專利名稱：透明導(dǎo)電膜、透明導(dǎo)電膜用靶及透明導(dǎo)電膜用靶的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及透明導(dǎo)電膜、透明導(dǎo)電膜用靶及透明導(dǎo)電膜用靶的制造方法。本發(fā)明主張?zhí)峤恢另n國專利廳的韓國專利申請第10-2010-0052772號的申請日的利益，而且，其全部內(nèi)容包含于本說明書中。
背景技術(shù)：
透明導(dǎo)電膜廣泛用于透明電極、車窗、建筑用熱反射膜(heatref Iectingfilm)、防靜電膜(ant1-static film)或用于冷凍展示柜(freezershow cases)的防霧(ant1-fogging)用透明發(fā)熱體等。另外，上述透明電極需具備高透光率和導(dǎo)電率。具體而言，上述透明電極在可視光線范圍內(nèi)的透光率為85%以上，電阻率(resistivity)為1χ10_3Ω ·αη以下為宜。滿足上述條件的透明電極適用于太陽能電池、液晶顯示裝置、有機(jī)發(fā)光電場顯示裝置、無機(jī)發(fā)光電場顯示裝置或觸摸面板(touch panel)等。另外，上述透明導(dǎo)電膜有氧化錫(SnO2)類薄膜、氧化鋅(ZnO)類薄膜或氧化銦(In2O3)類薄膜等。其中，上述氧化錫類薄膜有作為摻雜物包含銻的銻錫氧化物(ATO)薄膜或作為摻雜物包含氟的氟錫氧化物(FTO)薄膜等。另外，上述氧化鋅了薄膜有作為摻雜物包含鋁的鋁氧化鋅(ZAO)薄膜或作為摻雜物包含鉀的鉀氧化鋅(GZO)薄膜等。另外，上述氧化銦類薄膜有銦錫氧化物(I ndium Tin Oxide,下稱“ ΙΤ0”)薄膜或銦鋅氧化物(Induim ZincOxide，下稱“ΙΖ0”)薄膜等。上述ITO和IZO薄膜因具有良好的光學(xué)特性和電氣特性，因此，現(xiàn)在廣泛用作透明電極材料。上述透明導(dǎo)電膜主要通過濺鍍法或離子等離子法制造而成。尤其是，上述濺鍍法對蒸汽壓低的材料的成膜或需精確控制膜厚度的情況下有效，而且，操作簡單，便利，從而廣泛被利用。上述濺鍍法利用作為薄膜的原料的靶。上述靶為包含成膜而構(gòu)成薄膜的金屬元素的固體，在制造上述靶時(shí)，使用金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物等的燒結(jié)體，而根據(jù)不同的情況還使用單晶。上述濺鍍法一般使用可在內(nèi)部設(shè)置基材及靶的真空室。具體而言，在上述真空室設(shè)置基材和靶之后，形成高真空。接著，向上述真空室注入氬氣等惰性氣體并控制成約IOPa以下的氣壓。另外，以上述基材為陽極，上述靶為陰極，并在兩者之間通過輝光放電產(chǎn)生氬等離子。此時(shí)，上述上述氬等離子內(nèi)的氬陽離子與作為陰極的上述靶沖突，而通過沖突彈出的靶構(gòu)成粒子沉積于基材上，從而形成透明導(dǎo)電膜。另外，作為代表性的透明導(dǎo)電膜之一的ITO薄膜為降低電阻率而需結(jié)晶化工藝。在上述ITO薄膜的情況下，在玻璃或塑料凳基板上沉積之后，經(jīng)熱處理完成結(jié)晶化。但是，在利用上述ITO薄膜制作元件時(shí)，因工藝溫度導(dǎo)致的電阻率的變化，給元件的特性產(chǎn)生影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種在低溫?zé)崽幚砉に囍幸材芙Y(jié)晶化的透明導(dǎo)電膜。本發(fā)明的另一目的在于提供一種在低溫條件下具有低電阻特性，從而大幅提高導(dǎo)電性的透明導(dǎo)電膜。本發(fā)明的又一目的在于提供一種在各種工藝溫度條件下具有穩(wěn)定的電阻率，熱穩(wěn)定性好的透明導(dǎo)電膜。本發(fā)明的還一目的在于提供一種致密結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電膜用靶。本發(fā)明的再一目的在于提供一種通過共沉淀法形成具有50nm以下的均勻的粒度分布的超細(xì)微合成粉末的透明導(dǎo)電膜用靶的制造方法。本發(fā)明的另一目的在于提供一種因超細(xì)微合成粉末具有高燒結(jié)驅(qū)動(dòng)力而可制造高密度靶的透明導(dǎo)電膜用靶的制造方法。