專利名稱：定向耦合器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及定向耦合器，尤其涉及傳輸線路型的定向耦合器的特性改善。
背景技術(shù)：
以往，定向耦合器被用于高頻信號(hào)的測(cè)定等用途(例如，參照專利文獻(xiàn)I。)。
圖1 (A)是手機(jī)裝置等的RF發(fā)送電路100的框圖。RF發(fā)送電路100具備天線111、定向耦合器120A、發(fā)送電力放大器113、調(diào)制電路112以及自動(dòng)增益控制電路114。定向耦合器120A是傳輸線路型的定向耦合器，具備主線路121和耦合線路(副線路)122。主線路121連接在天線111和發(fā)送電力放大器113之間。自動(dòng)增益控制電路114與定向耦合器120A的副線路122連接并基于來自與主線路121耦合的副線路122的信號(hào)來控制發(fā)送電力放大器113。
圖1 (B)是定向耦合器120A的等價(jià)電路圖。這里，定向耦合器120A是主線路121與副線路122之間的互感M的耦合系數(shù)為I的理想電路。主線路121具有信號(hào)輸入端口RFin和信號(hào)輸出端口 RFout，副線路122具有耦合端口 CPL和隔離端口 ISO。主線路121與副線路122通過兩線路間的分布電容C而相互電場(chǎng)耦合并通過互感M而相互磁場(chǎng)耦合。
在主線路121中，若從信號(hào)輸入端口 RFin被輸入信號(hào)SI,則由于基于稱合電容C的電場(chǎng)耦合，信號(hào)S2在副線路122向耦合端口 CPL的方向傳播、S3信號(hào)在副線路122向隔離端口 ISO的方向傳播。另外，由于基于互感M的磁場(chǎng)f禹合,信號(hào)S4、信號(hào)S5在由副線路122和地線(GND)構(gòu)成的閉環(huán)上從隔離端口 ISO向耦合端口 CPL的方向傳播。
在該理想等價(jià)電路中，流向耦合端口 CPL的信號(hào)S2、S4相對(duì)于信號(hào)SI都是+ 90°的相位，相位對(duì)準(zhǔn)。因此，從耦合端口 CPL輸出對(duì)信號(hào)S2和信號(hào)S4的電力進(jìn)行相加后的信號(hào)。另一方面，對(duì)流向隔離端口 ISO的信號(hào)S3、S5而言,信號(hào)S3相對(duì)于信號(hào)SI是+ 90°的相位，信號(hào)S5相對(duì)于信號(hào)SI是一 90°的相位,信號(hào)S3和信號(hào)S5為相反相位。因此,在隔離端口 ISO中,信號(hào)S3和信號(hào)S5的電力相互抵消而不輸出信號(hào)。
圖2是舉例說明定向耦合器120A的頻率特性和隔離特性的圖。在圖2 (A )所示的頻率特性中，持續(xù)整個(gè)頻帶的插入損失幾乎為0，此外與耦合端口 CPL的耦合量相比，隔離端口 ISO的隔離極小，可以得到較高的定向。此外圖2 (B)所示的隔離特性是用極坐標(biāo)顯示從隔離端口 ISO輸出的信號(hào)的特性，與頻率無關(guān)系總是幾乎為O。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2009 - 044303號(hào)公報(bào)
在上述理想定向耦合器120A中，互感M的耦合系數(shù)為I，在隔離端口 IS0，由電場(chǎng)耦合引起的信號(hào)和由磁場(chǎng)耦合引起的信號(hào)為逆相而相互抵消。然而，在實(shí)際的定向耦合器中，難以像上述一樣使互感M的耦合系數(shù)為1，通常存在由引繞布線、引線等引起的寄生電感。
