高可靠性高速憶阻器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】憶阻器具有第一電極、平行于第一電極的第二電極以及布置在第一電極和第二電極之間的切換層。切換層包含傳導(dǎo)溝道和儲(chǔ)蓄器區(qū)。傳導(dǎo)溝道帶有具有可變的移動(dòng)離子濃度的費(fèi)米玻璃材料。儲(chǔ)蓄器區(qū)相對(duì)于傳導(dǎo)溝道橫向地布置，并對(duì)傳導(dǎo)溝道充當(dāng)移動(dòng)離子的源/吸收體。在切換操作中，在電場(chǎng)和熱效應(yīng)的協(xié)作驅(qū)動(dòng)力下，移動(dòng)離子移動(dòng)進(jìn)或出橫向布置的儲(chǔ)蓄器區(qū)以改變傳導(dǎo)溝道中的移動(dòng)離子的濃度，從而改變費(fèi)米玻璃材料的傳導(dǎo)率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】高可靠性高速憶阻器
【背景技術(shù)】
[0001]當(dāng)前的存儲(chǔ)器技術(shù)——包括DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、SRAM (靜態(tài)RAM)和NAND
閃存--決速接近其可擴(kuò)性限制。因此，存在對(duì)可滿(mǎn)足未來(lái)的存儲(chǔ)器應(yīng)用的性能要求的新
存儲(chǔ)器技術(shù)的強(qiáng)烈需要。作為一種類(lèi)型的憶阻器的電阻性RAM是有前途的技術(shù)，且被證明展示極大的可擴(kuò)性、非易失性、多狀態(tài)操作、3D可堆疊性和CMOS兼容性。然而，在提高這樣的設(shè)備的性能例如設(shè)備耐久性、熱穩(wěn)定性和切換速度方面存在挑戰(zhàn)。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】[0002]參考下面的附圖作為例子描述本發(fā)明的一些實(shí)施例:
[0003]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的高耐久性、高速和低能憶阻器的頂視圖的示意圖；
[0004]圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有獨(dú)特的新結(jié)構(gòu)和新切換機(jī)制的憶阻器的示意性透視圖；
[0005]圖3是圖1的高耐久性、高速和低能憶阻器的1-V曲線(xiàn)的例子；
[0006]圖4是示出圖1的憶阻器的傳導(dǎo)溝道中的材料的電阻的溫度系數(shù)的曲線(xiàn)圖；以及
[0007]圖5是示出新切換機(jī)制的圖2的憶阻器結(jié)構(gòu)的示意性橫截面視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]如下所述，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)憶阻器的獨(dú)特的新結(jié)構(gòu)。與獨(dú)特的切換結(jié)構(gòu)耦合的憶阻器的獨(dú)特結(jié)構(gòu)允許設(shè)備提供優(yōu)于以前知道的切換設(shè)備的明顯提高的性能特征，包括提高得多的耐久性、低切換能量和快切換速度。
[0009]圖1以示意圖的形式示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的憶阻器100的范例的頂視圖。范例性設(shè)備100具有由Ta形成的上電極、由Pt形成的下電極以及布置在上電極和下電極之間的切換層。在設(shè)備制造過(guò)程中，切換層被形成為包含非晶Ta205。然而如下面更詳細(xì)描述的，當(dāng)設(shè)備被操作時(shí)，切換層的成分改變。設(shè)備甚至在150億個(gè)接通-斷開(kāi)循環(huán)之后也通過(guò)保持可切換而展示高耐久性，而沒(méi)有任何反饋或功率限制電路。對(duì)于接通切換和斷開(kāi)切換，設(shè)備使用相對(duì)低的電壓一小于2V—而可切換。此外，對(duì)接通和斷開(kāi)的切換時(shí)間小于2納秒。作為結(jié)果，設(shè)備展示非常低的切換能量(〈lpj)。
