專利名稱：薄膜晶體管基板和具備它的液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管和具備它的液晶顯示裝置，特別涉及具有使用包含氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層的薄膜晶體管的薄膜晶體管基板和液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
構(gòu)成液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板中，作為圖像的最小單位的各像素的開關(guān)元件，使用薄膜晶體管(Thin Film Transistor，以下也稱為“TFT”)。以往，使用半導(dǎo)體層包含非晶硅的TFT，而近年來，提出了具備包含氧化物半導(dǎo)體膜的半導(dǎo)體層的TFT代替具備非晶硅半導(dǎo)體層的TFT。具備氧化物半導(dǎo)體膜作為半導(dǎo)體層的TFT表現(xiàn)出高遷移率、高可靠性和低斷開電流等良好的特性，因此被廣為研究開發(fā)。底柵結(jié)構(gòu)的TFT通常包括在玻璃基板上設(shè)置的柵極電極；以覆蓋該柵極電極的方式設(shè)置的柵極絕緣膜；在該柵極絕緣膜上以與柵極電極重疊的方式設(shè)置的半導(dǎo)體層；以及以相互分離地(隔開間距地)與該半導(dǎo)體層重疊的方式在柵極絕緣膜上設(shè)置的構(gòu)成源極部的源極電極和構(gòu)成漏極部的漏極電極，在該源極電極與柵極電極之間露出的半導(dǎo)體層部分設(shè)置有溝道部。TFT被源極電極和漏極電極上設(shè)置的層間絕緣膜覆蓋。在層間絕緣膜上設(shè)置有到達(dá)漏極電極的接觸孔，接觸孔的表面被包含透明導(dǎo)電膜的像素電極覆蓋，由此像素電極與漏極電極電連接。此外，漏極電極通常具有金屬薄膜多層層疊的結(jié)構(gòu)。作為漏極電極的層疊結(jié)構(gòu)，例如能夠列舉從柵極絕緣膜ー側(cè)起，依次層疊有包含鈦膜的第一導(dǎo)電膜、包含鋁膜的第二導(dǎo)電膜和包含氮化鑰膜的第三導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)`。在用于形成接觸孔的蝕刻時，要以從層間絕緣膜的表面貫通至漏極電極的方式設(shè)置接觸孔，該蝕刻例如通過將氟類氣體用作蝕刻氣體的干式蝕刻進(jìn)行。此時，當(dāng)通過蝕刻氣體打開的接觸孔到達(dá)漏極電極時，在接觸孔貫通第三導(dǎo)電膜的情況下，第二導(dǎo)電膜(鋁膜)露出到接觸孔表面。當(dāng)露出到接觸孔表面的鋁膜與蝕刻氣體接觸時，在鋁膜表面形成氟化鋁的膜。然后，通過在干式蝕刻后進(jìn)行氧灰化，氟化鋁膜的表面被氧化，結(jié)果，鋁膜的表面被含有氟的氧化鋁膜(即鈍化膜)覆蓋。因此，即使在接觸孔表面設(shè)置ITO膜等作為像素電極，雖然ITO膜與漏極電極接觸，但由于漏極電極的與像素電極接觸的部分被鈍化膜覆蓋，有可能發(fā)生導(dǎo)通不良導(dǎo)致品質(zhì)劣化。專利文獻(xiàn)I中，公開了用相同的氧化物半導(dǎo)體膜形成薄膜晶體管的溝道部、源極部、漏極部、以及像素電極、柵極信號線和源極信號線的端部的連接用端子部，形成薄膜晶體管陣列中的所有層結(jié)構(gòu)之后，在最上層的保護(hù)絕緣膜的希望的位置設(shè)置開ロ部，通過該開ロ部進(jìn)行等離子體處理，使連接用端子部、源極部、漏極部、像素電極同時低電阻化從而得到薄膜晶體管陣列?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開2008-40343號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題但是，通過專利文獻(xiàn)I公開的方法形成薄膜晶體管陣列時，需要進(jìn)行整個層(整個氧化物半導(dǎo)體膜)的低電阻化 處理，等離子體處理會耗費(fèi)時間。此外，溝道部也受到低電阻化的影響，發(fā)生源極、漏極之間的漏電和閾值變高的問題。進(jìn)而，由于不能充分保護(hù)氧化物半導(dǎo)體膜，薄膜晶體管陣列的長期的可靠性有可能不足。此外，由于像素電極包含已低電阻化的氧化物半導(dǎo)體膜，與像素電極包含ITO膜或IZO膜等透明電極的情況相比電阻高，不能獲得充分的顯示品質(zhì)。本發(fā)明的目的在于，在薄膜晶體管基板中，獲得漏極部與像素電極的良好的接觸。解決問題的方案本發(fā)明的薄膜晶體管基板，其特征在于，包括基板；薄膜晶體管，其具有在基板上設(shè)置的柵極電極、以覆蓋柵極電極的方式設(shè)置的柵極絕緣膜、在柵極絕緣膜上在與柵極電極相對的位置形成有溝道部的氧化物半導(dǎo)體膜、以及隔著溝道部相互分離地配置的源極部和漏極部；以覆蓋薄膜晶體管的方式設(shè)置且具有到達(dá)漏極部的像素接觸孔的保護(hù)膜；和在保護(hù)膜上設(shè)置且通過像素接觸孔與漏極部電連接的像素電極，源極部包含在柵極絕緣膜和氧化物半導(dǎo)體膜的上層設(shè)置的源極金屬，漏極部包含低電阻區(qū)域，該低電阻區(qū)域是氧化物半導(dǎo)體膜中包括與柵極絕緣膜一側(cè)相反的一側(cè)的表面的一部分氧化物半導(dǎo)體膜低電阻化而得的。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，漏極部包含低電阻區(qū)域，該低電阻區(qū)域是氧化物半導(dǎo)體膜中包括與柵極絕緣膜一側(cè)相反的一側(cè)的表面的一部分氧化物半導(dǎo)體膜低電阻化而得的，所以無需擔(dān)心發(fā)生在像素接觸孔表面設(shè)置的像素電極與漏極部的接觸不良。優(yōu)選本發(fā)明的薄膜晶體管基板中，構(gòu)成漏極部的低電阻區(qū)域的厚度為氧化物半導(dǎo)體膜的二分之一以下。本發(fā)明的薄膜晶體管基板中，也可以在柵極絕緣膜和氧化物半導(dǎo)體膜的上層且在保護(hù)膜的下層，還設(shè)置有層間絕緣膜，構(gòu)成源極部的源極金屬，在層間絕緣膜的上層形成，層間絕緣膜中形成從層間絕緣膜表面到達(dá)氧化物半導(dǎo)體膜的源極接觸孔，并且在源極接觸孔的表面形成源極金屬，由此源極金屬與氧化物半導(dǎo)體膜電連接，氧化物半導(dǎo)體膜中包括與源極金屬接觸的表面的一部分氧化物半導(dǎo)體膜形成已低電阻化的低電阻區(qū)域。本發(fā)明的薄膜晶體管基板適用于源極金屬包括從柵極絕緣膜一側(cè)起依次層疊有第一導(dǎo)電膜和包含鋁的第二導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)的情況。