專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
有源矩陣型的液晶顯示裝置一般包括在每個像素作為開關(guān)元件形成有薄膜晶體管(Thin Film Transistor :以下稱為“TFT”)的基板(以下稱為“TFT基板”)；形成有對置電極和彩色濾光片等的對置基板；和設(shè)置在TFT基板與對置基板之間的液晶層。另外，TFT基板也用于有機(jī)EL顯示裝置等其它有源矩陣型顯示裝置。例如，在液晶顯示裝置的TFT基板形成有多個源極配線、多個柵極配線和分別配 置在它們的交叉部的多個TFT、像素電極、輔助電容配線和輔助電容電極等。此外，在TFT基板的端部設(shè)置有用于將源極配線和柵極配線與驅(qū)動電路的輸入端子分別連接的端子。TFT基板的結(jié)構(gòu)例如公開在專利文獻(xiàn)I中。以下參照附圖以專利文獻(xiàn)I公開的液晶顯示裝置的TFT基板的結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說明。圖17 (a)是表示TFT基板的概要的示意性的平面圖，圖17 (b)是表示TFT基板中的一個像素的放大平面圖。此外，圖18是圖17所示的TFT基板的TFT和端子的截面圖。如圖17(a)所示，TFT基板具有多個柵極配線2016和多個源極配線2017。被這些配線2016、2017所包圍的各個區(qū)域2021為“像素”。TFT基板內(nèi)，在位于形成有像素的區(qū)域(顯示區(qū)域)的外緣的區(qū)域2040配置有用于將多個柵極配線2016和源極配線2017的各個與驅(qū)動電路連接的多個連接部2041。各連接部2041構(gòu)成用于與外部配線連接的端子。另夕卜，在本說明書中將配置有多個端子的TFT基板的區(qū)域稱為“端區(qū)域”。如圖17(b)和圖18所示，在成為像素的各區(qū)域2021設(shè)置有像素電極2020。此外，在各區(qū)域2021形成有TFT。TFT具有柵極電極G ;覆蓋柵極電極G的柵極絕緣膜2025、2026 ;配置在柵極絕緣膜2026上的半導(dǎo)體層2019 ;與半導(dǎo)體層2019的兩端部分別連接的源極電極S和漏極電極D。TFT被保護(hù)膜2028覆蓋。在保護(hù)膜2028與像素電極2020之間形成有層間絕緣膜2029。TFT的源極電極S與源極配線2017連接，柵極電極G與柵極配線2016連接。此外，漏極電極D在接觸孔2030內(nèi)與像素電極2020連接。此外，與柵極配線2016平行地形成有輔助電容配線2018。輔助電容配線2018與輔助電容連接。此處，輔助電容包括由與漏極電極相同的導(dǎo)電膜形成的輔助電容電極2018b ;由與源極配線相同的導(dǎo)電膜形成的輔助電容電極2018a ;和位于它們之間的柵極絕緣膜2026。例如，在從柵極配線2016延伸的連接部2041上不形成柵極絕緣膜2025、2026和保護(hù)膜2028，以與連接部2041的上表面接觸的方式形成有連接配線2044。由此能夠確保連接部2041與連接配線2044的電連接。另外，如圖18所示，液晶顯示裝置的TFT基板以夾著液晶層2015與形成有對置電極和彩色濾光片的基板2014相對的方式配置。在制造這樣的TFT基板時，優(yōu)選由共用的工藝形成成為像素的區(qū)域2021 (也稱為“像素部”)和端子，由此抑制掩模數(shù)和工序數(shù)的增大。為了形成圖18所示的TFT基板的端子部，在除去覆蓋由與柵極電極相同的導(dǎo)電層形成的連接部2041的柵極絕緣膜(也存在柵極絕緣膜具有單層構(gòu)造的情況)2025、2026和保護(hù)膜2028之后，需要由與像素電極相同的透明導(dǎo)電層形成連接配線2044。在用于除去柵極絕緣膜(也存在柵極絕緣膜具有單層構(gòu)造的情況)2025、2026和保護(hù)膜2028的蝕刻時，將層間絕緣膜2029用作蝕刻掩模的方法記載于專利文獻(xiàn)2中。另一方面，近年來，提出代替硅半導(dǎo)體層，形成使用氧化鋅等氧化物半導(dǎo)體膜形成TFT的活性層的方案。將這樣的TFT稱為“氧化物半導(dǎo)體TFT”。氧化物半導(dǎo)體具有比非晶硅高的遷移率。因此，氧化物半導(dǎo)體TFT能夠以比非晶硅TFT高的速度動作。此外，氧化物半導(dǎo)體TFT能夠以與非晶硅TFT同樣的工藝制造，具有相比于使用多晶硅的TFT，能夠應(yīng)用于更大面積的顯示裝置的優(yōu)點(例如專利文獻(xiàn)3)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開2008-170664號公報專利文獻(xiàn)2 :日本特開2004-61687號公報專利文獻(xiàn)3 :日本特開2003-298062號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題但是，量產(chǎn)具有氧化物半導(dǎo)體TFT的顯示裝置還沒有得到實現(xiàn)，急需確立量產(chǎn)的技術(shù)。本發(fā)明鑒于上述問題提出，其目的在于提供適合量產(chǎn)具有氧化物半導(dǎo)體TFT的顯示裝置等半導(dǎo)體裝置的制造方法和由該制造方法制造的半導(dǎo)體裝置。解決問題的方案本發(fā)明的實施方式中的半導(dǎo)體裝置包括基板；在上述基板上形成的薄膜晶體管；具有第一連接部的柵極配線；具有第二連接部的源極配線；和將上述薄膜晶體管和外部配線電連接的第一端子和第二端子，其中，上述薄膜晶體管包括在上述柵極配線上形成的絕緣膜；在上述絕緣膜上形成的、具有溝道區(qū)域和分別位于上述溝道區(qū)域的兩側(cè)的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的島狀的氧化物半導(dǎo)體層；與上述源極區(qū)域電連接的上述源極配線；和與上述漏極區(qū)域電連接的漏極電極，上述半導(dǎo)體裝置還包括在上述源極配線和漏極電極上設(shè)置且覆蓋上述薄膜晶體管的保護(hù)膜；和在上述保護(hù)膜上形成且以與上述漏極電極接觸的方式形成的像素電極，上述第一端子包括由與上述柵極配線相同的導(dǎo)電膜形成的第一柵極端子部；和在上述絕緣膜上形成且由與上述像素電極相同的導(dǎo)電膜形成的第一像素電極配線，上述第一像素電極配線在設(shè)置于上述絕緣膜的第一開口部內(nèi)與上述第一柵極端子部接觸，并且覆蓋上述第一開口部中的上述絕緣膜的端面，而且與上述第一連接部電連接，上述第二端子包括由與上述柵極配線相同的導(dǎo)電膜形成的第二柵極端子部；和在上述絕緣膜上形成且由與上述像素電極相同的導(dǎo)電膜形成的第二像素電極配線，上述第二像素電極配線在設(shè)置于上述絕緣膜的第二開口部內(nèi)與上述第二柵極端子部接觸，并且覆蓋上述第二開口部中的上述絕緣膜的端面，而且與上述第二連接部電連接。
