專利名稱：制造三維結構存儲元件的方法及裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種制造存儲元件的方法和裝置，更詳細地，涉及一種制造三維結構存儲元件的方法和裝置。
背景技術：
對于電子產品而言，在要求體積變得越來越小的同時，還要求高容量數(shù)據(jù)的處理。因此，需要減小這種電子產品的存儲元件體積的同時提高其集成度，在這一點上，考慮具有三維結構的存儲元件來代替現(xiàn)有平面型結構。

發(fā)明內容
發(fā)明要解決的課題本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠降低存儲元件體積的存儲元件的制造方法及裝置。本發(fā)明的其他目的在于，提供一種能夠有效制造三維結構存儲元件的方法及裝置。本發(fā)明的另外其他目的在于，提供一種能夠防止在蒸鍍多個薄膜的工序中由薄膜的應力差引起的基底基底變形的存儲元件的制造方法及裝置。通過詳細的說明和添加的附圖，能夠進一步明確本發(fā)明的一些其他目的。解決課題的方法根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一種三維結構存儲元件的制造方法包括:在基底上交替層疊一個以上絕緣層和一個以上犧牲層的步驟；形成貫通所述絕緣層和所述犧牲層的貫通孔的步驟；形成填充所述貫通孔的圖形的步驟；形成貫通所述絕緣層和所述犧牲層的開口的步驟；以及通過所述開口供給蝕刻劑而去除所述犧牲層的步驟，其中，所述層疊絕緣層的步驟包括向所述基底供給選自SiH4、Si2H6, Si3H8, Si4Hltl群中的一種以上氣體而蒸鍍氧化硅膜的步驟，所述層疊犧牲層的步驟包括向所述基底供給選自SiH4、Si2H6, Si3H8, Si4H10,SiCl2H2群中的氣體和基于氨的氣體而蒸鍍氮化膜的步驟。所述絕緣層和所述犧牲層對所述蝕刻劑具有刻蝕選擇比(etch selectivity),所述犧牲層的蝕刻率為所述絕緣層的蝕刻率的五倍至三百倍以上。所述蝕刻劑選自h3po4、hf、boe中的一種以上。所述層疊絕緣層的步驟進一步包括供給基于乙基的氣體的步驟，所述氧化硅膜為SiCO。 (Silicon Carbon Oxide)。所述層疊絕緣層的步驟進一步包括供給基于甲基的氣體的步驟，所述氧化硅膜為SiCO (Silicon Carbon Oxide)。所述基于氨的氣體可以是NH3。所述基底的溫度可以保持在300至790度，所述基底的加工壓力可以保持在IOmTorr 至 250Torr。
所述氧化硅膜和所述氮化膜具有互相不同的厚度。所述交替層疊絕緣層和犧牲層的步驟進一步包括通過環(huán)形邊對所述基底的邊緣部施壓的步驟。所述基底的邊緣部相當于從所述基底的邊緣向所述基底的內側0.5mm-3mm的范圍。所述環(huán)形邊可以是陶瓷材料。根據(jù)本發(fā)明的其他實施例，一種三維結構存儲元件的制造方法包括:在基底上交替層疊一個以上絕緣層和一個以上犧牲層的步驟；形成貫通所述絕緣層和所述犧牲層的貫通孔的步驟；形成填充所述貫通孔的圖形的步驟；形成貫通所述絕緣層和所述犧牲層的開口的步驟；以及通過所述開口供給蝕刻劑而去除所述犧牲層的步驟，其中，所述層疊絕緣層的步驟包括向所述基底供給選自SiH4、Si2H6, Si3H8, Si4Hltl群中的一種以上氣體而蒸鍍第一氧化硅膜的步驟，所述層疊犧牲層的步驟包括向所述基底供給選自SiH4、Si2H6, Si3H8,Si4Hltl、二氯硅烷(SiCl2H2)群中的一種以上氣體和基于氨的氣體、以及選自B2H6、PH3群中的一種以上氣體而蒸鍍注入有硼或者磷的氮化膜的步驟。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一種三維結構存儲元件的制造裝置包括:用于實行基底加工的腔室；基底支撐臺，其設置于所述腔室內并用于放置所述基底，并通過升降而轉換至所述基底出入于所述腔室內部的解除位置和對所述基底進行加工的加工位置；環(huán)形邊，當所述基底支撐臺處于所述解除位置時，所述環(huán)形邊位于所述基底的上部，并且所述環(huán)形邊具有當所述基底支撐臺轉換至所述加工位置時，對位于所述基底支撐臺上部的所述基底的邊緣部施壓的施壓面。