半導(dǎo)體發(fā)光元件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光元件，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，包括：n型半導(dǎo)體層；有源層和p型半導(dǎo)體層，其形成在與n型半導(dǎo)體層的頂部表面的一部分相對(duì)應(yīng)的第一區(qū)域上；n型電極，其形成在n型半導(dǎo)體層的頂部表面的不同于第一區(qū)域的第二區(qū)域上并與n型半導(dǎo)體層電連接，并且具有n型焊盤以及第一和第二n型指狀電極；以及p型電極，其形成在p型半導(dǎo)體層上并與p型半導(dǎo)體層電連接，并且具有p型焊盤和p型指狀電極。n型半導(dǎo)體層、有源層、p型半導(dǎo)體層形成發(fā)光結(jié)構(gòu)，當(dāng)從發(fā)光結(jié)構(gòu)的上部觀看時(shí)，半導(dǎo)體發(fā)光元件具有n型指狀電極和p型指狀電極重疊以彼此交叉的區(qū)域。
【專利說明】半導(dǎo)體發(fā)光元件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件，更具體地涉及具有使由于電極引起的光損失最小化并且提高電流擴(kuò)散效果(或電流分散效果)的電極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光器件。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體發(fā)光器件是當(dāng)對(duì)其施加電流時(shí)能夠根據(jù)在P和η型半導(dǎo)體結(jié)處發(fā)生的電子空穴復(fù)合來產(chǎn)生各種顏色的光的半導(dǎo)體器件。相比于基于燈絲的發(fā)光裝置，半導(dǎo)體發(fā)光器件具有很多優(yōu)點(diǎn)，諸如長(zhǎng)壽命、低功耗、優(yōu)異初始驅(qū)動(dòng)特性等，因此對(duì)半導(dǎo)體發(fā)光器件的需求持續(xù)增長(zhǎng)。具體而言，近年來，能夠發(fā)出短波長(zhǎng)藍(lán)光的III族-氮化物半導(dǎo)體已變得令人矚目。
[0003]氮化物單晶形成在諸如藍(lán)寶石或SiC襯底之類的特定生長(zhǎng)襯底上。然而，諸如藍(lán)寶石之類的絕緣襯底的使用很大地限制了電極的排布。也就是說，在現(xiàn)有技術(shù)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件中，電極通常布置在水平方向上，從而使電流流動(dòng)變窄。變窄的電流流動(dòng)會(huì)導(dǎo)致發(fā)光器件的操作電壓Vf的增加，潛在地降低電流效率并且削弱靜電放電(ESD)。因此，為了使電流在遍及發(fā)光表面均勻地?cái)U(kuò)散，已嘗試了將η型電極和P型電極劃分為焊盤和指狀電極并且將它們交替布置，等等。然而，隨著焊盤和指狀電極的比率增加以實(shí)現(xiàn)電流擴(kuò)散效果，電極在發(fā)光表面中所占據(jù)的面積也增加，從而引起光損失。這是因?yàn)殡姌O面積的增加導(dǎo)致有源層面積的減小，致使外部光提取效率的減小。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，期望獲得這樣一種電極結(jié)構(gòu)的方案:通過該電極結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)異電流擴(kuò)散效果并且使光損失最小化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的一個(gè)方面提供了一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其具有使由于電極引起的光損失最小化并提高電流分散效果的電極結(jié)構(gòu)。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括:η型半導(dǎo)體層；有源層和P型半導(dǎo)體層，其形成在與所述η型半導(dǎo)體層的上表面的一部分區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第一區(qū)域中；η型電極，其形成在所述η型半導(dǎo)體層的上表面上不同于所述第一區(qū)域的第二區(qū)域中并與所述η型半導(dǎo)體層電連接，并且具有η型焊盤以及第一和第二 η型指狀電極；以及P型電極，其形成在所述P型半導(dǎo)體層上并與所述P型半導(dǎo)體層電連接，并且具有P型焊盤和P型指狀電極，其中，所述η型半導(dǎo)體層、所述有源層和所述P型半導(dǎo)體層形成發(fā)光結(jié)構(gòu)，并且形成有這樣的區(qū)域，該區(qū)域中所述η型指狀電極和所述P型指狀電極交叉以彼此重疊。
