專利名稱：使用層狀器件/裝置結構的改進的開關器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及開關器件。更具體地，本發(fā)明提供用于電阻開關存儲器件的結構。該電阻開關存儲器件具有降低的導通狀態(tài)電流以提供改善的開關性質和耐用性質等等。
背景技術：
半導體器件的成功主要由強化的晶體管微型化工藝驅動。然而，由于場效應晶體管(FET)接近小于IOOnm的尺寸，諸如短溝效應的問題開始阻礙正常的器件操作。此外，該亞IOOnm器件尺寸可導致亞閾值斜率non-scaling,并且也增大功率損耗。通常認為,基于晶體管的存儲器，諸如俗稱為閃存(Flash)的那些，可能在十年內接近結束微型化。閃存(Flash memory)是一類非易失性存儲器件。其他的非易失性隨機存取存儲器(RAM)器件，諸如鐵電體RAM (Fe RAM)、磁阻式RAM(MRAM)、有機RAM(ORAM)和相變RAM(PCRAM)等等，已經(jīng)作為下一代存儲器件進行了開發(fā)。這些器件常常需要新材料和器件結構與硅基器件耦合以形成存儲單元，這種存儲單元缺乏一種或多種關鍵屬性。例如，F(xiàn)e-RAM和MRAM器件具有快速的開關特性和良好的編程耐久性，但是他們的制造是非CMOS兼容的，并且尺寸通常較大。PCRAM器件的開關使用焦耳加熱，其固有地具有高功耗。有機RAM或ORAM不與大體積硅基制備兼容，且器件可靠性通常較差。綜上，因此需要改進的半導體存儲器件和技術。

發(fā)明內容
本發(fā)明涉及開關器件。更具體地，本發(fā)明提供用于電阻開關存儲器件的結構。該電阻開關存儲器件具有降低的導通狀態(tài)電流以提供改善的開關性質和耐用性質等等。在一個具體的實施方式中，提供一種開關器件結構。該開關器件包括具有表面區(qū)域的襯底和覆蓋在該表面區(qū)域上的第一介電材料。第一電極覆蓋在該第一介電材料上。在一個具體的實施方式中，所述第一電極包括至少一種金屬材料。所述開關器件包括一個開關元件和配置在所述第一電極和所述開關元件之間的緩沖材料。在一個具體的實施方式中，所述緩沖材料在開關材料和第一電極之間提供阻擋區(qū)。該開關器件包括覆蓋在該開關材料上的第二電極。在一個具體的實施方式中，所述第二電極包括至少第二種金屬材料。在一個具體的實施方式中，當向該第二電極施加第一電壓(例如，寫入電壓)時，該阻擋區(qū)基本上沒有由所述第二種金屬材料形成的金屬粒子。在一個具體的實施方式中，所述緩沖材料避免了在開關材料和第一電極之間形成高缺陷區(qū)域。通過本發(fā)明實現(xiàn)了許多超越常規(guī)技術的益處。例如，本文的電阻式開關器件可使用常規(guī)設備和工藝進行制造。此外，本器件使用層狀結構以降低導通狀態(tài)電流以及功率損耗。所述層狀結構進一步避免了電極之間的電連接，并提高器件的耐用性和可靠性。根據(jù)不同的實施方式，可實現(xiàn)這些益處中的一種或多種。本領域的技術人員將意識到其他變化，修改和替換。


圖1是一個簡化圖，示出了常規(guī)的電阻式開關器件；圖2是一個簡化圖，示出了本發(fā)明的實施方式所述的電阻式開關器件；圖3是一個簡化圖，示出了本發(fā)明的實施方式所述的電阻式開關器件的斷開狀態(tài)；圖4是一個簡化圖，示出了本發(fā)明的實施方式所述的電阻式開關器件的導通狀態(tài)；圖5a和圖5b是本發(fā)明的實施方式所述的電阻式器件的簡化的電流電壓(1-V)圖；圖6為本發(fā)明的實施方式所述的開關器件的簡化的1-V圖；圖7為常規(guī)開關器件的簡化的1-V圖。
