專利名稱：用于快速估計集成電路布局中的光刻綁定圖案的方法
用于快速估計集成電路布局中的光刻綁定圖案的方法技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明廣義地涉及用于在半導(dǎo)體芯片上形成集成電路(IC)圖案的特征的光刻印刷，并且具體地涉及在選擇和使用照射源特性與標(biāo)線掩模上的衍射形狀的組合時的改進(jìn)， 并且更具體地涉及在標(biāo)識和優(yōu)先化IC設(shè)計部分的改進(jìn)，其中在IC設(shè)計部分上更加經(jīng)濟(jì)成本地執(zhí)行光刻過程的優(yōu)化。
背景技術(shù)：
在集成電路的制造中普遍使用光刻過程，在這些過程中，通過經(jīng)過圖案化的掩模投射輻射來圖案化晶片以在稱為光抗蝕劑或者簡稱為抗蝕劑的光敏材料上形成圖像圖案。 曝光的抗蝕劑材料被顯影以形成與圖像圖案對應(yīng)的開口，然后通過如本領(lǐng)域已知的方法、 比如蝕刻向晶片襯底傳送圖案。
已經(jīng)開發(fā)許多方法以補(bǔ)償在光學(xué)光刻系統(tǒng)的分辨率逼近用來在半導(dǎo)體芯片上形成器件和集成電路(IC)的所需光刻圖案的關(guān)鍵尺度(CD)時出現(xiàn)的圖像退化。關(guān)鍵尺度 (CD)指代在設(shè)計規(guī)范所要求的在特征與特征重復(fù)(節(jié)距)之間的、且對于器件在芯片上的恰當(dāng)工作而言關(guān)鍵的特征尺寸和間隔。當(dāng)所需IC圖案的CD逼近光刻系統(tǒng)的分辨率(定義為系統(tǒng)可以可靠印刷的最小尺度)時，圖像失真變成顯著問題。如今，光刻工具的有限分辨率帶來IC制造中的關(guān)鍵技術(shù)挑戰(zhàn)，并且這一困難將在將來隨著關(guān)鍵尺度變得越來越小而增加。為了使將來IC產(chǎn)品的制造可行，將要求光刻工具在最小CD與光刻系統(tǒng)的分辨率之比很低時實(shí)現(xiàn)充分圖像保真度。
基本光刻系統(tǒng)由光源，包含將向晶片傳送的圖案的光掩模、透鏡組和用于對準(zhǔn)晶片上的現(xiàn)有圖案與掩模上的圖案的裝置構(gòu)成。如這里描述的掩模設(shè)計過程覆蓋來自芯片設(shè)計、基于模型的光學(xué)鄰近校正(MBOPC)、OPC驗(yàn)證和掩模制作的步驟。
光刻系統(tǒng)的分辨率P可以由下述等式描述
# = Ii1;等式 I
其中P是可以光刻印刷的最小特征尺寸，λ是投影系統(tǒng)中所用光源的波長，并且 NA(數(shù)值孔徑)是投影光學(xué)器件可以收集的光數(shù)量的測量。K1是因子，該因子代表光刻過程的除了波長或者數(shù)值孔徑之外的方面、比如抗蝕劑性質(zhì)或者使用增強(qiáng)型掩模。當(dāng)照射源是部分相干時，K1可以表達(dá)為1/[2(σ+1)]，其中σ是源的部分相干性的測量，其中σ具有在O與I之間的值。用于K1的典型值范圍從約O. 7至O. 3。
低K1圖案化通常對諸如劑量、掩模CD、焦距等光刻參數(shù)的波動極為敏感，這造成小的工藝窗口。已經(jīng)提出用于優(yōu)化源照射與掩模圖案一起的組合(下文稱為源-掩模優(yōu)化或者“SM0”)的方法可以產(chǎn)生改進(jìn)的工藝窗口(例如參見美國專利6，563，566)。然而SMO方法計算成本很高，并且對全芯片布局執(zhí)行SMO不切實(shí)際。因此應(yīng)當(dāng)僅考慮從全芯片布局選擇的“難以印刷”圖案通過計算密集方法、比如SMO以實(shí)現(xiàn)全優(yōu)化。