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜，相對于透明導(dǎo)電膜總重量，包括0. OflO重量％的包含從由鉭化合物、鈮化合物 及釩化合物構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上物質(zhì)的添加劑；90 99. 99重量％的銦錫氧化物(ΙΤ0)。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜用靶，相對于透明導(dǎo)電膜用靶總重量，包括0. OflO重量％的包含從由鉭化合物、鈮化合物及釩化合物構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上物質(zhì)的添加劑；90 99. 99重量％的銦錫氧化物(ΙΤ0)。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜用靶的制造方法，包括如下步驟制造包含銦前體和錫前體的溶液；向上述溶液添加堿性化合物以形成ITO ;向上述ITO混合包含從由鉭化合物、鈮化合物及釩化合物構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上物質(zhì)的添加劑以形成生坯；及燒結(jié)上述生坯制造濺鍍靶。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜在低溫?zé)崽幚砉に囍幸材芙Y(jié)晶化。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜在低溫條件下具有低電阻特性，從而大幅提高導(dǎo)電性。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜在各種工藝溫度條件下具有穩(wěn)定的電阻率，熱穩(wěn)定性好。另外，若利用本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜用祀，則可制造更致密結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電膜。另外，根據(jù)本發(fā)明的本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜用靶的制造方法，通過共沉淀法形成具有50nm以下的均勻的粒度分布的超細(xì)微合成粉末。因上述超細(xì)微合成粉末具有高燒結(jié)驅(qū)動(dòng)力，從而可制造高密度的靶。


圖1為測量本發(fā)明的實(shí)施例1至實(shí)施例3、比較例I的薄膜在不同熱處理溫度下的表面電阻值的結(jié)果圖表；圖2為表示比較例I的薄膜的熱處理前(a)、熱處理后(b)的XRD的圖表；圖3為表示實(shí)施例1的薄膜的熱處理前(a)、熱處理后(b)的XRD的圖表；圖4為表示實(shí)施例3的薄膜的熱處理前(a)、熱處理后(b)的XRD的圖表；圖5為表示比較例I的薄膜的熱處理前(a)、熱處理后(b)的SEM的圖表；圖6為表示實(shí)施例1的薄膜的熱處理前(a)、熱處理后(b)的SEM的圖表；圖7為表示實(shí)施例3的薄膜的熱處理前(a)、熱處理后(b)的SEM的圖表。
具體實(shí)施例方式下面，對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。1、誘明導(dǎo)電臘本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜，相對于透明導(dǎo)電膜總重量，包括0. OflO重量％的包含從由鉭化合物、鈮化合物及釩化合物構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上物質(zhì)的添加劑；90 99. 99重量％的銦錫氧化物(ΙΤ0)。若上述添加劑以上述范圍包含在其中，則因鉭、鈮及釩等5族元素的粒子半徑較之銦的粒子半徑小15 30%，薄膜的混合物之間的固溶化變得更有效。因此，即使在150°C以下的低溫?zé)崽幚砉に囍校该鲗?dǎo)電膜也能結(jié)晶化，而且，可改善熱穩(wěn)定性。另外，可形成具有與在200°C以上的溫度獲得透明導(dǎo)電膜的電阻率相同水平的電阻率的薄膜。若上述添加劑的含量低于上述范圍，則無法在低溫完成結(jié)晶化，無法降低電阻率。若上述添加劑的含量超過上述范圍，則因在離子化的鉭、鈮及釩等在銦錫氧化物(ITO)中導(dǎo)致分散(scattering)，從而引起高的載體集中現(xiàn)象。因此，降低電子的移動(dòng)性，增加電阻。