所述基底支撐臺具有位于所述基底外側的環(huán)狀邊緣部，所述環(huán)形邊具備:位于所述基底支撐臺的邊緣部上部的支撐部；從所述支撐部向所述基底的邊緣部延伸且具有所述施壓面的施壓部；水平支撐部，其從所述支撐部向所述腔室的側壁延伸，當所述基底支撐臺處于解除位置時，所述水平支撐部置在設置于所述腔室側壁的固定突起的上面；以及垂直支撐部，其從所述支撐部向所述下部延伸，當所述基底支撐臺處于解除位置時，與設置于所述腔室側壁的固定突起的側面相接觸。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明的實施例，通過將存儲元件形成為三維結構，能夠降低存儲元件的體積。并且，在基底基底上交替層疊形成絕緣層和犧牲層之后，在通過如多晶硅薄膜等圖形來支撐絕緣層的狀態(tài)下，能夠有效地去除犧牲層，該圖形作為半導體晶體管通道而使用。而且，能夠防止在蒸鍍多個薄膜的工序中由薄膜的應力差引起的基底基底變形。


圖1至圖6是概略性地表示本發(fā)明一實施例的存儲元件的制造方法的剖面圖。圖7是表示基于乙基的氣體的供給量和蒸鍍的薄膜的蝕刻率的關系的圖表。圖8是概略性地表示本發(fā)明一實施例的存儲元件制造裝置的圖。圖9是概略性地表示本發(fā)明其他實施例的存儲元件制造裝置的圖。圖10是概略性地表示圖9所示的環(huán)形邊的立體圖。圖11和圖12是表示圖9所示的環(huán)形邊的動作的圖。
具體實施例方式圖1至圖6是概略性地表示本發(fā)明一實施例的存儲元件的制造方法的剖面圖。以下，參考圖1至圖6說明存儲元件的制造方法。首先，如圖1所不，可以提供基底基底105?；谆?05可以包含半導體物質,如IV族半導體、II1-V族化合物半導體或者I1-VI族氧化物半導體。例如，IV族半導體可以包含硅、鍺或者硅鍺?；谆?05可以作為塊晶(bulk wafer)或者外延層被提供。其次，可以在基底105的上部注入雜質，由此限定雜質區(qū)域110。接著，可以在基底105上交替層疊絕緣層115和犧牲層120。絕緣層115和犧牲層120可以形成為8X8或18X18、或者nXn的多層結構。在本實施例中，先層疊絕緣層115，最后層疊犧牲層120，但是根據(jù)需要可以改變絕緣層115和犧牲層120的層疊順序。絕緣層115可以是娃氧化膜(Silicon Dioxide, SiO2),其可以通過使供給在基底105上的硅烷(SiH4)和氧化氮(N2O)反應而形成?？梢杂肧i2H6、Si3H8、Si4Hltl等來代替硅烷(SiH4)0另外，犧牲層120可以是氮化膜(Silicon Nitride, Si3NH4),其可以通過使供給在基底105上的硅烷和基于氨的氣體反應來形成。一方面，可以用Si2H6、Si3H8、Si4H1(l、SiCl2H2等來代替硅烷，基于氨的氣體可以是NH3。此外，與本實施例不同地，犧牲層120可以是向基底105上提供選自SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H1Q、二氯硅烷(SiCl2H2)群中的一種以上氣體、和基于氨的氣體以及選自B2H6、PH3群中的一種以上氣體而形成的硅氧化膜。在該情況下，可以向氮化膜上注入硼(boron)或者磷(phosphorus)(可以同時注入硼和磷)。接著，如圖2所示，可以通過蝕刻絕緣層115和犧牲層120來形成多個貫通孔125，貫通孔125貫通絕緣層115和犧牲層120。貫通孔125可以使用公知的光刻和蝕刻技術來形成。然后，通過公知的用于形成半導體晶體管的通道的形成工序(或者形成多晶硅薄膜的工序)來形成圖形130，以填充貫通孔125。此時，圖形130可以是中空的圓筒形狀，同樣，圖形130貫通絕緣層115和犧牲層120。