該情況下，也可以為第一導(dǎo)電膜包含高熔點(diǎn)金屬膜。作為高熔點(diǎn)金屬膜例如可以列舉鈦(Ti)膜、鑰(Mo)膜、鉭(Ta)膜、鎢(W)膜、鉻(Cr)膜、鎳(Ni)膜等金屬膜或包含這些金屬的氮化物、合金的金屬膜等。此外，本發(fā)明的薄膜晶體管基板中，也可以使源極金屬在第二導(dǎo)電膜的與第一導(dǎo)電膜相反的ー側(cè)還層疊有第三導(dǎo)電膜。本發(fā)明的薄膜晶體管基板適用于液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置包括該薄膜晶體管基板；與薄膜晶體管基板相對配置的對置基板；和在薄膜晶體管基板與對置基板之間設(shè)置的液晶層。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，漏極部包含低電阻區(qū)域，該低電阻區(qū)域是氧化物半導(dǎo)體膜中包括與柵極絕緣膜ー側(cè)相反的ー側(cè)的表面的一部分氧化物半導(dǎo)體膜低電阻化而得的，所以無需擔(dān)心發(fā)生在像素接觸孔表面設(shè)置的像素電極與漏極部的接觸不良。


圖1是液晶顯示裝置的概要俯視圖。圖2是圖1的I1-1I線的剖視圖。圖3是將實(shí)施方式I的薄膜晶體管基板的主要部分放大表示的俯視圖。圖4是圖3的A-A線的剖視圖。圖5是圖3的B-B線的剖視圖。圖6是圖3的C-C線的剖視圖。圖7是實(shí)施方式I的薄膜晶體管基板的制造方法的說明圖，其中，(a)對應(yīng)圖3的A-A線的剖視圖，(b)對應(yīng)圖3的B-B線的剖視圖，(c)對應(yīng)圖3的C-C線的剖視圖。圖8是接著圖7說明薄膜晶體管基板的制造方法的說明圖。圖9是接著圖8說明薄膜晶體管基板的制造方法的說明圖。圖10是接著圖9說明薄膜晶體管基板的制造方法的說明圖。圖11是接著圖10說明薄膜晶體管基板的制造方法的說明圖。圖12是將實(shí)施方式2中的薄膜晶體管基板的主要部分放大表示的俯視圖。圖13是圖12的A-A線的剖視圖。圖14是圖12的B-B線的剖視圖。圖15是圖12的C-C線的剖視圖。圖16是實(shí)施方式2的薄膜晶體管基板的制造方法的說明圖，其中，(a)對應(yīng)圖12的A-A線的剖視圖，(b)對應(yīng)圖12的B-B線的剖視圖，(c)對應(yīng)圖12的C-C線的剖視圖。圖17是接著圖16說明薄膜晶體管基板的制造方法的說明圖。圖18是接著圖17說明薄膜晶體管基板的制造方法的說明圖。圖19是接著圖18說明薄膜晶體管基板的制造方法的說明圖。圖20是接著圖19說明薄膜晶體管基板的制造方法的說明圖。圖21是將實(shí)施方式3的薄膜晶體管基板的主要部分放大表示的俯視圖。圖22是圖21的A-A線的剖視圖。

圖23是圖21的B-B線的剖視圖。圖24是實(shí)施方式3的薄膜晶體管基板的制造方法的說明圖，其中，(a)對應(yīng)圖21的A-A線的剖視圖，(b)對應(yīng)圖21的B-B線的剖視圖。圖25是接著圖24說明薄膜晶體管基板的制造方法的說明圖。圖26是接著圖25說明薄膜晶體管基板的制造方法的說明圖。
具體實(shí)施例方式以下，基于附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，本發(fā)明不限于以下實(shí)施方式，也可以是其他結(jié)構(gòu)。其中，各實(shí)施方式中，對應(yīng)的結(jié)構(gòu)用相同的參照附圖標(biāo)記說明?！秾?shí)施方式I》<液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)>圖1和圖2表示實(shí)施 方式I的液晶顯示裝置10。液晶顯示裝置10包括相互相對配置的TFT基板20和對置基板30。兩片基板20和30通過在它們的外圍邊緣部呈框狀配置的密封件40粘接。而且，在兩片基板20和30之間的被密封件40包圍的空間中，設(shè)置有液晶層50作為顯示層。液晶顯示裝置10具有在密封件40的內(nèi)側(cè)形成且呈矩陣狀配置有多個像素的顯示區(qū)域D，將其包圍的區(qū)域成為邊框區(qū)域。(TFT 基板)圖3 6表示實(shí)施方式I的TFT基板20。圖3是TFT基板20的俯視圖。TFT基板20在由玻璃基板等構(gòu)成的基板21上層疊形成有包括柵極電極22a、下部電極22b、端子22c和柵極線22gb、導(dǎo)電墊(transfer pad,未圖示)等的第一金屬；由SiO2或SiO2與SiN的層疊體等構(gòu)成的柵極絕緣膜23 ;由IGZO膜等構(gòu)成的氧化物半導(dǎo)體膜24a 24b ;包括構(gòu)成源極部的源極金屬25s和源極線25sb等的第二金屬；由Si02、SiN、透明絕緣性樹脂等構(gòu)成的保護(hù)膜26 ;由ITOdndium Tin Oxide)膜等構(gòu)成的像素電極28 ;和由聚酰亞胺膜等構(gòu)成的取向膜(未圖示)。TFT基板20的邊框區(qū)域的一部分中，TFT基板20比對置基板30突出地形成，成為用于安裝安裝部件等外部連接端子(未圖示)的端子區(qū)域。在邊框區(qū)域，形成用于對對置基板30的共用電極施加共用電位的導(dǎo)電墊(未圖示)，各導(dǎo)電墊與端子區(qū)域中配置的導(dǎo)電總線(未圖示)連接。另外,在TFT基板20的與液晶層50相反一側(cè)的表面上設(shè)置有偏光板(未圖不)。圖4是圖3的A-A線的剖視圖。如圖4所示，柵極電極22a被柵極絕緣膜23覆蓋，在柵極絕緣膜23上在與柵極電極22a相對的位置配置形成有溝道部24ac的氧化物半導(dǎo)體膜24a，在氧化物半導(dǎo)體膜24a上隔著溝道部24ac相互分離地設(shè)置有源極部S和漏極部DR，由它們構(gòu)成薄膜晶體管Τκ。柵極電極22a包含第一金屬，例如具有鋁膜、鈦膜和氮化鈦膜從下至上依次層疊而成的結(jié)構(gòu)。源極部S包含在柵極絕緣膜23和氧化物半導(dǎo)體膜24a的上層設(shè)置的源極金屬25s (第二金屬)。源極金屬25s具有第一導(dǎo)電膜25sp、第二導(dǎo)電膜25sq和第三導(dǎo)電膜25sr依次層疊而成的結(jié)構(gòu)。第一導(dǎo)電膜25sp例如包含鈦(Ti)膜,厚度例如為50nm。第二導(dǎo)電膜25sq例如包含鋁膜，厚度例如為lOOnm。第三導(dǎo)電膜25sr例如包含氮化鑰(MoN)膜等高熔點(diǎn)金屬膜，例如厚度為150nm。