在某實施方式中，上述半導(dǎo)體裝置還具有設(shè)置于上述絕緣膜內(nèi)的開口區(qū)域，上述開口區(qū)域在上述第一端子與上述第一連接部之間和上述第二端子與上述第二連接部之間的至少任意一者形成。在某實施方式中，上述輔助電容配線的一部分在上述開口區(qū)域與上述第一端子之間和上述開口區(qū)域與上述第二端子之間的至少任意一者形成。本發(fā)明的另一實施方式的半導(dǎo)體裝置包括基板；在上述基板上形成的薄膜晶體管；柵極配線；源極配線；連接部；和將上述薄膜晶體管和外部配線電連接的第一端子和第二端子，其中，上述薄膜晶體管包括在上述柵極配線上形成的絕緣膜；在上述絕緣膜上形成的、具有溝道區(qū)域和分別位于上述溝道區(qū)域的兩側(cè)的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的島狀的氧化物半導(dǎo)體層；與上述源極區(qū)域電連接的上述源極配線；和與上述漏極區(qū)域電連接的漏極電極，上述半導(dǎo)體裝置還具有在上述源極配線和上述漏極電極上設(shè)置且覆蓋上述薄膜晶體管的保護(hù)膜；和在上述保護(hù)膜上形成且以與上述漏極電極接觸的方式形成的像素電極，上述第一端子包括在上述柵極配線的一部分形成的柵極端子部；和在設(shè)置于上述絕緣膜和上述保護(hù)膜的第一開口部內(nèi)與上述柵極端子部接觸，并且，由與上述像素電極相同的導(dǎo)電 膜形成的第一像素電極配線，上述第一像素電極配線覆蓋上述第一開口部中的上述絕緣膜和上述保護(hù)膜的端面，上述連接部包括由與上述柵極配線相同的導(dǎo)電膜形成的源極端子連接配線；在上述源極端子連接配線上形成的上述絕緣膜；在上述絕緣膜上形成的上述源極配線和上述保護(hù)膜；和在上述保護(hù)膜上形成且由與上述像素電極相同的導(dǎo)電膜形成的第二像素電極配線，上述第二像素電極配線在設(shè)置于上述絕緣膜和上述保護(hù)膜的第二開口部內(nèi)與上述源極端子連接配線和上述源極配線電連接，上述第二端子包括上述源極端子連接配線；和在上述源極端子連接配線和上述絕緣膜上形成且由與上述像素電極相同的導(dǎo)電膜形成的第三像素電極配線，上述第三像素電極配線在設(shè)置于上述絕緣膜的第三開口部內(nèi)與上述源極端子連接配線接觸，并且覆蓋上述第三開口部中的上述絕緣膜的端面，上述源極端子連接配線將上述第二端子和上述連接部電連接。在某實施方式中，上述半導(dǎo)體裝置在位于上述連接部與上述第二端子之間的上述保護(hù)膜的端面內(nèi)，在位于上述第二端子側(cè)的上述絕緣膜側(cè)的端面的一部分形成有凹部。在某實施方式中，上述凹部的高度與上述氧化物半導(dǎo)體層的厚度相等。本發(fā)明的實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法制造上述半導(dǎo)體裝置，其包括(A)在基板上形成柵極配線用導(dǎo)電膜，將其圖案化，由此形成柵極配線、第一柵極端子部和第二柵極端子部的工序；(B)在上述柵極配線、上述第一柵極端子部和第二柵極端子部上形成絕緣膜的工序；(C)在上述絕緣膜上，在上述第一柵極端子部和第二柵極端子部各自的周緣形成氧化物半導(dǎo)體層的工序；(D)在上述絕緣膜上形成源極配線的工序；(E)形成覆蓋包括上述第一柵極端子部和第二柵極端子部的端子區(qū)域以外的區(qū)域的保護(hù)膜的工序；(F)通過將上述氧化物半導(dǎo)體層作為掩模進(jìn)行上述絕緣膜的蝕刻，在上述第一柵極端子部和第二柵極端子部上的各個上述絕緣膜，形成使上述第一柵極端子部的表面露出的第一開口部和使第二柵極端子部的表面露出的第二開口部，并且，通過蝕刻上述絕緣膜和上述保護(hù)膜，在上述柵極配線上的上述絕緣膜和上述保護(hù)膜形成第三開口部，并且，通過蝕刻上述保護(hù)膜，在上述源極配線上的上述保護(hù)膜形成第四開口部的工序；(G)通過蝕刻來除去上述氧化物半導(dǎo)體層的工序；和(H)形成第一像素電極配線和第二像素電極配線的工序，該第一像素電極配線在上述絕緣膜上形成，在上述第一開口部內(nèi)與上述第一柵極端子部電連接，并且在上述第三開口部內(nèi)與上述柵極配線電連接，該第二像素電極配線在上述絕緣膜上形成，在上述第二開口部內(nèi)與上述第二柵極端子部電連接，并且在上述第四開口部內(nèi)與上述源極配線電連接。在某實施方式中，上述工序(A)包括下述工序通過將上述柵極配線用導(dǎo)電膜圖案化，在上述第一柵極端子部與上述柵極配線之間和上述第二柵極端子部的上述柵極配線側(cè)的至少任意一者形成輔助電容配線的一部分。在某實施方式中，上述工序(F)包括下述工序在上述柵極配線與上述第一柵極端子部之間和上述源極配線與上述第二柵極端子部之間的至少任意一者的上述絕緣膜形成開口區(qū)域。在某實施方式中，上述工序(G)包括通過濕式蝕刻除去上述端子區(qū)域的氧化物半導(dǎo)體層的工序。 在某實施方式中，上述工序(H)包括下述工序以覆蓋上述第一開口部中的上述絕緣膜的端面的方式形成上述第一像素電極配線，以覆蓋上述第二開口部中的上述絕緣膜的端面的方式形成上述第二像素電極配線。本發(fā)明的另一實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法制造上述半導(dǎo)體裝置，其包括(A)在基板上形成柵極配線用導(dǎo)電膜，將其圖案化，由此形成柵極配線和源極端子連接配線的工序；(B)在上述柵極配線和上述源極端子連接配線上形成絕緣膜的工序；(C)在上述源極端子連接配線上并且在上述絕緣膜上形成氧化物半導(dǎo)體層的工序；(D)在上述絕緣膜上形成源極配線的工序；(E)形成覆蓋上述柵極配線和上述源極配線的保護(hù)膜的工序；(F)通過將上述氧化物半導(dǎo)體層作為掩模進(jìn)行上述絕緣膜的蝕刻，在上述源極端子連接配線上的上述絕緣膜，形成使上述源極端子連接配線的表面露出的第一開口部的工序；(G)通過蝕刻來除去上述源極端子連接配線上的上述氧化物半導(dǎo)體層的工序；和(H)形成第一像素電極配線，該第一像素電極配線在上述絕緣膜上形成，在上述第一開口部內(nèi)與上述源極端子連接配線接觸，將上述源極端子連接配線和上述源極配線電連接的工序。在某實施方式中，包括以覆蓋上述第一開口部中的上述絕緣膜的端面的方式形成上述第一像素電極配線的工序。在某實施方式中，上述工序(F)包括在上述源極配線上的上述保護(hù)膜以及上述第一源極端子連接配線上的上述保護(hù)膜和上述絕緣膜形成第二開口部的工序，上述工序
(H)包括形成第二像素電極配線的工序，該第二像素電極配線在上述保護(hù)膜上形成，在上述第二開口部內(nèi)將上述源極配線和上述源極端子連接配線電連接。在某實施方式中，上述工序(G)包括通過濕式蝕刻除去上述源極端子連接配線上的上述氧化物半導(dǎo)體層，由此在上述源極端子連接配線上的上述保護(hù)膜的端面內(nèi)，在位于上述第一開口部側(cè)的上述絕緣膜側(cè)的部分形成凹部的工序。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供適于量產(chǎn)具有氧化物半導(dǎo)體TFT的顯示裝置等半導(dǎo)體裝置的制造方法和由這樣的制造方法制造的半導(dǎo)體裝置。特別的是，在具有TFT和將TFT的電極和外部配線連接的端子的TFT基板中，能夠提高TFT基板的可靠性。


圖I (a)是本發(fā)明的實施方式的TFT基板100A、100B的顯示區(qū)域的示意性的平面圖，圖1(b)是用于說明TFT基板100A的柵極端子的示意性的平面圖，圖1(c)是用于說明TFT基板100A的源極端子的示意性的平面圖。圖2(a)是沿圖1(a)的A_A’線的示意性的截面圖，圖2 (b)是沿圖1(a)的B_B’線的示意性的截面圖，圖2 (c)是沿圖I (b)的C-C’線的示意性的截面圖，圖2 (d)是沿圖I (c)的D-D’線的示意性的截面圖。圖3(a)是用于說明TFT基板100B的柵極端子的示意性的平面圖，圖3 (b)是用于說明TFT基板100B的源極端子的示意性的平面圖，圖3(c)是沿圖3(a)的E-E’線的示意性的截面圖，圖3(d)是沿圖3(b)的F-F’線的示意性的截面圖。圖4(a) (e)是用于說明TFT基板100A、100B的TFT和輔助電容的制造工序的 示意性的截面圖。圖5 (a) (e)是用于說明TFT基板100A的柵極端子的制造工序的示意性的截面圖。圖6 (a) (f)是用于說明TFT基板100A的源極端子的制造工序的示意性的截面圖。圖7 (a) (C)是用于說明TFT基板100B的柵極端子的制造工序的示意性的截面圖。圖8 (a) (f)是用于說明TFT基板100B的源極端子的制造工序的示意性的截面圖。圖9(a)是用于說明比較例I的TFT基板500的柵極端子的示意性的平面圖，圖9(b)是用于說明TFT基板500的源極端子的示意性的平面圖，圖9 (c)是沿圖9(a)的G-G’線的示意性的截面圖，圖9(d)是沿圖9(b)的H-H’線的示意性的截面圖。圖10(a)和圖10(b)是用于說明TFT基板500的棚極端子的制造工序的不意性的截面圖。圖11 (a)和圖11 (b)是用于說明TFT基板500的源極端子的制造工序的示意性的截面圖。圖12 (a)是用于說明比較例2的TFT基板600的源極端子的示意性的平面圖，圖12(b)是沿圖12(a)的1-1’線的示意性的截面圖。圖13 (a)和圖13 (b)是用于說明TFT基板600的源極端子的制造工序的示意性的截面圖。圖14(a)是用于說明比較例3的TFT基板700的柵極端子的示意性的平面圖，圖14(b)是用于說明TFT基板700的源極端子的示意性的平面圖，圖14(c)是沿圖14(a)的J-J’線的示意性的截面圖，圖14(d)是沿圖14(b)的K-K’線的示意性的截面圖。圖15 (a)和圖15 (b)是用于說明TFT基板700的柵極端子的制造工序的示意性的截面圖。圖16 (a)和圖16 (b)是用于說明TFT基板700的源極端子的制造工序的示意性的截面圖。圖17(a)是表示現(xiàn)有的TFT基板的概要的示意性的平面圖，圖17(b)是表示圖17 (a)的TFT基板的一個像素的放大平面圖。圖18是圖17所示的TFT基板的TFT和端子的示意性的截面圖。
