傳感裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明的目的在于提供一種提高了檢測(cè)精度的傳感裝置。該傳感裝置包括：與外部裝置連接的外部端子（2）；接地的接地端子（3）；生成傳感器輸出信號(hào)的內(nèi)部電路（4）；設(shè)置于上述外部端子與上述內(nèi)部電路之間的由電阻元件（6）和電容元件（7）構(gòu)成的保護(hù)電路（5），其中，上述電容元件由具有相互不同的電導(dǎo)率的電極對(duì)構(gòu)成，將上述電極對(duì)中的具有比一方的電極低的電導(dǎo)率的低導(dǎo)電性電極（7a）連接到上述外部端子和上述內(nèi)部電路。
【專(zhuān)利說(shuō)明】傳感裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及檢測(cè)物理量的傳感裝置，特別涉及車(chē)載用途的流量傳感器、壓力傳感器、加速度傳感器或角速度傳感器等檢測(cè)物理量的傳感裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，為了汽車(chē)的油耗改善和安全性提高，采用有流量傳感器、壓力傳感器、力口速度傳感器或角速度傳感器等各種傳感裝置。對(duì)這些傳感裝置要求良好的檢測(cè)精度和較高的動(dòng)作可靠性。另一方面，外圍設(shè)備的電氣化不斷發(fā)展，傳感裝置的電磁噪聲環(huán)境也日益變得嚴(yán)格。
[0003]作為電磁噪聲對(duì)策，以往使用由引腳部件或面安裝部件等構(gòu)成的低通濾波器或穿心電容等保護(hù)電路，用于構(gòu)成保護(hù)電路的部件費(fèi)用、組裝費(fèi)用增加，導(dǎo)致成本增加。
[0004]因此近年將保護(hù)電路集成于半導(dǎo)體襯底上實(shí)現(xiàn)噪聲對(duì)策。
[0005]但存在集成后的保護(hù)電路容易在配線(xiàn)或元件中產(chǎn)生電阻或電容等寄生成分、無(wú)法獲得期望的噪聲屏蔽特性的問(wèn)題。
[0006]以下說(shuō)明該問(wèn)題的一個(gè)例子。
[0007]圖13表示應(yīng)用本發(fā)明前的保護(hù)電路的配線(xiàn)圖的一個(gè)例子，圖14表示圖13所示的保護(hù)電路的等效電路。
[0008]圖13所示的保護(hù)電路具有由設(shè)于外部端子2與內(nèi)部電路4之間的電阻元件6和電容元件7構(gòu)成的保護(hù)電路5以及接地端子3。
[0009]圖14所示的等效電路除了電阻元件6 (Rf)和電容元件7 (Cf)外，還包含配線(xiàn)帶來(lái)的寄生電阻Rl?R7和寄生電感LI?L7。圖14所示的保護(hù)電路的電阻元件6 (Rf)和電容元件7 (Cf)的元件參數(shù)和寄生成分Rl?R7、L1?L7所用的值如下所示。此外，由于寄生成分的值采用由配線(xiàn)和元件的形狀、物理特性等決定的值，因此并不限定于下述值，本申請(qǐng)中為了簡(jiǎn)化說(shuō)明采用固定值。
[0010]電阻元件6 (Rf):40 Ω，電容元件 7 (Cf):400pF, Rl ?R7:各 I Ω，LI ?L7:各IOOpHo
[0011]圖16 (a)中表示圖14所示的保護(hù)電路的在以外部端子2為輸入、以寄生電感6與內(nèi)部電路4的中點(diǎn)為輸出時(shí)的波特圖，為了比較，在圖16 (b)中表示無(wú)寄生成分的理想保護(hù)電路的波特圖。具體地，無(wú)寄生成分的理想保護(hù)電路為圖14中具有如下元件參數(shù)的保護(hù)電路。
[0012]電阻元件6 (Rf):40 Ω，電容元件 7 (Cf):400pF, Rl ?R7:各 O Ω，LI ?L7:各OpH。
[0013]根據(jù)圖16 (a)和(b)，圖14所示的保護(hù)電路表現(xiàn)出與理想保護(hù)電路不同的頻率特性。具體地，在約20MHz以上的頻帶中與理想保護(hù)電路的特性差異變得顯著，即使在獲得最大噪聲衰減效果的IGHz附近也僅獲得一 17dB左右的噪聲衰減效果。
[0014]通過(guò)以上的討論，可知圖14所示的保護(hù)電路與理想保護(hù)電路的頻率特性差異的主要原因?yàn)榧纳煞諶3?R5和L3?L5構(gòu)成的有害阻抗201。
[0015]此外，以下將有害阻抗201作為構(gòu)成通過(guò)接地端子3除去噪聲時(shí)的阻礙的寄生電阻和寄生電感的總稱(chēng)，將保護(hù)阻抗200作為使由電阻元件6和電容元件7確定的保護(hù)電路5的時(shí)間常數(shù)增大的寄生電阻和寄生電感的總稱(chēng)。
[0016]在無(wú)有害阻抗201的理想保護(hù)電路的情況下，由于圖14中A點(diǎn)?接地端子3之間僅存在電容元件7 (Cf)，A點(diǎn)?接地端子3之間的阻抗Zcf由Zcf [Ω] = 1 +(2X Xf[Hz] XCf[F])給出，與頻率f[Hz]成反比。因此，越高頻則Zcf越小，噪聲越容易從接地端子3除去。
[0017]但在存在有害阻抗201的情況下，由于圖14中的A點(diǎn)?接地端子3之間除了電容元件7(Cf)還存在有害阻抗201，因此A點(diǎn)?接地端子3之間的阻抗Zcf由Zcf [Ω] = 1 +(2X 31 Xf [Hz] XCf [F] ) + (2X π Xf [Hz] X (L3 + L4 + L5) [H] ) + (R3 + R4 + R5)給出。即，存在與頻率f [Hz]成反比的項(xiàng)、成正比的項(xiàng)、和不相關(guān)的項(xiàng)，由于在頻率fc以上第二項(xiàng)占主導(dǎo)，因此越高頻則Zcf越大，噪聲難以從接地端子3除去。
[0018]此外，在此頻率fc 由 fc[Hz] = 1+ (2X π X ((L3 + L4 + L5)[H] XCf [F] )0.5)
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[0019]鑒于此，專(zhuān)利文獻(xiàn)I中公開(kāi)了實(shí)質(zhì)地降低上述有害阻抗201、改善保護(hù)電路的噪聲屏蔽特性的技術(shù)。
