專利名稱：光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提出一種光電子半導(dǎo)體構(gòu)件。
背景技術(shù)：
在參考文獻(xiàn)US 2006/0138621A1中提出一種光電子部件和一種基于該光電子部件的模塊。

發(fā)明內(nèi)容
待實現(xiàn)的目的在于，提出一種具有高的光I禹合輸出效率的光電子半導(dǎo)體構(gòu)件。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，所述光電子半導(dǎo)體構(gòu)件包括具有載·體上側(cè)的載體。載體例如為電路板或印刷的電路板，縮寫為PCB。在其上例如施加有電的帶狀導(dǎo)線的載體基本材料例如能夠是如氧化鋁或氮化鋁的陶瓷。同樣地，載體能夠基于金屬或能夠是金屬芯印刷電路板。此外，載體能夠構(gòu)成為所謂的方形扁平無引腳封裝，縮寫為QFN。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，所述光電子半導(dǎo)體構(gòu)件包括一個或多個光電子半導(dǎo)體芯片，所述光電子半導(dǎo)體芯片施加在載體上側(cè)上。半導(dǎo)體芯片具有背離載體上側(cè)的輻射主側(cè)。例如為可見的光的在半導(dǎo)體芯片中產(chǎn)生的電磁輻射，能夠基本或完全經(jīng)由輻射主側(cè)離開。半導(dǎo)體芯片尤其是基于III-V族半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體芯片。例如，半導(dǎo)體芯片基于如AlnIrvnGaniN的氮化物化合物半導(dǎo)體材料，或基于如AlnIrvnGaniP的磷化物化合物半導(dǎo)體材料，其中相應(yīng)地O彡η彡1、0彡m彡I并且n+m彡I。在此，所述材料能夠具有一種或多種摻雜材料以及附加的組分。然而為了簡單性，只對晶格的主要的組分進(jìn)行說明，即Al、Ga、In、N或P，即使所述組分能夠部分地由少量其他材料代替并且/或者補(bǔ)充也如此。優(yōu)選地，光電子半導(dǎo)體芯片設(shè)計為，用于在半導(dǎo)體構(gòu)件工作時產(chǎn)生例如在藍(lán)色的、綠色的、黃色的和/或紅色的光譜范圍內(nèi)的可見輻射。在至少一個有源區(qū)中產(chǎn)生輻射，所述有源區(qū)包含至少一個量子阱結(jié)構(gòu)和/或至少一個Pn結(jié)。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，半導(dǎo)體芯片經(jīng)由至少一個接合線，優(yōu)選經(jīng)由正好一個接合線來電接觸。接合線在輻射主側(cè)上與半導(dǎo)體芯片連接。特別地，接合線將在載體上側(cè)的帶狀導(dǎo)線與在半導(dǎo)體芯片的輻射主側(cè)上的電流擴(kuò)散結(jié)構(gòu)連接。半導(dǎo)體芯片的電接觸部優(yōu)選位于半導(dǎo)體芯片的彼此相對置的主側(cè)上。根據(jù)半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，所述半導(dǎo)體構(gòu)件具有至少一個覆蓋體部，所述覆蓋體部施加在半導(dǎo)體芯片的輻射主側(cè)上。覆蓋體部能夠限制在輻射主側(cè)上，或者也能夠在橫向方向上，即在平行于輻射主側(cè)的方向上超出半導(dǎo)體芯片。此外，覆蓋體部在遠(yuǎn)離載體上側(cè)并且垂直于輻射主側(cè)的方向上超出接合線。換言之，在垂直于輻射主側(cè)的平面上的投影中，接合線能夠完全地位于載體上側(cè)和覆蓋體部的背離載體上側(cè)的體部上側(cè)之間。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，所述光電子半導(dǎo)體構(gòu)件具有至少一個反射的澆注塊。澆注塊在橫向方向上局部地或完全地包圍半導(dǎo)體芯片。從載體上側(cè)看，澆注塊例如在最高15 μ m或最高5 μ m公差的情況下至少伸展到輻射主側(cè)。