具體實施例方式本發(fā)明涉及開關器件。更具體地，本發(fā)明提供用于電阻開關存儲器件的結構。該電阻開關存儲器件的特征在于降低的通態(tài)電流，從而實現(xiàn)改善的開關性質和耐用性質等等。使用諸如無定形硅、無定形多晶硅、和微晶硅的非晶硅作為開關材料和金屬電極的電阻開關存儲器件，已經(jīng)在一類新型高密度存儲器件中表現(xiàn)出快速開關的良好前景。僅僅用作說明，使用無定形硅來描述非晶硅。該器件的開/關行為取決于在無定形硅材料內缺陷中形成的金屬粒子。由于材料的不匹配，在無定形硅材料和金屬電極形成的界面區(qū)域中的缺陷級別很高。由于金屬粒子在無定形硅材料的缺陷位中形成，因此這些器件通常有高的導通狀態(tài)電流。在重復循環(huán)時，高的導通狀態(tài)電流會導致電極的短路，器件可靠性和耐用性也打折扣，通常會少于數(shù)千個開關循環(huán)。本發(fā)明所述的實施方式提供了優(yōu)化導通狀態(tài)電流并提高耐用性至超過IO6個開/關循環(huán)的方法和結構，非常適合用于當前的以及下一代存儲器件。圖1是一個簡化圖，示出了常規(guī)的電阻式開關器件100。如圖所示，該常規(guī)的電阻式開關器件包括第一金屬電極102,第二金屬電極106,以及夾在該第一金屬電極和該第二金屬電極之間的開關材料104。例如，該第二金屬電極可包括至少一種貴金屬，諸如銀、金、鈀、鉬或取決于不同應用的其他合適的金屬。該第一金屬材料可包括用于半導體加工的普通金屬，諸如鎢、銅或鋁。所用的開關材料通常為具有缺陷位或晶粒邊界或非化學計量點的非導電材料，以在當向該第二電極或該第一電極施加電壓時，允許來自該第二金屬電極的多個金屬粒子形成金屬區(qū)域108。所述金屬區(qū)域進一步包括向所述第一電極延伸的金屬絲結構，并優(yōu)選不與所述第一電極接觸。該金屬絲在寫入或讀取循環(huán)中延伸，并在擦除循環(huán)期間縮回。如在圖1中所示，隨著在由第一金屬電極和開關材料形成的界面區(qū)域110中缺陷位的數(shù)目很高，有在該界面區(qū)域形成高濃度金屬粒子的傾向。這導致了大的導通狀態(tài)電流和低的導通狀態(tài)電阻。當器件經(jīng)過多次開/關循環(huán)后，在一部分無定形硅材料中初始形成的該金屬區(qū)域可能延伸以至于太靠近所述第一金屬電極。接近所述第一金屬電極的金屬絲可能在擦除循環(huán)期間不縮回。如果缺陷密度太高而且電極短路，所述金屬粒子甚至可能相互結合，導致器件故障。
遍及本申請全文的術語“第二”或“第一”僅僅用于描述和說明，不應當被解釋為電極的物理排列。圖2為本發(fā)明的實施方式所述的電阻式開關器件200的簡化圖。在一個具體的實施方式中，該電阻式開關器件覆蓋在襯底上形成。所述襯底可以是具有一個或多個CMOS器件形成于其上的半導體襯底。在一個具體的實施方式中，該一個或多個CMOS器件可操作地耦合至電阻式開關器件，為存儲器件提供控制電路。如圖所示，該電阻式開關器件包括第一金屬電極202、第二金屬電極204、開關層206和緩沖層208。如圖所示，在一個具體的實施方式中，在所述開關層和所述第一電極之間配置該緩沖層。在一個具體的實施方式中，取決于不同應用，所述第一金屬電極可由諸如銅、鋁或鎢的金屬材料形成。在一個具體的實施方式中，所述第一金屬電極可進一步包括一個或多個粘性層或阻擋層以阻止金屬從第一電極擴散進入器件的其他部分，或包括阻止金屬材料從例如介電層(取決于實施方式)脫離的粘性層。參見圖2，該電阻式開關器件包括開關層206。在一個具體的實施方式中，所述開關層包含無定形硅材料。在一個具體的實施方式中，該無定形硅材料是非摻雜的或具有半導體特性。在一個具體的實施方式中，該無定形硅材料包括多個缺陷位。