[0020]引用專(zhuān)利文獻(xiàn)I中原文，專(zhuān)利文獻(xiàn)I中公開(kāi)的技術(shù)以如下為特征:在集成電路內(nèi)的電源焊盤(pán)與內(nèi)部電路之間設(shè)置由電阻和電容構(gòu)成的低通濾波器，選擇配線(xiàn)的長(zhǎng)度和寬度，使得由連接電源焊盤(pán)與電容的配線(xiàn)的寄生電阻成分Ra和寄生電感成分La導(dǎo)致的寄生阻抗Za、由連接電容與接地焊盤(pán)的配線(xiàn)的寄生電阻成分Rk和寄生電感成分Lk導(dǎo)致的寄生阻抗Zk、以及由電容的電容成分導(dǎo)致的阻抗Zc在需消除的電磁噪聲的頻帶上始終滿(mǎn)足[Za+ Zk<Zc]的關(guān)系式。此外，作為求取Za、Zk的方法，公開(kāi)了用于根據(jù)配線(xiàn)長(zhǎng)度、配線(xiàn)寬度和配線(xiàn)厚度等尺寸信息計(jì)算寄生阻抗的計(jì)算式。
[0021]而根據(jù)該專(zhuān)利文獻(xiàn)I公開(kāi)的技術(shù)，能夠在不對(duì)電容的阻抗造成影響下同時(shí)降低連接電源焊盤(pán)與電容的配線(xiàn)上寄生的阻抗及連接接地焊盤(pán)與電容的配線(xiàn)上寄生的阻抗，改善將噪聲釋放到地的效果。
[0022]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0023]專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0024]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2006-310658號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0025]發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0026]但存在如下問(wèn)題:由于集成化后的電路中的配線(xiàn)寄生阻抗除配線(xiàn)尺寸之外還受到配線(xiàn)布局的影響，根據(jù)專(zhuān)利文獻(xiàn)I公開(kāi)的計(jì)算式難以求出正確的寄生阻抗，若每次電路修正時(shí)計(jì)算寄生成分并調(diào)整配線(xiàn)的尺寸和布局，則由于導(dǎo)致設(shè)計(jì)工作的增加，無(wú)法進(jìn)行迅速的設(shè)計(jì)。此外，專(zhuān)利文獻(xiàn)I中對(duì)電容元件各電極上寄生的電阻沒(méi)有加以考慮。
[0027]本發(fā)明的目的為提供提高了檢測(cè)精度的傳感裝置。
[0028]用于解決問(wèn)題的技術(shù)手段[0029]為了解決上述問(wèn)題，傳感裝置包括:與外部裝置連接的外部端子；接地的接地端子；生成傳感器輸出信號(hào)的內(nèi)部電路；和設(shè)置于上述外部端子與上述內(nèi)部電路之間的由電阻元件和電容元件構(gòu)成的保護(hù)電路，其中，上述電容元件由具有相互不同的電導(dǎo)率的電極對(duì)構(gòu)成，將上述電極對(duì)中的具有比一方的電極低的電導(dǎo)率的低導(dǎo)電性電極連接到所述外部端子和所述內(nèi)部電路。
[0030]發(fā)明的效果
[0031 ] 通過(guò)本發(fā)明，能夠提供提高了檢測(cè)精度的傳感裝置。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0032]圖1是第一實(shí)施例中的保護(hù)電路的布局圖和A-A’剖面圖。
[0033]圖2是第二實(shí)施例中的保護(hù)電路的布局圖。
[0034]圖3是第三實(shí)施例中的保護(hù)電路的布局圖。
[0035]圖4是第四實(shí)施例中的保護(hù)電路的A-A’剖面圖。
[0036]圖5是第五實(shí)施例中的保護(hù)電路的布局圖。
[0037]圖6是第六實(shí)施例中的保護(hù)電路的A-A’剖面圖。
[0038]圖7是第七實(shí)施例中的保護(hù)電路的A-A’剖面圖。
[0039]圖8是第八實(shí)施例中的保護(hù)電路的布局圖。
[0040]圖9是第九實(shí)施例中的保護(hù)電路的布局圖。
[0041]圖10是第十實(shí)施例中的保護(hù)電路的布局圖。
[0042]圖11是第^^一實(shí)施例中的保護(hù)電路的布局圖。
[0043]圖12是第十二實(shí)施例中的保護(hù)電路的布局圖。
[0044]圖13是應(yīng)用本發(fā)明之前的保護(hù)電路的布局圖。
[0045]圖14是應(yīng)用本發(fā)明之前的保護(hù)電路的等效電路。
[0046]圖15是第一實(shí)施例中的保護(hù)電路的等效電路。
[0047]圖16是第一實(shí)施例和應(yīng)用本發(fā)明之前的保護(hù)電路的波特圖。
[0048]圖17是第一實(shí)施例和應(yīng)用本發(fā)明之前的保護(hù)電路的輸出波形。
[0049]圖18是流量傳感器的結(jié)構(gòu)概要圖。
【具體實(shí)施方式】
[0050]通過(guò)
【發(fā)明者】的研討，發(fā)現(xiàn)圖14所示的保護(hù)電路與理想的保護(hù)電路的頻率特性差的原因除了寄生成分R3~R5和L3~L5，還包括電容元件7 (Cf )的各電極上寄生的電阻。以下針對(duì)用以實(shí)施本發(fā)明的方式進(jìn)行說(shuō)明。此外，以下基于將本發(fā)明應(yīng)用于面向車(chē)載的流量傳感裝置的例子進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于面向車(chē)載的流量傳感裝置，能夠普遍地廣泛適用于其它壓力傳感器、加速度傳感器、角速度傳感器等檢測(cè)物理量的傳感裝置。
[0051]【第一實(shí)施例】
[0052]對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施例的流量傳感裝置利用圖1和圖14~圖18進(jìn)行說(shuō)明。
[0053]首先針對(duì)第 一實(shí)施例的流量傳感裝置的結(jié)構(gòu)利用圖18進(jìn)行說(shuō)明。
[0054]本發(fā)明的第一實(shí)施例的流量傳感裝置I由LSI20、傳感器元件21和溫度傳感器22所構(gòu)成。LSI20通過(guò)電源端子2a、傳感器輸出端子2b和接地端子3與外部的裝置相連接。此外，LSI20具有對(duì)從傳感器元件21和溫度傳感器22取得的信號(hào)進(jìn)行處理并生成傳感器輸出信號(hào)的內(nèi)部電路4、和保護(hù)內(nèi)部電路4不受從外部入侵的噪聲影響的保護(hù)電路5(5a?5d)，在電源端子2a與內(nèi)部電路4之間配置保護(hù)電路5a，在傳感器輸出端子2b與內(nèi)部電路4之間配置保護(hù)電路5b，在焊盤(pán)30c與內(nèi)部電路4之間配置保護(hù)電路5c、5d。