上述添加劑較佳為氧化物，包含從由鉭化合物、鈮化合物及釩化合物構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上物質(zhì)。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜的透射率為85°/Γ ΟΟ%為宜，而電阻率為5χ10_51χ10_3Ω · cm為宜。因?yàn)檫@是可用作平板顯示裝置的透明電極的適合的條件。上述平板顯示裝置只要是能將本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜用作透明電極的，則無特殊的限制，例如，可以為液晶顯示裝置(LCD)、等離子顯示面板(PDP)、有機(jī)發(fā)光電場顯示裝置(OLED)、觸摸屏(TOUCH SCREEN)等。

本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜在低溫?zé)崽幚砉に囍幸材芙Y(jié)晶化。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜在低溫條件下具有低電阻特性，從而大幅提高導(dǎo)電性。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜在各種工藝溫度條件下具有穩(wěn)定的電阻率，熱穩(wěn)定性好。I1、誘明導(dǎo)電膜用靶本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜用靶，相對于透明導(dǎo)電膜用靶總重量，包括0. OflO重量％的包含從由鉭化合物、鈮化合物及釩化合物構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上物質(zhì)的添加劑；90 99. 99重量％的銦錫氧化物(ΙΤ0)。若使用上述添加劑以上述范圍包含在其中的透明導(dǎo)電膜用靶，則因鉭、鈮及釩等5族元素的粒子半徑較之銦的粒子半徑小15 30%，靶的混合物之間的固溶化變得更有效。因此，若用上述靶制造薄膜，則即使在150°C以下的低溫?zé)崽幚砉に囍?，透明?dǎo)電膜也能結(jié)晶化，而且，可改善熱穩(wěn)定性。另外，可形成具有與在200°C以上的溫度的電阻率相同水平的電阻率的薄膜。若利用上述添加劑的含量低于上述范圍的透明導(dǎo)電膜用靶，則這樣制造出的透明導(dǎo)電膜無法在低溫完成結(jié)晶化，無法降低電阻率。若利用上述添加劑的含量超過上述范圍的透明導(dǎo)電膜用靶，則因在離子化的鉭、鈮及釩等在銦錫氧化物(ITO)中導(dǎo)致分散(scattering),從而引起高的載體集中現(xiàn)象。因此,這樣制造的透明導(dǎo)電膜的電子移動(dòng)性降低，電阻增加。上述添加劑較佳為氧化物，包含從由鉭化合物、鈮化合物及釩化合物構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上物質(zhì)。若利用本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜用靶，則可制造更致密結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電膜。
II1、透明導(dǎo)電膜用靶的制造方法本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜用靶的制造方法，包括制造包含銦前體和錫前體的溶液的步驟。上述銦前體及錫前體只要是用于本發(fā)明技術(shù)領(lǐng)域的，則沒有特別的限制，而較佳為金屬醇鹽前體。具體而言，上述銦前體及錫前體可為硝酸銦、氯化銦或硫化錫等。較佳地，上述溶液的pH為f 4。若超過上述范圍，則將影響溶液的反應(yīng)速度，因此，維持上述范圍為宜。為將上述溶液的pH調(diào)整至上述范圍，可添加pH調(diào)節(jié)劑并在3(T80°C的條件下攪拌5^20小時(shí)。上述pH調(diào)節(jié)劑可利用超純水，而且，根據(jù)不同的情況還可利用弱酸。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜用靶的制造方法，包括向上述溶液添加堿性化合物以形成ITO的步驟。