專利名稱：光伏發(fā)電設備及其制造方法
技術領域：
本公開涉及光伏發(fā)電設備及其制造方法。
背景技術：
隨著能源需求的增加，已經積極研制將太陽輻射轉換為電能的光伏發(fā)電設備。具體地，已廣泛使用銅銦鎵硒(CIGS)光伏發(fā)電設備，所述光伏發(fā)電設備是包括玻璃襯底、金屬后電極層、P型基于CIGS的光吸收層、高阻緩沖層和N型窗口層的PN異質結設備。為了制造這種光伏發(fā)電設備，需要用于形成多個單體電池的圖案化過程。

發(fā)明內容
技術問題實施例提供一種光伏發(fā)電設備，其防止發(fā)生短路并且具有提高的光電轉換效率。技術方案在一個實施例中，一種光伏發(fā)電設備包括襯底；在所述襯底上的第一后電極；設置于所述襯底上并且與所述第一后電極分隔開的第二后電極；以及設置于所述第一后電極和所述第二后電極之間的分隔物。在另一實施例中，一種光伏發(fā)電設備包括襯底；在所述襯底上的多個分隔物；以及分別設置于所述分隔物之間的多個后電極。在另一實施例中，一種光伏發(fā)電設備的制造方法包括在襯底上形成多個犧牲分隔物；在所述襯底上的所述犧牲分隔物之間形成多個后電極中的每一個；在所述多個后電極上形成多個光吸收部；部分去除所述犧牲分隔物；以及在所述犧牲分隔物和所述光吸收部上形成窗口層。在附圖和下面的描述中描述一個或多個實施例的細節(jié)。從說明書、附圖以及權利要求中其它特征將變得顯然。有益效果由于根據實施例的光伏發(fā)電設備包括在后電極之間的分隔物，因此可以防止在后電極之間形成短路。因此，可以提高根據實施例的光伏發(fā)電設備的光電轉換效率。在根據實施例的光伏發(fā)電設備的制造方法中，后電極通過預先形成的犧牲分隔物自動分隔開。因此，在根據實施例的光伏發(fā)電設備的制造方法中，可以在不用圖案化導電層的情況下形成后電極。因此，可以利用根據實施例的制造方法高效地制造光伏發(fā)電設備。


圖1是圖示根據第 一實施例的太陽能電池板的平面圖。
圖2是沿圖1的A-A’線截取的剖視圖。圖3至10是圖示根據第一實施例的太陽能電池板的制造方法的剖視圖。圖11是圖示根據第二實施例的太陽能電池板的剖視圖。圖12至16是圖示根據第二實施例的太陽能電池板的制造方法的剖視圖。圖17是圖示根據第三實施例的太陽能電池板的剖視圖。圖18至21是圖示根據第三實施例的太陽能電池板的制造方法的剖視圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將詳細說明本公開的實施例，其例子在附圖中示出。然而，不應該認為本公開的精神和范圍受本文所提供的實施例限制。反之，顯然通過在本文中增加、改進或刪除元件可以容易地推導出落在本公開精神和范圍內的其它實施例。在實施例的描述中，應該理解，當襯底、層(或膜)、區(qū)域、圖案或電極被表述為在其它襯底、其它層(或膜)、其它區(qū)域、其它圖案、或其它電極“上/下”時，它可以直接在所述其它襯底、層(或膜)、區(qū)域、圖案或電極上/下，或者也可以存在中間組件。此外，基于附圖描述每個組件層的“上”和“下”。此外，為了進一步理解本公開，可以夸大元件的尺寸和元件之間的相對尺寸。圖1是圖示根據第一實施例的太陽能電池板的平面圖。圖2是沿圖1的A-A’線截取的剖視圖。參照圖1和2，太陽能電池板包括支撐襯底100、多個分隔物200、多個后電極310、320和330、多個光吸收部410、420和430、緩沖層500、高阻緩沖層600、窗口層700以及多個連接部800。支撐襯底100具有板形形狀，并且支撐分隔物200、后電極310、320和330、光吸收部410、420和430、緩沖層500、高阻緩沖層600、窗口層700以及連接部800。