專利名稱:電壓可調(diào)諧移相器和相關(guān)方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本公開內(nèi)容涉及移相器、相關(guān)方法和裝置的領(lǐng)域,并且具體地涉及包括石墨烯接地電極作為相位調(diào)制元件的電壓可調(diào)諧移相器。某些公開的示例方面/實施例涉及便攜電子設(shè)備,具體為可以在使用時手持的所謂手持便攜電子設(shè)備(不過它們在使用時可以放置于托架中)。這樣的手持便攜電子設(shè)備包括所謂的個人數(shù)字助理(PDA)。根據(jù)一 個或者多個公開的示例方面/實施例的便攜電子設(shè)備/裝置可以提供一個或者多個音頻/文本/視頻通信功能(例如遠(yuǎn)程通信、視頻通信和/或文本傳輸、短消息服務(wù)(SMS) /多媒體消息服務(wù)(MMS) /電子郵件功能、互動/非互動查看功能(例如web瀏覽、導(dǎo)航、TV/節(jié)目查看功能)、音樂錄制/播放功能(例如MP3或者其他格式和/或(FM/AM)無線電廣播錄制/播放)、數(shù)據(jù)下載/發(fā)送功能、圖像捕獲功能(例如使用(例如內(nèi)置)數(shù)字相機)和游戲功能)。
背景技術(shù):
移相器在許多電子應(yīng)用中用于更改傳輸線中的輸出信號的相位。在大量現(xiàn)代通信系統(tǒng)中,包括直接衛(wèi)星系統(tǒng)(DSS)接收器、數(shù)字蜂窩電話、衛(wèi)星調(diào)制解調(diào)器和無線局域網(wǎng)(LAN)調(diào)制解調(diào)器,移相器是關(guān)鍵功能部件。例如,移相器用來微調(diào)無源或者有源網(wǎng)絡(luò)中的微波信號的延遲時間;改變RF系統(tǒng)中的接收的信號的幅度和相位;控制在移動通信系統(tǒng)的發(fā)射器/接收器處提供的放大器的線性相位;調(diào)整基站天線的波束掃描角度;以及控制帶通濾波器或者雙工器的輸出信號的相位。移相器的一個重要應(yīng)用是在數(shù)字鎖相環(huán)(PLL)中,用于從接收的信號中去除相位和/或頻率誤差。另一應(yīng)用是在相控陣列天線中。相控陣列天線是由發(fā)射相控信號以形成無線電波束的大量元件組成的天線配置。通過主動操縱個別天線元件的相對定相可以電子地引導(dǎo)無線電信號。通過并入移相器網(wǎng)絡(luò),相控陣列天線可以在微秒內(nèi)被電子地指向而無需天線或其元件的任何物理重新對準(zhǔn)或者移動。波束控制通過衰減非所需干擾源來提高接收信號的載波與干擾之比??梢噪娏Φ?、磁力地或者機械地控制可調(diào)諧移相器。很多電移相器使用變?nèi)荻O管(其電容隨電壓改變)或者鐵電材料(其介電率隨電場強度改變)作為相位調(diào)制元件。通過調(diào)諧變?nèi)萜麟娙莼蛘哞F電介電率,在RF信號穿過移相器時引起相位變化。變?nèi)荻O管的問題在于它們由許多部件構(gòu)成。它們制作起來昂貴并且需要定期調(diào)整。在另一方面,鐵電移相器呈現(xiàn)出它們自己的問題。在集成電路內(nèi)集成鐵電材料有挑戰(zhàn)性,其需要高電壓以操作鐵電移相器,并且移相器的設(shè)計很復(fù)雜,因為鐵電材料的性質(zhì)不同于在傳輸線中使用的常規(guī)電介質(zhì)材料的性質(zhì)。這里公開的裝置和相關(guān)方法可以解決或者可以未解決這些問題中的一個或者多個問題。在本說明書中對先前公開的文獻(xiàn)或者任何背景的列舉或者討論不應(yīng)必然視為承認(rèn)該文獻(xiàn)或者背景是現(xiàn)有技術(shù)的部分或者是公知常識。本公開內(nèi)容的一個或者多個方面/實施例可以解決或者可以未解決背景問題中的一個或者多個問題。