例如，圖形130可以形成為多晶結構，或者也可以是單晶結構的外延層等薄膜形狀。其次，如圖3所示，通過蝕刻圖形130之間的絕緣層115和犧牲層120來形成開口135。開口 135可以使用光刻和蝕刻技術來形成。而后，如圖4所示，可以去除犧牲層120。如上所述，絕緣層115可以是硅氧化膜。犧牲層120可以是氮化膜；或可以是供給選自SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H1Q、二氯硅烷(SiCl2H2)群中的一種以上氣體和選自B2H6、PH3群中的一種以上氣體而形成的注入有硼(boron)或者磷(phosphorusX可以同時注入硼和磷)的氮化膜。犧牲層120相對絕緣層115具有刻蝕選擇比(etch selectivity),犧牲層120的蝕刻率可以是絕緣層115的蝕刻率的五倍至三百倍以上的大小。由此，當絕緣層115和犧牲層120以相同的時間露出于蝕刻劑時，已蝕刻的犧牲層120的大小可以是已蝕刻的絕緣層115的大小的五倍至三百倍以上，絕緣層115被蝕刻的程度非常小?？梢岳萌缟纤龅脑砣コ隣奚鼘?20。通過等向性蝕刻可以將蝕刻劑從開口135滲透至絕緣層115之間，等向性蝕刻可以包括濕法蝕刻或者化學干法蝕刻(chemicaldry etch)。蝕刻劑可以包含Η3Ρ04、HF、BOE (緩沖氧化蝕刻劑:buffered oxide etch)中的任意一個。由此去除絕緣層115之間的犧牲層120，從而可以形成與開口 135相連接的隧道140。圖形130的側壁通過隧道140露出。然后，如圖5所示，在通過開口(圖8的135)和隧道(圖8的140)而露出的絕緣層115和圖形130側壁上，形成存儲介質150。就存儲介質150而言，可以依次形成隧道絕緣層142、電荷存儲層144和屏蔽絕緣層146。接著，可以在存儲介質150上形成導電層155。例如，存儲介質150和導電層155可以通過邊角涂覆性高的化學氣相沉積或者鍍金法而形成。之后，如圖6所示，選擇性地對通過開口(圖4的135)露出的導電層(圖5的155)進行蝕刻，由此可以形成接地選擇柵電極(ground select gate electrode) 162、控制柵電極(control gate electrode) 164 以及線選擇柵電極(string select gate electrode)166?！矫?與本實施例不同地,可以與娃燒(SiH4) —起供給基于乙基的氣體(例如，C2H4)或者基于甲基的氣體(例如，CH3),由此，絕緣層115可以是SiCO (氧化碳硅:SiliconCarbon Oxide)薄膜。由SiCO薄膜形成的絕緣層115與如上所述的犧牲層120相比具有更大的刻蝕選擇比，因此在去除犧牲層120的同時可以使受損傷的絕緣層115的量達到最小。圖7是表示基于乙基的氣體的供給量和蒸鍍的薄膜的、蝕刻率關系的圖表。如圖7所示，隨著基于乙基的氣體的供給，蒸鍍的薄膜的蝕刻率減小，由此可以根據(jù)需求調整相對犧牲層120的刻蝕選擇比。圖8是概略性地表示本發(fā)明一實施例的存儲元件制造裝置的圖。如圖8所示，存儲元件制造裝置10具有用于導入源氣體或者反應氣體的導入部12，源氣體或者反應氣體通過導入部12而被導入，并通過噴頭13向腔室11內部噴射。在進行加工時，硅烷可以以1-1OOOsccm供給，反應氣體(例如，N20或者NH3)可以以100-50000sccm供給。一方面，如上所述，當供給基于乙基的氣體(例如，C2H4)或者基于甲基的氣體(例如，CH3)時，可以以50至lOOOOsccm 供給。作為加工對象的基底15被置于基底支撐臺14的上部，基底支撐臺14被支撐臺16支撐。進行加工的過程中，加熱器14能夠將基底的溫度保持在300至790度，此時腔室11內部的壓力可以保持在IOmTorr至250Torr。完成加工的基底15通過排出部17被排出于外部。圖9是概略性地表示本發(fā)明其他實施例的存儲元件制造裝置的圖，圖10是概略性地表示圖9所示的環(huán)形邊的立體圖。