半導(dǎo)體發(fā)光元件的制作方法
【專利摘要】根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的半導(dǎo)體發(fā)光元件包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)，其配備有n型半導(dǎo)體層、p型半導(dǎo)體層和布置在它們之間的有源層；第一電極，其連接至n型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層中的一個(gè)；以及第二電極，其連接至n型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層中沒有連接第一電極的一個(gè)。第一電極配備有第一電極焊盤以及連接至第一電極焊盤的第一至第三分支電極，從而具有叉子形狀，第一電極焊盤布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的頂面的一側(cè)的中央。第二電極配備有第二電極焊盤和第三電極焊盤以及連接至第二電極焊盤和第三電極焊盤的第四至第七分支電極，第二電極焊盤和第三電極焊盤彼此分開布置在與所述一側(cè)相對(duì)的另一側(cè)的兩個(gè)角上，其中第四至第七分支電極延伸以便布置在第一至第三分支電極之間。
【專利說明】半導(dǎo)體發(fā)光元件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件，更具體地，涉及具有防止電流擁擠以增強(qiáng)電流散布特性并獲取均勻的發(fā)光特性的電極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光器件。
【背景技術(shù)】
[0002]最近，使用諸如AlGaAs、AlGaInP, AlGaInN等化合物半導(dǎo)體材料的發(fā)光二極管(LED)已被普遍使用以獲取特 定波長范圍內(nèi)的光。具體而言，由氮化物半導(dǎo)體(通常具有化學(xué)式InxAlyGa1TyN (O ^x^l,0^y^l,0^ x+y ( I))形成的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件是具有應(yīng)用至各種產(chǎn)品(如電子顯示板、照明系統(tǒng)等)的藍(lán)色、紫外和綠色波長范圍的光源。隨著半導(dǎo)體LED的應(yīng)用領(lǐng)域被擴(kuò)展，也在推進(jìn)著用于增加半導(dǎo)體LED的亮度和發(fā)光效率的成就。
[0003]氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件包括具有η型半導(dǎo)體層、P型半導(dǎo)體層和布置在它們之間的有源層的發(fā)光結(jié)構(gòu)，并且通常該發(fā)光結(jié)構(gòu)可以形成在藍(lán)寶石襯底上。藍(lán)寶石襯底是絕緣襯底，所以連接至P型半導(dǎo)體層和η型半導(dǎo)體層的兩個(gè)電極(P電極和η電極)都可以布置在該發(fā)光結(jié)構(gòu)的上表面上。在此，具有這種結(jié)構(gòu)(即，P電極和η電極都布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)的上表面上)的半導(dǎo)體發(fā)光器件在整個(gè)發(fā)光區(qū)域中具有非均勻分布的電流流動(dòng)，從而導(dǎo)致電流擁擠，使得用于發(fā)光的有效面積不是很大，從而導(dǎo)致較低的發(fā)光效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004][技術(shù)問題]
[0005]本公開的一個(gè)方面可以提供一種具有電極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其具有均勻的電流散布特性，并且確保較大的有效發(fā)光面積，以獲得較高的亮度和較高的效率。
[0006][技術(shù)方案]
[0007]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，一種半導(dǎo)體發(fā)光器件可以包括:發(fā)光結(jié)構(gòu)，其包括η型半導(dǎo)體層、P型半導(dǎo)體層和布置在所述η型半導(dǎo)體層與所述P型半導(dǎo)體層之間的有源層，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)具有由彼此相對(duì)的第一側(cè)和第二側(cè)以及彼此相對(duì)的第三側(cè)和第四側(cè)形成的矩形上表面；第一電極，其形成在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的上表面上，并且連接至所述η型半導(dǎo)體層和所述P型半導(dǎo)體層中的一個(gè)；以及第二電極，其形成在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的上表面上，并且連接至所述η型半導(dǎo)體層和所述P型半導(dǎo)體層中的另一個(gè)，其中，所述第一電極包括:第一電極焊盤，其布置在所述第一側(cè)的中央部分；第一分支電極，其從所述第一電極焊盤朝向所述第二側(cè)線性地延伸，使得所述第一分支電極平行于所述第三側(cè)；以及第二分支電極和第三分支電極，其從所述第一電極焊盤延伸，朝向所述第三側(cè)和所述第四側(cè)彎曲，并且朝向所述第二側(cè)延伸，使得所述第二分支電極和第三分支電極平行于所述第一分支電極并且布置在所述第一分支電極的兩側(cè)，并且所述第二電極包括:第二電極焊盤，其布置在所述第二側(cè)與所述第三側(cè)之間的角處；第三電極焊盤，其布置在所述第二側(cè)與所述第四側(cè)之間的角處；第四分支電極，其從所述第二電極焊盤以彎曲的方式向內(nèi)延伸，并且在所述第一分支電極與所述第二分支電極之間朝向所述第一側(cè)線性地延伸；第五分支電極，其從所述第二電極焊盤沿著所述第三側(cè)延伸，并且布置在所述第二分支電極的外側(cè)；第六分支電極，其從所述第三電極焊盤以彎曲的方式向內(nèi)延伸，并且在所述第一分支電極與所述第三分支電極之間朝向所述第一側(cè)線性地延伸；以及第七分支電極，其從所述第三電極焊盤沿著所述第四側(cè)延伸，并且布置在所述第三分支電極的外側(cè)。
[0008]可以將所述第二電極的所述第四至第七分支電極布置為與所述第一電極的所述第一至第三分支電極相互交錯(cuò)，各個(gè)分支電極之間具有實(shí)質(zhì)上相同的間隔。
[0009]可以將所述第一電極和第二電極均布置為基于所述第一分支電極是對(duì)稱的。