漏極部DR包含氧化物半導(dǎo)體膜24a中露出到像素接觸孔27a的表面的部分低電阻化而得的低電阻區(qū)域24ad。低電阻區(qū)域24ad是氧化物半導(dǎo)體膜24a中包括露出到像素接觸孔27a的表面的部分的部分被低電阻化處理，電阻率成為溝道部24ac的電阻率的1/10000000000 1/100程度的被賦予高導(dǎo)電性的部分。優(yōu)選低電阻區(qū)域24ad包括氧化物半導(dǎo)體膜24a的表面，厚度為氧化物半導(dǎo)體膜24a的厚度的二分之一以下。低電阻區(qū)域24ad的電阻值不是均一的，例如，隨著從氧化物半導(dǎo)體膜24a的表面向柵極絕緣膜23 —側(cè)，電阻逐漸増大。此外，圖4中，為了方便，將低電阻區(qū)域24ad用線框劃分表示為獨(dú)立的區(qū)域，然而只要與氧化物半導(dǎo)體膜24a —體化的區(qū)域中的一部分成為低電阻區(qū)域24ad即可，不需要是獨(dú)立的區(qū)域。在保護(hù)膜26上設(shè)置有像素接觸孔27a，從保護(hù)膜26表面到達(dá)氧化物半導(dǎo)體膜24a的低電阻區(qū)域24ad。像素接觸孔27a的表面被像素電極28覆蓋，像素電極28與作為漏極部DR的低電阻區(qū)域24ad電連接。圖5是圖3的B-B線的剖視圖。如圖5所示，下部電極22b被柵極絕緣膜23覆蓋，在柵極絕緣膜23上在與下部電極22b相対的位置配置有包含氧化物半導(dǎo)體的蝕刻阻擋層24b。而且，在覆蓋蝕刻阻擋層24b的保護(hù)膜26上形成到達(dá)蝕刻阻擋層24b的輔助電容接觸孔27b，使蝕刻阻擋層24b中包括露出到輔助電容接觸孔27b的表面的部分的區(qū)域與其以外的部分相比低電阻化，從而形成低電阻區(qū)域24bt，由它們構(gòu)成輔助電容元件Cs。下部電極22b包含第一金屬，例如具有鋁膜、鈦膜和氮化鈦膜從下至上依次層疊而成的結(jié)構(gòu)。其中，下部電極22b與端子區(qū)域中設(shè)置的輔助電容端子!'。,連接。保護(hù)膜26上設(shè)置的輔助電容接觸孔27b的表面被像素電極28覆蓋，像素電極28與在蝕刻阻擋層24b設(shè)置的低 電阻區(qū)域24bt接觸而電連接。圖6是圖3的C-C線的剖視圖。如圖6所示，端子22c被柵極絕緣膜23和保護(hù)膜26覆蓋。端子22c包含第一金屬，例如具有鋁膜、鈦膜和氮化鈦膜從下至上依次層疊而成的結(jié)構(gòu)。在柵極絕緣膜23和保護(hù)膜26上，以從保護(hù)膜26表面到達(dá)端子22c的方式設(shè)置有接觸孔27c。接觸孔27c的表面被像素電極28覆蓋，像素電極28與端子22c電連接，構(gòu)成柵極端子部I。其中，圖6表示柵極端子部Ttj的剖面，而源極端子部Ts也具有同樣的剖面結(jié)構(gòu)。(對置基板)對置基板30中，在顯示區(qū)域D，在基板主體表面按每個像素配置有紅色著色層、緑色著色層和藍(lán)色著色層等各著色層，此處未圖示。在各著色層22R、22G、22B的上層，設(shè)置例如由厚度IOOnm程度的ITO等構(gòu)成的共用電極，進(jìn)而，以覆蓋共用電極的方式形成有取向膜。其中，各著色層包含紅色、緑色、藍(lán)色三種著色層，但是不限于此，例如，也可以包含紅色、緑色、藍(lán)色和黃色四種著色層。另外，在對置基板30的與液晶層50相反的ー側(cè)的表面設(shè)置有偏光板(未圖不)。(密封件)在TFT基板20與對置基板30之間的外圍邊緣部，以沿著邊框區(qū)域呈環(huán)狀延伸的方式配置有密封件40。而且，密封件40使TFT基板20與對置基板30相互粘接。
密封件40是以具有流動性的熱固化性樹脂或紫外線固化樹脂等(例如丙烯酸類樹脂或環(huán)氧類樹脂)的粘接劑為主要成分的密封件原料通過加熱或紫外線的照射而固化。密封件40中例如混入了導(dǎo)電性微珠，起到使共用電極與導(dǎo)電墊電連接的介質(zhì)的作用。(液晶層)液晶層50由具有電光特性的向列型液晶材料等構(gòu)成。上述結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置10中，按每個像素電極構(gòu)成一個像素，各像素中，從柵極線22gb發(fā)送柵極信號使薄膜晶體管Tk成為接通狀態(tài)時，從源極線25sb發(fā)送源極信號通過源極部S (源極金屬25s)和漏極部DR (低電阻區(qū)域24ad)，對像素電極28寫入規(guī)定的電荷，在像素電極28與對置基板30的共用電極之間產(chǎn)生電位差，對包含液晶層50的液晶電容施加規(guī)定的電壓。而且，液晶顯示裝置10中，利用液晶分子的取向狀態(tài)根據(jù)該施加電壓的大小而改變這一點(diǎn)，調(diào)整從外部入射的光的透過率，由此顯示圖像。此外，以上說明了構(gòu)成TFT基板20的源極金屬25s等的第二金屬具有第一導(dǎo)電膜25sp、第二導(dǎo)電膜25sq和第三導(dǎo)電膜25sr依次層疊的結(jié)構(gòu)，但也可以是不具備第三導(dǎo)電膜25sr的結(jié)構(gòu)(即，使第一導(dǎo)電膜25sp和第二導(dǎo)電膜25sq兩層層疊的結(jié)構(gòu))，還可以為其他結(jié)構(gòu)。此外，以上說明了構(gòu)成TFT基板20的源極金屬25s等的第一金屬的第二導(dǎo)電膜25sq是鋁膜，但也可以是例如包含鋁合金的膜、包含銅(Cu)或其合金的膜等?！碩FT基板的制造方法>以下，使用圖7 11說明制造本實(shí)施方式的TFT基板20的方法。(形成第一金屬、柵 極絕緣膜、氧化物半導(dǎo)體膜)首先，如圖7(a) (C)所示，在基板21上設(shè)置第一金屬，形成柵極電極22a、下部電極22b、端子22c、柵極線22gb(參照圖3)、導(dǎo)電墊(未圖示)等。具體而言，使用例如濺射法連續(xù)層疊形成鋁膜、鈦膜和氮化鈦膜后，使用光刻法使抗蝕劑圖案殘留在將成為柵極電極22a、下部電極22b、端子22c等的部分。然后，例如利用使用氯類的氣體的干式蝕刻法(RIE法)對鋁膜、鈦膜和氮化鈦膜的導(dǎo)電膜的層疊體進(jìn)行蝕刻后，用抗蝕劑剝離液將抗蝕劑剝離。接著，例如使用CVD法形成SiO2膜作為柵極絕緣膜23。接著，形成氧化物半導(dǎo)體膜24a和蝕刻阻擋層24b。具體而言，例如使用濺射法等，形成IGZO膜等氧化物半導(dǎo)體膜后，使用光刻法使抗蝕劑圖案殘留在將成為氧化物半導(dǎo)體膜24a和蝕刻阻擋層24b的部分。然后，例如通過使用草酸液作為蝕刻劑的濕式蝕刻法對IGZO膜進(jìn)行蝕刻后，用抗蝕劑剝離液將抗蝕劑剝離。(形成第二金屬)接著，如圖8(a) (C)所示，形成源極金屬25s。具體而言，使用例如濺射法連續(xù)層疊形成成為第一導(dǎo)電膜25sp的鈦膜(厚度50nm程度)、成為第二導(dǎo)電膜25sq的鋁膜(厚度150nm程度)和成為第三導(dǎo)電膜25sr的氮化鑰膜(厚度IOOnm程度)后，使用光刻法使抗蝕劑圖案殘留在將成為源極金屬25s的部分。然后，通過例如使用磷酸/醋酸/硝酸的混合酸液作為蝕刻劑的濕式蝕刻對第二導(dǎo)電膜和第三導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻，進(jìn)而利用使用氯類的氣體的干式蝕刻(RIE法)對作為第一導(dǎo)電膜的鈦膜進(jìn)行蝕刻后，用抗蝕劑剝離液將抗蝕劑剝離。