[0010]圖1中的頂視圖是借助于壓力調(diào)制電導(dǎo)顯微鏡(PCM)得到的圖像的示意性表示。通過(guò)使用非傳導(dǎo)原子力顯微鏡(AFM)末端(tip)來(lái)拍攝PCM圖像以將壓力施加到示范性設(shè)備100的上電極，并同時(shí)在小電流偏置下監(jiān)測(cè)設(shè)備的電阻的變化。這產(chǎn)生作為AFM末端位置的函數(shù)的電阻圖。圖中的電阻變化允許設(shè)備的切換層中的傳導(dǎo)溝道被識(shí)別出。如圖1所示，發(fā)現(xiàn)切換層具有良好限定的傳導(dǎo)溝道110。觀(guān)察到的傳導(dǎo)溝道具有在納米級(jí)上的尺寸，并且對(duì)于示范性設(shè)備而言為大約lOOnm。圍繞納米級(jí)傳導(dǎo)溝道110的是通常環(huán)形的區(qū)域120，其如下所述是對(duì)傳導(dǎo)溝道110起移動(dòng)離子種類(lèi)(mobile ion species)的源/吸收體(sink)的作用的儲(chǔ)蓄器區(qū)。如將在下面更詳細(xì)地描述的，切換機(jī)制涉及在傳導(dǎo)溝道110和橫向布置的儲(chǔ)蓄器區(qū)120之間的移動(dòng)離子種類(lèi)的移動(dòng)，這允許提高的切換特性，例如高速、低能和高耐久性。
[0011]在示范性設(shè)備的切換層中的傳導(dǎo)溝道110的位置通過(guò)PCM技術(shù)來(lái)識(shí)別出之后，示范性設(shè)備使用聚焦離子束(FIB)沿著圖1中的線(xiàn)A-A被截面地切割。接著使用橫截面透射電子顯微鏡(X-TEM)和電子能量損失能譜法(EELS)來(lái)檢查傳導(dǎo)溝道及其周?chē)鷧^(qū)域的結(jié)構(gòu)和成分?；谑褂媚切┘夹g(shù)的物理特征，形成對(duì)傳導(dǎo)溝道區(qū)域以及切換機(jī)制的理解。
[0012]圖2是具有根據(jù)本發(fā)明的獨(dú)特的新結(jié)構(gòu)的憶阻器200的結(jié)構(gòu)和成分的示意圖。設(shè)備具有上電極202、通常平行于上電極的下電極204以及布置在電極之間的切換層206。切換層206包括在上電極和下電極之間的納米級(jí)傳導(dǎo)溝道210。如在本文使用的，詞“納米級(jí)”意味著部件的尺寸在納米標(biāo)度上。在一些實(shí)施例中，傳導(dǎo)溝道210可具有如圖2所示的截頭錐的形狀，使得它在上電極202附近較寬，而朝著下電極204較窄。相鄰于傳導(dǎo)溝道210的是能夠提供或吸收選定種類(lèi)的移動(dòng)離子的儲(chǔ)蓄器區(qū)220。在這個(gè)實(shí)施例中，儲(chǔ)蓄器區(qū)220是圍繞傳導(dǎo)溝道210的通常環(huán)形的區(qū)。儲(chǔ)蓄器區(qū)220相對(duì)于傳導(dǎo)溝道210橫向地布置，因?yàn)樗趥?cè)面，而不是沿著上電極和下電極之間的傳導(dǎo)溝道210的垂直中心線(xiàn)212串行布置。這是徹底不同于以前已知的憶阻器(例如，基于作為切換材料的氧化鈦的設(shè)備)的驚人的特征。如下面解釋的，認(rèn)為這個(gè)特征與允許憶阻器220具有多個(gè)期望的切換特征的獨(dú)特切換機(jī)制相關(guān)。