圖3是對(duì)在實(shí)際的定向耦合器120B中的寄生電感的影響進(jìn)行說明的圖。在圖3(A)中示出定向耦合器120B的等價(jià)電路。在該定向耦合器120B中，在主線路121的信號(hào)輸出端口 RFout產(chǎn)生寄生電感LI，在副線路122的耦合端口 CPL產(chǎn)生寄生電感L2。在圖3(B)、圖3 (C)中示出使寄生電感LI =0.5nH、L2= 1.0nH=的情況下的定向耦合器120B的頻率特性和隔離特性。在該情況下，在副線路122中，由電場(chǎng)耦合產(chǎn)生的信號(hào)和由磁場(chǎng)耦合產(chǎn)生的信號(hào)都發(fā)生相位延遲，并且在隔離端口 ISO產(chǎn)生用兩信號(hào)的相加無法抵消的信號(hào)。而且，無法確保足夠的隔離、定向。此外，有時(shí)在信號(hào)輸入端口 RFin、隔離端口 ISO也產(chǎn)生寄生電感，對(duì)這些寄生電感而言，幾乎不會(huì)使定向耦合器的隔離特性、定向惡化，這里視為不發(fā)生這些。
然而，公知有通過在高頻電路將與寄生電感串聯(lián)諧振的串聯(lián)電容進(jìn)行連接而抑制寄生電感的影響的技術(shù)。于是，在上述定向耦合器120B中也考慮將寄生電感L1、L2與串聯(lián)電容連接。
圖4是對(duì)將寄生電感與串聯(lián)電容連接的構(gòu)成的定向耦合器120C進(jìn)行說明的圖。在定向耦合器120C中，在主線路121中插入電感Ll(= 0.5nH)和以所希望的頻率(約2.0GHz)進(jìn)行串聯(lián)諧振的串聯(lián)電容Cl (=14pF)，在副線路122插入電感L2 (= 1.0nH)和以所希望的頻率(約2.0GHz)進(jìn)行串聯(lián)諧振的串聯(lián)電容C2 (=6pF)。在該情況下，在各寄生電感和串聯(lián)電容串聯(lián)諧振的頻率(約2.0GHz)下改善了隔離和定向。
但是，在這樣插入串聯(lián)電容后的電路構(gòu)成中，作為定向耦合器120C整體的器件尺寸會(huì)增大串聯(lián)電容Cl、C2的大小。特別是，如果考慮信號(hào)輸出端口 RFout處的與外部電路之間的阻抗匹配，需要進(jìn)行電路設(shè)計(jì)以便使信號(hào)輸出端口 RFout的寄生電感LI變小，在該情況下，與該寄生電感LI諧振的串聯(lián)電容Cl會(huì)成為大容量且極大型的電容。因此，會(huì)由串聯(lián)電容Cl帶來器件尺寸的大型化。發(fā)明內(nèi)容
于是，本發(fā)明的目的在于提供即使寄生電感存在也能夠得到良好隔離特性并能夠抑制大型化的構(gòu)成的定向I禹合器。
本發(fā)明涉及傳輸線路型的定向耦合器，上述定向耦合器具備主線路、通過電場(chǎng)耦合和磁場(chǎng)耦合與主線路耦合的副線路。主線路具有信號(hào)輸入端口和信號(hào)輸出端口，副線路具有耦合端口和隔離端口。這里，信號(hào)輸出端口和耦合端口中的僅任意一個(gè)端口與串聯(lián)電容連接。
在該構(gòu)成中，通過使信號(hào)輸出端口和I禹合端口中的僅任意一個(gè)端口與串聯(lián)電容連接，能夠改善隔離和定向，另外，能夠比兩個(gè)端口都連接串聯(lián)電容的情況更抑制器件尺寸的大型化。
在上述定向耦合器中，優(yōu)選將以所希望的頻率與信號(hào)輸出端口的寄生電感諧振的電容值設(shè)為Cl、將以所希望的頻率與耦合端口的寄生電感諧振的電容值設(shè)為C2，串聯(lián)電容的電容值被設(shè)定為電容值Cl以下或者電容值C2以下。進(jìn)一步優(yōu)選將串聯(lián)電容的電容值設(shè)定為滿足下面等式的電容值Cx，