以下僅對與圖8不同的部分進行說明，可以用圖8的說明代替省略的說明。如圖9所示，存儲元件制造裝置210具備設置于腔室211的內部的基底支撐臺214，基底支撐臺214由支撐臺216支撐。如后文所述，基底支撐臺214通過另行設置的驅動部(未圖示)與支撐臺216 —起升降，由此，轉換至基底215可以出入于腔室211內部的解除位置(參照圖9)和對基底215進行加工的加工位置(參照圖11)?；?15通過形成于腔室211的側壁的排出部217出入于腔室211的內部，通過排出部217向腔室211內部移動的基底215位于基底支撐臺214的上部。基底支撐臺214具有大于基底215的直徑，基底215位于基底支撐臺214的中央。此時，基底215由貫通基底支撐臺214的頂桿(lift pin) 220支撐，由此保持從基底支撐臺214上升分離的狀態(tài)。并且，噴頭213設置于基底支撐臺214的上部，源氣體或者反應氣體通過噴頭213向腔室211的內部噴射。一方面,腔室211進一步包括真空導向部(vacuum guide) 212和環(huán)形邊230。真空導向部212呈圓筒狀，其設置于腔室211的內部。如圖10所示，環(huán)形邊230呈與腔室211的內部形狀相對應的環(huán)狀，環(huán)形邊230具備支撐部232、水平支撐部234、垂直支撐部236、以及具有施壓面238a的施壓部238。環(huán)形邊230位于基底支撐臺214和噴頭213之間并置于從真空導向部212的內側壁突出的固定突起212a上。如圖9所示，當基底支撐臺214處于解除位置時，環(huán)形邊230位于固定突起212a上，如下文所述，當基底支撐臺214轉換至加工位置時，環(huán)形邊230離開固定突起212a而置于基底支撐臺214的上部。圖11和圖12是表示圖9所示的環(huán)形邊的動作的圖。如上所述，基底支撐臺214通過驅動部(未圖示)與支撐臺216 —起升降，由此，可以轉換至解除位置和加工位置。如圖12所示，水平支撐部234從支撐部232向腔室211的側壁延伸，垂直支撐部236從支撐部232向下部延伸。施壓部238從支撐部232向腔室211的內側向下傾斜延伸。如圖9所示，當基底支撐臺214處于解除位置時，可以通過水平支撐部234和垂直支撐部236使環(huán)形邊230位于固定突起212a上，水平支撐部234與固定突起212a的上面相接觸，垂直支撐部236與固定突起212a的側面相接觸。此時，支撐部232和施壓部238保持向腔室211的內側突出的狀態(tài)。如圖11所示，當基底支撐臺214轉換至加工位置時，基底支撐臺214通過位于基底215外側的環(huán)狀邊緣部來提升環(huán)形邊230，由此，環(huán)形邊230離開固定突起212a而上升。此時，如圖12所示，支撐部232鄰接于基底支撐臺214的邊緣部，施壓部238與置于基底支撐臺214的基底215的邊緣部相接觸，從而對基底215的邊緣部施壓。即，環(huán)形邊230在置于基底支撐臺214的狀態(tài)下，通過自身重量對基底215的邊緣部施壓，施壓部238具有與基底215的邊緣部相接觸的施壓面238a。如先前通過圖1進行的說明，當在基底上交替層疊氧化硅和氮化膜時，由加工導致在氧化硅膜的應力和氮化膜的應力之間產生應力差，由此，引發(fā)基底變形(warpage，彎曲或者扭曲)。這種基底變形導致基底的邊緣部從基底支撐臺離開，從而基底變形成基底中心部凹陷的“U”字形。這將影響基底內的溫度分布(基底中心與邊緣之間)等，因此對加工均勻度(例如，蒸鍍率)產生較大影響。實際可知:在完成如上所述的加工后，在基底邊緣部測量的蒸鍍率明顯低于在基底中心部測量的蒸鍍率。因此，為防止基底邊緣部從基底支撐臺離開而導致基底變形的現(xiàn)象，可以通過環(huán)形邊230的施壓部238對基底215的邊緣部施壓。