[0013]傳導(dǎo)溝道210包含表現(xiàn)為“費(fèi)米玻璃”的材料。費(fèi)米玻璃材料能夠根據(jù)由橫向儲(chǔ)蓄器區(qū)提供(source)或被橫向儲(chǔ)蓄器區(qū)吸收的移動(dòng)離子的種類(lèi)的濃度而經(jīng)歷成分誘導(dǎo)金屬-絕緣體過(guò)渡。作為結(jié)果，傳導(dǎo)溝道201可通過(guò)調(diào)節(jié)費(fèi)米玻璃材料中的移動(dòng)離子的濃度而被置于高電阻狀態(tài)(斷開(kāi)狀態(tài))或低電阻狀態(tài)(接通狀態(tài))中?？捎糜谧R(shí)別費(fèi)米玻璃的另一特性是作為移動(dòng)離子濃度的函數(shù)的其傳導(dǎo)率的溫度系數(shù)的符號(hào)(或極性)。
[0014]在這點(diǎn)上，存在可用作傳導(dǎo)溝道中的材料以用于切換的很多不同的費(fèi)米玻璃。它們包括氧化物、氮化物、硫化物、磷化物、碳化物、硼化物、氟化物、硫?qū)倩锏?，其可以是二元的、三元的、四元的或更多元的組分。這樣的費(fèi)米玻璃材料的一些例子包括TaOx、HfOx>ZrOx> YOx> ErOx> SmOx> SeOx> GdOx> TiOx> MnOx> SnOx> CrOx> WOx> NbOx、MoOx> VOx> CoOx> FeOx>NiOx、ZnOx, MgOx, CaOx、AlOx、SiOx、GaOx, AlNx, GaNx、SiNx、SiCx、BCX、AgxS、CuxS, BNx、SrTi03_x、CaZr03_x、LiTi0x、PCMO(Pra7Caa3MnOx)等，其中 0〈x ( 3。
[0015]基于從分析如上所述的范例性設(shè)備100得到的信息，在一個(gè)實(shí)施例中，傳導(dǎo)溝道210包含鉭和氧的固溶體，雖然氧的濃度可能超過(guò)如Ta的教科書(shū)相圖所提供的20%限制。Ta-O固溶體保持為非晶的。鉭-氧固溶體可以可選地被視為氧化鉭的非晶膜，其中的鉭具有多個(gè)效價(jià)值。在這種情況下，Ta-O固溶體表現(xiàn)為費(fèi)米玻璃，其中氧負(fù)離子(02_)作為移動(dòng)離子種類(lèi)。02_濃度的相對(duì)小的變化可引起Ta-O固溶體的總傳導(dǎo)率的顯著變化。在低電阻狀態(tài)(LRS)或接通狀態(tài)中，傳導(dǎo)溝道中的Ta-O溶液展示由圖3中的接通狀態(tài)中的線(xiàn)性1-V曲線(xiàn)段230證實(shí)的金屬行為和如圖4中的接通狀態(tài)的線(xiàn)240的斜率所示的正的電阻熱系數(shù)(TCR)0斷開(kāi)狀態(tài)也顯示出圖3中的幾乎線(xiàn)性的1-V曲線(xiàn)段232，但具有如圖4中的斷開(kāi)狀態(tài)的線(xiàn)242所示的負(fù)的TCR。
[0016]Ta-O固溶體的費(fèi)米玻璃行為通過(guò)對(duì)作為02_濃度的函數(shù)的這樣的材料的傳導(dǎo)率變化的研究以及還有從過(guò)渡的金屬側(cè)上的正到絕緣側(cè)上的負(fù)的電阻溫度系數(shù)(TCR)的符號(hào)變化來(lái)確認(rèn)。基于使TCR與具有不同的氧濃度的T1-O膜的參考膜匹配，傳導(dǎo)溝道的平均氧濃度值被確定為對(duì)于接通狀態(tài)是大約15±5原子％，對(duì)于中間狀態(tài)是23±5原子％，且對(duì)于斷開(kāi)狀態(tài)是54±5原子％。圍繞傳導(dǎo)溝道的環(huán)形源/吸收體區(qū)由氧化鉭(TiOx)形成，氧化鉭的成分被預(yù)期為接近Ta205。緊鄰儲(chǔ)蓄器區(qū)220的區(qū)域222大量包含Ta2O5,且一些部分被觀(guān)察到被結(jié)晶(高溫正方a -Ta2O5晶相)，證明由切換操作引起的明顯加熱。在結(jié)晶Ta2O5區(qū)域222外部的切換層的其余部分是(生長(zhǎng)而成的)非晶Ta205。
