專利名稱：具有周邊電容阱結(jié)的肖特基勢壘二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路器件，且更具體而言，涉及包括周邊電容阱結(jié)的肖特基勢壘二極管(SBD)集成電路器件。
背景技術(shù)：
肖特基勢壘為電勢壘，其形成在金屬與半導體相交的結(jié)處。該肖特基勢壘為整流器的形式，其良好操作為二極管。肖特基勢壘典型具有較低的結(jié)電壓，以及當相比于標準的 P-N半導體結(jié)時，在金屬中具有減小的耗盡寬度。如果金屬半導體結(jié)不整流電流，則其充當歐姆接觸。肖特基勢壘的該整流特性取決于金屬的功函數(shù)、本征半導體的帶隙、在半導體中的慘雜劑的種類和濃度等。
常規(guī)肖特基勢壘二極管受限于寄生周邊電容。以下所說明的實施例提供改善的肖特基勢壘二極管，其在P型SBD中具有減小的陽極至隔離結(jié)電容，以及在N型SBD中減小的陰極至隔離結(jié)電容。因此，本文的實施例提供襯底隔離，其具有最小化周邊電容以改善電路性能。發(fā)明內(nèi)容
在此的一個示例性實施例包含半導體器件，諸如肖特基勢壘二極管。在此文某些實施例中，該肖特基勢壘二極管包括第一類型襯底；第二類型阱隔離區(qū)，其在該第一類型襯底上；以及第一類型阱區(qū)，其在該第二類型阱隔離區(qū)上。對于在此的實施例，指稱為周邊電容阱結(jié)環(huán)的特征在該第二類型阱隔離區(qū)上。第二類型阱區(qū)在該第二類型阱隔離區(qū)上。該周邊電容阱結(jié)環(huán)位于該第一類型阱區(qū)和該第二類型阱區(qū)之間并將其分離。第二類型接觸 區(qū)在該第二類型阱區(qū)上，且第一類型接觸區(qū)接觸該第一類型阱區(qū)的內(nèi)部部分。該第一類型阱區(qū)的內(nèi)部部分位于該第一類型接觸區(qū)的中心內(nèi)。此外，第一歐姆金屬層在該第一類型接觸區(qū)上，且第二歐姆金屬層在該第一類型阱區(qū)上。該第一歐姆金屬層在構(gòu)成該肖特基勢壘二極管的肖特基勢壘的結(jié)處接觸該第二歐姆金屬層。
另外，更具體而言，在此的實施例包含正型肖特基勢壘二極管，其包括正型襯底； 負型阱隔離區(qū)，其位于該正型襯底上并與其接觸；以及正型阱區(qū)，其位于該負型阱隔離區(qū)上并與其接觸。再者，周邊電容阱結(jié)環(huán)位于該負型阱隔離區(qū)上并與其接觸。該周邊電容阱結(jié)環(huán)圍繞并接觸該P型阱區(qū)。負型阱區(qū)為位于該負型阱隔離區(qū)上并與其接觸。該負型阱區(qū)圍繞并接觸該周邊電容阱結(jié)環(huán)。該周邊電容阱結(jié)環(huán)位于該正型阱區(qū)和該負型阱區(qū)之間并將其分離。負型接觸區(qū)位于該負型阱區(qū)上并與其接觸，且正型接觸區(qū)圍繞并接觸該正型阱區(qū)的內(nèi)部部分。該正型阱區(qū)的內(nèi)部部分位于該正型接觸區(qū)的中心內(nèi)，且淺溝槽隔離環(huán)位于該周邊電容阱結(jié)環(huán)上并與其接觸。該淺溝槽隔離環(huán)位于該負型接觸區(qū)和該正型接觸區(qū)之間并將其分離。第一歐姆金屬層在該正型接觸區(qū)上，且第二歐姆金屬層在該正型阱區(qū)上。該第一歐姆金屬層在包含該肖特基勢壘二極管的肖特基勢壘的結(jié)處接觸該第二歐姆金屬層。