優(yōu)選地，反射的澆注塊在橫向方向上至少局部地與半導(dǎo)體芯片非間接地、直接地接觸。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，接合線完全由反射的澆注塊遮蓋，或替選地，完全由反射的澆注塊連同覆蓋體部一起遮蓋。換言之，接合線在遠(yuǎn)離載體上側(cè)的方向上，不從反射的澆注塊中或不從反射的澆注塊連同覆蓋體部中伸出。接合線尤其不在任何部位上暴露。也就是說，在垂直于載體上側(cè)并遠(yuǎn)離載體上側(cè)的方向上，在接合線的每個分段上跟隨有反射的澆注塊的材料和/或覆蓋體部的材料。 在光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式中，所述光電子半導(dǎo)體構(gòu)件包括具有載體上側(cè)的載體以及至少一個光電子半導(dǎo)體芯片，所述光電子半導(dǎo)體芯片施加在載體上側(cè)上并且所述光電子半導(dǎo)體芯片具有背離載體上側(cè)的輻射主側(cè)。此外，半導(dǎo)體構(gòu)件包括至少一個接合線以及至少一個覆蓋體部，其中經(jīng)由所述接合線來電接觸半導(dǎo)體芯片，其中所述覆蓋體部施加在輻射主側(cè)上并且在遠(yuǎn)離載體上側(cè)并垂直于輻射主側(cè)的方向上超出接合線。至·少一個反射的澆注塊在橫向方向上包圍半導(dǎo)體芯片，并且從載體上側(cè)起看，至少伸展到半導(dǎo)體芯片的輻射主側(cè)。在此，接合線完全由反射的澆注塊遮蓋，或完全由反射的澆注塊連同覆蓋體部一起遮蓋。由于這種反射的澆注塊，尤其僅能夠在半導(dǎo)體芯片的輻射主側(cè)上實現(xiàn)輻射發(fā)射。此外，能夠在接合線上減少或避免陰影效果或不希望的反射，使得能夠提高來自半導(dǎo)體構(gòu)件的輻射耦合輸出效率。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，接合線完全地嵌入反射的澆注塊中。特別地，反射的澆注塊形狀接合地包圍接合線并且與接合線直接接觸。因此，接合線例如由反射的澆注塊直接地包封。完全地嵌入能夠意味著，接合線僅僅首先與反射的澆注塊接觸，并且/或者其次，與電的連接區(qū)域接觸，接合線與所述電的連接區(qū)域?qū)щ姷剡B接并且接合線接合到所述電的連接區(qū)域上，并且/或者第三，與電的連接機(jī)構(gòu)接觸，借助于所述連接機(jī)構(gòu)將接合線固定在連接區(qū)域上。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，從載體上側(cè)看，反射的澆注塊伸展到覆蓋體部的背離載體上側(cè)的體部上側(cè)。特別地，反射的澆注塊在遠(yuǎn)離載體上側(cè)的方向上在覆蓋體部的橫向邊界面處與體部上側(cè)齊平或在制造公差的范圍內(nèi)齊平。例如，制造公差最高為10 μ m。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，覆蓋體部的體部上側(cè)設(shè)有抗粘層?？拐硨訉τ诜瓷涞臐沧K的材料而言構(gòu)造為是不潤濕的?？拐硨佑衫缇埯u烯烴、尤其由如聚四氟乙烯的含氟的化合物制成，或具有例如聚鹵烯烴、尤其具有如聚四氟乙烯的含氟的化合物。優(yōu)選地，對于直接在半導(dǎo)體芯片中產(chǎn)生的輻射和/或?qū)τ谠诟采w體部中經(jīng)由波長轉(zhuǎn)換而產(chǎn)生的輻射而言抗粘層是透明的。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，反射的澆注體的背離載體上側(cè)的澆注物上側(cè)與覆蓋體部的體部上側(cè)齊平和/或平行地延伸。在垂直于體部上側(cè)的方向上，關(guān)于齊平度和/或平行性的公差例如為最高30 μ m或最高10 μ m。在制造公差的范圍內(nèi)，澆注物上側(cè)能夠平行于載體上側(cè)延伸。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，在俯視圖中，載體上側(cè)完全由反射的澆注塊連同覆蓋體部一起遮蓋。