取決于工藝條件，所述多個缺陷位可產(chǎn)生自硅懸掛鍵，或原子位錯，或晶面位錯，或分子位錯，或在硅晶體間的晶粒邊界。電阻式開關器件200包括覆蓋在開關層上的第二金屬電極204。所述第二金屬電極包括一種金屬材料，在一個具體的實施方式中該金屬材料在開關材料中具有高擴散率。所述金屬材料可以是銀、銅、鋁或其他合適的金屬材料，包括合金或其組合。在一個具體的實施方式中，對于無定形硅材料作為開關層，所述金屬材料可以為銀。由于銀通常不用于硅加工中，銀材料僅形成開關器件的導線結構的一部分，在一個具體的實施方式中，該導線結構的其它部分包含諸如鎢、銅或鋁的常規(guī)導電材料。在一個具體的實施方式中，所述銀材料與無定形娃材料接觸。如前所述，由于在無定形硅材料和第一電極之間的材料不匹配，在常規(guī)結構中，在由第一金屬電極和無定形硅材料形成的界面區(qū)域的缺陷密度很高。在絲結構中銀粒子相互靠近導致了高的導通狀態(tài)電流。在一定數(shù)目的開/關循環(huán)之后，銀粒子可能結合在一起，且銀粒子可能在一個關循環(huán)中不能縮回，而在第二電極和第一電極之間形成短路，從而所述器件出現(xiàn)缺陷。在一個具體的實施方式中，在第一金屬電極和開關層間配置緩沖層208。提供緩沖層以避免由所述無定形硅材料和所述第一電極形成界面區(qū)域，并控制無定形硅的缺陷密度和在第一電極附近的金屬粒子。選擇與第一電極以及無定形硅層具有良好且可靠的粘合性的緩沖層。此外，由無定形硅材料和緩沖層形成的界面區(qū)域應當具有小的缺陷密度，以實現(xiàn)可靠的開關性和良好的耐久性。例如，通過調整緩沖層電阻，來設計緩沖層，以在編程期間提供合適的導通狀態(tài)電阻和功率消耗。參見圖3，在一個具體的實施方式中，當向所制造的器件的第二電極施加第一正電壓304時，會產(chǎn)生一個局部電場，并且在無定形硅材料中會形成各種形式的銀粒子，包括原子、離子或簇。更具體地，銀粒子會在無定形硅材料的缺陷位中形成并被捕獲。在一個具體的實施方式中，該局部電場促進無定形硅材料中的銀擴散，并形成包含銀粒子的金屬區(qū)域302。取決于無定形硅材料的加工條件，該第一正電壓可在4伏至約6伏的范圍內。如所示，該金屬區(qū)域在第二電極表面區(qū)域的附近處形成，并且不與第一電極接觸。在一個具體的實施方式中，該第一正電壓是該開關器件的形成電壓或電鑄電壓。所述開關器件目前位于斷開狀態(tài)。參見圖4，當向所述第二電極施加第二電壓404時，形成從金屬區(qū)域延伸出的絲結構402。如圖所述，在一個具體的實施方式中，緩沖層起阻擋層的作用以致該絲結構不會延伸至與第一電極接觸。所述第二電壓，在一個具體的實施方式中，例如，可以是開關器件的寫入電壓。所述開關器件在導通狀態(tài)，且導通狀態(tài)電流在第二電極和第一電極間流動。在一個具體的實施方式中，該導通狀態(tài)電流由絲結構的長度控制。在一個具體的實施方式中，該導通狀態(tài)電流可以從幾個納安培到微安培的范圍，遠小于沒有緩沖層的常規(guī)開關器件。在一個具體的實施方式中，為了電阻式開關器件的合適功能，緩沖層應當具有與第一電極的良好接觸，以在由緩沖層和第一電極形成的接觸區(qū)域允許低的接觸電阻(或形成歐姆接觸)。在一個具體的實施方式中，低的接觸電阻避免了在接觸區(qū)域上的過度的電壓下降。圖5(a)示出了在緩沖層和第一電極之間具有非歐姆接觸(即，高接觸電阻)的第一開關器件的開關特性。在緩沖層和第一電極間高的接觸電阻抑制了小的偏置電壓下的電流，并且在低電壓下某些讀取操作不能正常進行。該第一開關器件還以高的編程電壓(>5伏)為特征，并可能導致早期的器件失效和高的漏電流等等。圖5(b)示出了在緩沖層和第一電極間具有良好的歐姆接觸或低的接觸電阻的第二開關器件的開關特性。