具體實施例方式本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)氧化物半導(dǎo)體層與非晶硅層相比能夠更容易有選擇地除去，想到了包括將氧化物半導(dǎo)體層用作蝕刻掩模來除去覆蓋端子部的導(dǎo)電層的絕緣膜的工序的半導(dǎo)體裝置的制造方法。以下，參照

本發(fā)明的實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法和由該制造方法制造的半導(dǎo)體裝置(此處為TFT基板)的結(jié)構(gòu)。本實施方式的TFT基板只要形成有至少一個氧化物半導(dǎo)體TFT即可，包括各種顯示裝置的TFT基板。
此處，以具有氧化物半導(dǎo)體TFT作為開關(guān)元件的液晶顯示裝置的TFT基板100A、100B及其制造方法為例進(jìn)行說明。TFT基板100AU00B具有包括多個像素部的顯示區(qū)域101 ;位于TFT基板100A、100B的大致外緣的端子區(qū)域102。本實施方式中，在顯示區(qū)域101的各像素部形成氧化物半導(dǎo)體TFT和輔助電容Cs，第一端子(例如柵極端子)和第二端子(例如源極端子)形成于端子區(qū)域102。圖I (a) (C)是用于說明本實施方式的TFT基板100A的示意性的平面圖，圖2 (a)是沿圖1(a)的A-A’線的示意性的截面圖，圖2(b)是沿圖1(a)的B_B’線的示意性的截面圖，圖2(c)是沿圖1(b)的C-C’線的示意性的截面圖，圖2(d)是沿圖1(c)的D-D’線的示意性的截面圖。另外，對TFT基板共用的構(gòu)成要素標(biāo)注相同附圖標(biāo)記。首先，如圖I所示，TFT基板100A具有TFT、具有第一連接部30a的柵極配線3a、具有第二連接部30b的源極配線13as、輔助電容配線3b、第一端子40a和第二端子40b。如圖1(a)和圖2(a)所示，TFT具有柵極配線3a ;在柵極配線3a上形成的絕緣膜(柵極絕緣膜)5 ;在絕緣膜5上形成的氧化物半導(dǎo)體層7a ;在氧化物半導(dǎo)體層7a上形成的源極配線13as和漏極電極13ad。在氧化物半導(dǎo)體層7a、源極配線13as和漏極電極13ad上形成有保護(hù)膜25。在本實施方式中，保護(hù)膜25包括下層的保護(hù)膜25a和上層的保護(hù)膜25b。在保護(hù)膜25形成有開口部27’，TFT的漏極電極13ad在開口部27’內(nèi)與形成在保護(hù)膜25上的像素電極29電連接。如圖1(a)和圖2(b)所示，輔助電容Cs具有輔助電容配線3b、在輔助電容配線3b上形成的絕緣膜5和在絕緣膜5上形成的輔助電容電極13cs。而且，在輔助電容電極13cs上形成有保護(hù)膜25。此外，在輔助電容電極13cs上的保護(hù)膜25形成有開口部27”，輔助電容Cs的輔助電容電極13cs在開口部27”內(nèi)與像素電極29電連接。如圖1(b)和圖2(c)所示，第一連接部30a在柵極配線3a的一部分形成，并且在設(shè)置于絕緣膜5和保護(hù)膜25的開口部27a內(nèi)與第一像素電極配線29a電連接，該第一像素電極配線29a由與像素電極29相同的導(dǎo)電膜形成。此外，第一像素電極配線29a在保護(hù)膜25上形成，并且覆蓋開口部27a中的絕緣膜5和保護(hù)膜25的端面。而且，第一像素電極配線29a將第一連接部30a和后述的第一端子40a電連接。第一端子40a具有由與柵極配線3a相同的導(dǎo)電膜形成的第一柵極端子部41a ；和在絕緣膜5上形成，并且由與像素電極29相同的導(dǎo)電膜形成的第一像素電極配線29a。此夕卜，第一像素電極配線29a在設(shè)置于絕緣膜5的開口部27c內(nèi)與第一柵極端子部41a接觸，并且覆蓋開口部27c中的絕緣膜5的端面。第一端子40a是將外部配線和TFT基板100A電連接的端子。如圖1(c)和圖2(d)所示，第二連接部30b在源極配線13as的一部分形成，并且在設(shè)置于保護(hù)膜25的開口部27b內(nèi)與第二像素電極配線29b電連接，該第二像素電極配線29b由與像素電極29相同的導(dǎo)電膜形成。此外，第二像素電極配線29b在保護(hù)膜25上形成，并且覆蓋開口部27b中的保護(hù)膜25的端面。而且，第二像素電極配線29b將第二連接部30b和后述的第二端子40b電連接。第二端子40b具有由與柵極配線3a相同的導(dǎo)電膜形成的第二柵極端子部41b ；和在絕緣膜5上形成，并且由與像素電極29相同的導(dǎo)電膜形成的第二像素電極配線29b。此夕卜，第二像素電極配線29b在設(shè)置于絕緣膜5的開口部27d內(nèi)與第二柵極端子部41b接觸，
并且覆蓋開口部27d中的絕緣膜5的端面。第二端子40b是將外部配線和TFT基板100A電連接的端子。如圖1(b)、圖I (C)、圖2(c)和圖2(d)所示，TFT基板100A還具有設(shè)置于絕緣膜5內(nèi)的開口區(qū)域27e。開口區(qū)域27e形成在第一端子40a與第一連接部30a之間以及第二端子40b與第二連接部30b之間。從TFT基板100A的法線方向看,位于第一端子40a與第一連接部30a之間的第一開口區(qū)域27el沿行方向延伸，位于第二端子40b與第二連接部30b之間的第二開口區(qū)域27e2沿列方向延伸。有僅形成第一開口區(qū)域27el和第二開口區(qū)域27e2中的任意一者的情況，也有這兩區(qū)域均沒有形成的情況。進(jìn)一步，輔助電容配線3b的一部分形成在第一開口區(qū)域27el與第一端子40a之間以及第二開口區(qū)域27e2與第二端子40b之間。有輔助電容配線3b的一部分僅形成在以上兩者中的任意一者的情況，也有輔助電容配線3b的一部分在以上兩者中均沒有形成的情況。另外，在圖I和圖2中，為了簡單，在顯示區(qū)域101中各表示一個像素電極29、輔助電容Cs和TFT,但TFT基板通常具有多個像素部,在多個像素部的各個中配置像素電極29、輔助電容Cs和TFT。此外，在端子區(qū)域102中形成與源極配線13as和柵極配線3a數(shù)量相同的端子40a、40b。以下TFT基板100B也是同樣的。接著，參照圖1(a)、圖2(a)、圖2(b)和圖3說明另一實施方式的TFT基板100B。圖3(a)是用于說明TFT基板100B的柵極端子的示意性的平面圖，圖3 (b)是用于說明TFT基板100B的源極端子的示意性的平面圖，圖3(c)是沿圖3(a)的E-E’線的示意性的截面圖，圖3(d)是沿圖3(b)的F-F’線的示意性的截面圖。如圖I (a)、圖2(a)、圖2(b)和圖3所示，TFT基板100B具有TFT、柵極配線3a、源極配線13as、輔助電容配線3b、連接部30c、第一端子40c和第二端子40d。如圖I (a)和圖2 (a)所示，TFT基板100B所具有的TFT具有與TFT基板100A的TFT相同的結(jié)構(gòu)。如圖I (a)和圖2 (b)所示，TFT基板100B所具有的輔助電容Cs具有與TFT基板100A的輔助電容Cs相同的結(jié)構(gòu)。