Cx=I / (I / Cl+1 / C2)。
若作為串聯(lián)電容插入電容值Cl、電容值C2，則雖然能夠改善隔離和定向，但越接近比電容值Cl、電容值C2更小的電容值Cx越會(huì)改善隔離和定向。并且，電容值越小，串聯(lián)電容越能夠小型化，并且有助于抑制器件的尺寸。
在上述定向耦合器中，優(yōu)選信號(hào)輸出端口和耦合端口中僅耦合端口與串聯(lián)電容連接。由此，信號(hào)輸出端口不需要被插入串聯(lián)電容就能夠防止插入損失的增大。
對(duì)上述定向耦合器而言，優(yōu)選利用薄膜工藝形成主線路、副線路以及串聯(lián)電容。通過利用薄膜工藝作成定向耦合器而能夠抑制各部件的位置偏差，因此能夠?qū)⒍ㄏ蝰詈掀鞯碾娞匦缘钠钜种频椒浅Ｐ　?br> 對(duì)上述定向耦合器而言，優(yōu)選將主線路和副線路中的至少一個(gè)線路用作構(gòu)成串聯(lián)電容的電極。在該構(gòu)成中，能夠一并形成構(gòu)成串聯(lián)電容的電極、主線路以及副線路，能夠減少在以往的制造工藝所追加的工藝數(shù)。另外，能夠防止器件尺寸增大串聯(lián)電容的電極面積的大小。
對(duì)上述定向耦合器而言，若使用半絕緣性基板，則能夠減少損耗并減少定向耦合器的插入損失而為優(yōu)選。另外，在該情況下，在定向耦合器中混裝其他有源元件而能夠促進(jìn)器件的小型化和低價(jià)格化等。
根據(jù)本發(fā)明，即使在主線路、副線路存在寄生電感，也僅向信號(hào)輸出端口和耦合端口中的一個(gè)端口插入串聯(lián)電容而能夠得到良好的隔離特性和定向。另外，在該情況下，由于不使用2個(gè)串聯(lián)電容而僅使用一個(gè)串聯(lián)電容所以能夠抑制器件尺寸的大型化。


圖1是對(duì)設(shè)置在RF發(fā)送電路中的傳輸線路型的定向耦合器進(jìn)行說明的圖。
圖2是對(duì)圖1的定向耦合器的頻率特性和隔離特性進(jìn)行說明的圖。
圖3是對(duì)在傳輸線路形的定向耦合器中的寄生電感的影響進(jìn)行說明的圖。
圖4是對(duì)與在傳輸線路形的定向耦合器中的寄生電感諧振的串聯(lián)電容的影響進(jìn)行說明的圖。
圖5是對(duì)本發(fā)明的第I實(shí)施方式的定向耦合器進(jìn)行說明的圖。
圖6是對(duì)以往構(gòu)成和本申請(qǐng)構(gòu)成進(jìn)行頻率特性比較的表。
圖7是對(duì)本發(fā)明的第2實(shí)施方式的定向耦合器進(jìn)行說明的圖。
圖8是對(duì)本發(fā)明的第3實(shí)施方式的定向耦合器進(jìn)行說明的圖。
圖9是對(duì)定向耦合器的實(shí)施例進(jìn)行說明的圖。
圖10是對(duì)定向耦合器的制造所涉及的薄膜工藝的實(shí)施例進(jìn)行說明的圖。
圖11是對(duì)定向耦合器的其他實(shí)施例進(jìn)行說明的圖。
圖12是對(duì)定向耦合器的其他實(shí)施例進(jìn)行說明的圖。
具體實(shí)施方式
以下，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的傳輸線路型的定向耦合器的概略構(gòu)成和工作進(jìn)行說明。
《第I實(shí)施方式》
圖5(A)是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的傳輸線路型的定向耦合器20A的等價(jià)電路圖。