[0055]傳感器元件21具有檢測(cè)部23和焊盤(pán)30b，通過(guò)從焊盤(pán)30b經(jīng)焊線(xiàn)31連接到LSI20的焊盤(pán)30a來(lái)電連接。
[0056]溫度傳感器22具有熱敏電阻24和焊盤(pán)30d，通過(guò)從焊盤(pán)30d經(jīng)焊線(xiàn)31連接到LSI20的焊盤(pán)30c來(lái)電連接。
[0057]接著，針對(duì)第一實(shí)施例的流量傳感裝置的保護(hù)電路5的結(jié)構(gòu)利用圖1進(jìn)行說(shuō)明。
[0058]保護(hù)電路5形成于設(shè)置在半導(dǎo)體襯底100上的絕緣膜103上。
[0059]保護(hù)電路5具有電阻元件6和電容元件7，電容元件7由具有相互不同的導(dǎo)電性的低導(dǎo)電性電極7a和高導(dǎo)電性電極7b所構(gòu)成。
[0060]具有低導(dǎo)電性的低導(dǎo)電性電極7a例如利用方塊電阻為100 Ω/ □的多晶硅形成，具有高導(dǎo)電性的高導(dǎo)電性電極7b例如利用方塊電阻為10 Ω/ □的金屬硅化物形成。
[0061]低導(dǎo)電性電極7a與電源端子2a、傳感器輸出端子2b或焊盤(pán)30c等外部端子2及內(nèi)部電路4電連接，具有高導(dǎo)電性的高導(dǎo)電性電極7b與接地端子3電連接。
[0062]此外，低導(dǎo)電性電極7a具有相互分隔的第一連接區(qū)域8a和第二連接區(qū)域Sb，在第一連接區(qū)域8a上與外部端子2導(dǎo)通，在第二連接區(qū)域Sb上與內(nèi)部電路4導(dǎo)通。
[0063]電阻元件6例如利用金屬硅化物形成，電連接各元件的配線(xiàn)10例如利用鋁(Al)形成。此外，在配線(xiàn)10與電阻元件6及電容元件7的連接部上設(shè)有多個(gè)連接部來(lái)確保電連接。
[0064]通過(guò)采用如上所述的結(jié)構(gòu)，第一實(shí)施例的流量傳感裝置中的保護(hù)電路5的等效電路構(gòu)成圖15所示的電路。
[0065]等效電路中的電阻元件6 (Rf)和電容元件7 (Cf)元件參數(shù)以及寄生成分Rl?R8、LI?L8如下所示。此外，Rcfl?Rcf8為電容元件7 (Cf)的電極的電阻，Cfl?Cf5表示電容元件7 (Cf)的容量。
[0066]此外，由于寄生成分的值為由配線(xiàn)及元件的形狀和物理特性等決定的值，并不限定于如下所示的值，但在本說(shuō)明書(shū)中為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，采用下述的固定值。
[0067]電阻元件6 (Rf):40 Ω，電容元件 7 (Cf):400pF, Rl ?R8:各 I Ω，LI ?L8:各IOOpH, Rcfl ?Rcf4:各 25 Ω，Rcf5 ?Rcf8:各 2.5 Ω，Cfl ?Cf5:各 80pF。
[0068]接著，針對(duì)第一實(shí)施例的流量傳感裝置的作用進(jìn)行說(shuō)明。
[0069]第一作用為如下作用:如圖1 (a)所示，通過(guò)在第一連接區(qū)域8a確保低導(dǎo)電性電極7a與外部端子2的導(dǎo)通，在第二連接區(qū)域8b確保與內(nèi)部電路4的導(dǎo)通，R2?R3和L2?L3作為保護(hù)阻抗200起作用。即，使得由保護(hù)阻抗200和電容元件7 (Cf)所確定的時(shí)間常數(shù)增大，保護(hù)電路5能夠進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0070]第二作用為如下作用:通過(guò)分隔地設(shè)置第一連接區(qū)域8a和第二連接區(qū)域Sb，Rcfl?Rcf4作為保護(hù)阻抗200起作用。因此，使得由保護(hù)阻抗200和電容元件7 (Cf)所確定的時(shí)間常數(shù)增大，保護(hù)電路5能夠進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0071]第三作用為如下作用:通過(guò)使高導(dǎo)電性電極7b與接地端子3電連接，降低Rcf5?RcfS導(dǎo)致的有害阻抗201。即，具有減少噪聲從接地端子3消除時(shí)的阻礙的效果，使得保護(hù)電路5能夠進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0072]第四作用為如下作用:通過(guò)使低導(dǎo)電性電極7a與外部端子2和內(nèi)部電路4電連接，Rcfl?Rcf4成為更大的值，保護(hù)阻抗200增加。因此，使得由保護(hù)阻抗200和電容元件7 (Cf)所確定的時(shí)間常數(shù)增大，保護(hù)電路5能夠進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0073]第一實(shí)施例的流量傳感裝置由于上述第一?第四作用而表現(xiàn)出圖16中的(C)所示的的頻率特性。此外，圖16中的(c)為以圖15中的外部端子2為輸入、以L6與內(nèi)部電路的中點(diǎn)為輸出時(shí)的波特圖。
[0074]此外，作為比較，在圖15中低導(dǎo)電性電極7a與高導(dǎo)電性電極7b的電導(dǎo)率相反的情況下，以外部端子為輸入、以寄生電感L6與內(nèi)部電路的中點(diǎn)為輸出時(shí)的波特圖如圖16Cd)所示。具體地，為Rcfl?Rcf4:各2.5 Ω、Rcf5?Rcf8:各25 Ω的情況。
[0075]根據(jù)圖16 (C)可知，第一實(shí)施例中的保護(hù)電路5在約2MHz以上的頻帶中具有比以往的保護(hù)電路5特性更優(yōu)良的特性。此外，根據(jù)圖16 (d)可知，參考例中的保護(hù)電路5在約20MHz以上的頻帶中具有比以往的保護(hù)電路5特性更優(yōu)良的特性，但具體地在2MHz?IGHz的帶域中不如第一實(shí)施例中的保護(hù)電路5的改善效果。
[0076]圖17表示向第一實(shí)施例中的保護(hù)電路5和以往的保護(hù)電路5施加模擬高頻噪聲的相同正弦波信號(hào)(60MHz、振幅±1V)時(shí)的輸出波形。
[0077]根據(jù)圖17可知，第一實(shí)施例中的保護(hù)電路5更能進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0078]根據(jù)以上，針對(duì)第一實(shí)施例的流量傳感裝置的優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