[0006]可以在所述η型指狀電極和所述P型指狀電極彼此重疊的區(qū)域中的η型指狀電極與P型指狀電極之間插入絕緣層。
[0007]所述絕緣層可以形成在通過將所述η型半導(dǎo)體層的一部分、所述有源層的一部分和所述P型半導(dǎo)體層的一部分去除而獲得的區(qū)域中。
[0008]所述絕緣層可以形成在通過將所述η型半導(dǎo)體層的一部分、所述有源層的一部分、所述P型半導(dǎo)體層的一部分和所述P型焊盤的一部分去除而獲得的區(qū)域中。[0009]所述半導(dǎo)體發(fā)光器件還可以包括形成在所述P型半導(dǎo)體層與所述P型電極之間的透明電極。
[0010]當(dāng)從所述P型半導(dǎo)體層的上方觀看時(shí)所述發(fā)光結(jié)構(gòu)可以具有矩形發(fā)光表面，并且所述η型電極和所述P型電極可以布置為具有基于穿過所述發(fā)光表面的中心的水平線、豎直線和對(duì)角線中的至少之一的對(duì)稱結(jié)構(gòu)。
[0011]所述η型指狀電極可以形成為從所述η型焊盤沿著兩個(gè)不同方向延伸，并且沿著兩個(gè)不同方向延伸的各部分相遇。
[0012]所述P型指狀電極可以具有這樣的部分，該部分形成在從所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的上方觀看時(shí)由所述η型指狀電極限定的區(qū)域內(nèi)。
[0013]所述P型指狀電極可以形成為從所述P型焊盤沿著兩個(gè)不同方向延伸，并且沿著兩個(gè)不同方向延伸的各部分相遇。
[0014]所述η型指狀電極可以具有這樣的部分，該部分形成在從所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的上方觀看時(shí)由所述P型指狀電極限定的區(qū)域內(nèi)。
[0015]當(dāng)從所述P型半導(dǎo)體層的上方觀看時(shí)所述發(fā)光結(jié)構(gòu)可以具有矩形發(fā)光表面，并且所述η型焊盤和所述P型焊盤布置在所述發(fā)光表面的相對(duì)的角落中。
[0016]所述η型指狀電極和所述P型指狀電極可以分別從所述η型焊盤和所述P型焊盤朝向所述發(fā)光表面的相對(duì)的角落延伸，并分別沿著兩個(gè)不同方向分叉，并且所述η型指狀電極和所述P型指狀電極可以在分叉區(qū)域中交叉。
[0017]所述η型指狀電極可以從所述η型焊盤朝向所述發(fā)光表面的相對(duì)的角落延伸，并從位于所述發(fā)光表面的中心的部分沿著與之前的延伸方向垂直的兩個(gè)方向延伸，并且所述P型指狀電極可以從所述P型焊盤朝向所述發(fā)光表面上沒有形成所述η型焊盤和所述P型焊盤的兩個(gè)角落延伸，并朝向所述η型焊盤彎曲以與所述η型指狀電極交叉。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]根據(jù)下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其他方面、特征和其他優(yōu)點(diǎn)將被清楚地理解，在附圖中:
[0019]圖1是示意性示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的平面圖；
[0020]圖2是沿著圖1的半導(dǎo)體發(fā)光器件的線Α-Α’截取的剖面圖，以及圖5是示出圖2的結(jié)構(gòu)的變型的示圖；
[0021]圖3是沿著圖1的半導(dǎo)體發(fā)光器件的線Β-Β’截取的剖面圖，以及圖4是沿著圖1的半導(dǎo)體發(fā)光器件的線C-C’截取的剖面圖；以及
[0022]圖6和圖7分別是示意性示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的平面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的各實(shí)施例。