定向耦合器20A具備主線路21和副線路22。主線路21和副線路22分別具有電感L，并相互通過線路間的分布電容C而電容耦合、通過互感M而磁場(chǎng)耦合。主線路21具有信號(hào)輸入端口 RFin和信號(hào)輸出端口 RFout。副線路22具有耦合端口 CPL和隔離端口 ISO。在副線路22，在耦合端口 CPL由電場(chǎng)耦合引起的信號(hào)和由磁場(chǎng)耦合引起的信號(hào)為同相位而相長(zhǎng)，在隔離端口 ISO由電場(chǎng)耦合引起的信號(hào)和由磁場(chǎng)耦合引起的信號(hào)為逆相位而相消。
如果是理想定向耦合器，則通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)整互感M和分布電容C，使耦合端口 CPL的輸出成為相對(duì)于信號(hào)輸入端口 RFin的輸入電力僅為十90°的相位成分。另外，隔離端口 ISO的輸出幾乎成為O。然而，實(shí)際上，互感M的耦合系數(shù)不為1，在主線路21存在線路本身的電感L和由布線等帶來的寄生電感LI，另外，在副線路22存在線路本身的電感L和寄生電感L2。
因此，在副線路22產(chǎn)生的由磁場(chǎng)耦合引起的信號(hào)和由電場(chǎng)耦合引起的信號(hào)中由于寄生電感而發(fā)生相位延遲，無法以電場(chǎng)耦合、磁場(chǎng)耦合完全相互抵消隔離端口 ISO的輸出電力而發(fā)生隔離特性的惡化。
于是，在本實(shí)施方式中，在副線路22相對(duì)于寄生電感L2以串聯(lián)的方式插入串聯(lián)電容Cx。這里串聯(lián)電容Cx等于串聯(lián)連接了設(shè)置在前述定向耦合器120C (參照?qǐng)D4)的串聯(lián)電容Cl、C2時(shí)的電容值。即，串聯(lián)電容Cx滿足下式面的等式。此外，串聯(lián)電容Cl、C2是分別與寄生電感L1、L2串聯(lián)諧振的電容值。
Cx=I / (I / Cl+1 / C2) {= I / (I / 14 + I / 6) = 4.2}
由此，對(duì)該定向耦合器20A而言，無論存在寄生電感L1、L2與否都改善所希望的頻率(約2.0GHz)下的隔離和定向。圖5 (B)是舉例說明定向耦合器20A的頻率特性的圖，圖5 (C)是用極坐標(biāo)顯示了該隔離特性的圖。在定向耦合器20A的頻率特性中，信號(hào)輸出端口RFout處的插入損失持續(xù)全頻帶幾乎為0，隔離端口 ISO處的隔離在頻率約2.0GHz下通過諧振而被大幅度地改善。并且，在該頻率約2.0GHz下，耦合端口 CPL中的耦合量與隔離之比亦即定向也被大幅度地改善。
這樣，在該定向耦合器20A中，通過將串聯(lián)電容Cx插入耦合端口 CPL能夠改善隔離特性和定向。在圖6示出定向耦合器20A和以往構(gòu)成在頻率2.0GHz的頻率特性之比較。定向耦合器20A比理想電路構(gòu)成的定向耦合器120A在隔離和定向方面稍有惡化，但兩方面都比成為實(shí)用限度的30dB充分大而能夠?qū)崿F(xiàn)可實(shí)用的特性。另一方面，與存在由寄生電感帶來的負(fù)面影響的定向耦合器120B相比，改善了隔離和定向，特別是定向約超過成為實(shí)用限度的30dB越被大幅度地改善。另外，與設(shè)置有與各寄生電感串聯(lián)諧振的串聯(lián)電容C1、C2的定向耦合器120C相比，僅設(shè)置I個(gè)比串聯(lián)電容C1、C2小型的串聯(lián)電容Cx，因此能夠抑制器件尺寸的大型化。而且，串聯(lián)電容Cx是比串聯(lián)電容Cl、C2小容量且小型的電容，因此在該點(diǎn)上也適合于小型化。因此，在將串聯(lián)電容Cx插入耦合端口 CPL的定向耦合器20A中能夠避免寄生電感的影響并能夠大幅度地抑制器件尺寸的大型化。