另一方面，如圖12所示，被環(huán)形邊230的施壓部238施壓的基底215的邊緣部的寬度(w)可以是，從基底215的邊緣向該基底215內側約0.5mm至3mm的距離，由于該部分在實際半導體加工中并非是用于半導體器件的部分，因此不會影響半導體器件的收益率。另夕卜，先前說明的施壓面238a可以具有與邊緣部相對應的寬度(W)。如圖12所示，環(huán)形邊230可以只通過施壓部238來保持被支撐在基底支撐臺214上的狀態(tài)，并且支撐部232可以保持從基底支撐臺214的邊緣部離開的狀態(tài)(d)。在該情況下，環(huán)形邊230的整體重量通過施壓部238的施壓面238a傳遞至基底215的邊緣部，因此可以使環(huán)形邊230的重量達到最小的同時將高的壓力傳遞至基底215的邊緣部。該原理可通過壓力大小與接觸面積的大小成反比的事實來理解。產業(yè)上的可利用性
本發(fā)明可應用于各種形狀的存儲元件的制造方法和裝置。
權利要求
1.一種三維結構存儲元件的制造方法，其特征在于， 所述方法包括: 在基底上交替層疊一個以上絕緣層和一個以上犧牲層的步驟； 形成貫通所述絕緣層和所述犧牲層的貫通孔的步驟； 形成填充所述貫通孔的圖形的步驟； 形成貫通所述絕緣層和所述犧牲層的開口的步驟；以及 通過所述開口供給蝕刻劑而去除所述犧牲層的步驟， 其中，所述層疊絕緣層的步驟包括向所述基底供給選自SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H1(l群中的一種以上氣體而蒸鍍氧化硅膜的步驟， 所述層疊犧牲層的步驟包括向所述基底供給選自SiH4、Si2H6, Si3H8, Si4H10, SiCl2H2群中的氣體和基于氨的氣體而蒸鍍氮化膜的步驟。
2.權利要求1所述的三維結構存儲元件的制造方法，其特征在于，所述絕緣層和所述犧牲層對所述蝕刻劑具有刻蝕選擇比，所述犧牲層的蝕刻率為所述絕緣層的蝕刻率的五倍至三百倍以上。
3.權利要求1或2所述的三維結構存儲元件的制造方法，其特征在于，所述蝕刻劑選自H3PO4、HF、BOE中的一種以上。
4.權利要求1或2所述的三維結構存儲元件的制造方法，其特征在于，所述層疊絕緣層的步驟進一步包括供給基于乙基的氣體的步驟，所述氧化硅膜為SiCO。
5.權利要求1或2所 述的三維結構存儲元件的制造方法，其特征在于，所述層疊絕緣層的步驟進一步包括供給基于甲基的氣體的步驟，所述氧化硅膜為SiCO。
6.權利要求1或2所述的三維結構存儲元件的制造方法，其特征在于，所述基于氨的氣體為NH3。
7.權利要求1或2所述的三維結構存儲元件的制造方法，其特征在于，所述基底的溫度保持在300至790度，所述基底的加工壓力保持在IOmTorr至250Torr。
8.權利要求1或2所述的三維結構存儲元件的制造方法，其特征在于，所述氧化硅膜和所述氮化膜具有互相不同的厚度。
9.權利要求1所述的三維結構存儲元件的制造方法，其特征在于，所述交替層疊絕緣層和犧牲層的步驟進一步包括通過環(huán)形邊對所述基底的邊緣部施壓的步驟。
10.權利要求9所述的三維結構存儲元件的制造方法，其特征在于，所述基底的邊緣部相當于從所述基底的邊緣向所述基底的內側0.5mm-3mm的范圍。
11.權利要求9或10所述的三維結構存儲元件的制造方法，其特征在于，所述環(huán)形邊為陶瓷材料。
12.—種三維結構存儲元件的制造方法，其特征在于， 所述方法包括: 在基底上交替層疊一個以上絕緣層和一個以上犧牲層的步驟； 形成貫通所述絕緣層和所述犧牲層的貫通孔的步驟； 形成填充所述貫通孔的圖形的步驟； 形成貫通所述絕緣層和所述犧牲層的開口的步驟；以及 通過所述開口供給蝕刻劑而去除所述犧牲層的步驟，其中，所述層疊絕緣層的步驟包括向所述基底供給選自SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H1(l群中的一種以上氣體而蒸鍍第一氧化硅膜的步驟， 所述層疊犧牲層的步驟包括向所述基底供給選自SiH4、Si2H6, Si3H8, Si4Hltl、二氯硅烷(SiCl2H2)群中的一種以上氣體和基于氨的氣體、以及選自B2H6、PH3群中的一種以上氣體而蒸鍍注入有硼或者磷的氮化膜的步驟。