(形成保護(hù)膜、接觸孔)接著，如圖9(a) (C)所示，例如使用CVD法形成SiO2膜作為保護(hù)膜26。然后，通過對保護(hù)膜26進(jìn)行干式蝕刻，形成像素接觸孔27a、輔助電容接觸孔27b和接觸孔27c。具體而言，首先，在保護(hù)膜26上涂敷感光性的抗蝕劑后，使用光刻法，使抗蝕劑殘留在將成為各接觸孔27a 27c的部分以外的部分。然后，例如使用干式蝕刻法(RIE法)對保護(hù)膜26進(jìn)行蝕刻，形成各接觸孔27a 27c。此時，氧化物半導(dǎo)體膜24a、蝕刻阻擋層24b和端子22c作為蝕刻阻擋機(jī)構(gòu)起作用。(低電阻化處理)接著，如圖10(a)、(b)所示，通過對氧化物半導(dǎo)體膜24a和蝕刻阻擋層24b中分別露出到像素接觸孔27a和輔助電容接觸孔27b的表面的區(qū)域進(jìn)行低電阻化處理，使包括該氧化物半導(dǎo)體膜24a和蝕刻阻擋層24b的露出面的部分低電阻化，形成低電阻區(qū)域24ad和24bt。作為低電阻化處理例如能夠列舉等離子體處理、真空退火處理等。例如在通過等離子體處理進(jìn)行低電阻化處理的情況下，優(yōu)選在例如氫氣流量2000SCCm、壓強(qiáng)200Pa、RF電力1000W、溫度250°C和處理時間30sec以上的等離子體處理?xiàng)l件下進(jìn)行。此時，除了氫氣，還能夠使用NH3和SiH4等氣體。或者，也可以在例如CF4氣體流量270SCCm、O2氣體流量30SCCm、壓強(qiáng)7Pa、RF電カ1000W和處理時間30sec以上的等離子體處理?xiàng)l件下進(jìn)行等離子體處理?；蛘?，也可以在例如SF6氣體流量200sccm、O2氣體流量200sccm、壓強(qiáng)8Pa、RF電力600W、處理時間30sec以上的等離子體處理?xiàng)l件下進(jìn)行等離子體處理?；蛘?，優(yōu)選在例如(12氣體流量80sccm、BCl3,體流量120sccm、壓強(qiáng)4Pa、RF電カ1000W和處理時間30sec以上的條件下進(jìn)行。此外，通過真空退火進(jìn)行低電阻化處理的情況下，優(yōu)選在溫度250°C以上、壓強(qiáng)500Pa以下和處理時間I分鐘以上的真空退火條件下進(jìn)行。通過該低電阻化處理，氧化物半導(dǎo)體膜24a的厚度的二分之一以下的厚度形成為電阻比氧化物半導(dǎo)體膜24a小的低電阻區(qū)域24ad。此外，蝕刻阻擋層24b的厚度的二分之一以下的厚度形成為電阻比蝕刻阻擋層24b小的低電阻區(qū)域24bt。通過使氧化物半導(dǎo)體膜24a的一部分低電阻化而形成的低電阻區(qū)域24ad成為漏極部DR。此外，通過使蝕刻阻擋層24b的一部分低電阻化而形成的低電阻區(qū)域24bt成為輔助電 容元件Cs的上部電極部。其中，柵極端子部Ttj中，如圖11(c)所示，對于接觸孔27c不進(jìn)行低電阻化處理。(形成像素電極)最后，如圖11(a) (C)所示，形成像素電極28。具體而言，首先，使用例如濺射法等形成ITO膜后，使用光刻法使抗蝕劑圖案殘留在將成為像素電極28的部分。然后，例如使用草酸液作為蝕刻劑對ITO膜進(jìn)行蝕刻，用抗蝕劑剝離液將抗蝕劑剝離形成像素電極28。如上所述地制作TFT基板20。其中，通過使以上述方法制成的TFT基板20和按每個像素形成有彩色濾光片的對置基板30相對配置并用密封件40貼合，向兩片基板之間填充液晶材料形成液晶層50，由此能夠得到液晶顯示裝置10。(實(shí)施方式I的效果)本實(shí)施方式的薄膜晶體管Tk具有上述結(jié)構(gòu)，由此像素電極28與漏極部DR直接接觸而電連接，因此能夠抑制像素電極28與漏極部DR發(fā)生接觸不良。特別是在第二金屬構(gòu)成為第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜的層疊體，第二導(dǎo)電膜是鋁膜的情況下，使漏極部DR包含漏極金屬時，形成像素接觸孔27a時作為第二導(dǎo)電膜的鋁膜被氧化，表面被鈍化膜覆蓋，漏極金屬與像素接觸孔27a的表面設(shè)置的像素電極28可能發(fā)生接觸不良，然而由于漏極部DR包含氧化物半導(dǎo)體膜24a的一部分低電阻化而得的低電阻區(qū)域24ad，所以不會產(chǎn)生該問題，能夠獲得良好的接觸?！秾?shí)施方式2》<液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)>實(shí)施方式2的液晶顯示裝置10與實(shí)施方式I同樣地，包括相互相對配置的TFT基板20和對置基板30。兩片基板20和30通過在它們的外圍邊緣部呈框狀配置的密封件40粘接。而且，在兩片基板20和30之間的被密封件40包圍的空間中，設(shè)置有液晶層50作為顯示層。液晶顯示裝置10具有在密封件40的內(nèi)側(cè)形成且呈矩陣狀配置有多個像素的顯示區(qū)域D，將其包圍的區(qū)域成為邊框區(qū)域。由于對置基板30、密封件40和液晶層50的結(jié)構(gòu)等與實(shí)施方式I相同，因此省略說明。(TFT 基板)圖12 15表示實(shí)施方式2的TFT基板20。圖12是TFT基板20的俯視圖。TFT基板20在基板21上層疊形成第一金屬(包括柵極電極22a、下部電極22b、端子22c和柵極線22gb、導(dǎo)電墊(未圖示))、柵極絕緣膜23、氧化物半導(dǎo)體膜24a 24b、層間絕緣膜26A、第二金屬(包括源極金屬25s和源極線25sb)、保護(hù)膜26B、像素電極28和取向膜(未圖示)O圖13是圖12的A-A線的剖視圖。如圖13所示，柵極電極22a被柵極絕緣膜23覆蓋，在柵極絕緣膜23上在與柵極電極22a相對的位置配置形成有溝道部2`4ac的氧化物半導(dǎo)體膜24a，在氧化物半導(dǎo)體膜24a上隔著溝道部24ac相互分離地設(shè)置有源極部S和漏極部DR。柵極電極22a包含第一金屬，例如具有鋁膜、鈦膜和氮化鈦膜從下至上依次層疊而成的結(jié)構(gòu)。源極部S包含氧化物半導(dǎo)體膜24a中露出到源極接觸孔27as的表面的部分低電阻化而得的低電阻區(qū)域24as，和在柵極絕緣膜23、氧化物半導(dǎo)體膜24a、層間絕緣膜26A的上層設(shè)置的源極金屬25s。