換言之，在垂直于并且遠(yuǎn)離載體上側(cè)的方向上，載體上側(cè)的每個分段跟隨有澆注塊的材料或/和覆蓋體部的材料。尤其地，載體上側(cè)的每個分段跟隨有澆注塊的材料或者覆蓋體部的材料。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，半導(dǎo)體芯片的輻射主側(cè)具有電連接區(qū)域。電連接區(qū)域能夠為所謂的接合焊盤。特別地，在連接區(qū)域中，將接合線與半導(dǎo)體芯片電地并且機(jī)械地連接。優(yōu)選地，在輻射主側(cè)上的半導(dǎo)體芯片剛好具有一個電連接區(qū)域。從連接區(qū)域出發(fā)，能夠存在用于在輻射主側(cè)上進(jìn)行電流分布的結(jié)構(gòu)，例如窄的、金屬的接片。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，在輻射主側(cè)上的電連接區(qū)域不具有覆蓋體部。換言之，連接區(qū)域在遠(yuǎn)離載體上側(cè)的方向上未跟隨有覆蓋體部的材料。連接區(qū)域優(yōu)選也不接觸覆蓋體部。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，在輻射主側(cè)上的電連接區(qū)域完全地或局部地由反射的澆注塊覆蓋。因此，在垂直于并且遠(yuǎn)離輻射主側(cè)的方向上，連接區(qū)域的每 個分段跟隨有反射的澆注塊的材料。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，接合線在輻射主側(cè)上的電的連接區(qū)域中在最高20°或最高10°的公差的情況下平行于輻射主側(cè)和/或平行于載體上側(cè)和/或平行于覆蓋體部的體部上側(cè)延伸。尤其優(yōu)選地，接合線在圍繞電的連接區(qū)域的附近區(qū)域中也平行于輻射主側(cè)延伸。例如，附近區(qū)域具有相當(dāng)于在輻射主側(cè)上的電連接區(qū)域的平均直徑最小兩倍的或最小五倍的直徑。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，覆蓋體部形成為小板，并且優(yōu)選限界于輻射主側(cè)。換言之，覆蓋體部的橫向的伸展尺寸超過其高度。將覆蓋體部限界于輻射主側(cè)表不，覆蓋體部例如在最聞50 μ m或最聞15 μ m的公差的情況下在橫向方向上沒有超出輻射主側(cè)。成形為小板還能夠表示，覆蓋體部的兩個主側(cè)在制造公差的范圍內(nèi)彼此平行地定向。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，覆蓋體部具有50 μ m和250 μ m之間的厚度，尤其為50μπι和120 μ m之間的厚度，其中包括邊界值。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，反射的澆注塊具有清晰可見的、透明的基體材料，其中反射的顆粒嵌入到基體材料中。例如，顆粒是漫反射的并且是白色的。尤其優(yōu)選地，在室溫的情況下，基體材料具有最高肖氏A50的硬度或最高肖氏A40的硬度。換言之，基體材料比較軟。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，顆粒包括顆粒材料或由顆粒材料制成，所述顆粒材料是金屬氧化物。所述金屬氧化物例如為二氧化鈦。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，反射的顆粒相對于整個反射的澆注塊的重量比在10%和40%之間，尤其在20%和30%之間，其中包括邊界值。對于可見的輻射的、例如對于450nm和700nm之間的(包括邊界值)波長范圍內(nèi)的輻射，反射的澆注塊的反射系數(shù)為至少85%或者優(yōu)選至少90%或至少93%。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，在澆注塊的俯視圖中并且尤其在圍繞半導(dǎo)體芯片的區(qū)域中看，澆注塊呈白色。