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)第一方面,提供一種電壓可調(diào)諧移相器,該電壓可調(diào)諧移相器包括被電介質(zhì)材料層隔離的傳導(dǎo)線和接地電極,移相器被配置用于當(dāng)在傳導(dǎo)線與接地電極之間施加電勢差時產(chǎn)生電場,電場被配置用于改變沿著傳導(dǎo)線傳播的電磁信號的相位,其中接地電極包含石墨烯,并且其中相位的改變依賴于電場強度并且可以通過改變在傳導(dǎo)線與接地電極之間的電勢差來進(jìn)行控制貫穿整個說明書,術(shù)語“傳輸線”可以視為覆蓋能夠輸送頻率在RF范圍中和/或以上的交流和電磁波的所有結(jié)構(gòu),包括同軸線、微帶和波導(dǎo)以及其他傳輸線。微帶傳輸線是可以使用印刷電路板技術(shù)來制作的一類電傳輸線,其包括通過電介質(zhì)層(稱為“襯底”)而與接地平面隔離的電傳導(dǎo)帶(這里稱為“傳導(dǎo)線”)。盡管這里描述的移相器基于微帶傳輸線,但是主要概念可以應(yīng)用于包括同軸線在內(nèi)的更寬的傳輸線類別。就這一點而言,可以貫穿說明書可互換地使用術(shù)語“傳導(dǎo)線”、“微帶線”和“傳導(dǎo)微帶線”。類似地,貫穿說明書可互換地使用術(shù)語“傳輸線”和“微帶傳輸線”。傳導(dǎo)線和接地電極可以包括任何電傳導(dǎo)材料。具體而言,傳導(dǎo)線和接地電極可以包括金屬,比如金或者銅。電介質(zhì)材料可以是表現(xiàn)低損耗的任何電介質(zhì),比如氧化鋁。接地電極可以僅由石墨烯形成或者可以包括與石墨烯組合的其他材料。例如接地電極可以包括兩層或者更多層,并且這些層中的一層或者多層可以僅由石墨烯形成。在另一方面,接地電極可以包括包含有石墨烯化合物的一層或者多層。在這后一種情形中,石墨烯可以摻雜有一種或者多種其他材料。這些變體中的每個變體可適于使用,只要接地電極的量子電容能夠調(diào)制RF信號的相位并且可以隨施加的電壓而可控地變化。電磁波的相位可以依賴于接地電極的量子電容。施加的電場可以被配置用于改變接地電極的量子電容??梢耘渲?傳導(dǎo)線和接地電極使得電場基本上垂直于電磁信號的傳播方向。傳導(dǎo)線可以是微帶線。電磁信號可以是射頻信號。電磁信號可以具有THz范圍的頻率。具體而言,電磁信號可以具有30kHz-3000GH范圍中的頻率。移相器可以形成于柔性支撐襯底上面。柔性支撐襯底可以是柔性印刷電路板或者是剛撓結(jié)合印刷電路板的柔性區(qū)域。根據(jù)又一方面,提供一種包括這里描述的任何移相器的裝置。該裝置可以是便攜電信設(shè)備、蜂窩網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器、蜂窩網(wǎng)絡(luò)基站和相控陣列天線中的一項或者多項。該裝置可以是用于上述各項中的一項或者多相的模塊根據(jù)又一方面,提供一種用于制作電壓可調(diào)諧移相器的方法,該方法包括:提供電介質(zhì)材料層;在電介質(zhì)材料的一個表面上提供包含石墨烯的接地電極;以及在電介質(zhì)材料的相反表面上提供傳導(dǎo)線以產(chǎn)生電壓可調(diào)諧移相器,電壓可調(diào)諧移相器包括被電介質(zhì)材料層隔離的傳導(dǎo)線和接地電極,移相器被配置用于當(dāng)在傳導(dǎo)線與接地電極之間施加電勢差時產(chǎn)生電場,電場被配置用于改變沿著傳導(dǎo)線傳播的電磁信號的相位,其中接地電極包含石墨烯,并且其中相位的改變依賴于電場強度并且可以通過改變在傳導(dǎo)線與接地電極之間的電勢差來進(jìn)行控制。
接地電極可以包括石墨烯膜。石墨烯膜可以包括一層或者多層石墨烯。一個或者多個石墨烯層中的至少一個石墨烯層可以摻雜有一種或者多種其他材料。石墨烯膜可以通過以下操作形成于電介質(zhì)材料的表面上:在銅箔的表面上生長石墨烯膜;將熱釋放層粘附到石墨烯膜上;從石墨烯膜去除銅箔;以及在充分加熱以從石墨烯膜剝離熱釋放層的同時將石墨烯膜擠壓在電介質(zhì)材料的表面上。可以使用化學(xué)氣相沉積來生長石墨烯膜。可以使用蝕刻工藝來去除銅箔??