低電阻區(qū)域24as是氧化物半導(dǎo)體膜24a中包括露出到源極接觸孔27as的表面的部分的部分被低電阻化處理，電阻率成為溝道部24ac的電阻率的1/10000000000 1/100程度的被賦予高導(dǎo)電性的部分。優(yōu)選低電阻區(qū)域24as包括氧化物半導(dǎo)體膜24a的表面，厚度為氧化物半導(dǎo)體膜24a的厚度的二分之一以下。低電阻區(qū)域24as的電阻值不是均一的，例如，隨著從氧化物半導(dǎo)體膜24a的表面向柵極絕緣膜23 —側(cè)，電阻逐漸增大。此外，圖13中，為了方便，將低電阻區(qū)域24as用線框劃分表示為獨(dú)立的區(qū)域，然而只要與氧化物半導(dǎo)體膜24a—體化的區(qū)域中的一部分成為低電阻區(qū)域24as即可，不需要是獨(dú)立的區(qū)域。源極金屬25s包含第二金屬，與實(shí)施方式I同樣地,例如具有第一導(dǎo)電膜25sp、第二導(dǎo)電膜25sq和第三導(dǎo)電膜25sr依次層疊而成的結(jié)構(gòu)。漏極部DR包含氧化物半導(dǎo)體膜24a中露出到像素接觸孔27ad的表面的部分低電阻化而得的低電阻區(qū)域24ad。低電阻區(qū)域24ad是氧化物半導(dǎo)體膜24a中包括露出到像素接觸孔27ad的表面的部分的部分被低電阻化處理，電阻率成為溝道部24ac的電阻率的1/10000000000 1/100程度的被賦予高導(dǎo)電性的部分。優(yōu)選低電阻區(qū)域24ad包括氧化物半導(dǎo)體膜24a的表面，厚度為氧化物半導(dǎo)體膜24a的厚度的二分之一以下。低電阻區(qū)域24ad的電阻值不是均一的，例如，隨著從氧化物半導(dǎo)體膜24a的表面向柵極絕緣膜23 —側(cè)，電阻逐漸増大。此外，圖13中，為了方便，將低電阻區(qū)域24ad用線框劃分表示為獨(dú)立的區(qū)域，然而只要與氧化物半導(dǎo)體膜24a—體化的區(qū)域中的一部分成為低電阻區(qū)域24ad即可，不需要是獨(dú)立的區(qū)域。在層間絕緣膜26A和保護(hù)膜26B上設(shè)置有像素接觸孔27ad，從保護(hù)膜26B表面到達(dá)氧化物半導(dǎo)體膜24a的低電阻區(qū)域24ad。像素接觸孔27ad的表面被像素電極28覆蓋，像素電極28與作為漏極部DR的低電阻區(qū)域24ad電連接。本實(shí)施方式的薄膜晶體管Tk具有上述結(jié)構(gòu)，像素電極28與漏極部DR直接接觸而電連接，所以能夠抑制像素電極28與漏極部DR發(fā)生接觸不良。特別是在第二金屬構(gòu)成為第ー導(dǎo)電膜、第二導(dǎo)電膜、第三導(dǎo)電膜的層疊體，第二導(dǎo)電膜是鋁膜的情況下，當(dāng)通過形成漏極金屬而設(shè)置漏極部DR時，形成像素接觸孔27a時作為第二導(dǎo)電膜的鋁膜被氧化，表面被鈍化膜覆蓋，漏極金屬與在像素接觸孔27a的表面設(shè)置的像素電極28可能發(fā)生接觸不良，然而由于漏極部DR包含氧化物半導(dǎo)體膜24a的一部分低電阻化而得的低電阻區(qū)域24ad，所以不會產(chǎn)生該問題，能夠獲得良好的接觸。圖14是圖12的B-B線的剖視圖。如圖14所示，下部電極22b被柵極絕緣膜23覆蓋，在柵極絕緣膜23上在與下部電極22b相対的位置，配置有包含氧化物半導(dǎo)體的蝕刻阻擋層24b。然后，在覆蓋蝕刻阻擋層24b的層間絕緣膜26A和保護(hù)膜26B形成有到達(dá)蝕刻阻擋層24b的輔助電容接觸孔27b。蝕刻阻擋層24b中包括露出到輔助電容接觸孔27b的表面的部分的區(qū)域與其以外的部分相比低電阻化而形成低電阻區(qū)域 24bt，由它們構(gòu)成輔助電容元件Cs。下部電極22b包含第一金屬，例如具有鋁膜、鈦膜和氮化鈦膜從下至上依次層疊而成的結(jié)構(gòu)。其中，下部電極22b與端子區(qū)域中設(shè)置的輔助電容端子!'。,連接。在層間絕緣膜26A和保護(hù)膜26B上設(shè)置輔助電容接觸孔27b，從保護(hù)膜26B表面到達(dá)蝕刻阻擋層24b的低電阻區(qū)域24bt。輔助電容接觸孔27b的表面被像素電極28覆蓋，像素電極28與低電阻區(qū)域24bt電連接。圖15是圖12的C-C線的剖視圖。如圖15所示，端子22c被柵極絕緣膜23、層間絕緣膜26A和保護(hù)膜26B覆蓋。端子22c包含第一金屬，例如，具有鋁膜、鈦膜和氮化鈦膜從下至上依次層疊而成的結(jié)構(gòu)。在柵極絕緣膜23、層間絕緣膜26A和保護(hù)膜26B上，以從保護(hù)膜26B表面到達(dá)端子22c的方式設(shè)置有接觸孔27c。接觸孔27c的表面被像素電極28覆蓋，像素電極28與端子22c電連接，構(gòu)成柵極端子部ル。另外，圖15表示柵極端子部Ttj的剖面，而源極端子部Ts也具有同樣的剖面結(jié)構(gòu)。上述結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置10構(gòu)成為按每個像素電極構(gòu)成ー個像素，各像素中，從柵極線22gb發(fā)送柵極信號使薄膜晶體管Tk成為接通狀態(tài)時，從源極線25sb發(fā)送源極信號通過源極部S(低電阻區(qū)域24as和源極金屬25s)和漏極部DR(低電阻區(qū)域24ad)，對像素電極28寫入規(guī)定的電荷，像素電極28與對置基板30的共用電極之間產(chǎn)生電位差，對包含液晶層50的液晶電容施加規(guī)定的電壓。而且，液晶顯示裝置10中，利用液晶分子的取向狀態(tài)根據(jù)該施加電壓的大小而改變這一點(diǎn)，調(diào)整從外部入射的光的透過率，由此顯示圖像。另外，以上說明了構(gòu)成TFT基板20的源極金屬25s等的第二金屬具有第一導(dǎo)電膜25sp、第二導(dǎo)電膜25sq和第三導(dǎo)電膜25sr依次層疊的結(jié)構(gòu)，但也可以是不具備第三導(dǎo)電膜25sr的結(jié)構(gòu)(即，使第一導(dǎo)電膜25sp和第二導(dǎo)電膜25sq兩層層疊的結(jié)構(gòu))，還可以為其他結(jié)構(gòu)。此外，以上說明了構(gòu)成TFT基板20的源極金屬25s等的第一金屬的第二導(dǎo)電膜25sq是鋁膜，但也可以是例如包含鋁合金的膜、包含銅(Cu)或其合金的膜等?！碩FT基板的制造方法>以下，使用圖16 20說明制造本實(shí)施方式的TFT基板20的方法。(形成第一金屬、柵極絕緣膜、氧化物半導(dǎo)體膜、層間絕緣膜)首先，如圖16(a) (C)所示，在基板21上，設(shè)置例如包含鋁膜、鈦膜和氮化鈦膜的層疊體的第一金屬，形成柵極電極22a、下部電極22b、端子22c等。接著，例如使用CVD法形成SiO2膜作為柵極絕緣膜23。接著，形成氧化物半導(dǎo)體膜24a和蝕刻阻擋層24b。具體而言，例如使用濺射法等形成IGZO膜等氧化物半導(dǎo)體膜后，使用光刻法，使抗蝕劑圖案殘留在將成為氧化物半導(dǎo)體膜24a和蝕刻阻擋層24b的部分。然后，例如通過使用草酸液作為蝕刻劑的濕式蝕刻法對IGZO膜進(jìn)行蝕刻后，用抗蝕劑剝離液將抗蝕劑剝離。