換言之，顆粒的濃度例如調(diào)整為，使得對于觀察者而言澆注塊引起白色的色覺。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，在橫向方向上看，反射的澆注塊在四周完全地包圍半導(dǎo)體芯片，并且構(gòu)造為與半導(dǎo)體芯片的橫向的邊界面是形狀接合的。此外優(yōu)選地，反射的澆注塊同樣在橫向方向上形狀接合地并且在四周完全包圍接合線和/或覆蓋體部。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，所述光電子半導(dǎo)體構(gòu)件具有帶有腔室的殼體，其中半導(dǎo)體芯片、覆蓋體部、接合線以及反射的澆注塊分別處于腔室中，并且其中半導(dǎo)體芯片施加在載體上側(cè)上。在此優(yōu)選地，反射的澆注塊沿著橫向方向，從半導(dǎo)體芯片伸展到腔室的橫向的邊界面，使得腔室的橫向邊界面和半導(dǎo)體芯片之間沒有出現(xiàn)氣隙或填充有其他材料的縫隙。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，反射的澆注塊設(shè)計為，將腔室的橫向的邊界面潤濕。換言之，在橫向的邊界面上能夠構(gòu)造有凹形的彎月面，并且在制造半導(dǎo)體構(gòu)件時，反射的澆注塊能夠沿著腔室的橫向的邊界面在遠(yuǎn)離載體上側(cè)的方向上蠕變。根據(jù)光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的至少一個實施形式，澆注塊非直接地在腔室的橫向的邊界面處的厚度與其直接在半導(dǎo)體芯片處的厚度相比大至少50 μ m和/或最高400 μ m。換言 之，反射的澆注塊也能夠構(gòu)成拋物線狀的反射器，其中澆注塊的厚度在最高30 μ m公差的情況下，在遠(yuǎn)離半導(dǎo)體芯片的方向上持續(xù)增大。這并不排除，在所述公差內(nèi)，例如在覆蓋體部的橫向的邊界面上同樣能夠構(gòu)成澆注塊的相對小的彎月面。


接下來，參考根據(jù)實施例的附圖詳細(xì)闡明在此描述的光電子半導(dǎo)體構(gòu)件。在此，相同的附圖標(biāo)記在各個附圖中表示相同的元件。然而，在此未示出按照的相互關(guān)系，相反，為了更好地理解，可以夸大地示出各個元件。附圖示出圖I至7示出在此描述的光電子半導(dǎo)體構(gòu)件的實施例的示意圖。
具體實施例方式在圖I中以不意剖面圖不出光電子半導(dǎo)體構(gòu)件I的實施例。光電子半導(dǎo)體芯片3施加在載體2的平面的載體上側(cè)20上。半導(dǎo)體芯片3具有背離載體2的輻射主側(cè)30。具有背離半導(dǎo)體芯片3的、平坦的體部上側(cè)50的覆蓋體部5被施加在輻射主側(cè)30上。覆蓋體部5成形為小板，并且具有例如大約100 μ m的厚度A。半導(dǎo)體芯片的厚度C例如處于30 μ m和250 μ m之間，尤其為大約120 μ m，其中包括邊界值。在輻射主側(cè)30的邊角中的存在電的連接區(qū)域7a的部分區(qū)域沒有被覆蓋體部5覆蓋。經(jīng)由接合線4進(jìn)行半導(dǎo)體芯片3的電接觸，所述接合線從在載體上側(cè)20上的電連接區(qū)域7b伸展至在福射主側(cè)30上的連接區(qū)域7a。在圍繞連接區(qū)域7a的區(qū)域中，接合線4例如在最高20°公差的情況下，近似平行于輻射主側(cè)30地延伸。與圖I中所示不同的是，尤其如果連接區(qū)域7a構(gòu)造為底座式的，接合線4距載體上側(cè)20的間距從連接區(qū)域7a起在朝向連接區(qū)域7b的方向上持續(xù)減小。在橫向方向上，反射的澆注塊6形狀接合地包圍半導(dǎo)體芯片3、覆蓋體部5以及接合線4。接合線4完全地嵌入反射的澆注塊6中。例如在最高5%或最高10%公差的情況下，澆注塊6的厚度T相當(dāng)于覆蓋體部5以及半導(dǎo)體芯片3的厚度A、C的總和。