[0017]新憶阻器的結(jié)構(gòu)和成分分析揭示了與以前已知的憶阻器的切換機(jī)制非常不同的獨(dú)特的切換機(jī)制。在這里作為例子使用基于作為溝道材料的Ta-O的設(shè)備來(lái)解釋新的切換機(jī)制。如圖5所示，設(shè)備的活性區(qū)具有在底部部分中由氧化鉭(TiOx)的橫向儲(chǔ)蓄器區(qū)220圍繞的傳導(dǎo)溝道210。設(shè)備220可通過(guò)改變傳導(dǎo)溝道210中的Ta-O固溶體(其表現(xiàn)為費(fèi)米玻璃)中的02_負(fù)離子的濃度來(lái)從接通轉(zhuǎn)變到斷開(kāi)或從斷開(kāi)轉(zhuǎn)變到接通。換句話(huà)說(shuō)，設(shè)備200通過(guò)傳導(dǎo)溝道210中的材料中的成分誘導(dǎo)傳導(dǎo)率變化來(lái)進(jìn)行切換。
[0018]該切換是雙極的，因?yàn)榻油ㄇ袚Q電壓和斷開(kāi)切換電壓具有相反的極性。為了將設(shè)備從斷開(kāi)(HRS)狀態(tài)切換到接通(LRS)狀態(tài)，正電壓被施加到上電極202，而下電極204被等同地負(fù)偏置，如在圖5的左側(cè)中所示的。所產(chǎn)生的電場(chǎng)E向上驅(qū)動(dòng)氧負(fù)離子。同時(shí)，陡溫度梯度被通過(guò)在斷開(kāi)狀態(tài)中的電流的焦耳加熱產(chǎn)生，引起也被稱(chēng)為熱泳的索雷特(Soret)效應(yīng)。熱泳是在陡溫度梯度下移動(dòng)種類(lèi)(例如原子、離子或空位)的擴(kuò)散，在該溫度梯度下稀釋空位(例如氧空位)可優(yōu)先朝著較高的溫度擴(kuò)散。在這種情況下，熱泳效應(yīng)使氧空位從儲(chǔ)蓄器區(qū)220朝著傳導(dǎo)溝道210的中心向內(nèi)徑向擴(kuò)散。等效視圖是，氧負(fù)離子從傳導(dǎo)溝道210朝著橫向儲(chǔ)蓄器220向外擴(kuò)散。因此，氧負(fù)離子由于外加電場(chǎng)而從傳導(dǎo)溝道的下部分向上漂移，并接著從溝道徑向掃出來(lái)、到達(dá)橫向儲(chǔ)蓄器。由于由電場(chǎng)引起的垂直漂移和由熱泳引起的橫向擴(kuò)散的組合或協(xié)同效應(yīng)，氧負(fù)離子02_沿著非線(xiàn)性路徑從傳導(dǎo)溝道的下部分移動(dòng)出來(lái)，如彎曲箭頭250和252所示的。在傳導(dǎo)溝道210中的氧濃度的減小導(dǎo)致低電阻，從而將設(shè)備置于接通狀態(tài)中。
[0019]為了將設(shè)備從接通狀態(tài)轉(zhuǎn)變到斷開(kāi)狀態(tài)，正切換電壓被施加到下電極，如在圖5的右側(cè)中所示的。因此，斷開(kāi)-切換的電場(chǎng)與接通-切換的電場(chǎng)相反。當(dāng)設(shè)備在接通狀態(tài)中啟動(dòng)時(shí)，穿過(guò)傳導(dǎo)溝道210的初始切換電流是大的。高功率使傳導(dǎo)溝道210及其四周變熱。當(dāng)功率被施加到設(shè)備時(shí)，在接通狀態(tài)中的溝道的較高電和熱傳導(dǎo)率更均勻地分布熱。作為結(jié)果，所產(chǎn)生的溫度梯度較平坦(與在斷開(kāi)切換期間的大梯度相反)，這實(shí)現(xiàn)氧負(fù)離子02_從橫向儲(chǔ)蓄器區(qū)220 (高濃度)到傳導(dǎo)溝道的中心(低濃度)的快速菲克擴(kuò)散。所擴(kuò)散的氧負(fù)離子同時(shí)由切換電壓所產(chǎn)生的電場(chǎng)E向下驅(qū)動(dòng)。氧負(fù)離子的一般路徑由彎曲箭頭250和252示出。作為結(jié)果，在傳導(dǎo)溝道210的下部分中的氧濃度被補(bǔ)充，使Ta-O固溶體的電阻率明顯增加，從而將設(shè)備置于斷開(kāi)或HRS狀態(tài)中。再次，當(dāng)在接通切換操作中時(shí)，移動(dòng)氧負(fù)離子在橫向儲(chǔ)蓄器220和傳導(dǎo)通道210的下部分之間的交換是用于切換的主要機(jī)制。