目前使用針對具體芯片設(shè)計而實(shí)驗(yàn)確定的預(yù)定規(guī)則集來標(biāo)識所謂“難以印刷”圖案。然而這樣的規(guī)則在一般情況下不適用。其它方法則依賴于對于許多應(yīng)用而言太緩慢的近似成像方法。
鑒于上文，需要一種用于標(biāo)識可以被優(yōu)先化用于利用全優(yōu)化方法處理的“難以印刷”圖案的快速方法。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種用于設(shè)計集成電路布局的方法和計算機(jī)程序產(chǎn)品，該方法包括以下步驟提供待印刷的特征的多個布局；針對多個布局中的每個布局確定空間頻率空間中的衍射級；提供光刻難度度量；針對多個布局中的每個布局計算光刻難度度量的值；并且基于光刻難度度量的值評價多個布局中的每個布局。
本發(fā)明的光刻難度度量是以下因子的函數(shù)能量比因子，包括所述衍射級沿著空間頻率空間的角度坐標(biāo)Qi的難以印刷能量與易于印刷能量之比，其中難以印刷能量包括衍射級在空間頻率空間的歸一化徑向坐標(biāo)r的值處的能量，這些值在r = O的鄰域中和在 r = I的鄰域中，并且易于印刷能量包括衍射級位于歸一化徑向坐標(biāo)r的中間值處的能量， 這些中間值在r = O的鄰域與r = I的鄰域之間；能量熵因子,包括衍射級沿著角度坐標(biāo) Θ i的能量熵；相位熵因子，包括衍射級沿著角度坐標(biāo)Θ i的相位熵；以及總能量熵因子，包括衍射級的總能量熵。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，該方法還包括對多個布局中的具有光刻難度度量的值比預(yù)定光刻難度閾值更大的每個布局執(zhí)行全優(yōu)化處理。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，多個布局包括特征的圖案的唯一瓦片集合，從而全芯片布局由從唯一瓦片集合選擇的多個瓦片的布置構(gòu)成。
可以通常設(shè)置預(yù)定光刻難度閾值以標(biāo)識所述唯一瓦片集合中的唯一瓦片中的哪些唯一瓦片是全芯片布局的綁定圖案。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，在角度坐標(biāo)Θ i的所選值計算光刻難度度量的計算的值， 并且該方法還包括針對多個布局中的每個布局確定全局光刻難度度量，全局光刻難度度量包括來自角度坐標(biāo)Θ i的所選值之中的光刻難度度量的最大值。
在另一方面中，提供一種設(shè)計集成電路布局的方法，該方法包括以下步驟提供設(shè)計瓦片集合，其中集合中的設(shè)計瓦片中的每個設(shè)計瓦片包括待印刷的特征的唯一圖案布局；提供多個芯片布局，其中芯片布局中的每個芯片布局由從設(shè)計瓦片集合選擇的瓦片布置構(gòu)成；提供光刻難度度量。該方法還包括針對芯片布局中的每個芯片布局執(zhí)行以下方法步驟針對瓦片布置中的每個唯一瓦片確定空間頻率空間中的衍射級；針對瓦片布置中的唯一瓦片中的每個唯一瓦片計算光刻難度度量的值；基于光刻難度度量的值評價唯一瓦片中的每個唯一瓦片。
根據(jù)本發(fā)明的方法可以實(shí)施于一種包括計算機(jī)可用介質(zhì)的計算機(jī)程序產(chǎn)品和計算機(jī)系統(tǒng)中，該計算機(jī)可用介質(zhì)包括計算機(jī)可讀指令，其中計算機(jī)可讀指令當(dāng)在計算機(jī)上執(zhí)行時使計算機(jī)或者計算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行以下方法步驟提供待印刷的特征的多個布局；針對多個布局中的每個布局確定空間頻率空間中的衍射級；提供光刻難度度量；針對多個布局中的每個布局計算光刻難度度量的值；并且基于光刻難度度量的值評價多個布局中的每個布局。