澆注塊6的背離載體2的澆注物上側(cè)60在制造公差的范圍內(nèi)平行于載體上側(cè)20以及平行于體部上側(cè)50地定向，并且在制造公差的范圍內(nèi)與體部上側(cè)50齊平。澆注塊6例如為透明的硅樹脂或透明的硅樹脂-環(huán)氧化物-雜化材料，嵌入尤其由二氧化鈦制成的反射的顆粒嵌入到所述材料中。在輻射主側(cè)30上的連接區(qū)域7a被澆注塊6完全覆蓋。在覆蓋體部5的橫向的邊界面處，在澆注塊6的背離載體2的澆注物上側(cè)60上能夠構(gòu)造有凹形的彎月面。優(yōu)選地，覆蓋體部5的體部上側(cè)50設(shè)有抗粘層8，所述抗粘層防止將體部上側(cè)50用澆注塊6的材料潤濕?？拐硨?的厚度例如處于IOnm和I μ m之間、尤其處于25nm和200nm之間，其中包括邊界值。抗粘層優(yōu)選具有氟化材料，例如具有特氟龍類材料。覆蓋體部5例如粘貼到輻射主側(cè)30上，或直接地按壓到輻射主側(cè)30上。與所 示不同的是，在遠(yuǎn)離載體上側(cè)20的方向上，多個覆蓋體部能夠相互跟隨，所述覆蓋體部執(zhí)行不同的功能并且例如是透明的、漫射的或具有轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)。同樣可行的是，覆蓋體部5在體部上側(cè)50上分別具有用于改進(jìn)光耦合輸出的粗化的結(jié)構(gòu)，或者附加于或替選于抗粘層8而設(shè)有抗反射層，或設(shè)有特別硬的、能夠抗機(jī)械負(fù)荷的層。與在圖I中所示不同的是，例如還在全部其他的實施例中，光電子半導(dǎo)體芯片3可以經(jīng)由兩個接合線4在輻射主側(cè)30上電接觸，并且然后，半導(dǎo)體芯片3可以構(gòu)造為所謂的倒裝芯片(Flip-Clip)0在圖2A至2E中，以立體圖示意地示出用于制造光電子半導(dǎo)體構(gòu)件I的實施例的方法。根據(jù)圖2A，提供載體2。載體2在載體上側(cè)20上具有電連接區(qū)域7b、7c、7d。連接區(qū)域7b、7d優(yōu)選與在載體2的下側(cè)上的未示出的電的帶狀導(dǎo)線通過通孔敷鍍連接。根據(jù)圖2B，例如通過焊接或?qū)щ娔z將多個半導(dǎo)體芯片3施加在連接區(qū)域7c上。在連接區(qū)域7d上施加有防靜電放電的保護(hù)二極管11。半導(dǎo)體芯片3能夠為結(jié)構(gòu)相同的半導(dǎo)體芯片，或也能夠為不同的、例如在不同的光譜范圍內(nèi)發(fā)射的半導(dǎo)體芯片。在圖2C中，將接合線4a、4b從在載體上側(cè)20上的連接區(qū)域7b出發(fā)與半導(dǎo)體芯片3的連接區(qū)域7a、7e以及與保護(hù)二極管11連接。接合線4a、4b優(yōu)選首先與載體上側(cè)20連接并且接下來與半導(dǎo)體芯片3以及與保護(hù)二極管11連接。根據(jù)圖2D，將覆蓋體部5a、5b施加到半導(dǎo)體芯片3上。覆蓋體部5a例如為清晰可見的、透明的小板，所述小板優(yōu)選具有使得在遠(yuǎn)離載體2的方向上與覆蓋體部5b齊平的厚度。覆蓋體部5b包括轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)，所述轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)設(shè)計為，將由半導(dǎo)體芯片3發(fā)射的輻射的至少一個部分轉(zhuǎn)換成其他波長的輻射。例如，與覆蓋體部5b關(guān)聯(lián)的半導(dǎo)體芯片3發(fā)射藍(lán)色的光，并且與覆蓋體部5a關(guān)聯(lián)的半導(dǎo)體芯片3發(fā)射藍(lán)色的光或紅色的光。替選于此，半導(dǎo)體芯片3相應(yīng)地能夠為結(jié)構(gòu)相同的半導(dǎo)體芯片。同樣地，能夠使用結(jié)構(gòu)相同的覆蓋體部5a、5b ο接合線4a、4b的詳細(xì)示圖能夠從圖3中得出。在遠(yuǎn)離載體上側(cè)20的方向上，覆蓋體部5a、5b超出接合線4a、4b。所述接合線沿著接合線4a、4b的延伸而具有不同的曲率半徑。