支撐襯底100可以是電絕緣體。支撐襯底100可以是玻璃襯底、塑料襯底或金屬襯底。更詳細地，支撐襯底100可以是鈉鈣玻璃襯底。支撐襯底100可以是透明的。支撐襯底100可以是剛性或撓性的。分隔物200被放置在支撐襯底100上。分隔物200接觸支撐襯底100的上表面。更詳細地，分隔物200與支撐襯底100 —體形成。分隔物200沿第一方向延伸。更詳細地，分隔物200具有沿第一方向延伸的條形形狀。分隔物200可以互相平行并且彼此分隔開。分隔物200是電絕緣體。例如，分隔物200可以由二氧化硅(SiO2)形成。分隔物200可以具有使后電極310、320和330彼此電絕緣的寬度。例如，分隔物200的寬度可以在約10 μ m至約200 μ m的范圍內。分隔物200可以具有與光吸收部410、420和430的上表面水平面相對應的高度H。就是說，分隔物200的高度H可以對應于光吸收部410、420和430的厚度和后電極310、320和330的厚度之和。例如，分隔物200的高度H可以在約I μ m至約3 μ m的范圍內。后電極310、320和 330設置于支撐襯底100上。后電極310、320和330可以直接接觸支撐襯底100的上表面。分隔層設置于多個后電極310、320和330和多個支撐襯底100之間。
后電極310、320和330中的每個設置于分隔物200之間。就是說，多個后電極310、320和330和多個分隔物200可以交替排列。例如,一個分隔物設置于第一電池Cl的后電極310和第二電池C2的后電極320之間。一個后電極設置于兩個分隔物之間。后電極310、320和330的側表面可以直接接觸分隔物200的側表面。后電極310、320和330通過分隔物200彼此分隔開。就是說，分隔物200設置于后電極310、320和330之間，以使后電極310、320和330彼此分隔開。就是說，分隔物200將后電極310、320和330彼此分隔開。后電極310、320和330是電導體。例如，后電極310、320和330可以由諸如鑰的金屬形成。在此情形中，兩個或多個層可以由相同金屬或不同金屬形成。后電極310、320和330可以排列為條形或矩陣形狀。光吸收部410、420和430設置于后電極310、320和330上。更詳細地，光吸收部410,420和430分別設置于后電極310、320和330上。光吸收部410、420和430可以直接接觸后電極310、320和330的上表面。光吸收部410、420和430設置于分隔物200之間。更詳細地，多個光吸收部410、420和430和多個分隔物200交替排列。光吸收部410、420和430的側表面可以直接接觸分隔物200的側表面。光吸收部410、420和430包括P型半導體化合物。更詳細地，光吸收部410、420和430包括基于1-1I1-VI族的化合物。例如，光吸收部410、420和430可以具有基于銅銦嫁砸(Cu(In, Ga) Se2 ;基于CIGS)的晶體結構、基于銅鋼砸的晶體結構或基于銅嫁砸的晶體結構。光吸收部410、420和430的能帶隙可以在約IeV至約1. 8eV的范圍內。緩沖層500設置于光吸收部410、420和430上。更詳細地，緩沖層500可以覆蓋光吸收部410、420和430以及分隔物200。緩沖層500可以包括硫化鎘(CdS)，并且具有在約2. 2eV至約2. 4eV的范圍內的能帶隙。高阻緩沖層600設置于緩沖層500上。高阻緩沖層600包括未摻雜雜質的氧化鋅(1-ZnO)0高阻緩沖層600的能帶隙在約3.1eV至約3. 3eV的范圍內。