如圖3(a)和圖3(c)所示，第一端子(例如柵極端子)40c具有在柵極配線3a的一部分形成的柵極端子部41c;和由與像素電極29相同的導(dǎo)電膜形成的像素電極配線29c。像素電極配線29c在設(shè)置于絕緣膜5和保護(hù)膜25的開口部27f內(nèi)與柵極端子部41c接觸，并且覆蓋開口部27f中的絕緣膜5和保護(hù)膜25的端面。第一端子40c是將外部配線和TFT基板IOOB電連接的端子。如圖3(b)和圖3(d)所示，第二端子(例如源極端子)40d具有源極端子連接配線41d ;和由與像素電極29相同的導(dǎo)電膜形成的像素電極配線29d。像素電極配線29d在設(shè)置于絕緣膜5的開口部27g內(nèi)與源極端子連接配線41d接觸，并且覆蓋開口部27g中的絕緣膜5的端面。第二端子40d是將外部配線和TFT基板100B電連接的端子。連接部30c包括源極端子連接配線41d ;在源極端子連接配線41d上形成的絕緣膜5 ;在絕緣膜5上形成的源極配線13as ;在源極配線13as上形成的保護(hù)膜25 ;由與像素電極29相同的導(dǎo)電膜形成的像素電極配線29e。像素電極配線29e在設(shè)置于絕緣膜5、源極配線13as和保護(hù)膜25的開口部27h內(nèi)與源極端子連接配線41d和源極配線13as接觸，并且覆蓋開口部27h中的絕緣膜5、源極配線13as和保護(hù)膜25的端面。進(jìn)一步，連接部30c通過源極端子連接配線41d與上述第二端子40d電連接。進(jìn)一步，在源極端子連接配線41d上的絕緣膜25的端面中的位于第二端子40d側(cè) 的絕緣膜5側(cè)的一部分形成有凹部O。凹部ο的高度與圖2(a)所示的氧化物半導(dǎo)體層7a的厚度相等。凹部ο的高度例如為30nm以上300nm以下。柵極配線3a、輔助電容配線3b、第一柵極端子部41a、第二柵極端子部41b、柵極端子部41c和源極端子連接配線41d具有例如由TiN(氮化鈦)/Ti (鈦)/Α1(鋁)(Al為最下層)形成的疊層構(gòu)造。柵極配線3a、輔助電容配線3b、第一柵極端子部41a、第二柵極端子部41b、柵極端子部41c和源極端子連接配線41d的厚度例如為150nm以上600nm以下。源極配線13as、漏極電極13ad和輔助電容電極13cs由MoN(氮化鑰)/Α1/ΜοΝ形成且具有疊層構(gòu)造。源極配線13as、漏極電極13ad和輔助電容電極13cs的厚度例如為150nm以上600nm以下。此外，柵極配線3a、輔助電容配線3b、第一柵極端子部41a、第二柵極端子部41b、柵極端子部41c、源極端子連接配線41d、源極配線13as、漏極電極13ad和輔助電容電極13cs例如使用高熔點金屬W(鎢)、Ti、Ta(鉭)、Mo、或它們的合金材料、或氮化物材料的任意一種、或Cu (銅)、或Al而形成。進(jìn)一步，柵極配線3a、輔助電容配線3b、第一柵極端子部41a、第二柵極端子部41b、柵極端子部41c、源極端子連接配線41d、源極配線13as、漏極電極13ad和輔助電容電極13cs也可以具有單層構(gòu)造。絕緣膜5例如由厚度為約400nm的SiO2膜形成。另外，絕緣膜5也可以例如為包括SiO2膜的單層，也可以具有以SiNx膜為下層、以SiO2膜為上層的疊層構(gòu)造。在為包括SiO2膜的單層的情況下，SiO2膜的厚度優(yōu)選為300nm以上500nm以下。在具有包括SiNx膜(下層)和SiO2膜(上層)的疊層構(gòu)造的情況下，SiNx膜的厚度優(yōu)選為200nm以上500nm以下，SiO2膜的厚度優(yōu)選為20nm以上150nm以下。氧化物半導(dǎo)體層7a例如由厚度為30nm以上300nm以下的In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體(IGZO)膜形成。另外，代替IGZO膜，也可以使用其它的氧化物半導(dǎo)體膜形成氧化物半導(dǎo)體層。保護(hù)膜25具有以厚度為約150nm的SiO2膜為下層25a，以厚度為約IOOOnm以上4000nm以下的感光性的有機(jī)絕緣膜為上層25b的疊層構(gòu)造。此外，也可以例如由SiO2膜、SiNx膜形成保護(hù)膜25的下層25a和上層25b。進(jìn)一步，保護(hù)膜25也可以具有例如由SiO2膜、SiNx膜形成的單層構(gòu)造。像素電極29和像素電極配線29a 29e例如由ITO (Indium TinOxide，銦錫氧化物)膜等透明導(dǎo)電膜形成。TFT基板100A、100B所具有的各個端子中，各個端子所具有的像素電極配線不產(chǎn)生斷線，而且由像素電極配線覆蓋端子的開口部中的絕緣膜的端面，因此，將外部配線和端子連接的TAB的密接性高。結(jié)果TFT基板具有高可靠性，具有這樣的TFT基板的液晶顯示裝直的顯不品質(zhì)穩(wěn)定。接著，說明TFT基板100A和100B的制造方法。另外，對TFT基板共用的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略重復(fù)說明。參照圖4 圖6說明TFT基板100A的制造方法。圖4(a) (e)是用于說明TFT基板100A、100B的TFT和輔助電容的制造工序的示意性的截面圖。圖5(a) (e)是用于說明TFT基板100A的柵極端子的制造工序的示意性的截面圖。圖6(a) (f)是用于說明TFT基板100A的源極端子的制造工序的示意性的截面圖。如圖4(a)、圖5(a)和圖6(a)所示，在基板I上形成柵極配線用導(dǎo)電膜，將其圖案 化，由此在基板I內(nèi)，在要形成TFT的區(qū)域(TFT形成區(qū)域)IOla形成柵極配線3a，在要形成輔助電容Cs的區(qū)域(輔助電容形成區(qū)域)IOlb形成輔助電容配線3b，在要形成柵極端子的區(qū)域(柵極端子形成區(qū)域)102c形成第一柵極端子部41a，在要形成源極端子的區(qū)域(源極端子形成區(qū)域)102d形成第二柵極端子部41b。另外，TFT形成區(qū)域IOla和輔助電容形成區(qū)域IOlb分別位于顯示區(qū)域101內(nèi)的各像素部，柵極端子形成區(qū)域102c例如位于在位于基板的周緣的端子區(qū)域102內(nèi)的沿行方向延伸的區(qū)域，源極端子形成區(qū)域102d例如位于在位于基板的周緣的端子區(qū)域102內(nèi)的沿列方向延伸的區(qū)域。此外，柵極配線3a延伸設(shè)置至柵極端子形成區(qū)域102c附近。在柵極配線3a內(nèi)，在柵極端子形成區(qū)域102c附近形成第一連接部30a。而且，在柵極端子形成區(qū)域102c附近和源極端子形成區(qū)域102d附近形成輔助電容配線3b的一部分。有這些輔助電容配線13b的一部分僅形成在該兩者中的任意一者的情況，也有這些輔助電容配線13b的一部分在該兩者均沒有形成的情況。柵極配線3a、輔助電容配線3b、第一柵極端子部41a、第二柵極端子部41b，通過在基板I上利用濺射法等例如形成厚度為150nm以上600nm以下的金屬膜(例如TiN/Al/Ti膜)之后，將金屬膜圖案化而形成。金屬膜的圖案化是通過公知的光刻形成抗蝕劑掩模，將沒有被抗蝕劑掩模覆蓋的部分使用氯類的氣體進(jìn)行干式蝕刻(RIE法Reactive IonEtching法，反應(yīng)離子蝕刻)除去。之后將抗蝕劑掩模從基板I剝離。接著，如圖4 (b)、圖5 (b)和圖6 (b)所示，以覆蓋柵極配線3a、輔助電容配線3b和第一柵極端子部41a、第二柵極端子部41b的方式形成絕緣膜(柵極絕緣膜)5。在本實施方式中，作為絕緣膜5例如通過CVD法形成厚度為約400nm的SiO2膜。接著，如圖4 (C)、圖5(c)和圖6(c)所示，在絕緣膜5上，在TFT形成區(qū)域IOla形成成為TFT的溝道層的島狀的氧化物半導(dǎo)體層7a，在柵極端子形成區(qū)域102c和源極端子形成區(qū)域102d分別形成島狀的氧化物半導(dǎo)體層7b、7c。柵極端子形成區(qū)域102c的島狀的氧化物半導(dǎo)體層7b、7c在第一柵極端子部41a的周緣形成。源極端子形成區(qū)域102d的島狀的氧化物半導(dǎo)體層7b、7c在第二柵極端子部41b的周緣形成。氧化物半導(dǎo)體層7a、7b、7c能夠如下所述地形成。首先，使用濺射法在絕緣膜5上形成例如厚度為30nm以上300nm以下的In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體(IGZO)膜。之后通過光刻形成覆蓋IGZO膜的規(guī)定區(qū)域的抗蝕劑掩模。接著，通過濕式蝕刻除去IGZO膜中沒有被抗蝕劑掩模覆蓋的部分。之后剝離抗蝕劑掩模。這樣得到島狀的氧化物半導(dǎo)體層7a、7b、7c。另外，代替IGZO膜，也可以使用其它的氧化物半導(dǎo)體膜來形成氧化物半導(dǎo)體層7a、7b、7c。