梢允褂霉骷庸?roll-to-roll processing)來執(zhí)行以下步驟中的一個或者多個步驟:將熱釋放層粘附到石墨烯膜上;從石墨烯膜去除銅箔;以及在充分加熱以從石墨烯膜剝離熱釋放層的同時將石墨烯膜擠壓在電介質(zhì)材料的表面上。根據(jù)又一方面,提供一種用于制作電壓可調(diào)諧移相器的方法,該方法包括:提供包含石墨烯的接地電極;在接地電極上面沉積電介質(zhì)材料層;以及在電介質(zhì)材料上面形成傳導(dǎo)線以產(chǎn)生電壓可調(diào)諧移相器,電壓可調(diào)諧移相器包括被電介質(zhì)材料層隔離的傳導(dǎo)線和接地電極,移相器被配置用于當(dāng)在傳導(dǎo)線與接地電極之間施加電勢差時產(chǎn)生電場,電場被配置用于改變沿著傳導(dǎo)線傳播的電磁信號的相位,其中接地電極包含石墨烯,并且其中相位的改變依賴于電場強度并且可以通過改變在傳導(dǎo)線與接地電極之間的電勢差來進(jìn)行控制。接地電極可以包括石墨烯膜。石墨烯膜可以通過以下操作形成于支撐襯底上:在銅箔的表面上生長石墨烯膜;將熱釋放層粘附在石墨烯膜上;從石墨烯膜去除銅箔;以及在充分加熱以從石墨烯膜剝離熱釋放層的同時將石墨烯膜擠壓在支撐襯底上??梢允褂没瘜W(xué)氣相沉積來生長石墨烯膜??梢允褂梦g刻工藝來去除銅箔??梢允褂幂伡庸韴?zhí)行以下步驟中的一個或者多個步驟:將熱釋放層粘附在石墨烯膜上;從石墨烯膜去除銅箔;以及在充分加熱以從石墨烯膜剝離熱釋放層的同時將石墨烯膜擠壓在支撐襯底上。根據(jù)又一方面,提供一種用于改變電磁信號的相位的方法,該方包括:`
提供電壓可調(diào)諧移相器,電壓可調(diào)諧移相器包括被電介質(zhì)材料層隔離的傳導(dǎo)線和接地電極,移相器被配置用于當(dāng)在傳導(dǎo)線與接地電極之間施加電勢差時產(chǎn)生電場,電場被配置用于改變沿著傳導(dǎo)線傳播的電磁信號的相位,其中接地電極包含石墨烯,并且其中相位的改變依賴于電場強度并且可以通過改變在傳導(dǎo)線與接地電極之間的電勢差來進(jìn)行控制;以及在傳導(dǎo)線與接地電極之間施加電勢差。除非明確指出或者本領(lǐng)域技術(shù)人員理解的那樣,本文描述的任何方法的步驟無需以公開的確切順序執(zhí)行。根據(jù)又一方面,提供一種記錄在載體上的計算機程序,該計算機程序包括被配置用于執(zhí)行這里描述的用于制作電壓可調(diào)諧移相器的任何方法的計算機代碼。根據(jù)又一方面,提供一種記錄在載體上的計算機程序,該計算機程序包括被配置用于執(zhí)行這里描述的用于改變電磁信號的相位的任何方法的計算機代碼。該裝置可以包括被配置用于處理計算機程序的代碼的處理器。處理器可以是包括專用集成電路(ASIC)在內(nèi)的微處理器。本公開內(nèi)容單獨地或者在各種組合中包括一個或者多個對應(yīng)方面、示例實施例或者特征,無論是否在該組合中或者單獨地特別指出(包括要求保護(hù))。用于執(zhí)行公開的功能中的一個或者多個功能的對應(yīng)裝置也在本公開內(nèi)容內(nèi)。用于實施公開的方法中的一種或者多種方法的對應(yīng)計算機程序也在本公開內(nèi)容內(nèi)并且被描述的示例實施例中的一個或者多個實施例涵蓋。上述發(fā)明內(nèi)容旨在于僅示例性而非限制性。
現(xiàn)在參照附圖僅通過示例給出描述,在附圖中:圖1示出包括鐵電相位調(diào)制元件的電壓可調(diào)諧移相器;圖2示出石墨烯電容器;圖2b示出石墨烯電容器量子電容的電壓依賴性;圖3示出包括石墨烯相位調(diào)制元件的電壓可調(diào)諧移相器;圖4a示出普通微帶傳輸線的模型;圖4b示出包括石墨烯電極的微帶傳輸線的模型;
·
圖5示出用于制作石墨烯膜的輥加工生產(chǎn)方法;圖6示出包括本文描述的電壓可調(diào)諧移相器的裝置;圖7示出制作本文描述的電壓可調(diào)諧移相器的方法;圖8示出使用本文描述的電壓可調(diào)諧移相器的方法;以及圖9示出計算機可讀介質(zhì),該計算機可讀介質(zhì)提供用于控制制作和/或使用本文描述的電壓可調(diào)諧移相器的程序。