接合線4a、4b的曲率半徑在載體上側(cè)20的電連接區(qū)域7b上尤其小于鄰近于在半導(dǎo)體芯片3的背離載體2的一側(cè)上的連接區(qū)域7a、7e以及鄰近于保護(hù)二極管11的區(qū)域中。根據(jù)圖2E，半導(dǎo)體芯片3以及覆蓋體部5a、5b和接合線4a、4b由反射的澆注塊6包封并且在橫向方向上包圍。覆蓋體部5a、5b以及燒注塊6在遠(yuǎn)離載體上側(cè)20的方向上完全地覆蓋載體2。接合線4a、4b完全地嵌入澆注塊6中。澆注物上側(cè)60近似平行于載體上側(cè)20地延伸，并且除了在覆蓋體部5a、5b的橫向的邊界面處構(gòu)成的凹形的彎月面之外，形成為平坦的并且與覆蓋體部上側(cè)50齊平。通過澆注塊6能夠防止輻射從與具有轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)的覆蓋體部5b關(guān)聯(lián)的半導(dǎo)體芯片3射出，所述輻射不穿過覆蓋體部5b。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)特別均勻的光譜輻射和高的轉(zhuǎn)換效率?？蛇x地，能夠?qū)⒏鶕?jù)圖2E的半導(dǎo)體構(gòu)件I分割成分別具有多個或剛好一個半導(dǎo)體芯片3的半導(dǎo)體構(gòu)件。在圖4中示出半導(dǎo)體構(gòu)件I的另一實施例的剖面圖。與根據(jù)圖I的實施例不同的是，接合線4嵌入到澆注塊6連同覆蓋體部5中。從載體上側(cè)20看，反射的澆注塊6僅伸展到輻射主側(cè)30上。覆蓋體部5完全地或基本上完全地在整個載體上側(cè)20上延伸。體部上側(cè)50優(yōu)選形成為平坦的。覆蓋體部5的厚度A優(yōu)選處于50 μ m和150 μ m之間，其中包 括邊界值。覆蓋體部5優(yōu)選是清晰可見的和透明的。同樣地，覆蓋體部5可以包括過濾機(jī)構(gòu)和/或轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)，在所有其他實施例中也如此。在根據(jù)示出半導(dǎo)體構(gòu)件I的另一實施例的制造方法的圖5A至5E的實施例中，與圖2A至2E類似地，載體2具有帶有腔室90的殼體9。腔室90的橫向的邊界面95近似垂直于施加有電連接區(qū)域7b、7c、7d的載體上側(cè)20地定向。橫向的邊界面95構(gòu)造為對于反射的澆注塊6是潤濕的，使得在用反射的澆注塊6填充腔室60的情況下，通過澆注物上側(cè)60構(gòu)成反射器碗部。澆注物上側(cè)60優(yōu)選成形為是拋物線狀的。載體2的橫向尺寸例如在ImmX 2mm和4mmX 8mm之間變動，其中包括邊界值，在所有其他實施例中也如此。因此，半導(dǎo)體構(gòu)件I構(gòu)造成相對緊湊的?？蛇x地，在殼體9以及載體2的邊角處能夠形成圓柱形的凹部，所述凹部例如為校準(zhǔn)輔助器或裝配輔助器。根據(jù)圖6A至6C,以不意的剖面圖不出具有殼體9的半導(dǎo)體構(gòu)件I的又一實施例。同樣在全部其他實施例中，優(yōu)選在澆注物上側(cè)60的下游不設(shè)置其他的澆注物。特別地，澆注物上側(cè)60與空氣鄰接。替選于此可行的是，在澆注物上側(cè)60上和/或在殼體9上能夠?qū)⒏綀D中未示出的光學(xué)裝置例如透鏡設(shè)置在下游。在圖7中，以剖面圖示出半導(dǎo)體構(gòu)件I的又一實施例。為了簡化地描述，在圖7中未示出覆蓋體部以及接合線。通過澆注物上側(cè)60構(gòu)成拋物線狀的反射器。在制造期間，澆注塊6在橫向的邊界面95處向上蠕變。澆注塊6在半導(dǎo)體芯片3上具有厚度Tl并且在橫向的邊界面95上具有厚度T2。厚度Tl、T2之間的差例如在50 μ m和400 μ m之間或在75 μ m和300 μ m之間，其中包括邊界值。澆注塊6的在殼體9的橫向的邊界面95和半導(dǎo)體芯片3之間的橫向的伸展尺寸例如在ΙΟΟμπι和Imm之間，尤其在150μπι和500μπι之間，其中包括邊界值，例如為大約350 μ m。