第一通槽THl設置于光吸收部410、420和430、緩沖層500和高阻緩沖層600中。第一通槽THl穿過光吸收部410、420和430。第一通槽THl是露出后電極310、320和330的上表面的開口區(qū)域。第一通槽THl與分隔物200相鄰。就是說，俯視時第一通槽THl在分隔物旁邊。第一通槽THl沿第一方向延伸。第一通槽THl的寬度可以在約80 μ m至約200 μ m的范圍內。緩沖層500被第一通槽THl限定為多個緩沖部。就是說，緩沖層500被第一通槽THl劃分為多個緩沖部。高阻緩沖層600被第一通槽THl限定為多個高阻緩沖部。就是說，高阻緩沖層600被第一通槽THl劃分為多個高阻緩沖部。窗口層700設置于高阻緩沖層600上。就是說，窗口層700設置于光吸收部410、420和430以及分隔物200上 。窗口層700覆蓋光吸收部410、420和430以及分隔物200。窗口層700是透明導電層。窗口層700的電阻大于后電極310、320和330的電阻。窗口層700是η型窗口層。窗口層700包括氧化物。例如，窗口層700可以包括摻雜Al的氧化鋅(AZO)或摻雜Ga的氧化鋅(GZO)。第二通槽ΤΗ2設置于光吸收部410、420和430、緩沖層500、高阻緩沖層600和窗口層700中。第二通槽ΤΗ2穿過光吸收部410、420和430、緩沖層500、高阻緩沖層600和窗口層700。第二通槽ΤΗ2與第一通槽THl相鄰。換言之，第二通槽ΤΗ2在第一通槽THl旁邊。就是說，俯視時，第二通槽ΤΗ2與第一通槽THl平行。第二通槽ΤΗ2可以沿第一方向延伸。第二通槽ΤΗ2穿過窗口層700。因此，窗口層700被劃分為多個窗口。在此情形中，窗口分別覆蓋分隔物200。窗口具有與后電極310、320和330相對應的形狀。就是說，窗口排列為條形形狀。或者，窗口可以排列為矩陣形狀。通過第二通槽ΤΗ2限定多個電池C1、C2和C3。更詳細地，通過第一通槽THl和第二通槽TH2限定多個電池C1、C2和C3。就是說，作為光伏發(fā)電設備的根據本實施例的太陽能電池板包括被第一通槽THl和第二通槽TH2劃分的多個電池C1、C2和C3。多個電池Cl、C2和C3沿與第一方向相交的第二方向互相連接。就是說，電流沿第二方向流過多個電池C1、C2 和 C3。連接部800設置于第一通槽THl中。連接部800從窗口層700向下延伸，并且分別與后電極310、320和330連接。例如，連接部800從第一電池Cl的窗口延伸，并且連接到第二電池C2的后電極320。因此，連接部800使相鄰電池互相連接。更詳細地，連接部800將電池多個C1、C2和C3的窗口和后電極310、320和330互相連接。連接部800與窗口層700 —體形成。就是說，連接部800和窗口層700由相同材料形成。由于后電極310、320和330通過分隔物200而彼此分離，因此防止后電極310、320和330之間形成短路。就是說，替代構成光吸收部410、420和430的半導體化合物，作為電絕緣體的分隔物200設置于后電極310、320和330之間，由此更有效地使后電極310、320和330彼此絕緣。由于作為電絕緣體的分隔物200更有效地使后電極310、320和330彼此絕緣，因此可以減小后電極310、320和330之間的距離。因此，可以增大用于將太陽輻射轉化為電能的有效區(qū)域的面積。因此，可以防止在根據本實施例的太陽能電池板中發(fā)生短路，并且可以改進電池板的電特性。此外，可以提高電池板的光電轉換效率。圖3至10是圖示根據第一實施例的太陽能電池板的制造方法的剖視圖。對此制造方法的描述涉及對上述光伏發(fā)電設備的描述。對光伏發(fā)電設備的前述描述可以合并到對制造方法的描述中。參照圖3，在支撐襯 底100上形成多個犧牲分隔物201。犧牲分隔物201接觸支撐襯底100的上表面。犧牲分隔物201可以與支撐襯底100 —體形成。