具體而言，向上述溶液添加堿性化合物形成ITO的步驟，包括如下步驟向上述溶液添加堿性化合物；在1(T80°C的條件下，將上述添加堿性化合物的溶液反應(yīng)15 25小時(shí)形成沉淀物；及在50(T800°C的條件下，對上述沉淀物進(jìn)行1. 5 2. 5小時(shí)的熱處理以形成ΙΤ0。在此，較佳地，上述添加堿性化合物的溶液的pH為7 10。另外，將上述添加堿性化合物的溶液額pH維持在疒10之后，將溫 度維持在1(T80°C為宜。若滿足上述pH和溫度，則可促進(jìn)上述銦和錫前體通過共沉淀反應(yīng)形成沉淀物。若上述添加堿性化合物的溶液的pH低于上述范圍，則因難以結(jié)晶化而降低收率。另外，若超過上述范圍，則在洗滌過濾過程中需要較長時(shí)間。調(diào)節(jié)上述添加堿性緩和唔的溶液的pH之后，若低于上述溫度，則將延長反應(yīng)時(shí)間。另外，若維持在上述溫度以上，則因?qū)е铝Ｗ拥纳L而難以制造50nm以下的細(xì)微的合成粉末。上述堿性化合物只要是用于本發(fā)明技術(shù)領(lǐng)域的，則沒有特別的限制，而可為NH4O
坐寸ο較佳地，上述沉淀物的平均粒徑為l(T50nm。若滿足上述范圍，則便于后續(xù)工藝的加工。上述沉淀物可通過過濾分離取得，并可進(jìn)行清洗干燥。上述沉淀物的過濾分離可利用壓濾機(jī)或離心分離器完成。上述沉淀物的清洗可利用超純水或乙醇等完成。上述沉淀物的干燥可利用熱風(fēng)干燥等完成。此時(shí)，溫度為8(T200°C為宜。若在50(T80(TC的條件下對上述沉淀物進(jìn)行熱處理，則可分解去除存在于上述沉淀物的殘存水分及化學(xué)結(jié)合的鹽。若在未達(dá)到上述溫度的條件下進(jìn)行熱處理，則不能完全揮發(fā)掉化學(xué)結(jié)合的鹽。若在超過上述溫度的條件下進(jìn)行熱處理，則將引起粒子的燒結(jié)(粒子的生長)。若引起粒子的燒結(jié)，則將增加后續(xù)工藝中粉碎的難度，從而難以提高燒結(jié)驅(qū)動(dòng)力制造本發(fā)明作為目的的具有高致密結(jié)構(gòu)的燒結(jié)體。較佳地，上述ITO的平均粒徑為1. (Γ10. O μ m，比表面積為10 30 m2 /g。若平均粒徑大于上述范圍，比表面積小于上述范圍，則難以形成致密結(jié)構(gòu)的高密度。若平均粒徑小于上述范圍，比表面積大于上述范圍，則在成型時(shí)有可能發(fā)生裂縫，而且，在燒結(jié)時(shí)也因過度的收縮而增加內(nèi)部殘存應(yīng)力，產(chǎn)生殘存裂縫。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜用靶的制造方法，包括向上述ITO混合包含從由鉭化合物、鈮化合物及釩化合物構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上物質(zhì)的添加劑以形成生坯的步驟。具體而言，向上述ITO混合包含從由鉭化合物、鈮化合物及釩化合物構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上物質(zhì)的添加劑以形成生坯的步驟，包括如下步驟向上述ITO混合包含從由鉭化合物、鈮化合物及釩化合物構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上物質(zhì)的添加劑以形成第一混合物；向上述第一混合物混合聚乙烯醇以形成第二混合物；對上述第二混合物進(jìn)行濕式球磨以形成漿；及加壓上述漿以形成生坯。上述添加劑較佳為氧化物，包含從由鉭化合物、鈮化合物及釩化合物構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上物質(zhì)。上述聚乙烯醇是在形成靶時(shí)起到增加成型密度及燒結(jié)密度的物質(zhì)，涂布于上述第一混合物的表面，即ITO表面。另外，在對上述第二混合物進(jìn)行濕式球磨時(shí)，可作為媒介包含水。上述漿可在加壓前進(jìn)行噴霧干燥制造成粉末形狀。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜用靶的制造方法，包括燒結(jié)上述生坯制造濺鍍靶的步驟。具體而言，在燒結(jié)上述生坯制造濺鍍靶的步驟，在1，250^1, 6000C的條件下，將上述生坯燒結(jié)1(Γ20小時(shí)以制造濺鍍靶。另外，在進(jìn)行燒結(jié)時(shí)，以1. (Tl. 5°C /min的速度將燒結(jié)爐的溫度上升至上述溫度范圍為宜。另外，在上述燒結(jié)爐內(nèi)部，以每1. Om3體積20(Γ5001的氧氣氛圍中進(jìn)行為宜。上述燒結(jié)體可通過研磨及切割工藝制造成濺鍍靶。另外，在燒結(jié)上述生坯之前，執(zhí)行用以去除聚乙烯醇的燒盡(burn-out)工藝為宜。上述燒盡過程利用空氣或高純度空氣升溫至900°C，之后在發(fā)生收縮的1，000°C以上條件下，利用氧氣將電氣爐內(nèi)部的氧氣氛圍上升至比大氣中的氧氣濃度高的水平來完成為宜。