該第二開關器件表現(xiàn)出了理想的開關特性，例如，在1-2伏之間的低編程電壓。在某些實施方式中，所述緩沖層可包括絕緣層。該絕緣層應當很薄，例如少于約2nm，以便電子可以從導電金屬區(qū)域(例如，在開關層和第一電極之間的銀粒子)隧道穿越該薄的絕緣緩沖層。當向電極施加合適的電壓時，電子隧道效應允許該器件處于導通狀態(tài)。當施加小的偏置電壓時，電子隧道效應也允許該器件的合適的讀取操作。在一個具體的實施方式中，在此緩沖層和第一電極之間的接觸電阻可能不是關鍵。在一個具體的實施方式中，緩沖層可包括具有比無定形硅材料更高密度的材料，以避免銀粒子被注入該緩沖層并在該緩沖層中形成導電絲。在一個備選的實施方式中，該緩沖層可以是導電性的，具有大的厚度(例如，約20nm或更厚)。當然，本領域的技術人員將意識到其他變化、修改和替換。已經(jīng)觀察到，使用無定形硅作為開關材料和銀作為第二電極的電阻式開關器件，取決于無定形硅材料的沉積工藝，可具有非常不同的開關特性。當所述無定形硅材料使用濺射工藝形成時，需要大于約8伏的高電壓以讀取、寫入或擦除。這表明在正常的器件工作電壓下銀粒子不容易在濺射的無定形硅中形成。濺射的無定形硅的氫含量不顯著并且濺射的無定形硅傾向于具有高密度。因此，在一個具體的實施方式中，薄的(優(yōu)選少于5nm)的濺射的無定形硅可被用作緩沖層。對于使用等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD)或低壓化學氣相沉積(LPCVD)工藝，以硅烷作為硅源形成的無定形硅，開關電壓通常較低，從I伏到4伏不等，這取決于工藝條件。通過CVD工藝，使用硅烷形成的無定形硅材料含有氫原子，這些氫原子可擴散或遷移進出該硅基質，在該材料中留下空位。銀粒子可占據(jù)這些空位或缺陷，并允許在施加電壓時遷移。也已經(jīng)觀察到，僅僅使用金屬/無定形硅/金屬結構的器件具有低的開/關耐久性，也即此類器件在至多幾千次開/關循環(huán)后失效。
僅僅作為示例，緩沖層可包括多晶硅材料。該多晶硅材料優(yōu)選為P+摻雜的，并具有從約IO18到約IO22原子每Cm3的雜質濃度。如圖6所示，提供了第三開關器件的電流電壓(1-V)圖600。該第三開關器件具有銀/無定形硅/p+多晶硅的器件結構。該第三開關器件中的無定形硅材料使用硅烷作為硅源，于約510攝氏度的沉積溫度下，使用低壓化學氣相沉積工藝進行沉積。圖7示出了從具有常規(guī)的銀/無定形硅/鎳器件結構的第四開關器件測量的1-V圖700。在第二開關器件中的無定形硅使用等離子體增強化學氣相沉積工藝在約370攝氏度的沉積溫度下沉積。第三開關器件和第四開關器件均具有約60nm X60nm的單元尺寸。通常，在370攝氏度通過CVD方法沉積的無定形硅材料具有比在510攝氏度下沉積的那些更低的缺陷密度。因此，第四器件有望比第三開關器件具有更低的導通狀態(tài)電流。然而，由于在無定形硅和第一金屬材料(在這種情況下，是鎳)形成的界面區(qū)域缺陷密度更高，第四器件的導通狀態(tài)電流(圖700)要比第三器件的導通狀態(tài)電流(圖600)高得多，在mA范圍內。由于其會導致不可靠的器件操作，因此高電流是不理想的。在第三開關器件中的多晶硅緩沖層避免了在第一電極附近的過量的缺陷密度，且如在圖600中所示，該編程電流要低得多，在uA范圍內。此外，該多晶硅緩沖層可以容易地被修改，通過改變其厚度或電導率來控制編程電流并進一步增強器件性能。本領域的技術人員將意識到其他變化、修改和替換。在一個具體的實施方式中，提供了形成電阻式開關器件的方法。該方法包括提供具有表面區(qū)域的半導體襯底。該半導體襯底可具有一個或多個CMOS器件形成于其上。