具體實施例方式圖1示出鐵電移相器101。移相器101包括被可調(diào)諧鐵電材料104相互隔離的傳導(dǎo)(微帶)線102和接地電極103。在傳導(dǎo)線102與接地電極103之間施加DC電壓105以產(chǎn)生電場106??烧{(diào)諧鐵電材料104是如下材料,該材料的介電率(或者介電常數(shù))可以通過改變材料受到的電場106的強度而變化。鈦酸鍶鋇(BahSrxTiO3)是一個這樣的示例。介電率的變化導(dǎo)致傳輸線所引導(dǎo)的電磁波107的傳播速率的變化,這改變了信號107的相位。該效果在與電磁信號107的傳播方向垂直地施加電場106時(如圖1中所示)最大。在數(shù)學(xué)上,RF信號107的傳播常數(shù)(β )由下式給出:β = 2 Ji / λ 等式 I并且相移由下式給出:Αφ = 2π 如r (Ubjas) /λ 等式 2其中I是傳輸線的長度,λ是RF信號的波長,eJUbias)是鐵電材料的介電常數(shù),該介電常數(shù)是偏置電壓的函數(shù)。如在背景技術(shù)章節(jié)中提到的,在集成電路內(nèi)集成鐵電材料有挑戰(zhàn)性,其需要高電壓以操作鐵電移相器,并且移相器的設(shè)計很復(fù)雜,因為鐵電材料的性質(zhì)不同于在傳輸線中使用的常規(guī)電介質(zhì)材料的性質(zhì)?,F(xiàn)在將描述一種可以解決或者可以未解決這些問題中的一個或者多個問題的裝置和相關(guān)方法。本公開內(nèi)容利用石墨烯的量子電容。經(jīng)典導(dǎo)體的電容僅由其幾何形狀確定。在充電時,電子在空間上以使其靜電能量最小化的方式分布。量子力學(xué)引入對電容增加新貢獻(xiàn)的額外能量項。由于可以簡單地添加能量并且電容與能量成反比,所以可以與經(jīng)典幾何電容串聯(lián)地添加這些貢獻(xiàn)以得到總電容Ctrt,其由下式給出:C;0) = Cg1 + C-丄 +C等式 3這些額外能量項“Cd()S”和“Cx?!迸c材料的電子可壓縮性有關(guān);電子可壓縮性是具有均勻電子密度的相互作用電子系統(tǒng)中的基本物理量,其與電子間相互作用的強度密切有關(guān)。Cdtjs項與電子的動能有關(guān)。向?qū)w添加電子需要有限動能并且減少總電容。在另一方面,Cx。項與電子的相關(guān)運動有關(guān),其通常導(dǎo)致減少它們的總靜電能量并且增加總電容??梢越M合Cdtjs和cx。項作為單個量子項“C/’,這里稱為“量子電容”。 Cg1+ Cq1 等式 4由于石墨烯具有在原子上很薄的結(jié)構(gòu),所以有可能形成其中量子電容主導(dǎo)靜電的電容器。另外,由于量子電容是在費米級對狀態(tài)密度的直接測量,所以可以通過向電容器施加?xùn)艠O電壓來改變量子電容。這些特征使得石墨烯區(qū)別于傳統(tǒng)的二維系統(tǒng),在傳統(tǒng)的二維系統(tǒng)中,量子電容通常很小并且恒定分布,難以在實驗上辨別。圖2a示出在近來研究中使用的石墨烯電容器208的結(jié)構(gòu),而圖2b示出它的量子電容的電壓依賴性。電容器208包括硅晶片210上面的石墨烯電極209,其通過IOnm的氧化鋁層212而與鋁頂部柵極211隔離。鈦金接觸213用來輸送往來于電容器208的功率。利用此結(jié)構(gòu)208,經(jīng)典幾何電容Cg由氧化鋁層212支配。然而從圖2b可見,與石墨烯電極209關(guān)聯(lián)的量子電容不再僅僅是校正,而是可以為結(jié)構(gòu)208貢獻(xiàn)高達(dá)總電容的至少30%。另外,從圖形中也很清楚,量子電容隨施加的電壓的變化而顯著改變。本文描述的裝置和相關(guān)方法利用石墨烯的這一性質(zhì)以形成在構(gòu)造上簡單并且制作起來并不昂貴的電壓可調(diào)諧移相器。在圖3中不意性地圖不移相器314,移相器314包括被低損耗電介質(zhì)材料層316隔離的傳導(dǎo)(例如微帶)線302和石墨烯接地電極315。