包括微電子管芯有源表面104上的至少一個(gè)接觸區(qū)112，其中每個(gè)微電子管芯接觸區(qū)112可連接于微電子管芯102中的集成電路(未示出)。微電子管芯102可以是任何適宜的集成電路器件，包括但不局限于處理器或微處理器(單核或多核)、存儲(chǔ)器件、芯片組、圖形設(shè)備、專用集成電路或類似物。微電子管芯接觸區(qū)112可以是任何適宜的導(dǎo)電材料，包括但不僅限于銅、鋁、銀、金或其合金。微電子封裝100可進(jìn)一步包括位于微電子管芯至少一側(cè)108附近的介入物120，該介入物120包括前表面124、大致與介入物前表面124平行的相對(duì)后表面126、以及從介入物前表面124延伸至介入物后表面126的至少一側(cè)128，如圖2所示。介入物120可具有至少一個(gè)導(dǎo)電通孔132，該導(dǎo)電通孔132從介入物前表面124貫穿地延伸至介入物后表面126。每個(gè)介入物導(dǎo)電通孔132可具有在介入物前表面124上的接觸區(qū)134和在介入物后表面126上的接觸區(qū)136。介入物導(dǎo)電通孔132、介入物前表面接觸區(qū)134、介入物后表面接觸區(qū)136可通過(guò)本領(lǐng)域已知的任何技術(shù)制造，并可由任何適宜的導(dǎo)電材料制成，包括但不僅限于銅、鋁、銀、金或其合金。在一個(gè)實(shí)施例中，介入物120可以是含硅的材料，例如非晶硅或硅-鍺或陶瓷材料。在另一實(shí)施例中，如本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員所能理解的，介入物120可以是與微電子管芯102中的主要材料相同的硅材料以使熱膨脹失配最小化。介入物120可設(shè)計(jì)成使介入物后表面126與微電子管芯后表面106大致平齊，并可設(shè)計(jì)成使介入物前表面124與微電子管芯有源表面104大致平齊。封裝材料142可設(shè)置在微電子管芯側(cè)108和介入物側(cè)128附近，由此形成襯底148。封裝材料142的后表面144可形成為與介入物后表面126和微電子管芯后表面106大致平齊。封裝材料142可以是任何適宜的介電材料，包括但不僅限于氧化硅填充的環(huán)氧樹脂，例如可從日本川崎市川崎庫(kù)1-2鈴木町 210-0801 的 Ajinomoto 精密技術(shù)有限公司購(gòu)得(Ajinomoto GX13、AjinomotoGX92
坐')
寸/ ο內(nèi)建層150可形成在封裝材料前表面146上。內(nèi)建層150可包括多個(gè)介電層,在每個(gè)介電層上形成導(dǎo)電跡線，導(dǎo)電通孔貫穿每個(gè)介電層延伸以連接不同層上的導(dǎo)電跡線和/或其它微電子部件。參見圖2，內(nèi)建層150可包括至少一個(gè)第一層導(dǎo)電跡線152，該第一層導(dǎo)電跡線152分別通過(guò)貫穿封裝材料142形成的跡線-微電子管芯導(dǎo)電通孔153和跡線-介入物導(dǎo)電通孔155連接于至少一個(gè)微電子管芯接觸區(qū)112和/或至少一個(gè)介入物前表面接觸區(qū)134。介電層154可與至少一個(gè)第一層導(dǎo)電跡線152和封裝材料前表面146鄰近地形成。至少一個(gè)導(dǎo)電通孔156可延伸通過(guò)介電層154以使至少一個(gè)第一層導(dǎo)電跡線152連接于至少一個(gè)第二層導(dǎo)電跡線158。內(nèi)建層150可用來(lái)將微電子管芯102連接于介入物120或?qū)⑽㈦娮庸苄?02連接于外部互連162 (如圖I所示)。這些連接在圖I中以虛線164表示。外部互連162可以是焊球(如圖I所示)或引腳(未示出)并可用來(lái)將微電子封裝100連接至外部設(shè)備(未示出)。