該半導體襯底可以為單晶硅材料、硅鍺、絕緣襯底上的硅等等。第一介電材料形成為覆蓋在該表面區(qū)域上。該第一介電材料可以為氧化硅、氮化硅、氧氮化硅及其他。該第一介電材料可使用諸如包括等離子體增強化學氣相沉積的化學氣相沉積、物理氣相沉積、旋涂和它們的任意組合，以及其他的技術來沉積。在一個具體的實施方式中，該方法包括形成覆蓋在第一介電材料上的第一電極。該第一電極由通常用于半導體加工的導電材料形成。根據(jù)不同應用，該導電材料可包括鎢、銅或鋁。該第一電極可包括一層或多層粘合層或擴散阻擋層。在一個具體的實施方式中，該粘合層可以為鈦、氮化鈦、氮化鉭、或氮化鎢以防止所述導電材料擴散進入該第一介電材料。根據(jù)不同應用，該導電材料可使用物理氣相沉積工藝、化學氣相沉積工藝、包括電鍍和電解電鍍的電化學工藝，以及他們的組合來進行沉積。該包括粘合層的導電材料經(jīng)過圖案化和蝕刻工藝以形成第一電極。在一個具體的實施方式中，第一結構被配置為在第一方向上延伸。當然，本領域的技術人員將意識到其他變化、修改和替換。在一個具體的實施方式中，該方法包括覆蓋在第一電極上沉積緩沖層。該緩沖層應當具有這樣的性質，以允許該開關器件具有理想的開關特性。該緩沖層還應當與所選定的用于開關器件的開關材料形成可靠的界面。高密度的材料可用于防止金屬粒子注入緩沖層。根據(jù)不同的實施方式，緩沖層可以是導電材料或絕緣材料。在一個具體的實施方式中，導電緩沖層可包括諸如P+多晶硅材料的P摻雜硅材料。絕緣緩沖層應當具有小于約5nm的厚度，以使得電子可在工作電壓(在1-3伏之間)隧道貫穿。對于無定形硅材料作為開關材料，多晶硅材料可被用于緩沖層。該多晶硅材料優(yōu)選具有P+型雜質特性，在一個具體的實施方式中它可使用硼物質來提供。該P+多晶硅材料可使用至少硅烷、乙硅烷或合適的氯硅烷作為前體使用化學氣相沉積技術來進行沉積。該方法形成覆蓋在緩沖材料上的開關材料。僅僅作為示例，該開關材料為使用硅烷、乙硅烷或氯硅烷作為硅源、使用諸如化學氣相沉積的技術來沉積的無定形硅材料。根據(jù)不同的實施方式，沉積溫度通常為約250攝氏度至約600攝氏度。工藝參數(shù)和工藝條件極大地影響無定形硅材料中的缺陷密度和該開關器件的開關行為。因此，在一個具體的實施方式中，無定形硅開關材料的使用為器件設計提供了靈活性。在一個具體的實施方式中，該方法包括覆蓋在開關材料上沉積第二電極材料。該第二電極材料具有包括直接與開關材料接觸的金屬材料的第一部分。在優(yōu)選的實施方式中，該金屬材料優(yōu)選在無定形硅材料中具有合適的擴散特性。在一個具體的實施方式中，該金屬材料可為銀。也可使用其他合適的金屬材料。這些其他的材料可包括鉬、鈀、金、銅、鎳及其他。該第二電極材料進一步包括用于與其他器件導電連接的第二部分。該第二部分可選自通常用于半導體加工中的鎢、銅或鋁。該方法通過合適的圖案化和蝕刻工藝形成第二電極結構。在一個具體的實施方式中，該第二電極結構被配置為在與第一方向成一定角度的第二方向上延伸。在優(yōu)選的實施方式中，該第二電極結構和第一電極結構互相垂直排列，具有夾在第二電極和第一電極形成的交叉區(qū)域的開關元件。本領域的技術人員將意識到其他變化、修改和替換。該方法然后進行諸如全局互連和鈍化等等的后處理以形成電阻開關存儲器件。雖然本發(fā)明已經(jīng)使用各種實施例和實施方式進行了描述，也應理解本文所描述的實施例和實施方式僅僅用于說明目的，本領域的技術人員將理解根據(jù)他們的各種修改或替換，這些修改或替換也將包含在本發(fā)明以及隨附的權利要求的精神和范圍內。
權利要求