將從本發(fā)明的以下具體實(shí)施方式
中清楚本發(fā)明的前述和其它特征以及優(yōu)點(diǎn)。


參照附圖，在附圖中，相似要素在未必按比例繪制的若干圖中編號相似
圖I圖示了常規(guī)光刻成像系統(tǒng)的示意圖。
圖2圖示了待印刷的重復(fù)圖案的單位單元的例子。
圖3圖示了與圖2的單位單元對應(yīng)的在方向或者空間頻率空間中的衍射級繪圖。
圖4圖示了根據(jù)本發(fā)明的方法的一個實(shí)施例。
圖5圖示了設(shè)計布局的部分的示意圖。
圖6圖示了在空間頻率或者方向空間中的繪圖，在該繪圖中，角度坐標(biāo)劃分成區(qū)域。
圖7A-7D圖示了可變節(jié)距的光柵圖案和衍射級幅度在空間頻率空間或者方向空間中的對應(yīng)繪圖的例子。
圖8A圖示了相對難以印刷圖案的能量在方向空間中的示意繪圖。
圖8B圖示了相對易于印刷圖案的能量在方向空間中的示意繪圖。
圖9圖示了易于印刷濾波器的繪圖。
圖10圖示了難以印刷濾波器的繪圖。
圖11圖示了難以印刷和易于印刷濾波器的例子的另一繪圖。
圖12圖示了衍射級能量值的分布函數(shù)繪圖。
圖13圖示了待印刷的特征圖案的部分。
圖14圖示了根據(jù)本發(fā)明的方法的一個實(shí)施例。
圖15圖示了計算機(jī)系統(tǒng)和包括用于執(zhí)行這些方法步驟的指令的計算機(jī)程序產(chǎn)品O具體實(shí)施方式
本發(fā)明提供一種用于設(shè)計和優(yōu)化用于在集成電路的制造中使用的布局，并且更具體地用于標(biāo)識和優(yōu)先化將針對其執(zhí)行全優(yōu)化方法的部分該布局的方法和裝置。
在圖I中圖示了投影光刻系統(tǒng)的基本部件。照射源110提供照射也稱為標(biāo)線 (reticle)的掩模120的輻射；可以可互換地使用術(shù)語掩模和標(biāo)線。標(biāo)線120包括如下特征，這些特征作用于經(jīng)過透鏡140衍射照射輻射，該透鏡向圖像平面、例如半導(dǎo)體晶片150 上投射圖像。從標(biāo)線120向透鏡140透射的輻射總量可以由光瞳130控制。照射源110可以能夠控制各種源參數(shù)、比如方向和強(qiáng)度。晶片150通常包括光敏材料(稱為抗蝕劑)。當(dāng)抗蝕劑暴露于投射的圖像時，顯影的特征接近地符合期望IC電路和器件所需要的期望特征圖案。
標(biāo)線120上的特征圖案充當(dāng)與衍射光柵類似的衍射結(jié)構(gòu)，該衍射結(jié)構(gòu)透射可以構(gòu)造性或者破壞性干涉的輻射圖案?？梢曰谘苌涔鈻?或者標(biāo)線120)的特征的間距在方向空間(或者也等效地稱為空間頻率空間)中以傅里葉變換方便地描述這一構(gòu)造性和破壞性干涉圖案。衍射能量的與衍射結(jié)構(gòu)的空間頻率關(guān)聯(lián)的傅里葉分量在本領(lǐng)域中稱為衍射級。例如零級與DC分量關(guān)聯(lián)，但是更高級與照射輻射的波長相關(guān)并且與在重復(fù)衍射特征之間的間距(稱為節(jié)距)反相關(guān)。當(dāng)特征節(jié)距更小時，衍射角度更大，從而更高衍射級將在比透鏡的數(shù)值孔徑更大的角度衍射。