接著，在基板I的整個表面形成導(dǎo)電膜。本實施方式中，例如通過濺射法，形成例如厚度為150nm以上600nm以下的MoN/Al/Ti膜等金屬膜。之后例如通過光刻，進(jìn)行金屬膜的圖案化。在進(jìn)行圖案化時使用磷酸/醋酸/硝酸蝕刻MoN/Al。之后通過使用氯類氣體的干式蝕刻(RIE法)蝕刻Ti。由此，如圖4(d)和圖6(d)所示，在TFT形成區(qū)域IOla中，以在絕緣膜5上與氧化物半導(dǎo)體層7a中位于成為溝道區(qū)域的區(qū)域的兩側(cè)的區(qū)域分別接觸的方式，形成源極配線13as和漏極電極13ad。在輔助電容形成區(qū)域IOlb中，在絕緣膜5上形成輔助電容電極13cs。源極配線13as延伸設(shè)置至源極端子形成區(qū)域102d附近，在其附近的源極配線的一部分形成第二連接部30b。這樣，在TFT形成區(qū)域IOla形成氧化物半導(dǎo)體TFT，在輔助電容形成區(qū)域102b形成輔助電容Cs。接著，以覆蓋TFT和Cs的方式，使保護(hù)膜25a沉積在基板I的整個表面。在本實施方式中，作為保護(hù)膜25a，通過CVD法形成SiO2膜等氧化物膜(厚度例如為約265nm)。絕緣膜25a可以是例如包括SiO2膜的單層，也可以具有以SiO2膜為下層、以SiNx膜為上層的疊層構(gòu)造。在為包括SiO2膜的單層的情況下，SiO2膜的厚度優(yōu)選為50nm以上300nm以下。在具有包括SiO2膜(下層)和SiNx膜(上層)的疊層構(gòu)造的情況下，SiO2膜的厚度優(yōu)選為50nm以上150nm以下，SiNx膜的厚度優(yōu)選為50nm以上200nm以下。接著，以覆蓋除漏極電極13ad上的開口部、輔助電容電極13cs上的成為開口部的區(qū)域以及柵極端子區(qū)域102c、源極端子區(qū)域102d以外的區(qū)域的方式，在保護(hù)膜25a上形成保護(hù)膜25b。保護(hù)膜25b例如是通過光刻法形成感光性的有機(jī)絕緣膜(厚度例如為約IOOOnm 以上 4000nm 以下)。接著，將保護(hù)膜25b作為掩模，進(jìn)行下層的保護(hù)膜25a的圖案化。由此，如圖4(e)、圖5(d)和圖6(e)所示，在TFT形成區(qū)域101a，在保護(hù)膜25a形成使漏極電極13ad的表面露出的開口部27’。此外，在輔助電容形成區(qū)域101b，在保護(hù)膜25a形成使輔助電容電極13ad的表面露出的開口部27”。此外，在柵極端子形成區(qū)域102c，氧化物半導(dǎo)體層7b、7c成為掩模，以使第一柵極端子部41a的表面露出的方式形成開口部27c。同樣地，在源極端子形成區(qū)域102d，氧化物半導(dǎo)體層7b、7c成為掩模，以使第二柵極端子部41b的表面露出的方式形成開口部27d。此處，絕緣膜5的蝕刻速率大于氧化物半導(dǎo)體層7b、7c的蝕刻速率，因此在開口部27c和27d內(nèi)，絕緣膜5的端面形成在氧化物半導(dǎo)體層7b、7c之下。此外，在柵極端子形成區(qū)域102c中，在第一連接部30a與第一柵極端子部41a之間的絕緣膜5中沒有被氧化物半導(dǎo)體層7b覆蓋的部分，形成開口區(qū)域27el。同樣地，在源極端子形成區(qū)域102d中，在第二連接部30b與第二柵極端子部41b之間的絕緣膜5中沒有被氧化物半導(dǎo)體層7b覆蓋的部分形成開口區(qū)域27e2。接著，如圖5(e)和圖6(f)所示，通過濕式蝕刻除去柵極端子形成區(qū)域102c和源極端子形成區(qū)域102d的氧化物半導(dǎo)體層7b、7d。濕式蝕刻的具體條件是，溫度為30°C以上60°C以下，使用濃度為5%以上50%以下的草酸液，處理時間為10秒以上300秒以下。此夕卜，草酸液由噴淋頭散布。當(dāng)在該條件下進(jìn)行濕式蝕刻時，絕緣膜5不被蝕刻，容易進(jìn)行絕緣膜5的剩余膜控制。另外，當(dāng)使用非晶硅層代替氧化物半導(dǎo)體層7b、7c作為掩模，之后通過蝕刻除去非晶硅層時，絕緣膜5也被蝕刻。絕緣膜5的蝕刻速率大于非晶硅層的蝕刻速率，因此絕緣膜5的剩余膜控制變得困難。即，半導(dǎo)體層用作蝕刻掩模的上述工藝，是基于氧化物半導(dǎo)體層與非晶硅層相比能夠有更容易選擇性地除去這樣的見解而開始實現(xiàn)的。接著，在保護(hù)膜25上和開口部17b、17c內(nèi)形成透明導(dǎo)電膜，進(jìn)行透明導(dǎo)電膜的圖案化。在本實施方式中，例如通過濺射法沉積透明導(dǎo)電膜。作為透明導(dǎo)電膜例如使用ITO膜(厚度為50nm以上200nm以下)。接著，通過公知的光刻以公知的方法進(jìn)行ITO膜的圖案化。由此，如圖2(a) (d)所示，形成與漏極電極13ad和輔助電容電極13cs接觸的像素電極29 ;與第一連接部30a和第一柵極端子部41a接觸的像素電極配線29a ;與第二連接部30b和第二柵極端子部41b接觸的像素電極配線29b。像素電極29在每個像素分離配置。像素電極配線29a、29b覆蓋開口部27a、27b內(nèi)的絕緣膜5和保護(hù)膜25的端面以及開口部27c、27d內(nèi)的絕緣膜5的端面。利用像素電極配線29a，第一連接部30a和第一柵極端子部 41a電連接。同樣地，利用像素電極配線29b，第二連接部30b和第二柵極端子部41b電連接。這樣，在柵極端子形成區(qū)域102c形成柵極端子40a，在源極端子形成區(qū)域102d形成源極端子40b。此外，在上述TFT基板100A的制造工序中，除去端子區(qū)域102內(nèi)的氧化物半導(dǎo)體層7b、7c，因此在例如圖2(c)和圖2(d)所示的開口部27j、27k內(nèi)不形成氧化物半導(dǎo)體層7b,7c的端面，在其上形成的像素電極配線29a、29b不產(chǎn)生斷線。此外，像素電極配線29a、29b以覆蓋開口部27c、27d內(nèi)的絕緣膜5的端面的方式形成，因此不會發(fā)生由于將源極端子40a、柵極端子40b和外部配線連接的TAB的密接性下降而導(dǎo)致的剝離、壓接面積的不均等TAB壓接不良的情況，TFT基板的可靠性提高。結(jié)果，例如具有這樣的TFT基板的液晶顯示裝直的顯不品質(zhì)穩(wěn)定。接著，參照圖7和圖8說明TFT基板100B的制造方法。另外，TFT和輔助電容Cs與TFT基板100A是共同的，因此省略說明，對于共用的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的參照附圖標(biāo)記。圖7(a) (c)是用于說明TFT基板100B的柵極端子的制造工序的示意性的截面圖。圖8(a) (f)是用于說明TFT基板100B的源極端子的制造工序的示意性的截面圖。如圖7(a)和圖8(a)所示，在基板I上形成例如厚度為150nm以上600nm以下的柵極配線用導(dǎo)電膜，將其圖案化，由此在基板I內(nèi)，在柵極端子形成區(qū)域102c形成柵極端子部41c，在源極端子形成區(qū)域102d形成源極端子連接配線41d。另外，柵極端子部41c在延伸設(shè)置至柵極端子形成區(qū)域102c的未圖示的柵極配線3a的一部分形成。柵極端子部41c和源極端子連接配線41d通過在基板I上利用光刻法等形成金屬膜(例如TiN/Al/Ti膜)之后，由上述方法將金屬膜圖案化而形成。