[0079]第一優(yōu)點(diǎn)為:通過(guò)使低導(dǎo)電性電極7a與外部端子2及內(nèi)部電路4電連接，使高導(dǎo)電性電極7b與接地端子3電連接,能夠更大地確保保護(hù)電路5的高頻特性的改善余地。這里的余地例如相當(dāng)于在第一實(shí)施例的流量傳感裝置中圖16中的(a)與(C)之差。
[0080]第二優(yōu)點(diǎn)為根據(jù)上述第一作用保護(hù)電路5能夠進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0081]第三優(yōu)點(diǎn)為根據(jù)上述第二作用保護(hù)電路5能夠進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0082]第四優(yōu)點(diǎn)為根據(jù)上述第三作用保護(hù)電路5能夠進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0083]第五優(yōu)點(diǎn)為根據(jù)上述第四作用保護(hù)電路5能夠進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0084]第六優(yōu)點(diǎn)為因不需要類(lèi)似專(zhuān)利文獻(xiàn)I中公開(kāi)的計(jì)算而避免設(shè)計(jì)工作的增加并且能夠改善濾波特性。
[0085]此外，在以第一實(shí)施例為代表的應(yīng)用本發(fā)明技術(shù)的流量傳感裝置中，保護(hù)電路5物理上的配置并不特別地限定于外部端子2與內(nèi)部電路4之間，作為信號(hào)路徑采用從外部端子2經(jīng)由保護(hù)電路5到達(dá)內(nèi)部電路4的結(jié)構(gòu)即可。
[0086]此外，低導(dǎo)電性電極7a和高導(dǎo)電性電極7b中所用的電極材料可以相同，只需滿(mǎn)足低導(dǎo)電性電極7a的導(dǎo)電率比高導(dǎo)電性電極7b的導(dǎo)電率相對(duì)低即可。
[0087]此外，電阻元件6不必為與形成配線(xiàn)10或電容元件7的材料不同的材料，例如可通過(guò)使配線(xiàn)10為窄的形狀來(lái)實(shí)現(xiàn)圖1中的電阻元件6，或者也可將配線(xiàn)10設(shè)計(jì)得較長(zhǎng)，將配線(xiàn)10的寄生電阻成分作為電阻元件6來(lái)利用。
[0088]此外，電容元件7不必為與形成配線(xiàn)10或電阻元件6的材料不同的材料，例如可通過(guò)使配線(xiàn)10為寬的形狀來(lái)實(shí)現(xiàn)圖1中的電容元件7，或者也可使兩層配線(xiàn)相對(duì)，將配線(xiàn)間電容作為電容元件7來(lái)利用。[0089]【第二實(shí)施例】
[0090]接著，使用圖2對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施例的流量傳感裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖2是第二實(shí)施例的流量傳感裝置的保護(hù)電路5的布局圖。對(duì)于與之前的實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)，使用相同記號(hào)并省略說(shuō)明。
[0091]本發(fā)明的第二實(shí)施例的流量傳感裝置以在第一實(shí)施例的流量傳感裝置的基礎(chǔ)上設(shè)置有使第一連接區(qū)域8a和第二連接區(qū)域Sb向?qū)Ψ絽^(qū)域延伸區(qū)域而得到的延伸部9。
[0092]接著，針對(duì)第二實(shí)施例的流量傳感裝置的作用進(jìn)行說(shuō)明。
[0093]第一至第三作用與第一實(shí)施例中的第一、三、四的作用相同。
[0094]第四作用為:通過(guò)具有使第一連接區(qū)域8a和第二連接區(qū)域Sb向?qū)Ψ絽^(qū)域延伸區(qū)域而得到的延伸部9，在高頻帶中在低導(dǎo)電性電極7a與高導(dǎo)電性電極7b之間也形成了大致均勻的電場(chǎng)。
[0095]接著，針對(duì)第二實(shí)施例的流量傳感裝置的優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
[0096]第一至第五優(yōu)點(diǎn)與第一實(shí)施例中的第一、二、四、五、六優(yōu)點(diǎn)相同。
[0097]第六優(yōu)點(diǎn)為根據(jù)上述第四作用可使保護(hù)電路5的電路動(dòng)作接近集中參數(shù)電路的動(dòng)作。即，能夠在更 寬的帶域上發(fā)揮上述第一至第五優(yōu)點(diǎn)。
[0098]【第三實(shí)施例】
[0099]接著，使用圖3對(duì)本發(fā)明的第三實(shí)施例的流量傳感裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖3是第三實(shí)施例的流量傳感裝置的保護(hù)電路5的布局圖。對(duì)于與之前的實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)，使用相同記號(hào)并省略說(shuō)明。
[0100]本發(fā)明的第三實(shí)施例的流量傳感裝置的特征在于:具有形成在與低導(dǎo)電性電極7a相同的層上且與低導(dǎo)電性電極7a連通地形成的電阻元件6來(lái)替代第一實(shí)施例的流量傳感裝置的電阻元件。
[0101]接著，針對(duì)第三實(shí)施例的流量傳感裝置的作用進(jìn)行說(shuō)明。
[0102]第一至第四作用與第一實(shí)施例中的作用相同。
[0103]第五作用為:由于電阻元件6形成在與低導(dǎo)電性電極7a相同的層上，并且與低導(dǎo)電性電極7a連通地形成，因此電阻元件6的散熱面積和熱容增大，能夠提高電阻元件6的容許損耗。
[0104]接著，針對(duì)第三實(shí)施例的流量傳感裝置的優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
[0105]第一至第六優(yōu)點(diǎn)與第一實(shí)施例中的優(yōu)點(diǎn)相同。
[0106]第七優(yōu)點(diǎn)為:根據(jù)上述第五作用，能夠抑制焦耳熱導(dǎo)致的電阻元件6的熔斷，因此能夠加強(qiáng)保護(hù)電路5的可靠性。
[0107]【第四實(shí)施例】