進(jìn)而，以覆蓋氧化物半導(dǎo)體膜24a和蝕刻阻擋層24b的方式，在柵極絕緣膜23的上層例如使用CVD法形成SiO2膜作為層間絕緣膜26A。(形成接觸孔、第一低電阻化處理)接著，如圖17(a)所示，通過對層間絕緣膜26A進(jìn)行干式蝕刻，形成到達(dá)氧化物半導(dǎo)體膜24a的源極接觸孔27as。然后，通過對氧化物半導(dǎo)體膜24a中露出到源極接觸孔27as的表面的部分進(jìn)行低電阻化處理，使包括該氧化物半導(dǎo)體膜24a的露出面的部分低電阻化，形成低電阻區(qū)域24as。低電阻化處理能夠通過與實(shí)施方式I中列舉的低電阻化處理同樣的方法執(zhí)行。通過該低電阻化處理，氧化物半導(dǎo)體膜24a的厚度的二分之一以下的厚度形成為電阻比氧化物半導(dǎo)體膜24a小的低電阻區(qū)域24ad。通過使氧化物半導(dǎo)體膜24a的一部分低電阻化而形成的低電阻區(qū)域24as成為源極部S。另外，如圖17 (b)、(C)所示，在成為輔助電容元件Cs和柵極端子部Te的區(qū)域，在該時刻不進(jìn)行接觸孔的形成。(形成第二金屬)接著，如圖18(a)所示，以覆蓋源極接觸孔27as的表面的方式形成源極金屬25s。源極金屬25s與實(shí)施方式I同樣地，能夠如下這樣形成，即，使用例如濺射法連續(xù)層疊形成成為第一導(dǎo)電膜25sp的鈦膜(厚度50nm程度)、成為第二導(dǎo)電膜25sq的鋁膜(厚度150nm程度)和成為第三導(dǎo)電膜25sr的氮化鑰膜(厚度IOOnm程度)后，使用光刻法使抗蝕劑圖案殘留在包括源極金屬25s的部分，例如，通過使用磷酸/醋酸/硝酸的混合酸液作為蝕刻劑的濕式蝕刻對第二導(dǎo)電膜和第三導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻，進(jìn)而利用使用氯類的氣體的干式蝕刻(RIE法)對作為第一導(dǎo)電膜的鈦膜進(jìn)行蝕刻后，用抗蝕劑剝離液將抗蝕劑剝離。另外，與源極金屬25s的形成同時形成源極線25sb等包含第二金屬的結(jié)構(gòu)。如圖18 (b)、(c)所示，在成為輔助電容元件Cs和柵極端子部Te的區(qū)域，不進(jìn)行第二金屬的形成。
(形成保護(hù)膜和接觸孔、第二低電阻化處理)接著，如圖19(a) (C)所示，使用例如CVD法形成SiO2膜作為保護(hù)膜26B。然后，通過對保護(hù)膜26B和層間絕緣膜26A同時進(jìn)行干式蝕刻，形成像素接觸孔27ad、輔助電容接觸孔27b、接觸孔27c。然后，如圖19(a)、(b)所示，通過對氧化物半導(dǎo)體膜24a和蝕刻阻擋層24b中分別露出到像素接觸孔27ad和輔助電容接觸孔27b的表面的區(qū)域進(jìn)行低電阻化處理，使包括該氧化物半導(dǎo)體膜24a和蝕刻阻擋層24b的露出面的部分低電阻化，形成低電阻區(qū)域24ad和24bt。通過該低電阻化處理，氧化物半導(dǎo)體膜24a的厚度的二分之ー以下的厚度形成為電阻比氧化物半導(dǎo)體膜24a小的低電阻區(qū)域24ad。此外，蝕刻阻擋層24b的厚度的二分之一以下的厚度形成為電阻比蝕刻阻擋層24b小的低電阻區(qū)域24bt。通過使氧化物半導(dǎo)體膜24a的一部分低電阻化而形成的低電阻區(qū)域24ad成為漏極部DR。此外，通過使蝕刻阻擋層24b的一部分低電阻化而形成的低電阻區(qū)域24bt成為輔助電容元件Cs的上部電極部。(形成像素電極)最后，如圖20(a) (C)所示，與實(shí)施方式I同樣地形成像素電極28。如上所述地制作TFT基板20。另外，通過使以上述方法制成的TFT基板20和按每個像素形成有彩色濾光片的對置基板30相對配置并通過密封件40貼合，向兩片基板之間填充液晶材料形成液晶層50，能夠得到液晶顯示裝置10。(實(shí)施方式2的效果)本實(shí)施方式的薄膜晶體管Tk與實(shí) 施方式I同樣地，由于像素電極28與漏極部DR直接接觸而電連接，所以能夠抑制像素電極28與漏極部DR發(fā)生接觸不良。此外，除了實(shí)施方式I中獲得的效果以外，根據(jù)實(shí)施方式2的結(jié)構(gòu)，通過使源極部S包含低電阻區(qū)域24as和源極金屬25s，即使減小源極金屬24as的電極面積也能夠在低電阻區(qū)域24as確保源極部S的接觸，能夠獲得良好的接觸。從而，根據(jù)實(shí)施方式2的結(jié)構(gòu)，通過減小源極金屬24as的電極面積能夠獲得開ロ率提高的效果。《實(shí)施方式3》<液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)>實(shí)施方式3的液晶顯示裝置10與實(shí)施方式I同樣地包括相互相對配置的TFT基板20和對置基板30。兩片基板20和30通過在它們的外圍邊緣部呈框狀配置的密封件40粘接。在兩片基板20和30之間的被密封件40包圍的空間中，設(shè)置有液晶層50作為顯示層。液晶顯示裝置10具有在密封件40的內(nèi)側(cè)形成且呈矩陣狀配置有多個像素的顯示區(qū)域D，將其包圍的區(qū)域成為邊框區(qū)域。由于對置基板30、密封件40和液晶層50的結(jié)構(gòu)等與實(shí)施方式I相同，因此省略說明。(TFT 基板)圖21 23表示實(shí)施方式3的TFT基板20。圖21是TFT基板20的俯視圖。TFT基板20與實(shí)施方式I同樣地,在基板21上層疊形成第一金屬(包括柵極電極22a、下部電極22b、端子22c和柵極線22gb、導(dǎo)電墊(未圖示)等)、柵極絕緣膜23、氧化物半導(dǎo)體膜24a 24b、第二金屬(包括源極金屬25s、漏極金屬25d、上部金屬25b和源極線25sb等)、保護(hù)膜26、像素電極28和取向膜(未圖示)。圖22是圖21的A-A線的剖視圖。