之后將抗蝕劑掩模從基板I剝離。接著，如圖7(b)和圖8(b)所示，以覆蓋柵極端子部41c、源極端子連接配線41d的方式形成絕緣膜(柵極絕緣膜)5。如上所述,絕緣膜5例如通過CVD法形成厚度為約400nm的SiO2膜。接著，如圖8(c)所示，在源極端子形成區(qū)域102d的絕緣膜5上形成例如厚度為30nm以上300nm以下的島狀的氧化物半導(dǎo)體層7d、7e。島狀的氧化物半導(dǎo)體層7d、7e以成為形成后述的開口部時的掩模的方式形成。氧化物半導(dǎo)體層7d、7e通過上述方法形成。如圖8(d)所示，在基板I的整個表面形成導(dǎo)電膜。本實施方式中，例如通過濺射法，形成例如厚度為150nm以上600nm以下的MoN/Al/Ti膜等金屬膜。之后通過上述方法進(jìn)行金屬膜的圖案化。結(jié)果，在絕緣膜5上形成源極配線13as。源極配線13as延伸設(shè)置至源極端子形成區(qū)域102d附近。之后，以覆蓋TFT和Cs的方式，使保護(hù)膜25a沉積在基板I的整個表面。在本實施方式中，作為保護(hù)膜25a，如上所述，通過CVD法形成SiO2膜等氧化物膜(厚度例如為約265nm)。接著，參照圖7(c)和圖8(e)。如上所述，通過光刻由感光性的有機(jī)絕緣膜形成保護(hù)膜25b。此外，將保護(hù)膜25b作為掩模，將絕緣膜5和保護(hù)膜25a圖案化。由此，如圖7 (c)和圖8(e)所示，在柵極端子形成區(qū)域102c中，以使柵極端子部41c的表面露出的方式，在絕緣膜5和保護(hù)膜25形成開口部27f，在顯示區(qū)域101中，以形成在絕緣膜5和保護(hù)膜25且使源極配線13as和源極端子連接配線41d的表面露出的方式形成開口部27h。在源極端 子形成區(qū)域102d中，氧化物半導(dǎo)體層7d、7e成為掩模，以形成在絕緣膜5且使源極端子連接配線41d的表面露出的方式分別形成開口部27g。接著，如圖8(f)所示，在源極端子形成區(qū)域102d中，由上述方法除去氧化物半導(dǎo)體層7d、7e。通過氧化物半導(dǎo)體層7d的除去，在位于開口部27h與開口部27g之間的保護(hù)膜25的端面內(nèi)，在位于開口部27g側(cè)的絕緣膜5側(cè)的端面的一部分形成凹部O。此外，也有不形成凹部ο的情況。接著，如圖3(c)和(d)所示，在保護(hù)膜25b上和開口部27f、27g、27h內(nèi)，通過上述方法形成透明導(dǎo)電膜，進(jìn)行透明導(dǎo)電膜的圖案化。在本實施方式中，例如通過濺射法沉積透明導(dǎo)電膜。作為透明導(dǎo)電膜例如使用ITO膜(厚度為50nm以上200nm以下)。由此，形成與柵極端子部41c的表面接觸且覆蓋開口部27f內(nèi)的絕緣膜5和保護(hù)膜25的端面的像素電極配線29c。此外，形成與源極端子連接配線41d的表面和源極配線13as的表面接觸、并且覆蓋開口部27h中的絕緣膜5、源極配線13as和保護(hù)膜25的端面的像素電極配線29e。進(jìn)一步，形成與源極端子連接配線41d的表面接觸，在開口部27g中覆蓋絕緣膜5的端面的像素電極配線29d。這樣，形成連接部30c、柵極端子40c和源極端子40d。另外，連接部30c和源極端子40d利用源極端子連接配線41d電連接。TFT基板100B也和TFT基板100A同樣，不產(chǎn)生像素電極配線29c和29d的斷線，開口部內(nèi)的絕緣膜5的端面被像素電極配線覆蓋，因此不會產(chǎn)生TAB的壓接不良狀況，TFT基板的可罪性聞。以下，與比較例I 3的TFT基板進(jìn)行比較，說明本實施方式的TFT基板100A、100B的優(yōu)點。首先，參照圖9 圖11說明比較例I的TFT基板500及其制造方法。另外，為了簡單，省略TFT和輔助電容Cs的說明。此外，對于共用的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的參照附圖。圖9(a)是用于說明比較例I的TFT基板500的柵極端子的示意性的平面圖，圖9(b)是用于說明TFT基板500的源極端子的示意性的平面圖，圖9(c)是沿圖9(a)的G-G’線的示意性的截面圖，圖9(d)是沿圖9(b)的H-H’線的示意性的截面圖。圖10(a)和圖10(b)是用于說明TFT基板500的柵極端子的制造工序的示意性的截面圖。圖11 (a)和圖11 (b)是用于說明TFT基板500的源極端子的制造工序的示意性的截面圖。
圖9所示的比較例I的TFT基板500，在第一柵極端子部41a的周緣的絕緣膜5上形成有氧化物半導(dǎo)體層8b、8c，在第二柵極端子部41b的周緣的絕緣膜5上形成有氧化物半導(dǎo)體8b、8c。氧化物半導(dǎo)體8b、8c上的像素電極配線29al和第一柵極端子部41a上的像素電極配線29a2不直接接觸。此外，開口部27j中的絕緣膜5的端面露出。同樣，氧化物半導(dǎo)體8b、8c上的像素電極配線29bl和第二柵極端子部41b上的像素電極配線29b2不直接接觸。此外，開口部27k中的絕緣膜5的端面露出。進(jìn)一步，在開口部27j、27k內(nèi)，絕緣膜5的端面形成在氧化物半導(dǎo)體層8b、8c之下，因此像素電極配線29a、29b斷線。結(jié)果，TFT基板500容易發(fā)生由于將柵極端子40e、源極端子40f和外部配線連接的TAB的密接性下降導(dǎo)致的剝離、壓接面積的不均等TAB壓接不良的情況。接著，簡單說明TFT基板500的制造方法。首先，參照圖10(a)和圖11(a)。如在TFT基板100A的制造方法中敘述的那樣，形成至絕緣膜5。如圖10(a)和圖11(a)所示，在第一柵極端子部41a的周緣的絕緣膜5上形成氧化物半導(dǎo)體層8b、8c，在第二柵極端子部41b的周緣的絕緣膜5上形成氧化物半導(dǎo)體層8b、8c0 接著，如圖10(b)和圖11(b)所示，不除去氧化物半導(dǎo)體層8b、8c地在絕緣膜5上形成保護(hù)膜25，以氧化物半導(dǎo)體層8b、8c為掩模在絕緣膜5上分別形成使第一柵極端子部41a、第二柵極端子部41b的表面露出的開口部27j、27k。此時，在各個開口部27j、27k內(nèi)，絕緣膜5的端面形成在氧化物半導(dǎo)體層8b、8c之下。接著，如圖9(c)和圖9(d)所示，在氧化物半導(dǎo)體層8b、8c上形成像素電極配線29al、29bl，在第一柵極端子部41a和第二柵極端子部41b上形成像素電極配線29a2、29b2。此時，在各個開口部27 j、27k內(nèi)，絕緣膜5的端面形成在氧化物半導(dǎo)體層8b、8c之下，因此，像素電極配線29al和像素電極配線29a2不直接接觸地形成，像素電極配線29bI和像素電極配線29b2不直接接觸地形成。即，像素電極配線29al和像素電極配線29a2斷線(像素電極配線29bl和29b2斷線)。此外，在各個開口部27j、27k內(nèi)，絕緣膜5的端面露出。接著，參照圖12和圖13說明比較例2的TFT基板600及其制造方法。圖12(a)是用于說明比較例2的TFT基板600的源極端子的示意性的平面圖，圖12(b)是沿圖12(a)的1-1’線的示意性的截面圖。圖13(a)和圖13(b)是用于說明TFT基板600的源極端子的制造工序的示意性的截面圖。另外，為了簡單，省略TFT、輔助電容Cs和柵極端子的說明。比較例2的TFT基板600，在源極端子連接配線41d的周緣的絕緣膜5上形成有氧化物半導(dǎo)體層8d、8e。氧化物半導(dǎo)體層8d、8e上的像素電極配線29dl和源極端子連接配線41d上的像素電極配線29d2不直接接觸。即，像素電極配線29dl和像素電極配線29d2斷線。此外，在開口部271中，絕緣膜5的端面露出。由此，與TFT基板500同樣，產(chǎn)生源極端子40g和TAB的密接性的問題。接著，簡單說明TFT基板600的制造方法。首先，參照圖13(a)。如在TFT基板100B的制造方法中敘述的那樣，形成至絕緣膜5。如圖13(a)所示，在源極端子連接配線41d的周緣的絕緣膜5上形成氧化物半導(dǎo)體層8d、8e。接著，如圖13(b)所示，不除去氧化物半導(dǎo)體層8d、8e地在絕緣膜5上形成保護(hù)膜25，以氧化物半導(dǎo)體層8d、8e為掩模在絕緣膜5以使源極端子連接配線41d的表面露出的方式形成開口部271。接著，如圖12(a)和圖12(b)所示，在氧化物半導(dǎo)體層8d、8e上形成像素電極配線29dl，在源極端子連接配線41d上形成像素電極配線29d2。此時，在各個開口部271內(nèi)，絕緣膜5的端面形成在氧化物半導(dǎo)體層8d、8e之下，因此，像素電極配線29dl和像素電極配線29d2不直接接觸地形成。此外，在開口部271內(nèi)，絕緣膜5的端面露出。接著，參照圖14 圖16說明比較例3的TFT基板700及其制造方法。圖14(a)是用于說明比較例3的TFT基板700的柵極端子的示意性的平面圖，圖14(b)是用于說明TFT基板700的源極端子的示意性的平面圖，圖14(c)是沿圖14(a)的J-J’線的示意性的截面圖，圖14(d)是沿圖14(b)的K-K’線的示意性的截面圖。圖15(a)和圖15(b)是用于說明TFT基板700的柵極端子的制造工序的示意性的截面圖。圖16(a)和圖16(b)是用于說明TFT基板700的源極端子的制造工序的示意性的截面圖。