可以在方向空間中構(gòu)造圖以指示基于期望圖案的重復(fù)尺度的光刻系統(tǒng)可以收集的衍射級。例如考慮圖2中所示單位單元圖案。單位單元圖案具有在水平方向上重復(fù)的尺度203和對角重復(fù)尺度205指示的(可替換地，在豎直方向y上的節(jié)距201指示的)交錯尺度。假設(shè)這一單位單元在衍射光柵中重復(fù)并且由軸上光束照射，衍射光柵的傅里葉變換是如圖3中所示的可以在空間頻率空間或者方向空間(ux，uy)中指示的衍射級a(ux，uy)。繪制衍射級(點(diǎn)300-326)的位置為以與軸上光束成角度衍射的光束的投射。繪制非零級與方向空間圖300的中心(該中心代表零級的位置并且也是軸上光束的方向)的距離為從軸上光束的角度的正弦，該正弦是照射的波長除以重復(fù)距離之比。例如水平重復(fù)距離203代表的+2級由點(diǎn)301代表而-2級由點(diǎn)310代表。類似地，點(diǎn)305和319基于豎直重復(fù)距離 201代表+2和-2級。水平并且豎直衍射其它級、比如表示為{-1，+1}級的級308。透鏡收集的僅有級是在光學(xué)系統(tǒng)的分辨率限制350內(nèi)的300、301、310、303、308、313和312。圓 350的半徑r是r= 1/2P = [(σ+1)ΝΑ]/λ。通常歸一化半徑r，并且為了易于討論，下文將圓350稱為單位圓。注意標(biāo)線衍射的波前的幅度將依賴于照射幅度和掩模的衍射性質(zhì)。
也可以如在下述等式中那樣在空間頻率范圍中以徑向坐標(biāo)表示衍射級a(ux，Uy)
a (ux, uy) = a (r Z - θ )(等式 2)
其中r是在方向空間中的徑向坐標(biāo)，并且Θ是在方向空間中的角坐標(biāo)。
芯片設(shè)計布局通常包含數(shù)以百萬計的特征，這些特征中的許多特征布置于可以在整個芯片布局內(nèi)重復(fù)的圖案中。雖然可能希望執(zhí)行對作為單個單位的整個芯片的優(yōu)化，但是整個芯片的全優(yōu)化由于比如計算機(jī)存儲器、計算時間和成本這樣的限制而不實(shí)際。出于優(yōu)化的目的，將整個布局細(xì)分和分類成是在一起組裝時詳盡地代表芯片布局的，少的、計算的實(shí)際數(shù)目的唯一特征圖案或者“瓦片”是有用的。優(yōu)選地，最小瓦片尺寸包含特征集，從而位于瓦片邊緣的特征在位于瓦片中心的特征周圍的光學(xué)影響半徑(ROI)內(nèi)。ROI是位于 ROI以外的特征將基本上不會在預(yù)定可變性容差內(nèi)影響目標(biāo)(例如中心)特征的印刷時的距離。例如ROI可以設(shè)置成具有半徑的區(qū)域，其中位于ROI以外的特征將按照少于5%的可變性容差影響在瓦片中心的特征的印刷尺寸。根據(jù)實(shí)際限制、比如存儲器、CPU或者周轉(zhuǎn)時間要求和成本選擇最大瓦片尺寸?，F(xiàn)在已知或者將來開發(fā)的任何方法可以用來標(biāo)識這樣的瓦片。如下文進(jìn)一步討論的那樣，許多瓦片可以代表在布局內(nèi)重復(fù)的圖案，從而僅需針對整個布局對一個這樣的瓦片執(zhí)行一次根據(jù)本發(fā)明的分析。
根據(jù)本發(fā)明，針對給定瓦片j定義光刻難度(等效地稱為“l(fā)itho難度”)度量LD， 該度量LD提供第j個瓦片內(nèi)的相對“難以印刷”圖案比對相對“易于印刷”圖案中的相對能量分布的測量。另外，沿著方向空間中的單位圓的給定角度坐標(biāo)Qi定義Iitho難度度量， 其中為了方便，在下文中，索引i等效地指代給定角度坐標(biāo)9i。用于第i個區(qū)域中的第j 個瓦片的Litho難度度量LNi是四個因素的函數(shù)1)能量比因子Af (見等式3)，該因子代表用于第j個瓦片的沿著空間頻率空間中的角度坐標(biāo)Θ i的“難以”印刷比對“易于”印刷衍射能量之比；2)能量熵因子Si (見等式4)，該因子代表用于第j個瓦片的沿著空間頻率空間中的角度坐標(biāo)Qi的能量熵的(通常歸一化)測量；3)相位熵因子(見等式5)，該因子代表用于第j個瓦片的沿著空間頻率空間中的角度坐標(biāo)Θ i的相位熵的測量；以及4)總能量熵因子StI (見等式6)，該因子代表用于第j個瓦片的總能量熵的測量。