[0108]接著，對(duì)本發(fā)明的第四實(shí)施例的流量傳感裝置利用圖4進(jìn)行說(shuō)明。圖4是第四實(shí)施例的流量傳感裝置的保護(hù)電路5的A-A’剖面圖。對(duì)于與之前的實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)，使用相同記號(hào)并省略說(shuō)明。
[0109]本發(fā)明的第四實(shí)施例的流量傳感裝置的特征在于:在場(chǎng)氧化膜101上形成第三實(shí)施例的流量傳感裝置的電阻元件6,將電容元件7的一部分或整體配置在柵極絕緣膜102上。
[0110]接著，針對(duì)第四實(shí)施例的流量傳感裝置的作用進(jìn)行說(shuō)明。[0111]第一至第五作用與第三實(shí)施例中的作用相同。
[0112]第六作用為:由于在場(chǎng)氧化膜101上形成電阻元件6，因此能夠抑制電阻元件6與半導(dǎo)體襯底100之間的絕緣膜的破壞。
[0113]第七作用為:由于將電容元件7的一部分或整體配置在柵極絕緣膜102上，增大了低導(dǎo)電性電極7a與半導(dǎo)體襯底100之間的電容量，使低導(dǎo)電性電極7a與接地電位的有效靜電容量為更大的值。因此，使得由保護(hù)阻抗200和電容元件7 (Cf)所確定的時(shí)間常數(shù)增大，保護(hù)電路5能夠進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0114]接著，針對(duì)第四實(shí)施例的流量傳感裝置的優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
[0115]第一至第七優(yōu)點(diǎn)與第三實(shí)施例中的優(yōu)點(diǎn)相同。
[0116]第八優(yōu)點(diǎn)為:根據(jù)上述第六作用，能夠抑制電阻元件6與半導(dǎo)體襯底100之間的絕緣膜的破壞，能夠提高保護(hù)電路5的可靠性。
[0117]第九優(yōu)點(diǎn)為:根據(jù)上述第七作用，保護(hù)電路5能夠進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0118]【第五實(shí)施例】
[0119]接著，使用圖5對(duì)本發(fā)明的第五實(shí)施例的流量傳感裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖5是第五實(shí)施例的流量傳感裝置的保護(hù)電路5的布局圖。對(duì)于與之前的實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)，使用相同記號(hào)并省略說(shuō)明。
[0120]本發(fā)明的第五實(shí)施例的流量傳感裝置的特征在于:在第三實(shí)施例的流量傳感裝置的電阻元件6與電容元件7之間設(shè)置鉗位元件12。
[0121]接著，針對(duì)第五實(shí)施例的流量傳感裝置的作用進(jìn)行說(shuō)明。
[0122]第一至第五作用與第三實(shí)施例中的作用相同。
[0123]第六作用為:根據(jù)上述第五作用，使電阻元件6的容許損耗提高，因此，在靜電放電或浪涌脈沖等施加過(guò)電壓時(shí)也能夠利用電阻元件6來(lái)限制電流，所以能夠使設(shè)置的電阻元件6與電容元件7之間的鉗位元件12小型化。
[0124]接著，針對(duì)第五實(shí)施例的流量傳感裝置的優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
[0125]第一至第七優(yōu)點(diǎn)與第三實(shí)施例中的優(yōu)點(diǎn)相同。
[0126]第八優(yōu)點(diǎn)為:根據(jù)上述第六作用，能夠使鉗位元件12小型化，有利于集成電路的芯片面積縮減。
[0127]【第六實(shí)施例】
[0128]接著，對(duì)本發(fā)明的第六實(shí)施例的流量傳感裝置利用圖6進(jìn)行說(shuō)明。圖6是第六實(shí)施例的流量傳感裝置的保護(hù)電路5的A-A’剖面圖。對(duì)于與之前的實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)，使用相同記號(hào)并省略說(shuō)明。
[0129]本發(fā)明的第六實(shí)施例的流量傳感裝置的特征在于:在形成在半導(dǎo)體襯底100上的雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域13形成第一實(shí)施例的流量傳感裝置的低導(dǎo)電性電極7a。
[0130]接著，針對(duì)第六實(shí)施例的流量傳感裝置的作用進(jìn)行說(shuō)明。
[0131 ] 第一至第四作用與第一實(shí)施例中的作用相同。
[0132]第五作用為:通過(guò)在雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域13形成低導(dǎo)電性電極7a，能夠使低導(dǎo)電性電極7a的電阻Rcfl~Rcf4為更大的值。因此，使得由保護(hù)阻抗200和電容元件7 (Cf)所確定的時(shí)間常數(shù)增大，保護(hù)電路5能夠進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0133]接著，針對(duì)第六實(shí)施例的流量傳感裝置的優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。[0134]第一至第六優(yōu)點(diǎn)與第一實(shí)施例中的優(yōu)點(diǎn)相同。
[0135]第七優(yōu)點(diǎn)為:根據(jù)上述第五作用，保護(hù)電路5能夠進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0136]【第七實(shí)施例】
[0137]接著，使用圖7對(duì)本發(fā)明的第七實(shí)施例的流量傳感裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖7是第七實(shí)施例的流量傳感裝置的保護(hù)電路5的A-A’剖面圖。對(duì)于與之前的實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)，使用相同記號(hào)并省略說(shuō)明。
[0138]本發(fā)明的第七實(shí)施例的流量傳感裝置的特征在于:將第三實(shí)施例的流量傳感裝置的低導(dǎo)電性電極7a形成在比高導(dǎo)電性電極7b更靠半導(dǎo)體襯底100 —側(cè)。