TFT基板700是TFT基板500的第一柵極端子部41a、第二柵極端子部41b的大致整個面被像素電極配線29a2、29b2覆蓋的TFT基板。TFT基板700也同樣，第一柵極端子部41a、第二柵極端子部41b上的絕緣膜5的端面形成在氧化物半導(dǎo)體層Sb之下，因此氧化物半導(dǎo)體層8b上的像素電極配線29al和第一柵極端子部41a上的像素電極配線29a2不直接接觸，同樣，氧化物半導(dǎo)體層8b上的像素電極配線29bl和第二柵極端子部41b上的像素電極配線29b2不直接接觸。進(jìn)一步，第一柵極端子部41a、第二柵極端子部41b上的各個絕緣膜5的端面露出。由此，與TFT基板500同樣，產(chǎn)生柵極端子41e’和源極端子41f ’與TAB的密接性的問題。接著，簡單說明TFT基板700的制造方法。如圖15(a)和圖16(a)所示，通過與TFT基板500的制造方法相同的方法，在位于第一柵極端子部41a、第二柵極端子部41b上的絕緣膜5上分別形成氧化物半導(dǎo)體層Sb。但是，在TFT基板700的制造方法中，不形成圖10(a)和圖11(a)所示的氧化物半導(dǎo)體層Sc。接著，如圖15(b)和圖16(b)所示，形成保護(hù)膜25，以氧化物半導(dǎo)體層Sb為掩模，蝕刻柵極絕緣膜5。由此第一柵極端子部41a和第二柵極端子部41b的表面被露出。接著，如圖14(c)和圖14(d)所示，在氧化物半導(dǎo)體層Sb上分別形成像素電極配線29al、29bl，在第一柵極端子部41a和第二柵極端子部41b上分別形成像素電極配線29a2、29b2。此時，第一柵極端子部41a和第二柵極端子部41b上的各個絕緣膜5的端面形成在氧化物半導(dǎo)體層8b之下，因此，像素電極配線29al和像素電極配線29a2不直接接觸，像素電極配線29bI和像素電極配線29b2不直接接觸。即，像素電極配線29al和像素電極配線29a2斷線(像素電極配線29bl和像素電極配線29b2斷線)。此外，在第一柵極端子部41a和第二柵極端子部41b上的各個絕緣膜5的端面露出。在比較例I 3的TFT基板500 700的任意一者中，均在柵極端子、源極端子，在氧化物半導(dǎo)體層之下形成絕緣膜5的端面。此外，任意一個TFT基板500 700的端子中的第一柵極端子部41a和第二柵極端子部41b上的絕緣膜5的端面都不被像素電極配線覆蓋。因此，TFT基板500 700中，柵極端子、源極端子內(nèi)的像素電極配線斷線，例如產(chǎn)生將外部配線和柵極端子、源極端子電連接的TAB的密接性的問題，TFT基板的可靠性低。與此相對，上述本發(fā)明的實施方式的TFT基板100A、100B不會產(chǎn)生這樣的問題，因此TFT基板的可罪性聞。由此，具有TFT基板100A、100B的例如液晶顯不裝置的顯不品質(zhì)穩(wěn)定。
工業(yè)上的可利用性本發(fā)明能夠廣泛應(yīng)用于有源矩陣基板等電路基板、液晶顯示裝置、有機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示裝置和無機(jī)電致發(fā)光顯示裝置等顯示裝置、圖像傳感裝置等攝像裝置、圖像輸入裝置、指紋讀取裝置等電子裝置等的具有薄膜晶體管的裝置。特別適用于大型的液晶顯示
目.-rf* ο附圖標(biāo)記說明I 基板3a柵極配線3b輔助電容配線 5絕緣膜(柵極絕緣膜)7b、7c、7d、7e氧化物半導(dǎo)體層25保護(hù)膜13as源極配線13ad漏極電極13cs輔助電容電極30a、30b、30c 連接部29像素電極101顯示區(qū)域102端子區(qū)域
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括 基板；在所述基板上形成的薄膜晶體管；具有第一連接部的柵極配線；具有第二連接部的源極配線；和將所述薄膜晶體管和外部配線電連接的第一端子和第二端子， 所述薄膜晶體管包括 在所述柵極配線上形成的絕緣膜； 在所述絕緣膜上形成的、具有溝道區(qū)域和分別位于所述溝道區(qū)域的兩側(cè)的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的島狀的氧化物半導(dǎo)體層； 與所述源極區(qū)域電連接的所述源極配線；和 與所述漏極區(qū)域電連接的漏極電極， 所述半導(dǎo)體裝置還包括 在所述源極配線和漏極電極上設(shè)置且覆蓋所述薄膜晶體管的保護(hù)膜；和 在所述保護(hù)膜上形成且以與所述漏極電極接觸的方式形成的像素電極， 所述第一端子包括 由與所述柵極配線相同的導(dǎo)電膜形成的第一柵極端子部；和在所述絕緣膜上形成且由與所述像素電極相同的導(dǎo)電膜形成的第一像素電極配線，所述第一像素電極配線在設(shè)置于所述絕緣膜的第一開口部內(nèi)與所述第一柵極端子部接觸，并且覆蓋所述第一開口部中的所述絕緣膜的端面，而且與所述第一連接部電連接，所述第二端子包括 由與所述柵極配線相同的導(dǎo)電膜形成的第二柵極端子部；和在所述絕緣膜上形成且由與所述像素電極相同的導(dǎo)電膜形成的第二像素電極配線，所述第二像素電極配線在設(shè)置于所述絕緣膜的第二開口部內(nèi)與所述第二柵極端子部接觸，并且覆蓋所述第二開口部中的所述絕緣膜的端面，而且與所述第二連接部電連接。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 還具有設(shè)置于所述絕緣膜內(nèi)的開口區(qū)域， 所述開口區(qū)域在所述第一端子與所述第一連接部之間和所述第二端子與所述第二連接部之間的至少任意一者形成。
3.如權(quán)利要求I或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述輔助電容配線的一部分在所述開口區(qū)域與所述第一端子之間和所述開口區(qū)域與所述第二端子之間的至少任意一者形成。