澆注塊6與半導(dǎo)體芯片3和橫向的邊界面95直接接觸。在半導(dǎo)體芯片3的橫向的邊界面上能夠存在連接機(jī)構(gòu)的凹槽形部分，借助于所述凹槽形部分將半導(dǎo)體芯片3施加在載體2上。在圖7中能夠看出，澆注塊6的厚度T在遠(yuǎn)離半導(dǎo)體芯片3的方向上，能夠首先稍微下降，然后在朝向橫向的邊界面95的方向上再持續(xù)上升。在遠(yuǎn)離半導(dǎo)體芯片3的方向上，厚度T的下降優(yōu)選為最高30 μ m或最高20 μ m并且能夠歸因于在半導(dǎo)體芯片3上或在覆蓋體部上構(gòu)成小的凹形的彎月面。通過澆注物上側(cè)60進(jìn)行的射束成形由于澆注物體部6的厚度T的該局部最小值而不受影響或幾乎不受影響。本發(fā)明現(xiàn)不限制于根據(jù)實施例進(jìn)行的描述。相反，本發(fā)明包括任意新的特征以及特征的任意組合，這尤其是包括在權(quán)利要求中的特征的任意組合，即使該特征或者該組合 本身并未在權(quán)利要求或者實施例中明確說明時也如此。本申請要求德國專利申請102010024864.9的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過引用并入本文。
權(quán)利要求
1.光電子半導(dǎo)體構(gòu)件(1)，具有 -載體(2 )，所述載體具有載體上側(cè)(20 )， -至少一個光電子半導(dǎo)體芯片(3)，所述光電子半導(dǎo)體芯片施加在所述載體上側(cè)(20)上，并且所述光電子半導(dǎo)體芯片具有背離所述載體上側(cè)(20)的輻射主側(cè)(30)， -至少一個接合線(4)，經(jīng)由所述接合線來電接觸所述半導(dǎo)體芯片(3)， -在所述輻射主側(cè)(30)上的至少一個覆蓋體部(5)，所述覆蓋體部在遠(yuǎn)離所述載體上側(cè)(20)并且垂直于所述輻射主側(cè)(30)的方向上超出所述接合線(4)，和 -至少一個反射的澆注塊(6)，所述澆注塊在橫向方向上包圍所述半導(dǎo)體芯片(3)，并且從所述載體上側(cè)(20)起至少伸展到所述輻射主側(cè)(30)， 其中所述接合線(4)由所述反射的澆注塊(6)或由所述反射的澆注塊(6)連同所述覆蓋體部(5) —起完全遮蓋。
2.根據(jù)前一項權(quán)利要求所述的光電子半導(dǎo)體構(gòu)件(1)， 其中所述接合線(4)完全嵌入所述反射的澆注塊(6)中。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的光電子半導(dǎo)體構(gòu)件(1)， 其中所述反射的澆注塊(6)，從所述載體上側(cè)(20)起伸展至所述覆蓋體部(5)的背離所述載體上側(cè)(20)的體部上側(cè)(50)上。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的光電子半導(dǎo)體構(gòu)件(1)， 其中所述覆蓋體部(5 )的所述體部上側(cè)(50 )設(shè)有抗粘層(8 )，并且所述抗粘層(8 )對于所述反射的澆注塊(6)的材料不是潤濕的。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的光電子半導(dǎo)體構(gòu)件(1)， 其中背離所述載體上側(cè)(20)的澆注物上側(cè)(60)在最高30 μ m公差的情況下與所述覆蓋體部(5)的所述體部上側(cè)(50)齊平并且平行地延伸。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的光電子半導(dǎo)體構(gòu)件(1)， 其中在俯視圖中觀察，所述載體上側(cè)(20)由所述反射的澆注塊(6)連同所述覆蓋體部(5)一起完全遮蓋。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的光電子半導(dǎo)體構(gòu)件(1)， 其中所述接合線(4)在電的連接區(qū)域(7)中施加在所述半導(dǎo)體芯片(2)處的所述輻射主側(cè)(30 )上，其中所述電連接區(qū)域(7 )沒有所述覆蓋體部(5 )，并且部分地或完全地由所述反射的澆注塊(6)覆蓋。