犧牲分隔物201是電絕緣體，并且可以由玻璃或塑料形成。犧牲分隔物201的寬度W可以在約10 μ m至約200 μ m的范圍內。犧牲分隔物201的高度H’可以在約10 μ m至約500 μ m的范圍內。更詳細地，犧牲分隔物201的高度H’可以在約20 μ m至約30 μ m的范圍內。參照圖4，在支撐襯底100上沉積諸如鑰的金屬。因此，在支撐襯底100上形成后電極 310,320 和 330。就是說，通過犧牲分隔物201自動圖案化被沉積的金屬，并且因此，在犧牲分隔物201之間沉積后電極310、320和330。后電極310、320和330可以包括在不同過程條件下形成的兩個或多個層。這樣，通過利用犧牲分隔物201自動圖案化所沉積的金屬可以形成后電極310、320和330。因此，可以在不進行諸如激光圖案化的復雜過程的情況下形成后電極310、320和 330。參照圖5，在后電極310、320和330上形成光吸收部410、420和430。可以利用濺射過程或蒸發(fā)方法形成光吸收部410、420和430。例如，為了形成光吸收部410、420和430，可以通過同時或單獨蒸發(fā)銅、銦、鎵和硒來形成基于銅銦鎵硒(Cu (In，Ga) Se2 ;基于CIGS)的半導體化合物層?；蛘唔樞驁?zhí)行金屬前驅膜形成過程和硒化過程來形成光吸收部410、420和430。更具體地，通過利用銅靶、銦靶和鎵靶的濺射過程在后電極310、320和330上形成
金屬前驅膜。之后，通過利用金屬前驅膜的硒化過程，形成基于銅銦鎵硒(Cu (In，Ga) Se2 ;基于CIGS)的半導體化合物層?；蛘?，可以同時執(zhí)行利用銅靶、銦靶和鎵靶的濺射過程和硒化過程?；蛘?，可以通過利用銅靶和銦靶或利用銅靶和鎵靶的濺射過程以及硒化過程，形成基于CIS或CIG的半導體化合物層。通過犧牲分隔物201自動圖案化如上所述的半導體化合物層，并且因此在犧牲分隔物201之間形成光吸收部410、420和430。參照圖6，切掉犧牲分隔物201的上部以在支撐襯底100上形成分隔物200。可以機械地切掉犧牲分隔物201。在此情形中，分隔物200的上表面210可以是機械切割表面。就是說，上表面210的粗糙度可以大于分隔物200的側表面的粗糙度。分隔物200的上表面210可以與光吸收部410、420和430的上表面齊平。因此，分隔物200的高度對應于光吸收部410、420和430的厚度和后電極310、320和330的厚度之和。參照圖7，通過濺射過程或化學浴沉積(CBD)方法沉積硫化鎘，在光吸收部410、420和430和分隔物200上形成緩沖層500。之后，通過濺射過程在緩沖層500上沉積氧化鋅，以形成高阻緩沖層600。緩沖層500和高阻緩沖 層600具有小厚度。例如，緩沖層500和高阻緩沖層600的厚度可以在約Inm至約80nm的范圍內。參照圖8，部分去除光吸收部410、420和430、緩沖層500和高阻緩沖層600以形成第一通槽THl。