[0020]上面描述的切換機(jī)制利用布置到傳導(dǎo)溝道的側(cè)面的橫向儲(chǔ)蓄器以提供或吸收移動(dòng)離子來(lái)引起成分誘導(dǎo)傳導(dǎo)率變化。應(yīng)注意，這個(gè)切換機(jī)制不涉及隧穿間隙減小(對(duì)于接通切換)或增加(對(duì)于斷開(kāi)切換)，因?yàn)樵谶@個(gè)圖片中沒(méi)有隧穿間隙。這使新切換機(jī)制非常不同于如針對(duì)其它已知的切換氧化物所發(fā)現(xiàn)的基于隧道間隙的調(diào)節(jié)的切換機(jī)制。
[0021]它也明顯不同于其它已知的憶阻器，例如基于氧化鉭的設(shè)備，其中離子源/吸收體與傳導(dǎo)溝道串聯(lián)(即，沿著從一個(gè)電極到另一電極的軸或電場(chǎng)布置)。因?yàn)闇系赖那袚Q部分控制電子傳遞，串聯(lián)的儲(chǔ)蓄器通常比溝道的切換部分更有傳導(dǎo)性，并由更多的氧空位組成(在T1-O情況中)，而并聯(lián)的儲(chǔ)蓄器通常比溝道的切換部分更有電阻性，并由更多的氧負(fù)離子組成(在Ta-O情況中)。因此，熱擴(kuò)散有利于后者(并聯(lián))但不是前者(串聯(lián))的斷開(kāi)切換。事實(shí)上，熱擴(kuò)散由于其與電場(chǎng)相反的驅(qū)動(dòng)方向而明顯減慢在基于T1-O的設(shè)備中的斷開(kāi)切換，在那些系統(tǒng)的一些中導(dǎo)致慢幾個(gè)數(shù)量級(jí)的斷開(kāi)切換。此外，為了得到快速斷開(kāi)切換(例如，10ns)，明顯更大的功率是需要的，這使斷開(kāi)切換成為那些設(shè)備中的功耗最大的過(guò)程。
[0022]相反，使用新的設(shè)備結(jié)構(gòu)和機(jī)制，如上面對(duì)作為實(shí)施例的Ta-O切換系統(tǒng)描述的，電場(chǎng)和熱效應(yīng)協(xié)作地組合在一起，導(dǎo)致超快的切換速度，其中電壓的相同低幅值用于以相似的速度針對(duì)接通和斷開(kāi)切換來(lái)切換設(shè)備。這進(jìn)一步對(duì)這樣類(lèi)型的設(shè)備實(shí)現(xiàn)低得多的操作能量，其中與T1-O納米設(shè)備的超過(guò)100 μ A的電流相比,亞-10 μ A電流可用于切換50nmx50nm設(shè)備。
[0023]Ta-O系統(tǒng)在上面被描述為提供高度可靠的憶阻器的新設(shè)備結(jié)構(gòu)/成分的一個(gè)實(shí)施例。然而其它系統(tǒng)被預(yù)期展示類(lèi)似的結(jié)構(gòu)和切換行為，且因此在本發(fā)明的范圍內(nèi)。作為一個(gè)例子，Hf-O系統(tǒng)可展示如上面關(guān)于Ta-O系統(tǒng)所描述的結(jié)構(gòu)和切換機(jī)制。認(rèn)為憶阻器的可靠性在切換過(guò)程期間直接與傳導(dǎo)溝道的熱力學(xué)穩(wěn)定性相關(guān)。因此，所使用的系統(tǒng)可受益于作為簡(jiǎn)單的二進(jìn)制系統(tǒng)，其中最小數(shù)量(例如兩個(gè))熱力學(xué)穩(wěn)定相處于平衡中。
[0024]在前述描述中，闡述了很多細(xì)節(jié)以提供對(duì)本發(fā)明的理解。然而，本領(lǐng)域中的技術(shù)人員將理解，可在沒(méi)有這些細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐本發(fā)明。雖然關(guān)于有限數(shù)量的實(shí)施例公開(kāi)了本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到本發(fā)明的很多修改和變化。意圖是所附權(quán)利要求涵蓋落在本發(fā)明的真實(shí)精神和范圍內(nèi)的這樣的修改和變化。
【權(quán)利要求】