要理解，盡管僅示出了一個(gè)介電層和兩個(gè)導(dǎo)電跡線層，然而內(nèi)建層150可具有任何適當(dāng)數(shù)量的介電層和導(dǎo)電跡線層。介電層(例如介電層154)可通過(guò)任何業(yè)內(nèi)已知的技術(shù)形成并可由任何適宜的介電材料形成。導(dǎo)電跡線層(例如第一層導(dǎo)電跡線152、第二層導(dǎo)電跡線158和導(dǎo)電通孔156)可以任何業(yè)內(nèi)已知的技術(shù)制造，并由任何適宜的導(dǎo)電材料制成，該導(dǎo)電材料包括但不僅限于銅、鋁、銀、金或其合金。如圖I所示，堆疊的微電子管芯170可通過(guò)多個(gè)互連172 (圖示為焊球)附連于介入物120。堆疊的微電子管芯170可在微電子管芯后表面106上方延伸并在微電子管芯102的相對(duì)側(cè)附連于介入物120。堆疊的微電子管芯170可以是任何適宜的集成電路器件，包括但不僅限于處理器或微處理器(單核或多核的)、存儲(chǔ)器件、芯片組、圖形設(shè)備、專用集成電路或類似物。在一個(gè)實(shí)施例中，微電子管芯102是微處理器而堆疊的微電子管芯170是存儲(chǔ)器件。如圖3所示，介入物120可包圍微電子管芯102，并可具有散布在介入物120所有側(cè)上的互連172。如圖4所示，介入物120可以是在微電子管芯102相對(duì)側(cè)上的兩個(gè)獨(dú)立部分(圖示為元件120^1202)。要理解，堆疊的微電子管芯170不需要如圖I所示地橫跨微電子管芯102。圖5和圖6示出本說(shuō)明書的實(shí)施例，其中介入物180可以采用針對(duì)圖1-4的實(shí)施例描述的方式定位在微電子管芯102的一側(cè)108上。參見圖5，堆疊的微電子管芯170可通過(guò)多個(gè)互連172 (圖示為焊球)附連于介入物180。圖7和圖8示出根據(jù)本說(shuō)明書的另一實(shí)施例具有與微電子管芯集成的介入物的內(nèi)建非凹凸層-無(wú)芯襯底技術(shù)(BBUL-C)微電子封裝的橫截面圖。如圖7所示，微電子封裝200可包括至少一個(gè)微電子管芯202，其中微電子管芯202包括有源表面204、大致平行于微電子管芯有源表面204的后表面206、以及從微電子管芯有源表面204延伸至微電子管芯后表面206的至少兩個(gè)相對(duì)側(cè)208。微電子管芯202可具有位于微電子管芯202中央部分的有源區(qū)210，其中形成集成電路，如本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員所能理解的。微電子管芯202可進(jìn)一步包括位于微電子管芯有源區(qū)210和微電子管芯至少一側(cè)208之間的介入物區(qū)230，該介入物區(qū)230可以是沒有形成任何集成電路(未示出)的區(qū)域。介入物區(qū)230可以是微電子晶片的街道區(qū)(street area)，如本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員所能理解的，或者可通過(guò)增大微電子管芯202的尺寸來(lái)容納。參見圖8，微電子管芯202可進(jìn)一步包括在微電子管芯有源區(qū)210中的微電子管芯有源表面204上的至少一個(gè)接觸區(qū)212，其中微電子管芯接觸區(qū)212可連接于微電子管芯202中的集成電路(未示出)。微電子管芯202可以是任何適宜的集成電路器件，包括但不僅限于處理器或微處理器(單核或多核)、芯片組、圖形設(shè)備、專用集成電路或類似物。微電子管芯接觸區(qū)212可以是任何適宜的導(dǎo)電材料，包括但不僅限于銅、鋁、銀、金或其合金。介入物220可形成在介入物區(qū)230內(nèi)。介入物220可具有從微電子管芯有源表面204延伸至微電子管芯后表面206的至少一個(gè)導(dǎo)電通孔232。每個(gè)介入物導(dǎo)電通孔232可具有在微電子管芯有源表面204上的接觸區(qū)234和在微電子管芯后表面206上的接觸區(qū)236。介入物導(dǎo)電通孔232、介入物前表面接觸區(qū)234以及介入物后表面接觸區(qū)236可通過(guò)任何業(yè)內(nèi)已知的技術(shù)制造，可由任何適宜的導(dǎo)電材料制成，適宜的導(dǎo)電材料包括但不僅限于銅、鋁、銀、金或其合金。