利用分隔物200作為參照物確定第一通槽THl的位置。例如，可以利用光學傳感器10感測分隔物200的位置。緩沖層500和高阻緩沖層600很薄，并且具有高透射率。因此，光學傳感器10可以通過向光吸收部410、420和430和分隔物200發(fā)射光線來感測分隔物200的位置。其后，諸如尖頭工具的圖案化裝置20可以與分隔物200間隔預定距離地對齊，以形成第一通槽THl。可以利用諸如尖頭工具的機械裝置或激光裝置形成第一通槽TH1。例如，可以利用寬度在約40 μ m至約180 μ m范圍內的尖頭工具來圖案化光吸收部410,420和430和緩沖層500。在此情形中，第一通槽THl可以具有在約100 μ m至約200 μ m范圍內的寬度。第一通槽THl部分地露出后電極310、320和330的上表面。參照圖9，在光吸收部410、420和430上和第一通槽THl的內部空間中形成窗口層700。就是說，通過在高阻緩沖層600上和第一通槽THl的內部空間中沉積透明導電材料來形成窗口層700。例如，可以通過在高阻緩沖層600的上表面上和第一通槽THl的內部空間中經由濺射過程沉積摻雜Al的氧化鋅來形成窗口層700。此時，第一通槽THl被填充以透明導電材料，并且窗口層700直接接觸后電極310、320 和 330。參照圖10，可以通過機械劃線過程圖案化光吸收部410、420和430、緩沖層500、高阻緩沖層600和窗口層700。相應地，第二通槽TH2與第一通槽THl相鄰地形成。利用分隔物200作為參照物確定第二通槽TH2的位置。例如，可以利用光學傳感器10感測分隔物200的位置。緩沖層500和高阻緩沖層600很薄，并且窗口層700具有高透射率。因此，光學傳感器10可以通過向光吸收部410、420和430和分隔物200發(fā)射光線來感測分隔物200的位置。其后，諸如尖頭工具的圖案化裝置20可以與分隔物200間隔預定距離地對齊，以形成第二通槽TH2。通過第二通槽TH2在窗口層700上限定多個窗口和多個電池Cl、C2和C3。第二通槽TH2的寬度可以在約80 μ m至約200 μ m的范圍內。這樣，可以在不進行激光過程的情況下有效地形成后電極310、320和330。因此，可以利用以上制造方法高效地制造太陽能電池板。此外，根據所述制造方法制造的太陽能電池板具有提高的光電轉換效率，并且可以防止在后電極310、320和330之間發(fā)生短路。圖11是圖示根據第二實施例的太陽能電池板的剖視圖。本實施例涉及上述太陽能電池板及太陽能電池板的制造方法。就是說，除了不同部分之外，對前述實施例的描述可以合并到對本實施例的描述中。參照圖11，多個分隔物202設置于后電極310、320和330之間。分隔物202的上表面可以與后電極310、320和33 0的上表面齊平。分隔物202的高度可以與后電極310、320和330的高度基本相同。光吸收部410、420和430可以覆蓋分隔物202。就是說，光吸收部410、420和430直接接觸分隔物202的上表面。由于分隔物202的上表面可以與后電極310、320和330的上表面齊平，因此可以在后電極310、320和330和分隔物202上有效地形成光吸收部410、420和430。就是說，由于光吸收部410、420和430形成在非不平整表面的平面上，因此可以減少光吸收部410、420和430的缺陷。因此，可以提高根據本實施例的太陽能電池板的性能。圖12至16是圖示根據第二實施例的太陽能電池板制造方法的剖視圖。此方法涉及根據前述實施例的太陽能電池板及制造方法。就是說，除了不同部分之外，對以上太陽能電池板和根據前述實施例的制造方法的描述可以合并到對根據本實施例的制造方法的描述中。參照圖12，在支撐襯底100上形成多個犧牲分隔物203。參照圖13，在支撐襯底100上沉積諸如鑰的金屬。因此，在支撐襯底100上形成多個后電極310,320和330。參照圖14，切掉犧牲分隔物203的上部以在支撐襯底100上形成分隔物202。由于后電極310、320和330包括諸如鑰的金屬，因此后電極310、320和330可以牢固地附接到支撐襯底100。后電極310、320和330抵抗機械沖擊和其它損壞。