此外，在僅在信號(hào)輸出端口 RFout產(chǎn)生寄生電感LI的情況下，優(yōu)選在耦合端口 CPL追加與寄生電感LI諧振的串聯(lián)電容Cl。另外，在僅在耦合端口 CPL產(chǎn)生寄生電感L2的情況下，優(yōu)選在耦合端口 CPL追加與寄生電感L2諧振的串聯(lián)電容C2。在這些情況下，與上述實(shí)施方式相同，能夠改善隔離和定向。
《第2實(shí)施方式》
接下來，對(duì)第2實(shí)施方式的定向耦合器20B進(jìn)行說明。圖7 (A)是定向耦合器20B的等價(jià)電路圖，定向耦合器20B構(gòu)成為僅在耦合端口 CPL插入了串聯(lián)電容Cx’(=C2=6pF)。
在該構(gòu)成中，如圖7 (B),7 (C)的頻率特性、隔離特性所示那樣，基于串聯(lián)電容Cx’的諧振頻率偏離所希望的頻率(約2.0GHz),隔離和定向和的改善效果被限定，僅能夠期待某種程度的隔離和定向的改善。然而，至少省略了以往設(shè)置在信號(hào)輸出端口 RFout的串聯(lián)電容Cl，因此能夠?qū)⑵骷叽缫种拼?lián)電容Cl的量，另外，還能夠抑制由向主線路21插入串聯(lián)電容Cl而帶來的插入損失的惡化。因此，可以考慮優(yōu)選像前述定向耦合器20A那樣，連接與串聯(lián)連接了串聯(lián)電容Cl和串聯(lián)電容C2而得的電容值等價(jià)的電容值Cx。
《第3實(shí)施方式》
接下來，對(duì)第3實(shí)施方式的定向耦合器20C進(jìn)行說明。圖8 (A)是定向耦合器20C的等價(jià)電路圖，定向耦合器20C構(gòu)成為僅在信號(hào)輸出端口 RFout插入串聯(lián)電容Cx( =4.2pF)。
在該構(gòu)成中，如圖8 (B),8 (C)的頻率特性、隔離特性所示那樣，基于串聯(lián)電容Cx的諧振頻率成為所希望的頻率(約2.0GHz)能夠期待某種程度的隔離和定向的改善。另外，至少省略了以往設(shè)置在耦合端口 CPL的串聯(lián)電容C2，因此能夠?qū)⑵骷叽缫种拼?lián)電容C2的量。但是，由于向主線路21插入串聯(lián)電容Cxhi產(chǎn)生若干插入損失的惡化。因此，如前述定向耦合器20A那樣，可認(rèn)為優(yōu)選將耦合端口 CPL側(cè)連接串聯(lián)電容。
《實(shí)施例1》
接下來，對(duì)本發(fā)明的定向耦合器的制造方法進(jìn)行說明。圖9 (A)是定向耦合器20D的圖案圖，圖9 (B)是圖9 (A)所示的B— B’剖面的剖視圖。
對(duì)定向耦合器20D而言，在半絕緣性基板24上具備:主線路21、副線路22、信號(hào)輸入端口 RFin、信號(hào)輸出端口 RFout、耦合端口 CPL以及隔離端口 ISO。另外，在半絕緣性基板24上層疊有設(shè)置有使各端口露出的開口的介電膜23。并且，通過將上表面電極25從耦合端口 CPL露出的開口起設(shè)置在介電膜23上并使上表面電極25的端部的矩形區(qū)域與副線路22的端部的矩形區(qū)域重疊，而形成串聯(lián)電容Cx。信號(hào)輸入端口 RFin、信號(hào)輸出端口 RFout、耦合端口 CPL以及隔離端口 ISO通過引線等與外部電路連接。
圖10是對(duì)定向耦合器20D的制造工藝進(jìn)行說明的示意圖。
使用能夠排列多個(gè)器件、利用使用了 GaAs (砷化鎵)等電介質(zhì)損耗小的材料的晶片(基板)來制造定向耦合器20D。在圖中將晶片上的單獨(dú)器件形成區(qū)域作為半絕緣性基板24表示。