1.一種憶阻器，包括: 第一電極； 第二電極，其平行于所述第一電極；以及 切換層，其布置在所述第一電極和所述第二電極之間，并包含傳導(dǎo)溝道和儲(chǔ)蓄器區(qū)，所述傳導(dǎo)溝道具有費(fèi)米玻璃材料，所述費(fèi)米玻璃材料具有可變的移動(dòng)離子的濃度，所述儲(chǔ)蓄器區(qū)相對(duì)于所述傳導(dǎo)溝道橫向地布置，并在切換操作期間對(duì)所述傳導(dǎo)溝道充當(dāng)移動(dòng)離子的源/吸收體，其中所述移動(dòng)離子移動(dòng)到所述橫向布置的儲(chǔ)蓄器區(qū)內(nèi)或者從所述橫向布置的儲(chǔ)蓄器區(qū)移動(dòng)出來(lái)，以改變所述傳導(dǎo)溝道中的所述移動(dòng)離子的濃度，從而改變所述費(fèi)米玻璃材料的傳導(dǎo)率。
2.如權(quán)利要求1所述的憶阻器，其中所述費(fèi)米玻璃材料是金屬和所述移動(dòng)離子的固溶體。
3.如權(quán)利要求2所述的憶阻器，其中所述金屬是鉭。
4.如權(quán)利要求3所述的憶阻器，其中所述移動(dòng)離子是氧負(fù)離子。
5.如權(quán)利要求1所述的憶阻器，其中所述費(fèi)米玻璃材料選自于由氧化物、氮化物、硫化物、磷化物、硫?qū)倩?、碳化物、硼化物和氟化物?gòu)成的組。
6.如權(quán)利要求1所述的憶阻器，其中所述傳導(dǎo)溝道具有截頭錐的形狀，其中較窄的端部與所述第二電極接觸。
7.如權(quán)利要求6所述的憶阻器，其中所述橫向布置的儲(chǔ)蓄器區(qū)形成圍繞所述傳導(dǎo)溝道的較窄端部的環(huán)形區(qū)域。
8.如權(quán)利要求7所述的憶阻器，其中所述費(fèi)米玻璃是鉭和氧的固溶體。
9.如權(quán)利要求8所述的憶阻器，其中所述儲(chǔ)蓄器區(qū)包含氧化鉭。
10.如權(quán)利要求9所述的憶阻器，其中所述儲(chǔ)蓄器區(qū)由結(jié)晶Ta205圍繞。
11.如權(quán)利要求9所述的憶阻器，其中所述第一電極由鉭形成，而所述第二電極由鉬形成。
12.—種切換憶阻器的方法，所述憶阻器具有平行的第一電極和第二電極、布置在所述第一電極和所述第二電極之間并包含費(fèi)米玻璃的傳導(dǎo)溝道、以及用于提供和吸收移動(dòng)離子的種類(lèi)的橫向布置的儲(chǔ)蓄器區(qū)，所述方法包括: 將第一切換電壓施加到所述第一電極和所述第二電極以接通憶阻器，所述第一切換電壓與第一熱效應(yīng)協(xié)作使移動(dòng)離子從所述傳導(dǎo)溝道朝向所述橫向布置的儲(chǔ)蓄器移動(dòng)，從而減小費(fèi)米玻璃材料中的所述移動(dòng)離子的濃度；以及 將第二切換電壓施加到所述第一電極和所述第二電極以斷開(kāi)所述憶阻器，所述第二切換電壓在極性上與所述第一切換電壓相反并與第二熱效應(yīng)協(xié)作使移動(dòng)離子從所述橫向布置的儲(chǔ)蓄器朝向所述傳導(dǎo)溝道移動(dòng)，從而增加所述費(fèi)米玻璃材料中的所述移動(dòng)離子的濃度。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述費(fèi)米玻璃是金屬和氧的固溶體。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述金屬是鉭。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一熱效應(yīng)是熱泳，而所述第二熱效應(yīng)是熱擴(kuò)散。
【文檔編號(hào)】H01L27/115GK103733338SQ201180072722
【公開(kāi)日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2011年6月24日 優(yōu)先權(quán)日:2011年6月24日
【發(fā)明者】F·苗, 楊建華, J·P·斯特羅恩, W·易, G·M·里貝羅, R·S·威廉斯 申請(qǐng)人:惠普發(fā)展公司，有限責(zé)任合伙企業(yè)