能量比因子A丨足義為
權(quán)利要求
1.一種設(shè)計集成電路布局的方法，包括以下步驟 提供待印刷的特征的多個布局(410)； 針對所述多個布局中的甸個布局確定空間頻率空間中的衍射級(420)； 提供包括以下各項的函數(shù)的光刻難度度量(430，440) 能量比因子，包括所述衍射級沿著所述空間頻率空間的角度坐標(biāo)Θ i的難以印刷能量與易于印刷能量之比，其中所述難以印刷能量包括所述衍射級在所述空間頻率空間的歸一化徑向坐標(biāo)!■的值處的能量，所述值在!· = O的鄰域中并且在r = I的鄰域中，并且所述易于印刷能量包括所述衍射級的位于所述歸ー化徑向坐標(biāo)r的中間值處的能量，所述中間值在所述r = O的鄰域與所述r = I的鄰域之間； 能量熵因子，包括所述衍射級沿著所述角度坐標(biāo)Θ i的能量熵； 相位熵因子，包括所述衍射級沿著所述角度坐標(biāo)Θ i的相位熵；以及 總能量熵因子，包括所述衍射級的總能量熵； 針對所述多個布局中的每個布局計算所述光刻難度度量的值(450);并且 基于所述光刻難度度量的所述值評價所述多個布局中的姆個布局(460)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，還包括對所述多個布局中的具有比預(yù)定光刻難度閾值更大的所述光刻難度度量的值的每個布局執(zhí)行全優(yōu)化處理(1360)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述多個布局包括特征的圖案的唯一瓦片集合，從而使得全芯片布局由從所述唯一瓦片集合選擇的多個瓦片的布置構(gòu)成(410)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中設(shè)置所述預(yù)定光刻難度閾值以標(biāo)識所述唯一瓦片集合中的所述唯一瓦片中的哪些唯一瓦片是所述全芯片布局的綁定圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中在所述角度坐標(biāo)Θi的所選值計算所述光刻難度度量的所述計算的值，并且所述方法還包括針對所述多個布局中的每個布局確定全局光刻難度度量，所述全局光刻難度度量包括來自所述角度坐標(biāo)Θ i的所述所選值之中的所述光刻難度度量的最大值(430，440)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，還包括針對所述多個布局中的每個布局 計算全局能量比因子，所述全局能比因子包括在所述角度坐標(biāo)Qi的所選值計算的所述難以印刷能量與易于印刷能量值之比的最大值(430)； 計算全局能量熵因子，所述全局能量熵因子包括在所述角度坐標(biāo)Qi的所選值計算的所述能量熵值的最大值(440)； 計算全局相位熵因子，所述全局相位熵因子包括在所述角度坐標(biāo)Qi的所選值計算的所述相位熵值的最大值(440);并且計算所述能量熵因子(440);并且 計算全局光刻難度度量值，所述全局光刻難度度量值包括所述計算的全局能量比因子、所述計算的全局能量熵因子、所述計算的全局相位熵因子和所述計算的能量熵因子的函數(shù)(450)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中將所述空間頻率空間細(xì)分成徑向區(qū)域，每個徑向區(qū)域包括角度坐標(biāo)范圍，并且所述方法還包括針對所述徑向區(qū)域中的每個徑向區(qū)域計算所述能量比因子、所述能量熵因子和所述相位熵因子的區(qū)域值。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，還包括根據(jù)所述角度坐標(biāo)Qi的相對重要度加權(quán)所述能量比因子、所述能量熵因子、所述相位熵因子和所述光刻難度度量(460)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述加權(quán)基于照射源的分布(460)。