在此的一個實施例為形成肖特基勢壘二極管的方法。此示例性方法在第一類型襯底上形成第二類型阱隔離區(qū)、在該第二類型阱隔離區(qū)上形成第一類型阱區(qū)，以及在該第二類型阱隔離區(qū)上形成周邊電容阱結(jié)環(huán)。該方法亦在該第二類型阱隔離區(qū)上形成第二類型阱區(qū)，使得該周邊電容阱結(jié)環(huán)位于該第一類型阱區(qū)和該第二類型阱區(qū)之間并將其分離。此外，該方法在該第二類型阱區(qū)上形成第二類型接觸區(qū)，且形成第一類型接觸區(qū)，其圍繞并接觸該第一類型阱區(qū)的內(nèi)部部分，使得該第一類型阱區(qū)的內(nèi)部部分位于該第一類型接觸區(qū)的中心內(nèi)。此外，該方法在至少該第一類型接觸區(qū)和該第一類型阱區(qū)上形成硅化物。該硅化物在該第一類型接觸區(qū)上形成第一歐姆金屬層，且在該第一類型阱區(qū)上形成第二歐姆金屬層。該第一歐姆金屬層在包含該肖特基勢壘二極管的肖特基勢壘的結(jié)處接觸該第二歐姆金屬層。
另外，更具體而言，形成正型肖特基勢壘二極管的方法。此方法在正型襯底上形成負型阱隔離區(qū)，且在該負型阱隔離區(qū)上形成正型阱區(qū)。此方法亦在該負型阱隔離區(qū)上形成周邊電容阱結(jié)環(huán)，使得該周邊電容阱結(jié)環(huán)圍繞并接觸該正型阱區(qū)。此外，該方法在該負型阱隔離區(qū)上形成負型阱區(qū)，使得該負型阱區(qū)圍繞并接觸該周邊電容阱結(jié)環(huán)，且使得該周邊電容阱結(jié)環(huán)為位于該正型阱區(qū)和該負型阱區(qū)之間并將其分離。該方法在該負型阱區(qū)上形成負型接觸區(qū)，且亦形成正型接觸區(qū)，其圍繞并接觸該正型阱區(qū)的內(nèi)部部分，使得該正型阱區(qū)的內(nèi)部部分位于該正型接觸區(qū)的中心內(nèi)。該方法亦在該周邊電容阱結(jié)環(huán)上形成淺溝槽隔離環(huán)，使得該淺溝槽隔離環(huán)位于該負型接觸區(qū)和該正型接觸區(qū)之間并將其分離。該方法在該正型接觸區(qū)和/或該正型阱區(qū)上額外形成硅化物。形成該硅化物的此方法在該正型接觸區(qū)上形成第一歐姆金屬 層，且在該正型阱區(qū)上形成第二歐姆金屬層。該第一歐姆金屬層在結(jié)處接觸該第二歐姆金屬層。此結(jié)包括該肖特基勢壘二極管的肖特基勢壘。
在此亦公開上述所提及電路的設(shè)計結(jié)構(gòu)的實施例。該設(shè)計結(jié)構(gòu)為體現(xiàn)于在設(shè)計處理中所使用的非暫時性機器可讀取介質(zhì)中，該設(shè)計結(jié)構(gòu)包含肖特基勢壘二極管，其包含第一類型襯底；第二類型阱隔離區(qū)，其在該第一類型襯底上；以及第一類型阱區(qū)，其在該第二類型阱隔離區(qū)上。對于在此的實施例，指稱為周邊電容阱結(jié)環(huán)的特征在該第二類型阱隔離區(qū)上。第二類型阱區(qū)在該第二類型阱隔離區(qū)上。該周邊電容阱結(jié)環(huán)在該第一類型阱區(qū)和該第二類型阱區(qū)之間并將其分離。第二類型接觸區(qū)在該第二類型阱區(qū)上，且第一類型接觸區(qū)接觸該第一類型阱區(qū)的內(nèi)部部分。該第一類型阱區(qū)的內(nèi)部部分位于該第一類型接觸區(qū)的中心內(nèi)。此外，第一歐姆金屬層在該第一類型接觸區(qū)上，且第二歐姆金屬層在該第一類型阱區(qū)上。該第一歐姆金屬層在構(gòu)成該肖特基勢壘二極管的肖特基勢壘的結(jié)處接觸該第二歐姆金屬層。此設(shè)計結(jié)構(gòu)可以體現(xiàn)在設(shè)計處理中所使用的機器可讀取介質(zhì)中，可作為用于集成電路的布局數(shù)據(jù)的交換的數(shù)據(jù)格式而位于儲存介質(zhì)上。再者，此設(shè)計結(jié)構(gòu)可以包含網(wǎng)表，且可以包括測試數(shù)據(jù)、特性數(shù)據(jù)、驗證數(shù)據(jù)和/或設(shè)計規(guī)格。