封裝材料242可設(shè)置在微電子管芯202的多側(cè)208附近，由此形成襯底248。封裝材料242的后表面244可形成為與微電子管芯后表面206大致平齊。如之前結(jié)合圖1_6的封裝材料142描述的，封裝材料242可以是任何適宜的介電材料，包括但不僅限于氧化硅填充的環(huán)氧樹脂，例如可從日本川崎市)11崎庫(kù)1-2鈴木町210-0801的Aj inomoto精密技術(shù)有限公司購(gòu)得(Ajinomoto GX13、Ajinomoto GX92 等)。內(nèi)建層150可以采用與圖I和圖2描述的相同方式形成在封裝材料前表面246上。參見圖6，內(nèi)建層50可用來(lái)使微電子管芯接觸區(qū)212連接于介入物前表面接觸區(qū)234或者使微電子管芯202連接于外部互連162 (見圖5)。這些連接在圖7中以虛線164表示。外部互連162可以是焊球(如圖5所示)或引腳(未示出)，并可用來(lái)將微電子封裝200連接于外部設(shè)備(未不出)。如圖7所示，堆疊的微電子管芯270可通過(guò)多個(gè)互連272(圖示為焊球)附連于介入物220。堆疊的微電子管芯270可在微電子管芯后表面206上方延伸并在微電子管芯202的相對(duì)側(cè)附連于介入物220。在一個(gè)實(shí)施例中，微電子管芯202是微處理器而堆疊的微電子管芯270是存儲(chǔ)器件。如圖9所示，介入物220可包圍微電子管芯202，并可具有散布在介入物220所有側(cè)上的多個(gè)互連272。如圖10所示，介入物220可以是在微電子管芯202相對(duì)側(cè)上的兩個(gè)獨(dú)立部分(圖示為元件220^2200。要理解，堆疊的微電子管芯270不需要橫跨微電子管芯102。圖11和圖12示出本說(shuō)明書的實(shí)施例，其中介入物280可以采用針對(duì)圖7-10的實(shí)施例描述的方式形成在微電子管芯202的一側(cè)208上。參見圖11，堆疊的微電子管芯270可通過(guò)多個(gè)互連272 (圖示為焊球)附連于介入物280。要理解，本說(shuō)明書的介入物可導(dǎo)致微電子管芯102、202和堆疊的微電子管芯170、270之間的高互連密度(例如大于約30/mm2)，同時(shí)使對(duì)硅層設(shè)計(jì)規(guī)則和工藝的影響最小化。此外，盡管堆疊的微電子管芯170、270圖示為單個(gè)管芯，它們也可以是預(yù)堆疊的管芯，如本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員理解的。本說(shuō)明書的工藝300的實(shí)施例示出于圖13。如框310所定義，可提供微電子管芯。可在微電子管芯的至少一側(cè)附近設(shè)置介入物，如框320所定義?？舌徑㈦娮庸苄镜闹辽僖粋?cè)設(shè)置封裝材料，如框330所定義。如框340所定義，堆疊的微電子管芯可附連于介入物。還要理解，本說(shuō)明書的主題沒必要局限于圖1-13所示的具體應(yīng)用。本主題可適用于其它堆疊的管芯應(yīng)用。此外，本主題也可用于微電子器件制造領(lǐng)域以外的任何適宜的應(yīng)用。詳細(xì)說(shuō)明已通過(guò)使用圖例、框圖、流程圖和/或示例闡述了設(shè)備和/或過(guò)程的多個(gè)實(shí)施例。在這些圖例、框圖、流程圖和/或示例包含一個(gè)或多個(gè)函數(shù)和/或操作的情形下，本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員將理解，每個(gè)圖例、框圖、流程圖和/或示例中的每個(gè)函數(shù)和/或操作可通過(guò)眾多硬件、軟件、固件或?qū)嶋H上其任意組合單獨(dú)和/或共同地實(shí)現(xiàn)。所描述的主題有時(shí)示出不同的部件，該不同的部件包含在不同的其它部件中或與其它部件相連。要理解這些圖例只是示例性的，并且可采用許多替代性結(jié)構(gòu)以取得相同的功能。從概念上說(shuō)，能獲得相同功能的任何部件安排被有效地“關(guān)聯(lián)”從而實(shí)現(xiàn)要求的功能。