首先，如圖10 (B)所示，使用薄膜工藝在半絕緣性基板24上形成定向耦合器20D的主線路21、副線路22、信號(hào)輸入端口 RFin、信號(hào)輸出端口 RFout、耦合端口 CPL以及隔離端口 ISO。此外，用由Au或者Al構(gòu)成的一體圖案將主線路21、信號(hào)輸入端口 RFin以及信號(hào)輸出端口 RFout形成為相互導(dǎo)通。另外，用由Au或者Al構(gòu)成的一體圖案也將副線路22和隔離端口 ISO形成為相互導(dǎo)通。耦合端口 CPL用由Au或者Al構(gòu)成的圖案作為從副線路22分離的圖案來形成。
在薄膜工藝，在通過蒸鍍、濺射或者電鍍等在整個(gè)面形成電極材料后，利用光刻工藝形成抗蝕劑膜，通過蝕刻除去不必要的電極材料?；蛘撸紫仍诶霉饪坦に囆纬煽刮g劑膜的圖案后，通過蒸鍍、濺射或者電鍍等在抗蝕劑膜圖案以外的部分堆積電極材料，最后通過剝離(lift-off)抗蝕劑膜而形成電極圖案。根據(jù)這樣的薄膜工藝，能夠?qū)⒏麟姌O的位置偏差抑制在IOum以下，因此將定向耦合器的電特性的偏差抑制為非常小，并能夠提高定向率禹合器的成品率。
此外，在利用薄膜工序制造器件的情況下，一般作為基板材料使用硅，但由于硅基板是半導(dǎo)體基板因此損耗大，若用于本發(fā)明的定向耦合器則在主線路的插入損失會(huì)增加。與此相對(duì)的，通過使用由GaAs等損耗小的材料作成的半絕緣性基板24能夠減少插入損失。
接下來，如圖10 (C)所示，以設(shè)置使信號(hào)輸入端口 RFin、信號(hào)輸出端口 RFout、耦合端口 CPL以及隔離端口 ISO露出的4個(gè)開口的方式在半絕緣性基板24上形成介電膜23。可以采用蝕刻工藝形成開口。
接著，如圖10 (D)所示，利用薄膜工藝在介電膜23的表面形成上表面電極25。上表面電極25以從耦合端口 CPL露出的開口到副線路22的一端的矩形區(qū)域的圖案形成。由此，能夠使上表面電極25與副線路22對(duì)置的區(qū)域?yàn)榇?lián)電容Cx并能夠改善定向耦合器20D的隔離和定向。
《實(shí)施例2》
接下來，對(duì)本發(fā)明的定向耦合器的其他實(shí)施例進(jìn)行說明。圖11 (A)是定向耦合器20E的圖案圖，圖11 (B)是定向耦合器20E的圖11 (A)所示的B — B’剖面的剖視圖。對(duì)該定向耦合器20E而言，在副線路22和上表面電極25中將成為串聯(lián)電容Cx的矩形區(qū)域擴(kuò)大為比周圍都大的面積的形狀。如果是這樣的構(gòu)成，容易地使串聯(lián)電容Cx的電容值較大。
《實(shí)施例3》
接下來，對(duì)本發(fā)明的定向耦合器的其他實(shí)施例進(jìn)行說明。圖12 (A)是定向耦合器20F的圖案圖，圖12 (B)是定向耦合器20F的圖12 (A)所示的B — B’剖面的剖視圖。對(duì)該定向耦合器20F而言，為了將串聯(lián)電容Cx的電容值確保為較大，通過將副線路22的線路形狀保持原樣并使上表面電極25為重疊在副線路22的線路狀，而使作為串聯(lián)電容Cx的矩形區(qū)域?yàn)槊娣e較大。如果是這樣的構(gòu)成，則不會(huì)導(dǎo)致器件尺寸的大型化并能夠確保串聯(lián)電容Cx的電容值。
如以上所述的各實(shí)施方式、各實(shí)施例那樣，本發(fā)明能夠以多種構(gòu)成而實(shí)施，本發(fā)明的范圍并不局限于上述實(shí)施方式。由權(quán)利要求示出本發(fā)明的范圍，包括所有在與權(quán)利要求均衡的范圍內(nèi)變更的內(nèi)容。
附圖標(biāo)記說明