本發(fā)明的實施例參照所附圖式從以下詳細的描述將更佳了解，其并非成比例繪制，且其中
圖1為根據(jù)在此的實施例的集成電路的剖面示意圖2為沿著在圖1中所示的集成電路的線A-A的俯視示意圖3為沿著在圖1中所示的集成電路的線B-B的俯視示意圖4為沿著在圖1中所示的集成電路的線C-C的俯視示意圖5為根據(jù)在此的實施例的部分完成的集成電路的剖面示意圖
圖6為根據(jù)在此的實施例的部分完成的集成電路的剖面示意圖
圖7為根據(jù)在此的實施例的部分完成的集成電路的剖面示意圖
圖8為根據(jù)在此的實施例的部分完成的集成電路的剖面示意圖
圖9為根據(jù)在此的實施例的部分完成的集成電路的剖面示意圖
圖10為根據(jù)在此的實施例的部分完成的集成電路的剖面示意圖11為根據(jù)在此的實施例的集成電路的剖面示意圖
圖12為根據(jù)在此的實施例的集成電路的剖面示意圖
圖13為根據(jù)在此的實施例的集成電路的剖面示意圖；以及
圖14為在半導體設(shè)計、制造和/或測試中所使用的設(shè)計程序的流程圖。
具體實施方式
如上述所提及，常規(guī)肖特基勢壘二極管為受限于周邊電容。以下所說明的實施例提供改進的肖特基勢壘二極管，其有減小的陽極至隔離電容。因此，在此的實施例提供襯底隔離，其具最小化周邊電容以改善電路性能。
圖1至圖4例示在此的實施例如何利用周邊電容阱結(jié)106以減小該陽極至隔離電容的一個范例。圖1至圖4從不同 的觀點例示該相同的結(jié)構(gòu)。圖1以沿著在圖2至圖4中所示的線D-D的剖面圖例示二極管結(jié)構(gòu)，其中該P型襯底100被隨意指稱為該結(jié)構(gòu)的“底部”，且接觸120、122、128被隨意指稱為該結(jié)構(gòu)的“頂部”。圖2至圖4分別例示沿著在圖1 中的線A-A、B-B及C-C中的每個的俯視示意圖。因此，圖2例示沿著線A-A的該結(jié)構(gòu)；圖3 例示沿著線B-B的該結(jié)構(gòu)；以及圖4例示沿著線C-C的該結(jié)構(gòu)。
在圖1至圖4中所示的正型肖特基勢壘二極管包括正型襯底100，以及負型阱隔離區(qū)102，其為位于該正型襯底100上并與其接觸。此外，正型阱區(qū)110為位于該負型阱隔離區(qū)102上并與其接觸。
周邊電容阱結(jié)環(huán)106位于該負型阱隔離區(qū)102上并與其接觸。如在圖3中最清楚示出，周邊電容阱結(jié)環(huán)106圍繞并接觸該正型阱區(qū)110。周邊電容阱結(jié)環(huán)106包含未摻雜材料、具有低于該正型阱區(qū)110的摻雜濃度的正摻雜材料或者具有低于該正型阱區(qū)110的摻雜濃度的負摻雜材料。
如在圖1和圖4中所示，負型阱區(qū)104位于該負型阱隔離區(qū)102上、與其接觸并將其圍繞。該負型阱區(qū)104具有接觸正型襯底100的下部。如在圖4中所示，該負型阱區(qū)104 的下部接觸并圍繞該負型阱隔離區(qū)102。
如在圖3中所示，該負型阱區(qū)104亦圍繞并接觸周邊電容阱結(jié)環(huán)106。如在圖3中所示，周邊電容阱結(jié)環(huán)106位于該正型阱區(qū)110和該負型阱區(qū)104之間并將其分離。
如在圖1中所示，負型接觸區(qū)108位于負型阱區(qū)104上并與其接觸。如在圖1及圖2中所示，正型接觸區(qū)112圍繞并接觸該正型阱區(qū)110的內(nèi)部。該負型接觸區(qū)108具有高于負型阱區(qū)104的摻雜濃度，且該正型接觸區(qū)112具有高于該正型阱區(qū)110的摻雜濃度。 該正型阱區(qū)110具有接觸負型阱隔離區(qū)102的下部。該正型阱區(qū)110的內(nèi)部部分(在圖11 中的138)具有小于該正型阱區(qū)110的下部(在圖11中的136)的周長。該正型阱區(qū)110的內(nèi)部部分138位于該正型接觸區(qū)112的中心內(nèi)。