因此，可以有效地切掉犧牲分隔物203的上部。參照圖15，在分隔物202和后電極310、320和330上形成光吸收層400?？梢岳脼R射過程或蒸發(fā)方法形成光吸收層400。參照圖16，在光吸收層400上順序地形成緩沖層500和高阻緩沖層600。之后，在光吸收層400、緩沖層500和高阻緩沖層600中形成第一通槽TH1。因此，將光吸收層400劃分為多個光吸收部410、420和430。之后，在高阻緩沖層600上形成窗口層700，并且在光吸收層400、緩沖層500、高阻緩沖層600和窗口層700中形成第二通槽TH2。因此，形成多個單體電池。如上所述，在形成后電極310、320和330之后，切掉犧牲分隔物203。因此，可以最小化切掉犧牲分隔物203期間的損壞。就是說，由于在形成光吸收層400的過程之前執(zhí)行切割犧牲分隔物203的過程，因此，可以最小化對光吸收層400的損壞。此外，光吸收層400形成在犧牲分隔物203和后電極310、320和330的平整表面上。因此，所述太陽能電池板制造方法可以最小化光吸收層400的缺陷。這樣，通過所述方法制造的太陽能電池板具有改進的性能。圖17是圖示根據第三實施例的太陽能電池板的剖視圖。圖18至21是圖示根據第三實施例的太陽能電池板的制造方法的剖視圖。根據本實施例的太陽能電池板和太陽能電池板制造方法涉及根據前述實施例的太陽能電池板及太陽能電池板制造方法。就是說，除了不同部分之外，對前述實施例的描述可以合并到對本實施例的描述中。參照圖17，分隔物204可以與支撐襯底100 —體形成。就是說，分隔物204和支撐襯底100可以由相同材料形成為一個整體。支撐襯底100可以是含鈉的鈉鈣玻璃襯底。分隔物204也可以含鈉。就是說，分隔物204可以由鈉鈣玻璃形 成。因此，構成支撐襯底100和分隔物204的鈉可以有效地傳送到光吸收層400中。
因此，根據本實施例的太陽能電池板可以具有提高的性能并且能夠被高效地制造。現(xiàn)在將描述根據本實施例的太陽能電池板的制造方法。參照圖18，加熱線30設置于支撐襯底100上。加熱線30沿第一方向延伸。于是通過加熱線30加熱支撐襯底100和加熱線30之間的接觸部和接觸部周圍的區(qū)域。因此，支撐襯底100部分熔化。參照圖19，加熱線30從支撐襯底100上升。因此，熔化的接觸部和接觸部周圍的熔化區(qū)域也上升。之后，冷卻熔化的接觸部和熔化區(qū)域，并且犧牲分隔物205與支撐襯底100 —體形成。參照圖20，在支撐襯底100上沉積諸如鑰的金屬，以形成后電極310、320和330。后電極310、320和330通過犧牲分隔物205自動形成為一圖案。之后，在后電極310、320和330上沉積基于1-1I1-VI族的半導體化合物，并且在該半導體化合物上形成光吸收部410、420和430。光吸收部410、420和430通過犧牲分隔物205自動形成為一圖案。參照圖21，切掉犧牲分隔物205的上部以形成分隔物204。參照圖22，在光吸收部410、420和430上順序地形成緩沖層500和高阻緩沖層600，并且在光吸收部410、420和430、緩沖層500和高阻緩沖層600中形成第一通槽THl。之后，在高阻緩沖層600上形成窗口層700，并且在光吸收部410、420和430、緩沖層500、高阻緩沖層600和窗口層700中形成第二通槽TH2。這樣，可以通過加熱線30有效地形成犧牲分隔物205。因此，利用根據本實施例的制造方法高效制造的太陽能電池板具有改進的特性。根據以上實施例的太陽能電池板是將太陽輻射轉化為電能的光伏發(fā)電設備。就是說，可以修改根據以上實施例的結構以應用于不同類型的光伏發(fā)電設備。盡管已參照本發(fā)明的若干示例性實施例描述了本發(fā)明，但是應該理解，本領域技術人員可以推導出的許多其它改進和實施例都將落在本公開的原理的精神和范圍內。更具體地，在本公開、附圖和所附權利要求的范圍內可以對所討論的組合排列的組成部件和/或排列方式進行各種變型和改進。除了對組成部件和/或排列方式進行變型和改進之外，替換使用對本領域技術人員來說也是顯而易見的。工業(yè)應用性根據實施例的光伏發(fā)電 設備及其制造方法可應用于光伏發(fā)電領域。