如圖22所示，柵極電極22a被柵極絕緣膜23覆蓋，在柵極絕緣膜23上在與柵極電極22a相對的位置配置形成有溝道部24ac的氧化物半導(dǎo)體膜24a，在氧化物半導(dǎo)體膜24a上隔著溝道部24ac相互分離地設(shè)置有源極部S和漏極部DR。柵極電極22a包含第一金屬，例如具有鋁膜、鈦膜和氮化鈦膜從下至上依次層疊而成的結(jié)構(gòu)。源極部S包含在柵極絕緣膜23和氧化物半導(dǎo)體膜24a的上層設(shè)置的源極金屬25s。源極金屬25s包含第二金屬，與實(shí)施方式I同樣地,例如具有第一導(dǎo)電膜25sp、第二導(dǎo)電膜25sq和第三導(dǎo)電膜25sr依次層疊而成的結(jié)構(gòu)。漏極部DR包含氧化物半導(dǎo)體膜24a中露出到像素接觸孔27a的表面的部分低電阻化而得的低電阻區(qū)域24ad。低電阻區(qū)域24ad是氧化物半導(dǎo)體膜24a中包括露出到像素接觸孔27a的表面的部分的部分被低電阻化處理，電阻率成為溝道部24ac的電阻率的1/10000000000 1/100程度的被賦予高導(dǎo)電性的部分。優(yōu)選低電阻區(qū)域24ad包括氧化物半導(dǎo)體膜24a的表面，厚度為氧化物半導(dǎo)體膜24a的厚度的二分之一以下。低電阻區(qū)域24ad的電阻值不是均一的，例如，隨著從氧化物半導(dǎo)體膜24a的表面向柵極絕緣膜23 —側(cè)，電阻逐漸增大。此外，圖4中，為了方便，將低電阻區(qū)域24ad用線框劃分表示為獨(dú)立的區(qū)域，然而只要與氧化物半導(dǎo)體膜24a—體化的區(qū)域中的一部分成為低電阻區(qū)域24ad即可，不需要是獨(dú)立的區(qū)域。在氧化物半導(dǎo)體膜24a的上層，設(shè)置有漏極金屬25d。漏極金屬25d與源極金屬25s設(shè)置在同一層,例如具有包含鈦膜的第一導(dǎo)電膜25dp、包含招膜的第二導(dǎo)電膜25dq和包含氮化鑰膜的第三導(dǎo)電膜25dr依次層疊而成的結(jié)構(gòu)。在保護(hù)膜26上，設(shè) 置有貫通漏極金屬25d到達(dá)氧化物半導(dǎo)體膜24a的像素接觸孔27a。像素接觸孔27a的表面被像素電極28覆蓋，像素電極28與作為漏極部DR的低電阻區(qū)域24ad電連接。本實(shí)施方式的薄膜晶體管Tk具有上述結(jié)構(gòu)，像素電極28與漏極部DR直接接觸而電連接，因此能夠抑制像素電極28與漏極部DR發(fā)生接觸不良。特別是在漏極金屬25d構(gòu)成為第一導(dǎo)電膜25dp、第二導(dǎo)電膜25dq和第三導(dǎo)電膜25dr的層疊體,第二導(dǎo)電膜25dq是鋁膜的情況下，鋁膜被氧化，表面被鈍化膜覆蓋，所以有可能漏極金屬25d與像素電極28不能充分導(dǎo)通而變得接觸不良。但是，漏極部DR包含氧化物半導(dǎo)體膜24a的一部分低電阻化而得的低電阻區(qū)域24ad，因此能夠在低電阻區(qū)域24ad確保像素電極28與漏極部DR的導(dǎo)通，獲得良好的接觸。圖23是圖21的B-B線的剖視圖。如圖23所示，下部電極22b被柵極絕緣膜23覆蓋，在柵極絕緣膜23上在與下部電極22b相對的位置，配置有包含氧化物半導(dǎo)體的蝕刻阻擋層24b。在蝕刻阻擋層24b的上層設(shè)置有上部金屬25b。然后，在覆蓋蝕刻阻擋層24b的保護(hù)膜26上，形成貫通上部金屬25b到達(dá)蝕刻阻擋層24b的輔助電容接觸孔27b，使蝕刻阻擋層24b中包括露出到輔助電容接觸孔27b的表面的部分的區(qū)域，與其以外的部分相比低電阻化而形成為低電阻區(qū)域24bt，由它們構(gòu)成輔助電容元件Cs。下部電極22b包含第一金屬，例如具有鋁膜、鈦膜和氮化鈦膜從下至上依次層疊而成的結(jié)構(gòu)。其中，下部電極22b與端子區(qū)域中設(shè)置的輔助電容端子Tes連接。上部金屬25b與源極金屬25s和漏極金屬25d設(shè)置在同一層,例如具有包含鈦膜的第一導(dǎo)電膜25dp、包含鋁膜的第二導(dǎo)電膜25dq、包含氮化鑰膜的第三導(dǎo)電膜25dr依次層疊而成的結(jié)構(gòu)。保護(hù)膜26上設(shè)置的輔助電容接觸孔27b的表面被像素電極28覆蓋，像素電極28與蝕刻阻擋層24b上設(shè)置的低電阻區(qū)域24bt接觸而電連接。另外，柵極端子部Ttj和源極端子部Ts的剖面雖沒有圖示，但具有與實(shí)施方式I的柵極端子部Ttj的剖面(圖6)同樣的結(jié)構(gòu)。上述結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置10構(gòu)成為按照每個像素電極構(gòu)成ー個像素，各像素中，從柵極線22gb發(fā)送柵極信號使薄膜晶體管Tk成為接通狀態(tài)時，從源極線25sb發(fā)送源極信號通過源極部S (源極金屬25s)和漏極部DR(低電阻區(qū)域24ad)，對像素電極28寫入規(guī)定的電荷，像素電極28與對 置基板30的共用電極之間產(chǎn)生電位差，對包含液晶層50的液晶電容施加規(guī)定的電壓。而且，液晶顯示裝置10中，利用液晶分子的取向狀態(tài)根據(jù)該施加電壓的大小而改變這一點(diǎn)，調(diào)整從外部入射的光的透過率，由此顯示圖像。另外，以上說明了構(gòu)成TFT基板20的源極金屬25s和漏極金屬25d、上部金屬25b等的第二金屬具有第一導(dǎo)電膜25sp、25dp、25bp、第二導(dǎo)電膜25sq、25dq、25bq和第三導(dǎo)電膜25sr、25dr、25br依次層疊的結(jié)構(gòu)，但也可以是不具備第三導(dǎo)電膜25sr、25dr、25br的結(jié)構(gòu)(即，使第一導(dǎo)電膜25sp、25dp、25bp、第二導(dǎo)電膜25sq、25dq、25bq這兩層層疊的結(jié)構(gòu))，還可以是其他結(jié)構(gòu)。此外，以上說明了構(gòu)成TFT基板20的源極金屬25s和漏極金屬25d、上部金屬25b等的第一金屬的第二導(dǎo)電膜25sq、25dq、25bq是招膜,但也可以是例如包含招合金的膜、包含銅(Cu)或其合金的膜等。〈TFT基板的制造方法>以下，使用圖24 圖26說明制造本實(shí)施方式的TFT基板20的方法。(形成第一金屬、柵極絕緣膜、氧化物半導(dǎo)體膜、第二金屬)首先，如圖24(a)、(b)所示，在基板21上設(shè)置例如包含鋁膜、鈦膜和氮化鈦膜的層疊體的第一金屬，形成柵極電極22a、下部電極22b等。接著，例如使用CVD法形成SiO2膜作為柵極絕緣膜23。接著，形成氧化物半導(dǎo)體膜24a和蝕刻阻擋層24b。接著，以在柵極絕緣膜23和氧化物半導(dǎo)體膜24a的上層形成源極金屬25s和漏極金屬25d,在柵極絕緣膜23和蝕刻阻擋層24b的上層形成上部金屬25b的方式,形成包含第ー導(dǎo)電膜、第二導(dǎo)電膜和第三導(dǎo)電膜的層疊體的第二金屬。此時，與源極金屬25s、漏極金屬25d、上部金屬25b同時以成為形成源極線25sb等的圖案的方式形成第二金屬。(形成保護(hù)膜和接觸孔、低電阻化處理)接著，如圖25(a)、(b)所示，例如使用CVD法形成SiO2膜作為保護(hù)膜26。