此外，如在圖1中所示，淺溝槽隔離環(huán)114為位于該周邊電容阱結(jié)環(huán)106上并與其接觸。如在圖2中所示，淺溝槽隔離環(huán)114位于負型接觸區(qū)108和正型接觸區(qū)112之間并將其分離。
如在圖1中所示，第一歐姆金屬層124位于正型接觸區(qū)112上并與其接觸，且第二歐姆金屬層126位于正型阱區(qū)110上并與其接觸。第一歐姆金屬層124在包含該肖特基勢壘二極管的肖特基勢壘的結(jié)118處接觸第二歐姆金屬層126。此外，各種導電接觸被利用以形成至在圖1中所示的結(jié)構(gòu)內(nèi)的不同特征的連接。更具體而言，偏置接觸128允許負型阱區(qū)104被適度偏置以允許該電路最佳性能。此外，陽極接觸122被制造到正型接觸區(qū)112， 且陰極接觸120被制造到正型阱區(qū)110。
該肖特基勢壘二極管的電容的非線性和RC截止頻率，兩者為RF (射頻)電路應(yīng)用的主要關(guān)注點?？偲骷娙轂楸菊餍ぬ鼗Y(jié)電容和外部寄生結(jié)電容的組合。該肖特基勢壘二極管的本征電容由該肖特基結(jié)驅(qū)動，其可由以下等式Csbdjctn= eWjLj/d表示，其中ε 為半導體的電容率(permittivity)，Wj及Lj各別為該肖特基勢壘結(jié)寬度和長度，以及d為耗盡空間電荷區(qū)的深度。當縮放該器件至最小尺寸時，該肖特基結(jié)電容為受限于由
權(quán)利要求
1.一種肖特基勢壘二極管，其包括 第一類型襯底； 第二類型阱隔離區(qū)，在所述第一類型襯底上；第一類型阱區(qū)，在所述第二類型阱隔離區(qū)上； 周邊電容阱結(jié)環(huán)，在所述第二類型阱隔離區(qū)上； 第二類型阱區(qū)，在所述第二類型阱隔離區(qū)上，所述周邊電容阱結(jié)環(huán)位于所述第一類型阱區(qū)和所述第二類型阱區(qū)之間并將其分離； 第二類型接觸區(qū)，在所述第二類型阱區(qū)上； 第一類型接觸區(qū)，其接觸所述第一類型阱區(qū)的內(nèi)部部分，所述第一類型阱區(qū)的所述內(nèi)部部分位于所述第一類型接觸區(qū)的中心內(nèi)； 第一歐姆金屬層，在所述第一類型接觸區(qū)上；以及 第二歐姆金屬層，在所述第一類型阱區(qū)上，所述第一歐姆金屬層在結(jié)處接觸所述第二歐姆金屬層，所述結(jié)包括所述肖特基勢壘二極管的肖特基勢壘。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的肖特基勢壘二極管，所述周邊電容阱結(jié)環(huán)包括下列之一 未摻雜材料； 具有低于所述第一類型阱區(qū)的摻雜濃度的第一摻雜材料；以及 具有低于所述第一類型阱區(qū)的摻雜濃度的第二摻雜材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的肖特基勢壘二極管，所述第一類型阱區(qū)包括接觸所述第二類型阱隔離區(qū)的下部，以及 所述第一類型阱區(qū)的所述內(nèi)部部分具有小于所述第一類型阱區(qū)的所述下部的周長。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的肖特基勢壘二極管， 所述第二類型阱區(qū)具有接觸所述第一類型襯底的下部，所述第二類型阱區(qū)的所述下部接觸并圍繞所述第二類型阱隔離區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的肖特基勢壘二極管， 所述第二類型接觸區(qū)具有高于所述第二類型阱區(qū)的摻雜濃度；以及 所述第一類型接觸區(qū)具有高于所述第一類型阱區(qū)的摻雜濃度。