13.—種三維結構存儲元件的制造裝置，其特征在于，所述裝置包括: 用于實行基底加工的腔室； 基底支撐臺，其設置于所述腔室內并用于放置所述基底，并通過升降而轉換至所述基底出入于所述腔室內部的解除位置和對所述基底進行加工的加工位置； 環(huán)形邊，當所述基底支撐臺處于所述解除位置時，所述環(huán)形邊位于所述基底的上部，并且所述環(huán)形邊具有當所述基底支撐臺轉換至所述加工位置時，對位于所述基底支撐臺上部的所述基底的邊緣部施壓的施壓面。
14.權利要求13所述的三維結構存儲元件的制造裝置，其特征在于，所述基底的邊緣部相當于從所述基底的邊緣向所述基底的內側0.5mm-3mm的范圍。
15.權利要求13或14所述的三維結構存儲元件的制造裝置，其特征在于，所述環(huán)形邊為陶瓷材料。
16.權利要求13或14所述的三維結構存儲元件的制造裝置，其特征在于， 所述基底支撐臺具有位于所述基底外側的環(huán)狀邊緣部， 所述環(huán)形邊具備:位于所述基底支`撐臺的邊緣部上部的支撐部；從所述支撐部向所述基底的邊緣部延伸且具有所述施壓面的施壓部；水平支撐部，其從所述支撐部向所述腔室的側壁延伸，當所述基底支撐臺處于解除位置時，所述水平支撐部置在設置于所述腔室側壁的固定突起的上面；以及垂直支撐部，其從所述支撐部向所述下部延伸，當所述基底支撐臺處于解除位置時，與設置于所述腔室側壁的固定突起的側面相接觸。
17.—種三維結構存儲元件的制造裝置，其用于在基底上交替層疊一個以上絕緣層和一個以上犧牲層而制造三維結構存儲元件， 其特征在于，所述制造裝置包括: 用于實行基底加工的腔室； 設置于所述腔室內并用于放置所述基底的基底支撐臺；以及 噴頭，當在所述基底上層疊所述絕緣層時，所述噴頭向所述基底供給選自SiH4、Si2H6,Si3H8、Si4H1(l群中的一種以上氣體，并且，當在所述基底上層疊所述犧牲層時，所述噴頭向所述基底供給選自SiH4、Si2H6, Si3H8, Si4H10, SiCl2H2群中的一種以上氣體和基于氨的氣體。
18.—種三維結構存儲元件的制造裝置，其用于在基底上交替層疊一個以上絕緣層和一個以上犧牲層而制造三維結構存儲元件， 其特征在于，所述制造裝置包括: 用于實行基底加工的腔室； 設置于所述腔室內并用于放置所述基底的基底支撐臺；以及 噴頭，當在所述基底上層疊所述絕緣層時，所述噴頭向所述基底供給選自SiH4、Si2H6,Si3H8、Si4H1(l群中的一種以上氣體，并且，當在所述基底上層疊所述犧牲層時，所述噴頭向所述基底供給選自SiH4、Si2H6, Si3H8, Si4Hltl、二氯硅烷(SiCl2H2)群中的一種以上氣體和基于氨的氣體以及選自b2h6、PH3群中的一種以上氣體。
全文摘要
一種三維結構存儲元件的制造方法包括在基底上交替層疊一個以上絕緣層和一個以上犧牲層的步驟；形成貫通所述絕緣層和所述犧牲層的貫通孔的步驟；形成填充所述貫通孔的圖形的步驟；形成貫通所述絕緣層和所述犧牲層的開口的步驟；以及通過所述開口供給蝕刻劑而去除所述犧牲層的步驟。其中，所述層疊絕緣層的步驟包括向所述基底供給選自SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10群中的一種以上氣體而蒸鍍氧化硅膜的步驟，所述層疊犧牲層的步驟包括向所述基底供給選自SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10、SiCl2H2群中的氣體和基于氨的氣體而蒸鍍氮化膜的步驟。
文檔編號H01L27/115GK103155138SQ201180048972
公開日2013年6月12日 申請日期2011年10月6日 優(yōu)先權日2010年10月14日
發(fā)明者趙星吉, 金海元, 禹相浩, 申承祐, 張吉淳, 吳完錫 申請人:株式會社Eugene科技