[0139]接著，針對(duì)第七實(shí)施例的流量傳感裝置的作用進(jìn)行說(shuō)明。
[0140]第一至第五作用與第三實(shí)施例中的作用相同。
[0141]第六作用為:通過(guò)將低導(dǎo)電性電極7a形成在比高導(dǎo)電性電極7b更靠半導(dǎo)體襯底100 一側(cè)，低導(dǎo)電性電極7a被由高導(dǎo)電性電極7b和半導(dǎo)體襯底100構(gòu)成的電磁屏蔽件所夾著，因此抑制了低導(dǎo)電性電極7a對(duì)外圍電路的噪聲影響。
[0142]接著，針對(duì)第七實(shí)施例的流量傳感裝置的優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
[0143]第一至第七優(yōu)點(diǎn)與第三實(shí)施例中的優(yōu)點(diǎn)相同。
[0144]第八優(yōu)點(diǎn)為:根據(jù)上述第六作用，能夠抑制來(lái)自低導(dǎo)電性電極7a的噪聲影響，因此能夠在電容元件7上方設(shè)置信 號(hào)線(xiàn)等。
[0145]【第八實(shí)施例】
[0146]接著，對(duì)本發(fā)明的第八實(shí)施例的流量傳感裝置利用圖8進(jìn)行說(shuō)明。圖8是第八實(shí)施例的流量傳感裝置的保護(hù)電路5的布局圖。對(duì)于與之前的實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)，使用相同記號(hào)并省略說(shuō)明。
[0147]本發(fā)明的第八實(shí)施例的流量傳感裝置的特征在于:形成渦旋狀的導(dǎo)體作為第一實(shí)施例的流量傳感裝置中的電阻元件6。
[0148]接著，針對(duì)第八實(shí)施例的流量傳感裝置的作用進(jìn)行說(shuō)明。
[0149]第一至第四作用與第一實(shí)施例中的作用相同。
[0150]第五作用為:由于在電阻元件6中使用渦旋狀的導(dǎo)體，因此增大了電阻元件6自身的自感，所以使得由保護(hù)阻抗200和電容元件7 (Cf)所確定的時(shí)間常數(shù)增大，保護(hù)電路5能夠進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0151]接著，針對(duì)第八實(shí)施例的流量傳感裝置的優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
[0152]第一至第六優(yōu)點(diǎn)與第一實(shí)施例中的優(yōu)點(diǎn)相同。
[0153]第七優(yōu)點(diǎn)為:根據(jù)上述第五作用，保護(hù)電路5能夠進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0154]此外，作為渦旋狀的替代，使用螺線(xiàn)管形狀或螺旋狀的導(dǎo)體也能夠獲得同樣的效
果O
[0155]【第九實(shí)施例】
[0156]接著，使用圖9對(duì)本發(fā)明的第九實(shí)施例的流量傳感裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖9是第九實(shí)施例的流量傳感裝置的保護(hù)電路5的布局圖。對(duì)于與之前的實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)，使用相同記號(hào)并省略說(shuō)明。
[0157]本發(fā)明的第九實(shí)施例的流量傳感裝置的特征在于:將梳齒形狀的電極以互嵌的方式相對(duì)形成，作為第一實(shí)施例的流量傳感裝置中的電容元件7。此外，低導(dǎo)電性電極7a和高導(dǎo)電性電極7b均由鋁配線(xiàn)材料形成。但低導(dǎo)電性電極7a的配線(xiàn)寬度比高導(dǎo)電性電極7b的配線(xiàn)寬度細(xì)，導(dǎo)電率相對(duì)地更低。
[0158]接著，針對(duì)第九實(shí)施例的流量傳感裝置的作用進(jìn)行說(shuō)明。
[0159]第一至第四作用與第一實(shí)施例中的作用相同。
[0160]第五作用為:低導(dǎo)電性電極7a與高導(dǎo)電性電極7b的電極間距離不依賴(lài)于相關(guān)絕緣膜厚度。因此，能夠根據(jù)低導(dǎo)電性電極7a與高導(dǎo)電性電極7b間的距離來(lái)控制的電容元件7的容量，實(shí)現(xiàn)電容元件7的大容量化。因此，使得由保護(hù)阻抗200和電容元件7 (Cf)所確定的時(shí)間常數(shù)增大，保護(hù)電路5能夠進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0161]第六作用為:由于低導(dǎo)電性電極7a和高導(dǎo)電性電極7b均由鋁配線(xiàn)材料形成，因此降低了電容元件7與接地端子3之間的寄生成分中的由電容元件7的電阻Rcfl~Rcf8導(dǎo)致的寄生電阻。即，構(gòu)成在由接地端子3除去噪聲時(shí)的阻礙的有害電感201減少，因此保護(hù)電路5能夠進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0162]接著，針對(duì)第九實(shí)施例的流量傳感裝置的優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
[0163]第一至第六優(yōu)點(diǎn)與第一實(shí)施例中的優(yōu)點(diǎn)相同。
[0164]第七優(yōu)點(diǎn)為:根據(jù)上述第五作用，保護(hù)電路5能夠進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0165]第八優(yōu)點(diǎn)為:根據(jù)上述第六作用，保護(hù)電路5能夠進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0166]【第十實(shí)施例】
[0167]接著，使用圖10對(duì)本發(fā)明的第十實(shí)施例的流量傳感裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖10是第十實(shí)施例的流量傳感裝置的保護(hù)電路5的布局圖。對(duì)于與之前的實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)，使用相同記號(hào)并省略說(shuō)明。