[0024]然而，本發(fā)明可以按很多不同形式具體實(shí)施，并且不應(yīng)被解釋為限于本文中闡述的各實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了使得本公開透徹和完整，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員全面?zhèn)鬟_(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清楚起見，元件的形狀和尺寸可能被夸大，并且將始終使用相同的參考標(biāo)記來指代相同或相似的組件。
[0025]圖1是示意性示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的平面圖。圖2是沿著圖1的半導(dǎo)體發(fā)光器件的線A-A’截取的剖面圖，以及圖5是示出圖2的結(jié)構(gòu)的變型的示圖。圖3是沿著圖1的半導(dǎo)體發(fā)光器件的線B-B’截取的剖面圖，以及圖4是沿著圖1的半導(dǎo)體發(fā)光器件的線C-C’截取的剖面圖。
[0026]參照?qǐng)D1至圖4，根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件100包括形成在襯底101上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，這里，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括η型半導(dǎo)體層102、有源層103和P型半導(dǎo)體層104。在此情況下，雖然未示出，可以在η型半導(dǎo)體層102與襯底101之間形成一個(gè)或多個(gè)緩沖層，以增強(qiáng)形成在襯底101上的半導(dǎo)體層的結(jié)晶性。P型電極107形成在P型半導(dǎo)體層104上。P型電極107包括P型焊盤107a和p型指狀電極107b。在此情況下，可以在P型電極107與P型半導(dǎo)體層104之間形成透明電極105，其可以執(zhí)行歐姆接觸功能和電流分散功能，但是透明電極105不是本發(fā)明實(shí)施例的必要組件。透明電極105可以由諸如氧化銦錫(ITO)之類的透明導(dǎo)電氧化物制成。在未形成有源層103和P型半導(dǎo)體層104的區(qū)域中形成η型電極106。η型電極106也包括η型焊盤106a和η型指狀電極106b。同時(shí)，雖然未示出，可以將電絕緣材料應(yīng)用于發(fā)光結(jié)構(gòu)的表面，以形成鈍化結(jié)構(gòu)。
[0027]提供襯底101以允許在其上生長(zhǎng)單晶氮化物半導(dǎo)體，并且可以使用由諸如藍(lán)寶石、硅(Si)、Zn0、GaAs、SiC、MgAl204、Mg0、LiA102、LiGa02、或GaN之類的材料制成的襯底作為襯底101。在此情況下，藍(lán)寶石是具有六棱形R3c對(duì)稱性的晶體，其c軸和a軸方向上的晶格常數(shù)分別為13.0OlA和4.758A。藍(lán)寶石晶體具有C面(0001)、A面(1120)、R面(1102)等。在此情況下，氮化物薄膜可以相對(duì)容易地形成在藍(lán)寶石晶體的C面上，由于藍(lán)寶石晶體在高溫下穩(wěn)定，尤其地，其通常用作用于氮化物半導(dǎo)體的生長(zhǎng)襯底的材料。
[0028]η型半導(dǎo)體層102和P型半導(dǎo)體層104可以由氮化物半導(dǎo)體制成，具體地，可以由化學(xué)式AlxInyGa(1_x_y)N(這里,0以及O ( x+y ( I)所表示的材料制成。例如，該材料可以包括GaN、AlGaN和InGaN。形成在η型半導(dǎo)體層102與ρ型半導(dǎo)體層104之間的有源層103根據(jù)電子空穴復(fù)合而發(fā)出具有特定能量水平的光，并且可以具有多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)中交替層疊量子阱層和量子勢(shì)壘層。這里，例如可以使用InGaN/GaN結(jié)構(gòu)。同時(shí)，可以通過使用現(xiàn)有技術(shù)中已知的諸如金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(M0CVD)、氫化物氣相外延(HVPE)、分子束外延(MBE)等的半導(dǎo)體層生長(zhǎng)工藝來形成η型半導(dǎo)體層102、ρ型半導(dǎo)體層104和有源層103。