6.一種正型肖特基勢壘二極管，其包括 正型襯底； 負型阱隔離區(qū)，其位于所述正型襯底上并接觸所述正型襯底； 正型阱區(qū)，其位于所述負型阱隔離區(qū)上并接觸所述負型阱隔離區(qū)； 周邊電容阱結(jié)環(huán)，其位于所述負型阱隔離區(qū)上并接觸所述負型阱隔離區(qū)，所述周邊電容阱結(jié)環(huán)圍繞并接觸所述正型阱區(qū)； 負型阱區(qū)，其位于所述負型阱隔離區(qū)上并接觸所述負型阱隔離區(qū)，所述負型阱區(qū)圍繞并接觸所述周邊電容阱結(jié)環(huán)，所述周邊電容阱結(jié)環(huán)位于所述正型阱區(qū)和所述負型阱區(qū)之間并將其分離； 負型接觸區(qū)，其位于所述負型阱區(qū)上并接觸所述負型阱區(qū)； 正型接觸區(qū)，其圍繞并接觸所述正型阱區(qū)的內(nèi)部部分，所述正型阱區(qū)的所述內(nèi)部部分位于所述正型接觸區(qū)的中心內(nèi)； 淺溝槽隔離環(huán)，其位于所述周邊電容阱結(jié)環(huán)上并接觸所述周邊電容阱結(jié)環(huán)，所述淺溝槽隔離環(huán)位于所述負型接觸區(qū)和所述正型接觸區(qū)之間并將其分離； 第一歐姆金屬層，其在所述正型接觸區(qū)上；以及 第二歐姆金屬層，其在所述正型阱區(qū)上，所述第一歐姆金屬層在結(jié)處接觸所述第二歐姆金屬層，所述結(jié)包括所述肖特基勢壘二極管的肖特基勢壘。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的正型肖特基勢壘二極管，所述周邊電容阱結(jié)環(huán)包含下列之一 未摻雜材料； 具有低于所述正型阱區(qū)的摻雜濃度的正摻雜材料；以及 具有低于所述正型阱區(qū)的摻雜濃度的負摻雜材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的正型肖特基勢壘二極管，所述正型阱區(qū)包括接觸所述負型阱隔離區(qū)的下部，以及 所述正型阱區(qū)的所述內(nèi)部部分具有小于所述正型阱區(qū)的所述下部的周長。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的正型肖特基勢壘二極管，所述負型阱區(qū)具有接觸所述正型襯底的下部，所述負型阱區(qū)的所述下部接觸并圍繞所述負型阱隔離區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6的正型肖特基勢壘二極管，所述負型接觸區(qū)具有高于所述負型阱區(qū)的摻雜濃度；以及 所述正型接觸區(qū)具有高于所述正型阱區(qū)的摻雜濃度。
11.一種形成肖特基勢壘二極管的方法，其包括 在第一類型襯底上形成第二類型阱隔離區(qū)； 在所述第二類型阱隔離區(qū)上形成第一類型阱區(qū)； 在所述第二類型阱隔離區(qū)上形成周邊電容阱結(jié)環(huán)； 在所述第二類型阱隔離區(qū)上形成第二類型阱區(qū)，使得所述周邊電容阱結(jié)環(huán)位于所述第一類型阱區(qū)和所述第二類型阱區(qū)之間并將其分離； 在所述第二類型阱區(qū)上形成第二類型接觸區(qū)； 形成第一類型接觸區(qū)，其圍繞并接觸所述第一類型阱區(qū)的內(nèi)部部分，使得所述第一類型阱區(qū)的所述內(nèi)部部分為位于所述第一類型接觸區(qū)的中心內(nèi)；以及在至少所述第一類型接觸區(qū)和所述第一類型阱區(qū)上形成硅化物； 所述硅化物的形成在所述第一類型接觸區(qū)上形成第一歐姆金屬層，且在所述第一類型阱區(qū)上形成第二歐姆金屬層；以及 所述第一歐姆金屬層在結(jié)處接觸所述第二歐姆金屬層，所述結(jié)包括所述肖特基勢壘二極管的肖特基勢壘。