4.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括 基板；在所述基板上形成的薄膜晶體管；柵極配線；源極配線；連接部；和將所述薄膜晶體管和外部配線電連接的第一端子和第二端子， 所述薄膜晶體管包括 在所述柵極配線上形成的絕緣膜； 在所述絕緣膜上形成的、具有溝道區(qū)域和分別位于所述溝道區(qū)域的兩側(cè)的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的島狀的氧化物半導(dǎo)體層； 與所述源極區(qū)域電連接的所述源極配線；和 與所述漏極區(qū)域電連接的漏極電極， 所述半導(dǎo)體裝置還具有在所述源極配線和所述漏極電極上設(shè)置且覆蓋所述薄膜晶體管的保護(hù)膜；和 在所述保護(hù)膜上形成且以與所述漏極電極接觸的方式形成的像素電極， 所述第一端子包括 在所述柵極配線的一部分形成的柵極端子部；和 在設(shè)置于所述絕緣膜和所述保護(hù)膜的第一開口部內(nèi)與所述柵極端子部接觸，并且，由與所述像素電極相同的導(dǎo)電膜形成的第一像素電極配線， 所述第一像素電極配線覆蓋所述第一開口部中的所述絕緣膜和所述保護(hù)膜的端面， 所述連接部包括 由與所述柵極配線相同的導(dǎo)電膜形成的源極端子連接配線； 在所述源極端子連接配線上形成的所述絕緣膜； 在所述絕緣膜上形成的所述源極配線和所述保護(hù)膜；和 在所述保護(hù)膜上形成且由與所述像素電極相同的導(dǎo)電膜形成的第二像素電極配線，所述第二像素電極配線在設(shè)置于所述絕緣膜和所述保護(hù)膜的第二開口部內(nèi)與所述源極端子連接配線和所述源極配線電連接， 所述第二端子包括 所述源極端子連接配線；和 在所述源極端子連接配線和所述絕緣膜上形成且由與所述像素電極相同的導(dǎo)電膜形成的第三像素電極配線， 所述第三像素電極配線在設(shè)置于所述絕緣膜的第三開口部內(nèi)與所述源極端子連接配線接觸，并且覆蓋所述第三開口部中的所述絕緣膜的端面， 所述源極端子連接配線將所述第二端子和所述連接部電連接。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 在位于所述連接部與所述第二端子之間的所述保護(hù)膜的端面內(nèi)，在位于所述第二端子側(cè)的所述絕緣膜側(cè)的端面的一部分形成有凹部。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述凹部的高度與所述氧化物半導(dǎo)體層的厚度相等。
7.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其制造權(quán)利要求I 3中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，包括 (A)在基板上形成柵極配線用導(dǎo)電膜，將其圖案化，由此形成柵極配線、第一柵極端子部和第二柵極端子部的工序； (B)在所述柵極配線、所述第一柵極端子部和第二柵極端子部上形成絕緣膜的工序； (C)在所述絕緣膜上，在所述第一柵極端子部和第二柵極端子部各自的周緣形成氧化物半導(dǎo)體層的工序； (D)在所述絕緣膜上形成源極配線的工序； (E)形成覆蓋包括所述第一柵極端子部和第二柵極端子部的端子區(qū)域以外的區(qū)域的保護(hù)膜的工序； (F)通過將所述氧化物半導(dǎo)體層作為掩模進(jìn)行所述絕緣膜的蝕刻，在所述第一柵極端子部和第二柵極端子部上的各個所述絕緣膜，形成使所述第一柵極端子部的表面露出的第一開口部和使第二柵極端子部的表面露出的第二開口部，并且，通過蝕刻所述絕緣膜和所述保護(hù)膜，在所述柵極配線上的所述絕緣膜和所述保護(hù)膜形成第三開口部，并且，通過蝕刻所述保護(hù)膜，在所述源極配線上的所述保護(hù)膜形成第四開口部的工序； (G)通過蝕刻來除去所述氧化物半導(dǎo)體層的工序；和 (H)形成第一像素電極配線和第二像素電極配線的工序， 該第一像素電極配線在所述絕緣膜上形成，在所述第一開口部內(nèi)與所述第一柵極端子部電連接，并且在所述第三開口部內(nèi)與所述柵極配線電連接， 該第二像素電極配線在所述絕緣膜上形成，在所述第二開口部內(nèi)與所述第二柵極端子部電連接，并且在所述第四開口部內(nèi)與所述源極配線電連接。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 所述工序(A)包括下述工序通過將所述柵極配線用導(dǎo)電膜圖案化，在所述第一柵極端子部與所述柵極配線之間和所述第二柵極端子部的所述柵極配線側(cè)的至少任意一者形成輔助電容配線的一部分。
9.如權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 所述工序(F)包括下述工序在所述柵極配線與所述第一柵極端子部之間和所述源極配線與所述第二柵極端子部之間的至少任意一者的所述絕緣膜形成開口區(qū)域。
10.如權(quán)利要求7至9中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 所述工序(G)包括通過濕式蝕刻除去所述端子區(qū)域的氧化物半導(dǎo)體層的工序。
11.如權(quán)利要求7至10中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 所述工序(H)包括下述工序以覆蓋所述第一開口部中的所述絕緣膜的端面的方式形成所述第一像素電極配線，以覆蓋所述第二開口部中的所述絕緣膜的端面的方式形成所述第二像素電極配線。
12.—種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其制造權(quán)利要求4 6中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，包括 (A)在基板上形成柵極配線用導(dǎo)電膜，將其圖案化，由此形成柵極配線和源極端子連接配線的工序； (B)在所述柵極配線和所述源極端子連接配線上形成絕緣膜的工序； (C)在所述源極端子連接配線上并且在所述絕緣膜上形成氧化物半導(dǎo)體層的工序； (D)在所述絕緣膜上形成源極配線的工序； (E)形成覆蓋所述柵極配線和所述源極配線的保護(hù)膜的工序； (F)通過將所述氧化物半導(dǎo)體層作為掩模進(jìn)行所述絕緣膜的蝕刻，在所述源極端子連接配線上的所述絕緣膜，形成使所述源極端子連接配線的表面露出的第一開口部的工序； (G)通過蝕刻來除去所述源極端子連接配線上的所述氧化物半導(dǎo)體層的工序；和 (H)形成第一像素電極配線，該第一像素電極配線在所述絕緣膜上形成，在所述第一開口部內(nèi)與所述源極端子連接配線接觸， 將所述源極端子連接配線和所述源極配線電連接的工序。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 包括以覆蓋所述第一開口部中的所述絕緣膜的端面的方式形成所述第一像素電極配線的工序。
14.如權(quán)利要求12或13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 所述工序(F)包括在所述源極配線上的所述保護(hù)膜以及所述第一源極端子連接配線上的所述保護(hù)膜和所述絕緣膜形成第二開口部的工序， 所述工序(H)包括形成第二像素電極配線的工序，該第二像素電極配線在所述保護(hù)膜上形成，在所述第二開口部內(nèi)將所述源極配線和所述源極端子連接配線電連接。
15.如權(quán)利要求12至14中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 所述工序(G)包括通過濕式蝕刻除去所述源極端子連接配線上的所述氧化物半導(dǎo)體層，由此在所述源極端子連接配線上的所述保護(hù)膜的端面內(nèi)，在位于所述第一開口部側(cè)的所述絕緣膜側(cè)的部分形成凹部的工序。
全文摘要
本發(fā)明的TFT基板(100A)包括在基板上形成的薄膜晶體管、柵極配線(3a)和源極配線(13as)；和將薄膜晶體管和外部配線電連接的第一端子和第二端子(40a、40b)。第一端子包括第一柵極端子部(41a)和第一像素電極配線(29a)。第一像素電極配線在設(shè)置于絕緣膜(5)的第一開口部(27c)內(nèi)與第一柵極端子部接觸，且覆蓋第一開口部中的絕緣膜的端面。第二端子包括第二柵極端子部(41b)和第二像素電極配線(29b)。第二像素電極配線在設(shè)置于絕緣膜的第二開口部(27d)內(nèi)與第二柵極端子部接觸，且覆蓋第二開口部中的絕緣膜的端面。
文檔編號H01L21/768GK102947871SQ20118003001
公開日2013年2月27日 申請日期2011年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月24日
發(fā)明者美崎克紀(jì) 申請人:夏普株式會社