與圖1中所示鐵電移相器101—樣,當(dāng)在傳導(dǎo)線302與接地電極315之間施加電勢差305時產(chǎn)生電場306,并且電場306被配置用于改變沿著傳輸線傳播的電磁信號307的相位。可以配置傳導(dǎo)線302和接地電極315使得電場306基本上垂直于電磁信號307的傳播方向。術(shù)語“基本上垂直”例如可以認(rèn)為意味著電場偏移傳播方向的法線O至5°或者O至10°。盡管相位的改變依賴于施加的電場306的強度并且可以通過改變電勢差305來進(jìn)行控制,但是按照鐵電移相器101,相位的改變并不是由介電率變化引起的。取而代之,相位的改變是由石墨烯接地電極315的量子電容的變化引起的。圖4a示出普通微波傳輸線的模型。該模型使用傳輸線的具有四個元件的無窮小段:串聯(lián)電阻(R)、串聯(lián)電感(L)、分流電導(dǎo)(G)和分流電容(C),各自按單位長度歸一化。無損傳輸線的傳播常數(shù)由下式給出:β = ITrf4IC 等式 5其中f是RF信號的頻率。然而如果接地電極由石墨烯制成,則必須如圖4b中所示修改模型以考慮量子電容。可以看出,石墨烯電極所致的量子電容Cq與電介質(zhì)層的幾何電容C串聯(lián)連接。如果電場如圖3中所示垂直于電磁信號的傳播方向,則傳播常數(shù)依賴于偏置場并且由下式給出:
權(quán)利要求
1.一種電壓可調(diào)諧移相器,包括被電介質(zhì)材料層隔離的傳導(dǎo)線和接地電極,所述移相器被配置用于當(dāng)在所述傳導(dǎo)線與接地電極之間施加電勢差時產(chǎn)生電場,所述電場被配置用于改變沿著所述傳導(dǎo)線傳播的電磁信號的相位,其中所述接地電極包含石墨烯,并且其中相位的改變依賴于所述電場的強度并且可以通過改變在所述傳導(dǎo)線與所述接地電極之間的所述電勢差來進(jìn)行控制。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相器,其中所述電磁波的相位依賴于所述接地電極的量子電容,并且其中施加的所述電場被配置用于改變所述接地電極的量子電容。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相器,其中所述傳導(dǎo)線和接地電極被配置成使得所述電場基本上垂直于所述電磁信號的傳播方向。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相器,其中所述傳導(dǎo)線是微帶線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相器,其中所述電磁信號的頻率在30kHz-3000GHz的范圍中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相器,其中所述移相器形成于柔性支撐襯底上面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相器,其中所述柔性支撐襯底是柔性印刷電路板或者剛撓結(jié)合印刷電路板的柔性區(qū)域。
8.一種裝置,包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相器。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置,其中所述裝置是便攜電信設(shè)備、用于便攜電信設(shè)備的模塊、蜂窩網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器、蜂窩網(wǎng)絡(luò)基站和相控陣列天線中的一項或者多項。