權利要求
1.一種光伏發(fā)電設備，包括 襯底； 在所述襯底上的第一后電極； 設置于所述襯底上并且與所述第一后電極分隔開的第二后電極；以及 設置于所述第一后電極和所述第二后電極之間的分隔物。
2.根據權利要求1所述的設備，包括 在所述第一后電極上的第一光吸收部；以及 在所述第二后電極上的第二光吸收部， 其中，所述分隔物設置于所述第一光吸收部和所述第二后光吸收部之間。
3.根據權利要求2所述的設備，其中，所述分隔物直接接觸所述第一光吸收部的側表面和所述第二光吸收部的側表面。
4.根據權利要求2所述的設備，包括 在所述第一光吸收部上的第一窗口， 其中，所述第一窗口覆蓋所述分隔物。
5.根據權利要求1所述的設備，其中，所述第一光吸收部覆蓋所述分隔物。
6.根據權利要求1所述的設備，其中，所述分隔物包括氧化硅。
7.根據權利要求1所述的設備，其中，所述分隔物與所述襯底一體形成。
8.一種光伏發(fā)電設備，包括 襯底； 在所述襯底上的多個分隔物；以及 分別設置于所述分隔物之間的多個后電極。
9.根據權利要求8所述的設備，包括 分別設置于所述隔板之間的所述后電極上的多個光吸收部。
10.根據權利要求9所述的設備，包括 在所述光吸收部上的多個窗口， 其中，所述窗口分別覆蓋所述分隔物。
11.根據權利要求8所述的設備，其中，所述分隔物的上表面的粗糙度大于所述分隔物的側表面的粗糙度。
12.根據權利要求8所述的設備，其中，所述分隔物與所述襯底一體形成。
13.一種光伏發(fā)電設備的制造方法，所述方法包括 在襯底上形成多個犧牲分隔物； 在所述襯底上的所述犧牲分隔物之間形成多個后電極中的每一個； 在多個所述后電極上形成多個光吸收部； 部分去除所述犧牲分隔物；以及 在所述犧牲分隔物和所述光吸收部上形成窗口層。
14.根據權利要求13所述的方法，其中，形成所述光吸收部之后去除所述犧牲分隔物。
15.根據權利要求13所述的方法，其中，所述犧牲分隔物具有在20μπι至30μπι范圍內的高度。
16.根據權利要求13所述的方法，其中，形成所述犧牲分隔物包括局部加熱所述襯底；以及局部升高被加熱的襯底。
17.根據權利要求13所述的方法，其中，形成所述光吸收部包括在所述后電極上形成光吸收層；以及形成與所述犧牲分隔物相鄰并且設置于所述光吸收層中的通槽。
18.根據權利要求17所述的方法，其中，形成所述通槽包括利用所述犧牲分隔物作為參照物確定所述通槽的位置。
19.根據權利要求13所述的方法，包括在所述窗口層中形成通槽，其中，利用所述犧牲分隔物作為參照物確定所述通槽的位置。
全文摘要
提供一種光伏發(fā)電設備及該設備的制造方法。所述光伏發(fā)電設備包括襯底；在所述襯底上的第一后電極；設置于所述襯底上并且與所述第一后電極分隔開的第二后電極；以及設置于所述第一后電極和所述第二后電極之間的分隔物。
文檔編號H01L31/042GK103069574SQ201180039063
公開日2013年4月24日 申請日期2011年4月27日 優(yōu)先權日2010年10月5日
發(fā)明者李真宇 申請人:Lg伊諾特有限公司