因此，本文中組合以實(shí)現(xiàn)特定功能的任何兩個(gè)部件可視為彼此“關(guān)聯(lián)”以實(shí)現(xiàn)要求的功能，不管其結(jié)構(gòu)或中間部件如何。同樣，任何如此關(guān)聯(lián)的兩個(gè)部件也可視為彼此“可操作地連接”或“可操作地耦合”以獲得要求的功能，并且能夠如此關(guān)聯(lián)的任意兩個(gè)部件可視為彼此“可操作地耦合”以實(shí)現(xiàn)要求的功能?？刹僮鞯伛詈系木唧w示例包括但不僅限于，可物理匹配和/或物理交互的部件、和/或可無(wú)線互動(dòng)和/或無(wú)線交互的部件、和/或邏輯交互和/或可邏輯互動(dòng)的部件。本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員將會(huì)理解，這里使用的術(shù)語(yǔ)，尤其是所附權(quán)利要求書中使用的術(shù)語(yǔ)一般旨在作為“開放性”術(shù)語(yǔ)。一般來(lái)說(shuō)，術(shù)語(yǔ)“包含”或“包括”應(yīng)當(dāng)分別解釋成“包含但不僅限于”或“包括但不僅限于”。另外，術(shù)語(yǔ)“具有”應(yīng)當(dāng)解釋為“至少具有”。具體描述中復(fù)數(shù)和/或單數(shù)術(shù)語(yǔ)的使用可根據(jù)上下文和/或應(yīng)用適當(dāng)?shù)貜膹?fù)數(shù)轉(zhuǎn)化成單數(shù)和/或從單數(shù)轉(zhuǎn)化成復(fù)數(shù)。本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員將會(huì)理解，如果在權(quán)利要求中指示要素?cái)?shù)目，則如此限定權(quán)利要求的意圖將在權(quán)利要求中明確地說(shuō)明，并且在沒有這種說(shuō)明的情況下就不存在這種意圖。另外，如果對(duì)權(quán)利要求陳述中引入的具體數(shù)目是明確陳述的，則本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解這種陳述通常應(yīng)當(dāng)解釋成表示“至少”所引述的數(shù)目。 在本說(shuō)明書中對(duì)“實(shí)施例”、“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”的使用意味著結(jié)合一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例所描述的具體特征、結(jié)構(gòu)或特性可包括在至少某些實(shí)施例中，但不一定被包括在所有實(shí)施例中。在詳細(xì)說(shuō)明中的術(shù)語(yǔ)“實(shí)施例”、“一個(gè)實(shí)施例”、“另一實(shí)施例”或“其它實(shí)施例”的各種使用不一定全部針對(duì)相同的實(shí)施例。 盡管在這里已使用多種方法和系統(tǒng)描述和示出了某些示例性技術(shù)，然而本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可作出多種其它的修改并可替換以等同方案而不脫離所要求的主題或其精神。另外，可作出許多修改以使特定情況適應(yīng)所要求主題的教導(dǎo)而不脫離本文描述的核心理念。因此，旨在使所要求保護(hù)的主題不僅限于所公開的特定例子，但這些要求保護(hù)的主題也可包括落在所附權(quán)利要求書及其等同方案范圍內(nèi)的所有實(shí)現(xiàn)方案。
權(quán)利要求
1.一種微電子封裝，包括 微電子管芯，所述微電子管芯具有有源表面、相對(duì)的后表面以及在所述微電子管芯有源表面和所述微電子管芯后表面之間延伸的至少兩個(gè)相對(duì)側(cè)； 在所述微電子管芯至少一側(cè)附近的介入物； 與所述微電子管芯至少一側(cè)鄰近的封裝材料；以及 附連于所述介入物的堆疊的微電子管芯。
2.如權(quán)利要求I所述的微電子封裝，其特征在于，所述介入物在所述微電子管芯的至少兩個(gè)相對(duì)側(cè)附近。