10.一種用于制作電·壓可調(diào)諧移相器的方法,所述方法包括: 提供電介質(zhì)材料層; 在所述電介質(zhì)材料的一個表面上提供包含石墨烯的接地電極;以及 在所述電介質(zhì)材料的相反表面上提供傳導(dǎo)線以產(chǎn)生電壓可調(diào)諧移相器,所述電壓可調(diào)諧移相器包括被電介質(zhì)材料層隔離的傳導(dǎo)線和接地電極,所述移相器被配置用于當(dāng)在所述傳導(dǎo)線與接地電極之間施加電勢差時產(chǎn)生電場,所述電場被配置用于改變沿著所述傳導(dǎo)線傳播的電磁信號的相位,其中所述接地電極包含石墨烯,并且其中相位的改變依賴于所述電場的強度并且可以通過改變在所述傳導(dǎo)線與所述接地電極之間的所述電勢差來進(jìn)行控制。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中所述接地電極包括石墨烯膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中所述石墨烯膜包括一個或者多個石墨烯層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中所述一個或者多個石墨烯層中的至少一個石墨烯層摻雜有一種或者多種其他材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中所述石墨烯膜通過以下操作形成于所述電介質(zhì)材料的表面上: 在銅箔的表面上生長所述石墨烯膜; 將熱釋放層粘附到所述石墨烯膜上; 從所述石墨烯膜去除所述銅箔;以及 在充分加熱以從所述石墨烯膜剝離所述熱釋放層的同時將所述石墨烯膜擠壓在所述電介質(zhì)材料的表面上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中使用化學(xué)氣相沉積來生長所述石墨烯膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中使用蝕刻工藝來去除所述銅箔。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中使用輥加工來執(zhí)行以下步驟中的一個或者多個步驟: 將所述熱釋放層粘附到所述石墨烯膜上; 從所述石墨烯膜去除所述銅箔;以及 在充分加熱以從所述石墨烯膜剝離所述熱釋放層的同時將所述石墨烯膜擠壓在所述電介質(zhì)材料的表面上。
18.—種用于改變電磁信號的相位的方法,所述方法包括: 提供電壓可調(diào)諧移相器,所述電壓可調(diào)諧移相器包括被電介質(zhì)材料層隔離的傳導(dǎo)線和接地電極,所述移相器被配置用于當(dāng)在所述傳導(dǎo)線與接地電極之間施加電勢差時產(chǎn)生電場,所述電場被配置用于改變沿著所述傳導(dǎo)線傳播的電磁信號的相位,其中所述接地電極包含石墨烯,并且其中相位的改變依賴于所述電場的強度并且可以通過改變在所述傳導(dǎo)線與所述接地電極之間的所述電勢差來進(jìn)行控制;以及 在所述傳導(dǎo)線與接地電極之間施加電勢差。
19.一種記錄在載體上的計算機程序,所述計算機程序包括被配置用于執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法的計算機代碼。
20.一種記錄在載體上的計算機程序,所述計算機程序包括被配置用于執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法的計算機 代碼。
全文摘要
一種電壓可調(diào)諧移相器(314),其包括被電介質(zhì)材料層(316)隔離的傳導(dǎo)線(302)和接地電極(315)。移相器(314)被配置用于當(dāng)在傳導(dǎo)線(302)與接地電極(315)之間施加電勢差時產(chǎn)生電場,該電場被配置用于改變沿著傳導(dǎo)線(302)傳播的電磁信號的相位。接地電極(315)包含石墨烯,并且相位的改變依賴于電場強度并且可以通過改變在傳導(dǎo)線(302)與接地電極(315)之間的電勢差來進(jìn)行控制。
文檔編號H01L21/18GK103238252SQ201180057693
公開日2013年8月7日 申請日期2011年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月9日
發(fā)明者V·埃爾莫洛夫 申請人:諾基亞公司