[0029]在本實(shí)施例中，可以通過使η型電極106和ρ型電極107的布置結(jié)構(gòu)最優(yōu)化，來獲得電流分散效果并且使占據(jù)發(fā)光表面內(nèi)部的電極面積最小化。具體地，η型電極106和ρ型電極107被布置為彼此交叉。這里，發(fā)光表面是指圖1中所示的矩形表面，其對(duì)應(yīng)于在從P型半導(dǎo)體層104上方觀看發(fā)光結(jié)構(gòu)時(shí)獲得的表面。然而，在本發(fā)明的實(shí)施例中，發(fā)光表面不必具有幾何學(xué)上完美的矩形，并且從矩形形狀稍微修改的形狀可以包括在本實(shí)施例中所提及的發(fā)光表面的范圍中。例如，對(duì)其一些角進(jìn)行倒角的矩形形狀也可以包括在發(fā)光表面的范圍中。
[0030]η型電極106包括η型焊盤106a和η型指狀電極106b。η型焊盤106a的寬度可以大于η型指狀電極106b的寬度，使得η型焊盤106a可以與導(dǎo)電線等連接。在本實(shí)施例中，在發(fā)光表面上，η型焊盤106a和ρ型焊盤107a可以布置在發(fā)光表面的相對(duì)的角落中。η型指狀電極106b具有從η型焊盤106a延伸的導(dǎo)電線結(jié)構(gòu)，以使得電流均勻地注入至整個(gè)發(fā)光表面，并且η型指狀電極106b的寬度窄于η型焊盤106a的寬度，但這不是必須的。類似地，P型焊盤107a的寬度大于ρ型指狀電極107b的寬度。在本實(shí)施例中，當(dāng)從發(fā)光結(jié)構(gòu)的上方觀看時(shí)，P型指狀電極107b布置為與η型指狀電極106b交叉，因此如圖1所示，形成了 η型指狀電極106b和ρ型指狀電極107b彼此重疊的區(qū)域。由于η型指狀電極106b和P型指狀電極107b布置為彼此交叉，所以設(shè)計(jì)電極的自由度可以顯著提高，因此可以減小電極與發(fā)光表面的面積之比。在沒有使用交叉布置結(jié)構(gòu)的情況下，η型指狀電極106b和P型指狀電極107b的長(zhǎng)度和占據(jù)面積會(huì)不可避免地增加，才能形成具有與本實(shí)施例相似的性能水平的電極。另外，如下文所述，可以通過在η型指狀電極106b與ρ型指狀電極107b之間布置用于防止發(fā)生短路的絕緣層108來獲得電流分散效果。
[0031]具體地，η型指狀電極106b從η型焊盤106a沿著兩個(gè)不同方向延伸，并且可以將沿著兩個(gè)不同方向延伸的各部分形成為彼此相遇。P型指狀電極107b可以包括形成在由η型指狀電極106b限定的區(qū)域內(nèi)的部分。在此情況下，雖然未示出，η型指狀電極160b和ρ型指狀電極107b可以具有彼此相反的形狀。換言之，ρ型指狀電極107b從ρ型焊盤107b沿著兩個(gè)不同方向延伸，并且沿著兩個(gè)不同方向延伸的各部分可以彼此相遇，并且η型指狀電極106b可以具有形成在由ρ型指狀電極107b限定的區(qū)域內(nèi)的部分。除非η型指狀電極106b和ρ型指狀電極107b彼此交叉，否則不能實(shí)現(xiàn)這樣的電極布置。同時(shí)，優(yōu)選地，η型電極106和ρ型電極107布置為具有基于穿過發(fā)光表面的中心的水平線、豎直線和對(duì)角線中的至少之一的對(duì)稱結(jié)構(gòu),但這不是必須的。在本實(shí)施例中，η型電極106和ρ型電極107布置為基于對(duì)角線(對(duì)應(yīng)于線C-C’ )對(duì)稱。
[0032]當(dāng)η型指狀電極106b和ρ型指狀電極107b布置為彼此交叉時(shí)，在η型指狀電極106b和ρ型指狀電極107b彼此重疊的區(qū)域中需要插入適當(dāng)?shù)碾娊^緣結(jié)構(gòu)。為此，如圖1和圖2所示，絕緣層108插入在η型指狀電極106b和ρ型指狀電極107b彼此重疊的區(qū)域中的η型指狀電極106b和ρ型指狀電極107b之間。絕緣層108由具有電絕緣特性(例如，氧化硅或氮化硅)的材料制成，并且可以形成在通過將η型半導(dǎo)體層102的一部分、有源層103的一部分和P型半導(dǎo)體層104的一部分去除而獲得的區(qū)域中。在此情況下，當(dāng)從上方觀看發(fā)光結(jié)構(gòu)時(shí)，絕緣層108可以具有四邊形，但本發(fā)明不限于此，絕緣層108可以多樣地修改為具有其他形狀，諸如多邊形、圓形、橢圓形等。絕緣層108可以誘導(dǎo)電流在發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)向方向上流動(dòng)(圖2中箭頭所示)，并且提供防短路功能，有助于增強(qiáng)電流分散效果。同時(shí)，如圖5的變型中所示，根據(jù)需要，絕緣層108’可以形成在通過將η型半導(dǎo)體層102的一部分、有源層103的一部分、ρ型半導(dǎo)體層104的一部分和甚至ρ型電極107的一部分(具體地，P型指狀電極107b)去除而獲得的區(qū)域中。