[0168]本發(fā)明的第十實(shí)施例的流量傳感裝置的特征在于:在第九實(shí)施例的流量傳感裝置的電容元件7中形成曲折式的低導(dǎo)電性電極7a，作為梳齒形狀的低導(dǎo)電性電極7a的替代，將由梳齒形狀構(gòu)成的高導(dǎo)電性電極7b的齒電極15分別配置在曲折式的低導(dǎo)電性電極7a的配線(xiàn)之間。
[0169]此外，在本實(shí)施例中，低導(dǎo)電性電極7a和高導(dǎo)電性電極7b均由鋁配線(xiàn)材料形成。但低導(dǎo)電性電極7a的配線(xiàn)寬度比高導(dǎo)電性電極7b的電極基部14的配線(xiàn)寬度細(xì)，導(dǎo)電率相對(duì)低。
[0170]接著，針對(duì)第十實(shí)施例的流量傳感裝置的作用進(jìn)行說(shuō)明。
[0171 ] 第一至第六作用與第九實(shí)施例中的作用相同。
[0172]第七作用為:通過(guò)形成曲折式的低導(dǎo)電性電極7a，能夠使低導(dǎo)電性電極7a的電阻Rcfl~Rcf4為更大的值。即，使得由保護(hù)阻抗200和電容元件7 (Cf)所確定的時(shí)間常數(shù)增大，保護(hù)電路5能夠進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0173]接著，針對(duì)第十實(shí)施例的流量傳感裝置的優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
[0174]第一至第八優(yōu)點(diǎn)與第九實(shí)施例中的優(yōu)點(diǎn)相同。
[0175]第九優(yōu)點(diǎn)為:根據(jù)上述第七作用，保護(hù)電路5能夠進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0176]【第十一實(shí)施例】
[0177]接著，對(duì)本發(fā)明的第十一實(shí)施例的流量傳感裝置利用圖11進(jìn)行說(shuō)明。圖11是第十一實(shí)施例的流量傳感裝置的保護(hù)電路5的布局圖。對(duì)于與之前的實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)，使用相同記號(hào)并省略說(shuō)明。[0178]本發(fā)明的第十一實(shí)施例的流量傳感裝置的特征在于:使由第十實(shí)施例的流量傳感裝置的梳齒形狀所構(gòu)成的高導(dǎo)電性電極7b的齒電極15的各前端部通過(guò)不同的路徑與電極基部14電連接。
[0179]接著，針對(duì)第十一實(shí)施例的流量傳感裝置的作用進(jìn)行說(shuō)明。
[0180]第一至第七作用與第十實(shí)施例中的作用相同。
[0181]第八作用為:通過(guò)使由梳齒形狀所構(gòu)成的高導(dǎo)電性電極7b的齒電極15的各前端部通過(guò)不同的路徑與電極基部14電連接，能夠進(jìn)一步地降低高導(dǎo)電性電極7b的電阻Rcf5~Rcf8。即，構(gòu)成在由接地端子3除去噪聲時(shí)的阻礙的寄生成分減少，因此保護(hù)電路5能夠進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0182]接著，針對(duì)第十一實(shí)施例的流量傳感裝置的作用進(jìn)行說(shuō)明。
[0183]第一至第九作用與第十實(shí)施例中的作用相同。
[0184]第十優(yōu)點(diǎn)為:根據(jù)上述第八作用，保護(hù)電路5能夠進(jìn)一步地使噪聲衰減。
[0185]【第十二實(shí)施例】
[0186]接著，使用圖12對(duì)本發(fā)明的第十二實(shí)施例的流量傳感裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖12是第十二實(shí)施例的流量傳感裝置的保護(hù)電路5的布局圖。對(duì)于與之前的實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)，使用相同記號(hào)并省略說(shuō)明。
[0187]本發(fā)明的第十二實(shí)施例的流量傳感裝置的特征在于:在第三實(shí)施例的流量傳感裝置的基礎(chǔ)上，設(shè)置有:在 外部端子2與接地端子3之間設(shè)置的整流元件16及保護(hù)電阻17 ；和控制電容元件7與內(nèi)部電路4的連接狀態(tài)的開(kāi)關(guān)元件18，開(kāi)關(guān)元件18基于保護(hù)電阻17的整流元件16側(cè)端部的電位來(lái)控制電容元件7與內(nèi)部電路4的連接狀態(tài)。
[0188]接著，針對(duì)第十二實(shí)施例的流量傳感裝置的作用進(jìn)行說(shuō)明。
[0189]第一至第五作用與第三實(shí)施例中的作用相同。
[0190]第六作用為:在對(duì)外部端子2施加整流元件16的擊穿電壓以上的過(guò)電壓的情況下，開(kāi)關(guān)元件18切斷電容元件7與內(nèi)部電路4的連接，因此能夠防止過(guò)電壓導(dǎo)致的內(nèi)部電路4的破壞。
[0191]接著，針對(duì)第十二實(shí)施例的流量傳感裝置的作用進(jìn)行說(shuō)明。
[0192]第一至第七作用與第三實(shí)施例中的作用相同。
[0193]第八優(yōu)點(diǎn)為:根據(jù)上述第六作用，能夠預(yù)防過(guò)電壓導(dǎo)致的內(nèi)部電路4的破壞，因此能夠提高流量傳感裝置的可靠性。
[0194]如上面所詳述，對(duì)于具備將電磁噪聲除去或衰減的保護(hù)電路5的流量傳感裝置，如果應(yīng)用本發(fā)明，則能夠避免設(shè)計(jì)工作增加并且改善保護(hù)電路5的性能，特別地在集成于半導(dǎo)體襯底上的保護(hù)電路5中能夠發(fā)揮良好的效果。
[0195]符號(hào)說(shuō)明
[0196]1......流量傳感裝置
[0197]2......外部端子
[0198]2a......電源端子
[0199]2b……傳感器輸出端子
[0200]3......接地端子
[0201]4......內(nèi)部電路[0202]5、5a~5d......保護(hù)電路
[0203]6......電阻元件
[0204]7......電容元件
[0205]7a……低導(dǎo)電性電極
[0206]7b......高導(dǎo)電性電極
[0207]8a......第一連接區(qū)域
[0208]8b......第二連接區(qū)域
[0209]9......延伸部
