技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了發(fā)光二極管（LED）芯片和一種制造該發(fā)光二極管芯片的方法。根據(jù)示例性實(shí)施例的LED芯片包括：基底；發(fā)光結(jié)構(gòu)，布置在基底上；以及布置在基底下方的交替層壓底部結(jié)構(gòu)。交替層壓底部結(jié)構(gòu)包括多個(gè)電介質(zhì)對(duì)，每個(gè)電介質(zhì)對(duì)包括具有第一折射率的第一材料層和具有第二折射率的第二材料層，第一折射率比第二折射率大。

技術(shù)研發(fā)人員：許暋贊;陳相奇;金鐘奎;慎鎮(zhèn)哲;李曉羅;李剡劤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：首爾偉傲世有限公司
文檔號(hào)碼：201180062417
技術(shù)研發(fā)日：2011.06.13
技術(shù)公布日：2016.12.21