[0033]圖6和圖7分別是示意性示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的平面圖，其中示出了可以多樣地應(yīng)用的η型電極和ρ型電極的交叉結(jié)構(gòu)的示例。首先，參照?qǐng)D6，除了 η型指狀電極206b和ρ型指狀電極207b的具體形狀之外，半導(dǎo)體發(fā)光器件200具有與先前實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相似的結(jié)構(gòu)。η型電極206形成在η型半導(dǎo)體層202上，并包括η型焊盤206a和η型指狀電極206b，類似地，ρ型電極207形成在透明電極205上，并包括ρ型焊盤207a和ρ型指狀電極207b。在此情況下，可以省略透明電極205。在發(fā)光表面上，η型焊盤206a和ρ型焊盤207a布置在發(fā)光表面的相對(duì)的角落中，并且η型指狀電極206b和ρ型指狀電極207b分別從η型焊盤206a和ρ型焊盤207a朝向發(fā)光表面的相對(duì)的角落延伸，并且分別沿著兩個(gè)不同方向分叉。在此情況下，η型指狀電極206b和ρ型指狀電極207b的各分叉部分彼此交叉，并且絕緣層208形成在各分叉部分彼此交叉的區(qū)域中。
[0034]接下來，在根據(jù)圖7中所示的實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件300中，與先前實(shí)施例相似，η型電極306形成在η型半導(dǎo)體層302上，并包括η型焊盤306a和η型指狀電極306b，P型電極307形成在透明電極305上，并包括ρ型焊盤307a和ρ型指狀電極307b。而且，在發(fā)光表面上，η型焊盤306a和ρ型焊盤307a布置在發(fā)光表面的相對(duì)的角落中。η型指狀電極306b從η型焊盤306a朝向發(fā)光表面的相對(duì)的角落延伸，并且從發(fā)光表面的中心沿著與之前的延伸方向垂直的兩個(gè)方向分叉。P型指狀電極307b從ρ型焊盤307a分別朝向在發(fā)光表面上沒有形成η型焊盤306a和ρ型焊盤307a的兩個(gè)角落延伸，并且分別朝向η型焊盤306a彎曲以與η型指狀電極306b交叉。而且，在此情況下，絕緣層308形成在η型指狀電極306b和ρ型指狀電極307b彼此重疊的區(qū)域中的η型指狀電極306b與ρ型指狀電極307b之間。
[0035]如上所述，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的情況下，當(dāng)從發(fā)光結(jié)構(gòu)的上方觀看時(shí)，η型電極和ρ型電極彼此交叉，減小了電極在發(fā)光表面上所占據(jù)的面積，從而使光損失最小化。另外，通過在η型電極和ρ型電極彼此交叉的區(qū)域中形成絕緣層，可以提高電流分散效果。
[0036]盡管已結(jié)合實(shí)施例示出并描述了本發(fā)明，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，在不脫離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以作出變型和修改。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括: η型半導(dǎo)體層； 有源層和P型半導(dǎo)體層，其形成在與所述η型半導(dǎo)體層的上表面的一部分區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第一區(qū)域中； η型電極，其形成在所述η型半導(dǎo)體層的上表面上不同于所述第一區(qū)域的第二區(qū)域中并與所述η型半導(dǎo)體層電連接，并且具有η型焊盤以及第一和第二 η型指狀電極；以及 P型電極，其形成在所述P型半導(dǎo)體層上并與所述P型半導(dǎo)體層電連接，并且具有P型焊盤和P型指狀電極， 其中，所述η型半導(dǎo)體層、所述有源層和所述P型半導(dǎo)體層形成發(fā)光結(jié)構(gòu)，并且 形成有這樣的區(qū)域，該區(qū)域中所述η型指狀電極和所述P型指狀電極交叉以彼此重疊。
2.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中在所述η型指狀電極和所述P型指狀電極彼此重疊的區(qū)域中的η型指狀電極與P型指狀電極之間插入絕緣層。