CPL…耦合端口 ；ISO…隔離端口 ；RFin…信號(hào)輸入端口 ；RFout…信號(hào)輸出端口 ；20A 20F…定向耦合器;21…主線路；22…副線路；23…介電膜；24…半絕緣性基板；25…上表面電極。
權(quán)利要求
1.一種定向I禹合器，其特征在于，具備: 主線路，其具有信號(hào)輸入端口和信號(hào)輸出端口 ；和 副線路，其具有耦合端口和隔離端口，并通過電場(chǎng)耦合和磁場(chǎng)耦合與所述主線路耦合， 所述信號(hào)輸出端口和所述耦合端口中僅任意一個(gè)端口與串聯(lián)電容連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定向耦合器，其特征在于， 將以所希望的頻率與所述信號(hào)輸出端口的寄生電感諧振的電容值設(shè)為Cl，將以所希望的頻率與所述耦合端口的寄生電感諧振的電容值設(shè)為C2，所述串聯(lián)電容的電容值被設(shè)定為所述電容值Cl以下或者所述電容值C2以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的定向耦合器，其特征在于， 將以所希望的頻率與所述信號(hào)輸出端口的寄生電感諧振的電容值設(shè)為Cl，將以所希望的頻率與所述耦合端口的寄生電感諧振的電容值設(shè)為C2，所述串聯(lián)電容的電容值被設(shè)定為滿足下面的等式的電容值Cx，Cx=1 / (1 / Cl+1 / C2)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任意一項(xiàng)所述的定向耦合器，其特征在于， 所述信號(hào)輸出端口和所述耦合端口中僅所述耦合端口與所述串聯(lián)電容連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任意一項(xiàng)所述的定向耦合器，其特征在于， 利用薄膜工藝形成所述主線路、所述副線路以及所述串聯(lián)電容的電極圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中任意一項(xiàng)所述的定向耦合器，其特征在于， 將所述主線路和所述副線路中的至少1個(gè)線路用作構(gòu)成所述串聯(lián)電容的電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中任意一項(xiàng)所述的定向耦合器，其特征在于， 具備形成有所述主線路、所述副線路以及構(gòu)成所述串聯(lián)電容的電極的半絕緣性基板。
全文摘要
在定向耦合器中，即使存在寄生電感也得到良好的隔離特性并抑制大型化。傳輸線路型的定向耦合器(20A)具備主線路(21)、通過電場(chǎng)耦合和磁場(chǎng)耦合與主線路(21)耦合的副線路(22)。主線路(21)具有信號(hào)輸入端口(RFin)和信號(hào)輸出端口(RFout)，副線路(22)具有耦合端口(CPL)和隔離端口(ISO)。這里，僅信號(hào)輸出端口(RFout)和耦合端口(CPL)中的任意1個(gè)端口與串聯(lián)電容連接。
文檔編號(hào)H01P5/18GK103201899SQ20118005413
公開日2013年7月10日 申請(qǐng)日期2011年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月12日
發(fā)明者德田大輔, 向山和孝 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所