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的光電子半導(dǎo)體構(gòu)件(1)， 其中所述接合線(4)在所述連接區(qū)域(7)中在最高20°公差的情況下平行于所述輻射主側(cè)(30)延伸。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的光電子半導(dǎo)體構(gòu)件(1)， 其中所述覆蓋體部(5)形成為小板，并且限界于所述輻射主側(cè)(30)，其中所述覆蓋體部(5)的厚度(A)為50 μ m和250 μ m之間，其中包括邊界值。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的光電子半導(dǎo)體構(gòu)件(1)， 其中所述反射的澆注塊(6)包括透明的基體材料和嵌入其中的反射的顆粒， 其中所述基體材料在室溫下具有最高肖氏A 50的硬度。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的光電子半導(dǎo)體構(gòu)件(1)，其中形成所述反射的顆粒的顆粒材料是金屬氧化物， 其中所述顆粒對于所述反射的澆注塊(6)的重量比在10%和40%之間，其中包括邊界值。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的光電子半導(dǎo)體構(gòu)件(1)， 其中所述反射的澆注塊(6)形狀接合地并且在橫向方向上在四周完全地包圍所述半導(dǎo)體芯片(3)、所述接合線(4)以及所述覆蓋體部(5)。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的光電子半導(dǎo)體構(gòu)件(1)， 所述光電子半導(dǎo)體構(gòu)件具有殼體(9 )，所述殼體帶有腔室(90 )， 其中所述半導(dǎo)體芯片(3)、所述覆蓋體部(4)以及所述反射的澆注塊(6)在所述載體上側(cè)(20 )上設(shè)置在所述腔室(90 )中， 并且其中所述反射的澆注塊(6)從所述半導(dǎo)體芯片(3)伸展到所述腔室(90)的橫向的邊界面(95)。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的光電子半導(dǎo)體構(gòu)件(1)， 其中所述反射的澆注塊(6)設(shè)計用于，將所述腔室(90)的所述橫向的邊界面(95)潤濕， 其中所述澆注塊(6)的在所述橫向的邊界面(95)處的厚度(T)與在所述半導(dǎo)體芯片(3)處的厚度相比至少大50 μ m并且至多大400 μ m。
全文摘要
在光電子半導(dǎo)體構(gòu)件(1)的至少一個實施形式中，所述光電子半導(dǎo)體構(gòu)件包括載體(2)以及至少一個光電子半導(dǎo)體芯片(3)，所述半導(dǎo)體芯片施加在載體上側(cè)(20)上。此外，半導(dǎo)體構(gòu)件(1)包括至少一個接合線(4)，經(jīng)由所述接合線來電接觸半導(dǎo)體芯片(3)，以及包括至少一個覆蓋體部(5)，所述覆蓋體部施加在輻射主側(cè)(30)上，并且超出接合線(4)。至少一個反射的澆注塊(6)在橫向方向上包圍半導(dǎo)體芯片(3)，并且至少伸展到半導(dǎo)體芯片(3)的輻射主側(cè)(30)。接合線(4)由反射的澆注塊(6)或由反射的澆注塊(6)連同覆蓋體部(5)一起完全遮蓋。
文檔編號H01L33/54GK102959746SQ201180031298
公開日2013年3月6日 申請日期2011年6月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月24日
發(fā)明者約翰·拉姆琴, 大衛(wèi)·拉奇, 漢斯-克里斯托弗·加爾邁爾, 斯特凡·格勒奇, 西蒙·耶雷比奇 申請人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司