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的形成肖特基勢壘二極管的方法，所述周邊電容阱結(jié)環(huán)被形成為包含下列之一 未摻雜材料； 具有低于所述第一類型阱區(qū)的摻雜濃度的第一摻雜材料；以及 具有低于所述第一類型阱區(qū)的摻雜濃度的第二摻雜材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的形成肖特基勢壘二極管的方法，所述第一類型阱區(qū)被形成為包括接觸所述第二類型阱隔離區(qū)的下部，且所述第一類型阱區(qū)的所述內(nèi)部部分被形成為具有小于所述第一類型阱區(qū)的所述下部的周長。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的形成肖特基勢壘二極管的方法，所述第二類型阱區(qū)被形成為具有接觸所述第一類型襯底的下部，且使得所述第二類型阱區(qū)的所述下部接觸并圍繞所述第二類型阱隔離區(qū)。
15.根據(jù)權(quán)利要求11的形成肖特基勢壘二極管的方法， 所述第二類型接觸區(qū)被形成為具有高于所述第二類型阱區(qū)的摻雜濃度；以及 所述第一類型接觸區(qū)被形成為具有高于所述第一類型阱區(qū)的摻雜濃度。
16.一種形成正型肖特基勢壘二極管的方法，其包括 在正型襯底上形成負型阱隔離區(qū)； 在所述負型阱隔離區(qū)上形成正型阱區(qū)； 在所述負型阱隔離區(qū)上形成周邊電容阱結(jié)環(huán)，使得所述周邊電容阱結(jié)環(huán)圍繞并接觸所述正型阱區(qū)； 在所述負型阱隔離區(qū)上形成負型阱區(qū)，使得所述負型阱區(qū)圍繞并接觸所述周邊電容阱結(jié)環(huán)，且使得所述周邊電容阱結(jié)環(huán)位于所述正型阱區(qū)和所述負型阱區(qū)之間并將其分離；在所述負型阱區(qū)上形成負型接觸區(qū)； 形成正型接觸區(qū)，其圍繞并接觸所述正型阱區(qū)的內(nèi)部部分，使得所述正型阱區(qū)的所述內(nèi)部部分位于所述正型接觸區(qū)的中心內(nèi)； 在所述周邊電容阱結(jié)環(huán)上形成淺溝槽隔離環(huán)，使得所述淺溝槽隔離環(huán)位于所述負型接觸區(qū)和所述正型接觸區(qū)之間并將其分離；以及 在至少所述正型接觸區(qū)和所述正型阱區(qū)上形成硅化物； 所述硅化物的形成在所述正型接觸區(qū)上形成第一歐姆金屬層，且在所述正型阱區(qū)上形成第二歐姆金屬層；以及 所述第一歐姆金屬層在結(jié)處接觸所述第二歐姆金屬層，所述結(jié)包括所述肖特基勢壘二極管的肖特基勢壘。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的形成正型肖特基勢壘二極管的方法，所述周邊電容阱結(jié)環(huán)被形成為包含下列之一 未摻雜材料； 具有低于所述正型阱區(qū)的摻雜濃度的正摻雜材料；以及 具有低于所述正型阱區(qū)的摻雜濃度的負摻雜材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的形成正型肖特基勢壘二極管的方法， 所述正型阱區(qū)被形成為包括接觸所述負型阱隔離區(qū)的下部，且所述正型阱區(qū)的所述內(nèi)部部分被形成為具有小于所述正型阱區(qū)的所述下部的周長。
19.根據(jù)權(quán)利要求16的形成正型肖特基勢壘二極管的方法， 所述負型阱區(qū)被形成為具有接觸所述正型襯底的下部，且使得所述負型阱區(qū)的所述下部接觸并圍繞所述負型阱隔離區(qū)。