3.如權(quán)利要求2所述的微電子封裝，其特征在于，所述堆疊的微電子管芯大致橫跨所述微電子管芯。
4.如權(quán)利要求2所述的微電子封裝，其特征在于，所述介入物基本上包圍所述微電子管芯。
5.如權(quán)利要求I所述的微電子封裝，其特征在于，所述介入物與所述微電子管芯集成。
6.如權(quán)利要求5所述的微電子封裝，其特征在于，所述介入物基本上包圍所述微電子管芯的有源區(qū)。
7.如權(quán)利要求I所述的微電子封裝，其特征在于，還包括形成在所述微電子管芯有源表面附近的內(nèi)建層。
8.如權(quán)利要求I所述的微電子封裝，其特征在于，所述封裝材料包括與所述微電子管芯后表面大致平齊的后表面。
9.如權(quán)利要求8所述的微電子封裝，其特征在于，所述介入物包括前表面和后表面，且所述封裝材料后表面大致與所述介入物后表面平齊。
10.如權(quán)利要求I所述的微電子封裝，其特征在于，所述微電子管芯包括微處理器，而所述堆疊的微電子管芯包括存儲(chǔ)器件。
11.一種形成微電子封裝的方法，包括 提供微電子管芯，所述微電子管芯具有有源表面、相對(duì)的后表面以及在所述微電子管芯有源表面和所述微電子管芯后表面之間延伸的至少兩個(gè)相對(duì)側(cè)； 在所述微電子管芯至少一側(cè)附近設(shè)置介入物； 鄰近所述微電子管芯至少一側(cè)設(shè)置封裝材料；以及 將堆疊的微電子管芯附連于所述介入物。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，設(shè)置所述介入物包括在所述微電子管芯的至少兩個(gè)相對(duì)側(cè)附近設(shè)置介入物。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，附連所述堆疊的微電子管芯包括將堆疊的微電子管芯附連于所述介入物以橫跨所述微電子管芯。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，設(shè)置所述介入物包括設(shè)置基本上包圍所述微電子管芯的介入物。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，設(shè)置所述介入物包括設(shè)置與所述微電子管芯集成的介入物。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，設(shè)置與所述微電子管芯集成的所述介入物包括設(shè)置基本上包圍所述微電子管芯的有源區(qū)的介入物。
17.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，還包括在所述微電子管芯前表面附近形成內(nèi)建層。
18.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，設(shè)置所述封裝材料包括設(shè)置封裝材料以形成與所述微電子管芯后表面大致平齊的后表面。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，設(shè)置所述介入物包括設(shè)置包括前表面和后表面的介入物，而設(shè)置所述封裝材料包括設(shè)置所述封裝材料以形成與所述介入物后表面大致平齊的后表面。
20.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述微電子管芯包括微處理器而所述堆疊的微電子管芯包括存儲(chǔ)器件。
全文摘要
本公開涉及集成電路封裝設(shè)計(jì)領(lǐng)域，更具體地涉及使用內(nèi)建非凹凸層(BBUL)設(shè)計(jì)的封裝。本說(shuō)明書的實(shí)施例涉及制造微電子封裝的領(lǐng)域，其中可將諸如硅通孔介入物的介入物用于內(nèi)建非凹凸層封裝以利于堆疊的微電子部件。
文檔編號(hào)H01L23/482GK102934223SQ201180027611
公開日2013年2月13日 申請(qǐng)日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者P·馬拉特卡 申請(qǐng)人:英特爾公司