10.一種設(shè)計集成電路布局的方法，包括以下步驟 提供設(shè)計瓦片集合，其中所述集合中的所述設(shè)計瓦片中的每個設(shè)計瓦片包括待印刷的特征的卩隹ー圖案布局； 提供多個芯片布局，其中所述芯片布局中的每個芯片布局由從所述設(shè)計瓦片集合選擇的瓦片布置構(gòu)成(1310)； 提供包括以下各項的函數(shù)的光刻難度度量(1320，1330，1340) 能量比因子，包括所述衍射級沿著所述空間頻率空間的角度坐標(biāo)Qi的難以印刷能量與易于印刷能量之比，其中所述難以印刷能量包括所述衍射級在所述空間頻率空間的歸一化徑向坐標(biāo)!■的值處的能量，所述值在!· = O的鄰域中并且在r = I的鄰域中，并且所述易于印刷能量包括所述衍射級的位于所述歸ー化徑向坐標(biāo)r的中間值處的能量，所述中間值在所述r = O的鄰域與所述r = I的鄰域之間； 能量熵因子，包括所述衍射級沿著所述角度坐標(biāo)Θ i的能量熵； 相位熵因子，包括所述衍射級沿著所述角度坐標(biāo)Θ i的相位熵；以及 總能量熵因子，包括所述衍射級的總能量熵； 針對所述芯片布局中的每個芯片布局執(zhí)行以下方法步驟(420，450，460) 針對所述瓦片布置中的每個唯一瓦片確定空間頻率空間中的衍射級； 針對所述瓦片布置中的所述唯一瓦片中的每個唯一瓦片計算所述光刻難度度量的值； 基于所述光刻難度度量的所述值評價所述唯一瓦片中的每個唯一瓦片。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括如果與所述瓦片布置中的所述唯一瓦片之ー關(guān)聯(lián)的、所述光刻難度度量的所述值之一大于預(yù)定光刻難度閾值，則修改所述芯片布局之一 (1370)。
12.ー種包括計算機(jī)可用介質(zhì)的計算機(jī)程序產(chǎn)品，所述計算機(jī)可用介質(zhì)具有存儲于其中的計算機(jī)可讀指令，其中所述計算機(jī)可讀指令當(dāng)在計算機(jī)上執(zhí)行時使所述計算機(jī)執(zhí)行以下方法步驟 提供待印刷的特征的多個布局(410)； 針對所述多個布局中的甸個布局確定空間頻率空間中的衍射級(420)； 提供包括以下各項的函數(shù)的光刻難度度量(430，440) 能量比因子，包括所述衍射級沿著所述空間頻率空間的角度坐標(biāo)Θ i的難以印刷能量與易于印刷能量之比，其中所述難以印刷能量包括所述衍射級在所述空間頻率空間的歸一化徑向坐標(biāo)r的值的能量，所述值在r = O的鄰域中并且在r = I的鄰域中，并且所述易于印刷能量包括所述衍射級的位于所述歸ー化徑向坐標(biāo)r的中間值的能量，所述中間值在所述r = O的鄰域與所述r = I的鄰域之間； 能量熵因子，包括所述衍射級沿著所述角度坐標(biāo)Θ i的能量熵； 相位熵因子，包括所述衍射級沿著所述角度坐標(biāo)Θ i的相位熵；以及 總能量熵因子，包括所述衍射級的總能量熵； 針對所述多個布局中的每個布局計算所述光刻難度度量的值(450);并且基于所述光刻難度度量的所述值評價所述多個布局中的姆個布局(460)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的計算機(jī)程序產(chǎn)品，所述方法步驟還包括對所述多個布局中的具有比預(yù)定光刻難度閾值更大的所述光刻難度度量的值的每個布局執(zhí)行全優(yōu)化處理(1360)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的計算機(jī)程序產(chǎn)品，其中所述多個布局包括特征的圖案的ロ隹ー瓦片集合，從而使得全芯片布局由從所述卩隹ー瓦片集合選擇的多個瓦片的布置構(gòu)成(410)。