[0210]10......配線(xiàn)
[0211]11......連接部
[0212]12......鉗位元件
[0213]13……雜質(zhì)擴(kuò)散部
[0214]14......電極襯底
[0215]15......齒電極
[0216]16......二極管元 件
[0217]17......保護(hù)電阻
[0218]18......開(kāi)關(guān)元件
[0219]19......柵極電極
[0220]20......LSI
[0221]21……傳感器元件
[0222]22......溫度傳感器
[0223]23......檢測(cè)部
[0224]24......熱敏電阻
[0225]30a ~30d......焊盤(pán)
[0226]31......焊線(xiàn)
[0227]100......半導(dǎo)體襯底
[0228]101......場(chǎng)氧化膜
[0229]102......柵極絕緣膜
[0230]103......絕緣膜
[0231]200......保護(hù)電感
[0232]201......有害電感
【權(quán)利要求】
1.一種傳感器裝置，其包括:與外部裝置連接的外部端子；接地的接地端子；生成傳感器輸出信號(hào)的內(nèi)部電路；和設(shè)置于所述外部端子與所述內(nèi)部電路之間的由電阻元件和電容元件構(gòu)成的保護(hù)電路，該傳感器裝置的特征在于: 所述電容元件由具有相互不同的電導(dǎo)率的電極對(duì)構(gòu)成， 將所述電極對(duì)中的具有比一方的電極低的電導(dǎo)率的低導(dǎo)電性電極連接到所述外部端子和所述內(nèi)部電路。
2.如權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其特征在于: 所述低導(dǎo)電性電極具有與所述外部端子電連接的第一連接區(qū)域和與所述內(nèi)部電路電連接的第二連接區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其特征在于: 所述第一連接區(qū)域與所述第二連接區(qū)域相互分隔地設(shè)置。
4.如權(quán)利要求3所述的傳感器裝置，其特征在于: 所述第一連接區(qū)域和所述第二連接區(qū)域中的一方或者雙方具有使其區(qū)域向?qū)Ψ絽^(qū)域延伸而得到的延伸部。
5.如權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其特征在于: 所述電阻元件與所述低導(dǎo)電性電極形成在同一層上，與所述低導(dǎo)電性電極連通地形成。
6.如權(quán)利要求5所述的傳感器裝置，其特征在于: 所述保護(hù)電路設(shè)置于由形成在半導(dǎo)體襯底上的絕緣膜構(gòu)成的場(chǎng)氧化膜和由比所述場(chǎng)氧化膜薄的絕緣膜構(gòu)成的柵絕緣膜之上， 所述電阻元件形成在所述場(chǎng)氧化膜上， 所述電容元件的一部分或整體形成在所述柵絕緣膜上。
7.如權(quán)利要求5所述的傳感器裝置，其特征在于: 所述保護(hù)電路具有設(shè)置于所述電阻元件與所述電容元件之間的鉗位元件。
8.如權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其特征在于: 所述保護(hù)電路具有形成在半導(dǎo)體襯底上的雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域， 將所述低導(dǎo)電性電極形成在所述雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域。
9.如權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其特征在于: 所述保護(hù)電路形成在半導(dǎo)體襯底之上， 所述電極對(duì)中的所述低導(dǎo)電性電極形成在所述半導(dǎo)體襯底一側(cè)。
10.如權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其特征在于: 所述電阻元件使用金屬硅化物形成。
11.如權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其特征在于: 所述電阻元件使用高熔點(diǎn)金屬形成。
12.如權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其特征在于: 所述電阻元件由渦旋狀導(dǎo)體構(gòu)成。
13.如權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其特征在于: 所述電阻元件由螺旋狀導(dǎo)體構(gòu)成。
14.如權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其特征在于:所述電極對(duì)的形狀為梳齒狀的形狀， 所述電極對(duì)以彼此的梳齒部分互嵌的方式相對(duì)地形成。
15.如權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其特征在于: 所述電極對(duì)中，一方為曲折式電極，另一方為具有從電極基部呈梳齒狀地突出的多個(gè)齒電極的梳齒狀電極， 將所述齒電極配置在所述曲折式電極的配線(xiàn)之間。
16.如權(quán)利要求15所述的傳感器裝置，其特征在于: 使所述梳齒狀電極的各齒電極的前端部通過(guò)與所述電極基部不同的路徑電連接。
17.如權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其特征在于: 所述保護(hù)電路具有: 整流元件； 連接所述整流元件和所述接地端子的保護(hù)電阻；和 控制所述電容元件與所述內(nèi)部電路之間的連接的開(kāi)關(guān)元件， 所述開(kāi)關(guān)元件基于所述保護(hù)電阻的整流元件側(cè)端部的電位來(lái)控制所述電容元件與所述內(nèi)部電路之間的連接。
【文檔編號(hào)】H01L27/04GK103703555SQ201180072589
【公開(kāi)日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2011年8月3日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月3日
【發(fā)明者】淺野哲, 松本昌大, 中野洋, 半澤惠二 申請(qǐng)人:日立汽車(chē)系統(tǒng)株式會(huì)社