3.權(quán)利要求2的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述絕緣層形成在通過將所述η型半導(dǎo)體層的一部分、所述有源層的一部分和所述P型半導(dǎo)體層的一部分去除而獲得的區(qū)域中。
4.權(quán)利要求2的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述絕緣層形成在通過將所述η型半導(dǎo)體層的一部分、所述有源層的一 部分、所述P型半導(dǎo)體層的一部分和所述P型焊盤的一部分去除而獲得的區(qū)域中。
5.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括形成在所述P型半導(dǎo)體層與所述P型電極之間的透明電極。
6.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中當(dāng)從所述P型半導(dǎo)體層的上方觀看時(shí)所述發(fā)光結(jié)構(gòu)具有矩形發(fā)光表面，并且所述η型電極和所述P型電極布置為具有基于穿過所述發(fā)光表面的中心的水平線、豎直線和對(duì)角線中的至少之一的對(duì)稱結(jié)構(gòu)。
7.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述η型指狀電極形成為從所述η型焊盤沿著兩個(gè)不同方向延伸，并且沿著兩個(gè)不同方向延伸的各部分相遇。
8.權(quán)利要求7的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述P型指狀電極具有這樣的部分，該部分形成在從所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的上方觀看時(shí)由所述η型指狀電極限定的區(qū)域內(nèi)。
9.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述P型指狀電極形成為從所述P型焊盤沿著兩個(gè)不同方向延伸，并且沿著兩個(gè)不同方向延伸的各部分相遇。
10.權(quán)利要求9的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述η型指狀電極具有這樣的部分，該部分形成在從所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的上方觀看時(shí)由所述P型指狀電極限定的區(qū)域內(nèi)。
11.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中當(dāng)從所述P型半導(dǎo)體層的上方觀看時(shí)所述發(fā)光結(jié)構(gòu)具有矩形發(fā)光表面，并且所述η型焊盤和所述P型焊盤布置在所述發(fā)光表面的相對(duì)的角落中。
12.權(quán)利要求11的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述η型指狀電極和所述P型指狀電極分別從所述η型焊盤和所述P型焊盤朝向所述發(fā)光表面的相對(duì)的角落延伸，并分別沿著兩個(gè)不同方向分叉，并且所述η型指狀電極和所述P型指狀電極在分叉區(qū)域中交叉。
13.權(quán)利要求11的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述η型指狀電極從所述η型焊盤朝向所述發(fā)光表面的相對(duì)的角落延伸，并從位于所述發(fā)光表面的中心的部分沿著與之前的延伸方向垂直的兩個(gè)方向延伸，并且所述P型指狀電極從所述P型焊盤朝向所述發(fā)光表面上沒有形成所述η型焊盤和所述P型焊盤的兩個(gè)角落延伸，并朝向所述η型焊盤彎曲以與所述η型指狀電極交叉 。
【文檔編號(hào)】H01L33/36GK103650178SQ201180072220
【公開日】2014年3月19日 申請(qǐng)日期:2011年7月29日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月29日
【發(fā)明者】金載潤(rùn), 金制遠(yuǎn), 李進(jìn)馥, 黃碩珉, 河海秀, 李守烈 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社