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的計算機(jī)程序產(chǎn)品，其中設(shè)置所述預(yù)定光刻難度閾值以標(biāo)識所述唯一瓦片集合中的所述唯一瓦片中的哪些唯一瓦片是所述全芯片布局的綁定圖案。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的計算機(jī)程序產(chǎn)品，其中在所述角度坐標(biāo)Qi的所選值計算所述光刻難度度量的所述計算的值，并且所述方法步驟還包括針對所述多個布局中的每個布局確定全局光刻難度度量，所述全局光刻難度度量包括來自所述角度坐標(biāo)Θ i的所述所選值之中的所述光刻難度度量的最大值(430，440)。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的計算機(jī)程序產(chǎn)品，所述方法步驟還包括針對所述多個布局中的姆個布局 計算全局能量比因子，所述全局能比因子包括在所述角度坐標(biāo)Qi的所選值計算的所述難以印刷能量與易于印刷能量值之比的最大值(430)； 計算全局能量熵因子，所述全局能量熵因子包括在所述角度坐標(biāo)Qi的所選值計算的所述能量熵值的最大值(440)； 計算全局相位熵因子，所述全局相位熵因子包括在所述角度坐標(biāo)Qi的所選值計算的所述相位熵值的最大值(440);并且 計算所述能量熵因子(440);并且 計算全局光刻難度度量值，所述全局光刻難度度量值包括所述計算的全局能量比因子、所述計算的全局能量熵因子、所述計算的全局相位熵因子和所述計算的能量熵因子的函數(shù)(450)。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的計算機(jī)程序產(chǎn)品，其中將所述空間頻率空間細(xì)分成徑向區(qū)域，每個徑向區(qū)域包括角度坐標(biāo)范圍，并且所述方法步驟還包括針對所述徑向區(qū)域中的每個徑向區(qū)域計算所述能量比因子、所述能量熵因子和所述相位熵因子的區(qū)域值。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的計算機(jī)程序產(chǎn)品，所述方法步驟還包括根據(jù)所述角度坐標(biāo)Θ i的相對重要度加權(quán)所述能量比因子、所述能量熵因子、所述相位熵因子和所述光刻難度度量(460)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的計算機(jī)程序產(chǎn)品，其中所述加權(quán)基于照射源的分布(460)。
21.ー種用于設(shè)計集成電路布局的計算機(jī)系統(tǒng)，所述計算機(jī)系統(tǒng)包括存儲設(shè)備，所述存儲設(shè)備具有存儲于其中的計算機(jī)可讀指令，其中所述計算機(jī)可讀指令當(dāng)在所述計算機(jī)系統(tǒng)上執(zhí)行時使所述計算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行以下步驟的方法 提供待印刷的特征的多個布局； 針對所述多個布局中的甸個布局確定空間頻率空間中的衍射級(1310)； 提供包括以下各項的函數(shù)的光刻難度度量(1320，1330，1340) 能量比因子，包括所述衍射級沿著所述空間頻率空間的角度坐標(biāo)Θ i的難以印刷能量與易于印刷能量之比，其中所述難以印刷能量包括所述衍射級在所述空間頻率空間的歸一化徑向坐標(biāo)!