然后，通過對保護(hù)膜26進(jìn)行干式蝕刻，形成像素接觸孔27a、輔助電容接觸孔27b、接觸孔27c (參照圖21)。然后，通過對氧化物半導(dǎo)體膜24a和蝕刻阻擋層24b中分別露出到像素接觸孔27a和輔助電容接觸孔27b的表面的區(qū)域進(jìn)行低電阻化處理，使包括該氧化物半導(dǎo)體膜24a和蝕刻阻擋層24b的露出面的部分低電阻化，形成低電阻區(qū)域24ad和24bt。低電阻化處理能夠通過與實(shí)施方式I列舉的低電阻化處理同樣的方法執(zhí)行。通過該低電阻化處理，氧化物半導(dǎo)體膜24a的厚度的二分之一以下的厚度形成為電阻比氧化物半導(dǎo)體膜24a小的低電阻區(qū)域24ad。此外，蝕刻阻擋層24b的厚度的二分之一以下的厚度形成為電阻比蝕刻阻擋層24b小的低電阻區(qū)域24bt。通過使氧化物半導(dǎo)體膜24a的一部分低電阻化而形成的低電阻區(qū)域24ad，成為漏極部DR。此外，通過使蝕刻阻擋層24b的一部分低電阻化而形成的低電阻區(qū)域24bt，成為輔助電容元件Cs的上部電極部。(形成像素電極)最后，如圖26(a)、(b)所示，與實(shí)施方式I同樣地形成像素電極28。如上所述地制作TFT基板20。另外，通過使以上述方法制成的TFT基板20和按每個像素形成有彩色濾光片的對置基板30相對配置并用密封件40貼合，向兩片基板之間填充液晶材料形成液晶層50，能夠得到液晶顯示裝置10。(實(shí)施方式3的效果)本實(shí)施方式的薄膜晶體管Tk，即使漏極金屬25d的表面的導(dǎo)電性能劣化，也與實(shí)施方式I同樣地使像素電極28與漏極部DR直接接觸而電連接，所以能夠抑制像素電極28與漏極部DR發(fā)生接觸不良。此外，除了實(shí)施方式I中獲得的效果以外，根據(jù)實(shí)施方式3的結(jié)構(gòu)，由于在漏極部DR設(shè)置有漏極金屬25d，在輔助用電容元件Cs設(shè)置有上部金屬25b，形成像素接觸孔27a和輔助電容接觸孔27b時，漏極金屬25d和上部金屬25b能夠抑制保護(hù)膜26被過度蝕刻。結(jié)果，能夠抑制氧化物半導(dǎo)體膜24a受到等離子體損傷，或被細(xì)微地蝕刻。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性

本發(fā)明對于薄膜晶體管基板和具備它的液晶顯示裝置是有用的。附圖標(biāo)記說明Te 薄膜晶體管D 漏極部S 源極部10 液晶顯示裝置20 薄膜晶體管基板(TFT基板)21 基板22a 柵極電極23 柵極絕緣膜24a 氧化物半導(dǎo)體膜24ac 溝道部25a 氧化物半導(dǎo)體膜25sp第一導(dǎo)電膜25sq第二導(dǎo)電膜25sr第三導(dǎo)電膜25s 源極金屬26、26B 保護(hù)膜26A 層間絕緣膜
27a、27ad 像素接觸孔27as源極接觸孔28 像素電極30 對置基板 50 液晶層
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管基板，其特征在于，包括 基板； 薄膜晶體管，其具有在所述基板上設(shè)置的柵極電極、以覆蓋該柵極電極的方式設(shè)置的柵極絕緣膜、在該柵極絕緣膜上在與所述柵極電極相對的位置形成有溝道部的氧化物半導(dǎo)體膜、以及隔著所述溝道部相互分離地配置的源極部和漏極部； 以覆蓋所述薄膜晶體管的方式設(shè)置且具有到達(dá)所述漏極部的像素接觸孔的保護(hù)膜；和 在所述保護(hù)膜上設(shè)置且通過像素接觸孔與所述漏極部電連接的像素電極， 所述源極部包含在所述柵極絕緣膜和所述氧化物半導(dǎo)體膜的上層設(shè)置的源極金屬，所述漏極部包含低電阻區(qū)域，該低電阻區(qū)域是所述氧化物半導(dǎo)體膜中包括與所述柵極絕緣膜一側(cè)相反的一側(cè)的表面的一部分氧化物半導(dǎo)體膜低電阻化而得的。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于 構(gòu)成所述漏極部的低電阻區(qū)域的厚度為所述氧化物半導(dǎo)體膜的二分之一以下。
3.如權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管基板，其特征在于 在所述柵極絕緣膜和所述氧化物半導(dǎo)體膜的上層且在所述保護(hù)膜的下層，還設(shè)置有層間絕緣膜， 構(gòu)成所述源極部的源極金屬，在所述層間絕緣膜的上層形成， 所述層間絕緣膜中形成從該層間絕緣膜表面到達(dá)所述氧化物半導(dǎo)體膜的源極接觸孔，并且在該源極接觸孔的表面形成所述源極金屬，由此該源極金屬與所述氧化物半導(dǎo)體膜電連接， 所述氧化物半導(dǎo)體膜中包括與所述源極金屬接觸的表面的一部分氧化物半導(dǎo)體膜形成為已低電阻化的低電阻區(qū)域。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管基板，其特征在于 所述源極金屬包括從所述柵極絕緣膜一側(cè)起依次層疊有第一導(dǎo)電膜和包含鋁的第二導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管基板，其特征在于 所述第一導(dǎo)電膜包含高熔點(diǎn)金屬膜。
6.如權(quán)利要求4或5所述的薄膜晶體管基板，其特征在于 所述源極金屬在所述第二導(dǎo)電膜的與所述第一導(dǎo)電膜相反的一側(cè)還層疊有第三導(dǎo)電膜。
7.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括 權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管基板； 與所述薄膜晶體管基板相對配置的對置基板；和 在所述薄膜晶體管基板與所述對置基板之間設(shè)置的液晶層。
全文摘要
源極部(S)包含在柵極絕緣膜(23)和氧化物半導(dǎo)體膜(24a)的上層設(shè)置的源極金屬(25s)，漏極部(DR)包含低電阻區(qū)域(24ad)，該低電阻區(qū)域(24ad)是氧化物半導(dǎo)體膜(24a)中包括與柵極絕緣膜(23)一側(cè)相反的一側(cè)的表面的一部分氧化物半導(dǎo)體膜(24a)低電阻化而得的。
文檔編號H01L29/786GK103053014SQ201180037970
公開日2013年4月17日 申請日期2011年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月7日
發(fā)明者美崎克紀(jì) 申請人:夏普株式會社