接著，在本發(fā)明的透明電鍍膜用靶的制造方法中，在燒結(jié)后還可進(jìn)行冷卻工藝。根據(jù)本發(fā)明的本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜用靶的制造方法，通過共沉淀法形成具有50nm以下的均勻的粒度分布的超細(xì)微合成粉末。因上述超細(xì)微合成粉末具有高燒結(jié)驅(qū)動(dòng)力，從而可制造高密度的靶。具體而言，當(dāng)利用阿基米德法測量的相當(dāng)于相對密度的實(shí)際數(shù)值范圍，即98%以上的密度時(shí)，更具體而言，當(dāng)ITO的理論密度達(dá)到7. 15g/cm3時(shí)，可制造出利用阿基米德原理測量密度時(shí)可到到7. 15g/cm3的98%的7. 007g/cm3 (7. 15X98%)以上的ITO靶。另外，通過共沉淀很成之后，不發(fā)生燒結(jié)高溫導(dǎo)致的相分離，因此，在濺鍍時(shí)不發(fā)生裂縫(crack)或結(jié)節(jié)(nodule),可形成均勻的導(dǎo)電膜。與此同時(shí),可制造出具有在受熱性及化學(xué)性方面穩(wěn)定而優(yōu)秀的導(dǎo)電性的同時(shí)，表面電阻率低于1χ10_3Ω · cm，較佳為5χ10_4Ω · cm的靶。根據(jù)本發(fā)明的本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜用靶的制造方法，通過共沉淀法形成具有50nm以下的均勻的粒度分布的超細(xì)微合成粉末。因上述超細(xì)微合成粉末具有高燒結(jié)驅(qū)動(dòng)力，從而可制造高密度的靶。IV、誘明導(dǎo)電膜的制造下面，說明利用裝設(shè)本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜用靶的濺鍍裝置形成透明導(dǎo)電膜的步驟。將用于形成透明導(dǎo)電膜的濺鍍裝置的腔室內(nèi)的初始真空度調(diào)節(jié)至IXKT6Torr以下之后，調(diào)節(jié)氣體濃度和沉積壓力并在室溫下制造透明導(dǎo)電膜。
接著，上述制造的透明導(dǎo)電膜在氧氣、氮?dú)?、真空或大氣分為中，?00°C以下的溫度中進(jìn)行熱處理。較佳地，在5(T250°C的溫度下，進(jìn)行I飛小時(shí)的熱處理。上述制造的透明導(dǎo)電膜因具有熱穩(wěn)定性可用于透明電子元件，另外，還可用于液晶顯示裝置(IXD)、等離子顯示面板(PDP)、有機(jī)發(fā)光電場顯示裝置(0LED)、觸摸屏(TOUCHSCREEN)等平板顯示裝置或面光源照明裝置等。最佳實(shí)施方式下面，對本發(fā)明的實(shí)施例及比較例進(jìn)行說明。如下實(shí)施例的目的是幫助對本發(fā)明的理解，而非限制本發(fā)明的技術(shù)范圍。實(shí)施例1至實(shí)施例3及比較例1:濺鍍靶的制造<實(shí)施例1>將氮化銦(In(NO3) 3 · 6H20) 1730g 和綠化錫(SnCl4 · 3H20) 36. 5g 溶解于乙醇 60ml之后，作為PH調(diào)節(jié)劑添加超純水并在50°C下攪拌12小時(shí)取得pH3的溶液。接著，向上述溶液添加NH4OH水溶液以使pH變?yōu)?。之后，在40°C條件下反應(yīng)20小時(shí)制造沉淀物。分離上述沉淀物之后，用超純水清洗3次，接著利用120°C的熱風(fēng)進(jìn)行干燥制得粉末。之后，將上述粉末投入電爐并以750°C的溫度熱處理(煅燒)2小時(shí)制得ΙΤ0。另外，上述ITO的平均粒徑和比表面積如下表I所示。表I`
權(quán)利要求