■的值處的能量，所述值在!· = O的鄰域中并且在r = I的鄰域中，并且所述易于印刷能量包括所述衍射級的位于所述歸ー化徑向坐標(biāo)r的中間值處的能量，所述中間值在所述r = O的鄰域與所述r = I的鄰域之間； 能量熵因子，包括所述衍射級沿著所述角度坐標(biāo)Θ i的能量熵； 相位熵因子，包括所述衍射級沿著所述角度坐標(biāo)Θ i的相位熵；以及 總能量熵因子，包括所述衍射級的總能量熵； 針對所述多個布局中的每個布局計算所述光刻難度度量的值(450);以及 基于所述光刻難度度量的所述值評價所述多個布局中的姆個布局(460)。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的計算機(jī)系統(tǒng)，所述方法還包括以下步驟對所述多個布局中的具有比預(yù)定光刻難度閾值更大的所述光刻難度度量的值的每個布局執(zhí)行全優(yōu)化處理(1360)。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的計算機(jī)系統(tǒng)，其中所述多個布局包括特征的圖案的唯一瓦片集合，從而使得全芯片布局由從所述唯一瓦片集合選擇的多個瓦片的布置構(gòu)成(410)。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的計算機(jī)系統(tǒng)，其中設(shè)置所述預(yù)定光刻難度閾值以標(biāo)識所述唯一瓦片集中的所述唯一瓦片中的哪些唯一瓦片是所述全芯片布局的綁定圖案。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的計算機(jī)系統(tǒng)，其中在所述角度坐標(biāo)Qi的所選值計算所述光刻難度度量的所述計算的值，并且所述方法還包括以下步驟針對所述多個布局中的每個布局確定全局光刻難度度量,所述全局光刻難度度量包括來自所述角度坐標(biāo)Θ i的所述所選值之中的所述光刻難度度量的最大值(430，440)。
全文摘要
本發(fā)明提供光刻難度度量，該光刻難度度量是以下因子的函數(shù)能量比因子，包括衍射級沿著空間頻率空間的角度坐標(biāo)θi的難以印刷能量與易于印刷能量之比；能量熵因子，包括所述衍射級沿著所述角度坐標(biāo)θi的能量熵；相位熵因子，包括所述衍射級沿著所述角度坐標(biāo)θi的相位熵；以及總能量熵因子，包括所述衍射級的總能量熵(430，440)。難以印刷能量包括衍射級在空間頻率空間的歸一化徑向坐標(biāo)r的如下值處的能量，這些值在r＝0的鄰域中和在r＝1的鄰域中，并且易于印刷能量包括衍射級位于歸一化徑向坐標(biāo)r的中間值處的能量，這些中間值在r＝0的鄰域與r＝1的鄰域之間。光刻難度度量的值可以用來標(biāo)識設(shè)計布局的圖案，這些圖案是優(yōu)化計算中的綁定圖案。光刻難度度量可以用來設(shè)計具有良好、相對易于印刷特性的集成電路。
文檔編號H01L21/027GK102986002SQ201180034018
公開日2013年3月20日 申請日期2011年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月14日
發(fā)明者S·巴赫里, D·L·德瑪里斯, M·加布拉尼, D·O·梅爾維爾, A·E·羅森布魯斯, 田克漢 申請人:國際商業(yè)機(jī)器公司