1.一種電阻式開關器件，該器件包含: 第一電極，包含第一金屬材料； 開關材料，所述開關材料包含無定形娃材料； 第二電極，包含至少第二種金屬材料；以及 緩沖材料，其配置在所述第一電極和所述開關材料之間，該緩沖材料在所述開關材料和所述第一電極之間提供阻擋區(qū)域，當向所述第二電極施加第一電壓時，該阻擋區(qū)域基本上沒有來自所述第二金屬材料的金屬粒子。
2.如權利要求1所述的器件，其中所述第一電壓為寫入電壓或讀取電壓。
3.如權利要求1所述的器件，其中所述無定形硅材料的特征在于，由硅懸掛鍵、原子位錯、晶面位錯或分子位錯造成的多個缺陷。
4.如權利要求1所述的器件，其中所述第二金屬材料包含銀材料、鉬材料或鈀材料。
5.如權利要求4所述的器件，其中當向所述第二電極施加大于第一閾值電壓的正向電壓時，所述第二金屬材料形成在第二電極附近的無定形硅材料的一部分中的包含多個金屬粒子的金屬區(qū)域。
6.如權利要求5所述的器件，其中所述第一閾值電壓在從約I伏至約5伏的范圍內。
7.如權利要求5所述的器件，其中所述金屬區(qū)域進一步包含以長度表征的絲結構，該長度取決于向所述第二電極或所述第一電極施加的第一電壓。
8.如權利要求7所述的器件，其中當施加具有與第一電壓相反極性的反向偏壓時，所述絲結構的長度縮回。
9.如權利要求1所述的器件，其中所述緩沖材料阻止了形成于所述開關材料和所述第一電極的第一金屬材料的具有高缺陷密度的界面區(qū)域的形成。
10.如權利要求1所述的器件，其中當施加所述第一電壓時，該第一電壓為寫入電壓，其引起了第一導通狀態(tài)電流。
11.如權利要求10所述的器件，其中所述第一導通狀態(tài)電流在從幾個納安培至幾個毫安培的范圍內。
12.如權利要求1所述的器件，其中所述緩沖材料包含具有P+雜質特性的多晶硅材料。
13.如權利要求12所述的器件，其中所述ρ+雜質特性由硼物質提供，其濃度在從約1E18原子每cm3至約1E22原子每cm3的范圍內。
14.如權利要求1所述的器件,其中所述緩沖材料包含絕緣材料。
15.如權利要求14所述的器件，其中所述絕緣材料的特征在于，當施加第一電壓時，所述絕緣材料的厚度和介電常數(shù)允許電子隧道穿過所述絕緣材料。
16.如權利要求14所述的器件，其中所述絕緣材料的厚度小于約2nm，以為了所述器件的讀取操作允許電子隧道效應。
17.如權利要求1所述的器件，其中所述緩沖材料為導電材料。
18.如權利要求1所述的器件，其中所述緩沖材料以密度表征，該密度防止了金屬粒子在緩沖材料中形成金屬區(qū)域或導電絲。
19.如權利要求1所述的器件，其中所述阻擋區(qū)防止了金屬粒子在所述第一電極附近的積累。
20.如權利要求1所述的器件，其中所述緩沖材料包含基本上不含有氫物質的硅材料。
21.如權利要求20所述的器件，其中所述基本上不含有氫物質的硅材料由硅的濺射或蒸鍍形成。
22.如權利要求10所述的器件，其中所述第一導通狀態(tài)電流低于第二導通狀態(tài)電流，所述第二導通狀態(tài)電流是 在施加第一電壓時，由不含緩沖材料的第二器件產(chǎn)生。
全文摘要
一種電阻式開關器件。該器件包括包含覆蓋在第一介電材料上的第一金屬材料的第一電極和包含無定形硅材料的開關材料。該器件包括包含至少一種第二金屬材料的第二電極。在一個具體的實施方式中，該器件包括配置在第一電極和開關材料之間的緩沖材料。所述緩沖材料在開關材料和第一電極之間提供了阻擋區(qū)，以使得當向第二電極施加第一電壓時，該阻擋區(qū)基本上沒有來自第二金屬材料的金屬粒子。
文檔編號H01L27/115GK103180951SQ201180050941
公開日2013年6月26日 申請日期2011年7月29日 優(yōu)先權日2010年8月23日
發(fā)明者趙星賢, 盧偉 申請人:科洛斯巴股份有限公司