1.一種透明導(dǎo)電膜，相對于透明導(dǎo)電膜總重量，包括 ο. οΓιο重量％的包含從由鉭化合物、鈮化合物及釩化合物構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上物質(zhì)的添加劑 '及 90 99. 99重量％的銦錫氧化物(ITO)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電膜，其特征在于上述添加劑包含從由鉭化合物、鈮化合物及釩化合物構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上物質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電膜，其特征在于上述透明導(dǎo)電膜的透射率為859^100%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電膜，其特征在于上述透明導(dǎo)電膜的電阻率為5χ1(Γ5Ω · cm IxlCT3 Ω · Cm。
5.一種透明導(dǎo)電膜用靶，相對于透明導(dǎo)電膜用靶總重量，包括 ο. οΓιο重量％的包含從由鉭化合物、鈮化合物及釩化合物構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上物質(zhì)的添加劑 '及 90 99. 99重量％的銦錫氧化物(ΙΤ0)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的透明導(dǎo)電膜用靶，其特征在于上述添加劑包含從由鉭化合物、鈮化合物及釩化合物構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上物質(zhì)。
7.—種透明導(dǎo)電膜用靶的制造方法，包括如下步驟 制造包含銦前體和錫前體的溶液； 向上述溶液添加堿性化合物以形成ITO ； 向上述ITO混合包含從由鉭化合物、鈮化合物及釩化合物構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上物質(zhì)的添加劑以形成生坯；及燒結(jié)上述生坯制造濺鍍靶。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的透明導(dǎo)電膜用靶的制造方法，其特征在于 向上述溶液添加堿性化合物以形成ITO的步驟，包括如下步驟； 向上述溶液添加堿性化合物； 在1(T80°C的條件下，將上述添加堿性化合物的溶液反應(yīng)15 25小時(shí)形成沉淀物 '及 在50(T800°C的條件下，對上述沉淀物進(jìn)行1. 5 2. 5小時(shí)的熱處理以形成ΙΤ0。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的透明導(dǎo)電膜用靶的制造方法，其特征在于 向上述ITO混合包含從由鉭化合物、鈮化合物及釩化合物構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上物質(zhì)的添加劑以形成生坯的步驟，包括如下步驟 向上述ITO混合包含從由鉭化合物、鈮化合物及釩化合物構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上物質(zhì)的添加劑以形成第一混合物； 向上述第一混合物混合聚乙烯醇以形成第二混合物；及 對上述第二混合物進(jìn)行濕式球磨以形成漿；及 加壓上述漿以形成生坯。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的透明導(dǎo)電膜用靶的制造方法，其特征在于在燒結(jié)上述生坯制造濺鍍靶的步驟，在1，250^1, 600°C的條件下，將上述生坯燒結(jié)1(Γ20小時(shí)以制造濺鍍靶。
全文摘要
本發(fā)明提供透明導(dǎo)電膜，相對于透明導(dǎo)電膜總重量，包括0.01~10重量%的包含從由鉭化合物、鈮化合物及釩化合物構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上物質(zhì)的添加劑；90~99.99重量%的銦錫氧化物(ITO)。
文檔編號H01B5/14GK103038834SQ201180027656
公開日2013年4月10日 申請日期2011年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月4日
發(fā)明者樸壯愚, 金相熙 申請人:奈米新素材株式會(huì)社