20.根據(jù)權(quán)利要求16的形成正型肖特基勢壘二極管的方法， 所述負型接觸區(qū)被形成為具有高于所述負型阱區(qū)的摻雜濃度；以及 所述正型接觸區(qū)被形成為具有高于所述正型阱區(qū)的摻雜濃度。
21.一種設(shè)計結(jié)構(gòu)，其體現(xiàn)在設(shè)計處理中所使用的機器可讀取介質(zhì)中，所述設(shè)計結(jié)構(gòu)包括肖特基勢壘二極管，其包括 第一類型襯底；第二類型阱隔離區(qū)，其在所述第一類型襯底上；第一類型阱區(qū)，其在所述第二類型阱隔離區(qū)上； 周邊電容阱結(jié)環(huán)，其在所述第二類型阱隔離區(qū)上； 第二類型阱區(qū)，其在所述第二類型阱隔離區(qū)上，所述周邊電容阱結(jié)環(huán)為位于所述第一類型阱區(qū)和所述第二類型阱區(qū)之間并將其分離； 第二類型接觸區(qū)，其在所述第二類型阱區(qū)上； 第一類型接觸區(qū)，其接觸所述第一類型阱區(qū)的內(nèi)部部分，所述第一類型阱區(qū)的所述內(nèi)部部分位于所述第一類型接觸區(qū)的中心內(nèi)； 第一歐姆金屬層，其在所述第一類型接觸區(qū)上；以及 第二歐姆金屬層，其在所述第一類型阱區(qū)上，所述第一歐姆金屬層在結(jié)處接觸所述第二歐姆金屬層，所述結(jié)包括所述肖特基勢壘二極管的肖特基勢壘。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的設(shè)計結(jié)構(gòu)，其中所述設(shè)計結(jié)構(gòu)包含網(wǎng)表。
23.根據(jù)權(quán)利要求21的設(shè)計結(jié)構(gòu)，其中所述設(shè)計結(jié)構(gòu)作為用于集成電路的布局數(shù)據(jù)的交換的數(shù)據(jù)格式而位于儲存介質(zhì)上。
24.根據(jù)權(quán)利要求21的設(shè)計結(jié)構(gòu)，其中所述設(shè)計結(jié)構(gòu)包括測試數(shù)據(jù)、特性數(shù)據(jù)、驗證數(shù)據(jù)或設(shè)計規(guī)格中的至少一種。
全文摘要
一種肖特基勢壘二極管包括第一類型襯底(100)；第二類型阱隔離區(qū)(102)，其在所述第一類型襯底上；以及第一類型阱區(qū)(110)，其在所述第二類型阱隔離區(qū)上。對于在此的實施例，稱為周邊電容阱結(jié)環(huán)(106)的特征在所述第二類型阱隔離區(qū)上。第二類型阱區(qū)(104)在所述第二類型阱隔離區(qū)上。所述周邊電容阱結(jié)環(huán)為位于所述第一類型阱區(qū)和所述第二類型阱區(qū)之間并將其分離。第二類型接觸區(qū)(108)在所述第二類型阱區(qū)上，且第一類型接觸區(qū)(112)接觸所述第一類型阱區(qū)的內(nèi)部部分。所述第一類型阱區(qū)的內(nèi)部部分位于所述第一類型接觸區(qū)的中心內(nèi)。此外，第一歐姆金屬層(124)為在所述第一類型接觸區(qū)上，且第二歐姆金屬層(126)在所述第一類型阱區(qū)上。所述第一歐姆金屬層在構(gòu)成所述肖特基勢壘二極管的肖特基勢壘的結(jié)處接觸所述第二歐姆金屬層。
文檔編號H01L29/47GK103003949SQ201180035318
公開日2013年3月27日 申請日期2011年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月21日
發(fā)明者F·G·安德森, J·E·拉里, R·M·拉塞爾, M·E·施帝哈姆 申請人:國際商業(yè)機器公司