[0010]通過連接所述第二電極焊盤的中心與所述第二分支電極的端部而形成的線與從所述第二分支電極的端部延伸的線所呈的角度可以在40度到60度之間的范圍，并且通過連接所述第三電極焊盤的中心與所述第三分支電極的端部而形成的線與從所述第三分支電極的端部延伸的線所呈的角度可以在40度到60度之間的范圍。
[0011]可以以這樣的方式使所述第四分支電極彎曲，即，在通過連接所述第二分支電極的端部與所述第一分支電極的端部而形成的線段的中點(diǎn)處所述第四分支電極從直線變彎，并且可以以這樣的方式使所述第六分支電極彎曲，即，在通過連接所述第三分支電極的端部與所述第一分支電極的端部而形成的線段的中點(diǎn)處所述第六分支電極從直線變彎。
[0012]從所述第二電極焊盤引導(dǎo)出所述第四分支電極的部分與從所述第二電極焊盤引導(dǎo)出所述第五分支電極的部分所呈的角度可以在100度到180度之間的范圍，并且從所述第三電極焊盤引導(dǎo)出所述第六分支電極的部分與從所述第三電極焊盤引導(dǎo)出所述第七分支電極的部分所呈的角度可以在100度到180度之間的范圍。
[0013]所述第五分支電極與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)部外邊緣之間的距離可以為具有不同極性的所述第一至第七分支電極相互之間的電流散布距離的30%到50%，并且所述第七分支電極與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)部外邊緣之間的距離可以為具有不同極性的所述第一至第七分支電極相互之間的電流散布距離的30%到50%。
[0014]所述第二分支電極和第三分支電極可以分別從所述第一電極焊盤向所述第三側(cè)和第四側(cè)延伸并同時(shí)畫出曲線，發(fā)生彎曲，并且朝向所述第二側(cè)延伸。
[0015]從所述第一電極焊盤延伸的所述第二分支電極和所述第三分支電極的圓形部分可以形成基于所述第一電極焊盤的圓弧。
[0016]從所述第一電極焊盤延伸的所述第二分支電極和所述第三分支電極的圓形部分可以形成由所述第一電極焊盤連接的兩個(gè)不同的圓弧。
[0017]所述第一分支電極的端部可以朝向所述第二側(cè)延伸，使得所述第一分支電極的端部比所述第二分支電極的端部和所述第三分支電極的端部更靠近所述第二側(cè)。
[0018]所述第五分支電極和所述第七分支電極在其端部附近可以是向內(nèi)彎曲的。
[0019]所述第一電極可以是η電極，所述第二電極可以是P電極。
[0020]所述半導(dǎo)體發(fā)光器件可以是氮化物基半導(dǎo)體發(fā)光器件。
[0021][有益效果]
[0022]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，在半導(dǎo)體發(fā)光器件中，可以獲得均勻的電流散布，并且可以有效地防止局部區(qū)域中的電流擁擠。從而，可以增加有效的發(fā)光面積以提高亮度和效率?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0023]通過以下結(jié)合附圖的詳細(xì)說明，本發(fā)明的上述和其他方面、特征和其他優(yōu)點(diǎn)變得更加容易理解，其中:
[0024]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的平面圖；
[0025]圖2是示出了沿著A-A’線截取的圖1的半導(dǎo)體發(fā)光器件的截面圖；
[0026]圖3是示出了根據(jù)比較示例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的平面圖；以及
[0027]圖4是出了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的平面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]現(xiàn)在將參考附圖更加詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。
[0029]然而，本發(fā)明可以按照多種不同形式來舉例說明，并且不應(yīng)當(dāng)被看作限于在此所闡述的具體實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明是清楚且完整的，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員完整地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。
[0030]在附圖中，為了清楚起見會(huì)夸大元件的形狀和尺寸，相同的附圖標(biāo)記將始終用于表示相同或相似的元件。
[0031]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的頂視平面圖，圖2是示出了沿著A-A’線截取的圖1的半導(dǎo)體發(fā)光器件的截面圖。參考圖1和圖2，半導(dǎo)體發(fā)光器件100包括順序地形成在襯底101上的緩沖層110、n型半導(dǎo)體層120、有源層130和P型半導(dǎo)體層140,襯底101例如由藍(lán)寶石等形成。η型半導(dǎo)體層120和ρ型半導(dǎo)體層140以及布置在它們之間的有源層130形成發(fā)光結(jié)構(gòu)。可以在ρ型半導(dǎo)體層140上形成透明電極層150。在本示例性實(shí)施例中，布置了透明電極層150，但是為了針對(duì)倒裝芯片結(jié)構(gòu)來使用發(fā)光器件，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)的上表面上布置反射電極層而不是透明電極層150。發(fā)光器件100可以是氮化物基半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中(由η型半導(dǎo)體層120、有源層130和ρ型半導(dǎo)體層140組成的)發(fā)光結(jié)構(gòu)是由第III族氮化物半導(dǎo)體材料形成的，諸如GaN、AlGaN、InGaN,AlGaN 等。
[0032]在通過臺(tái)面蝕刻暴露的部分η型半導(dǎo)體區(qū)域上形成第一電極160 (在本示例性實(shí)施例中為η電極)，其電連接至η型半導(dǎo)體層120，在透明電極層150上形成第二電極170和170’(在本示例性實(shí)施例中為ρ電極)，其電連接至ρ型半導(dǎo)體層140。如圖1所示，發(fā)光結(jié)構(gòu)的上表面具有矩形形狀，并且該矩形形狀包括彼此相對(duì)的第一側(cè)60和第二側(cè)70以及彼此相對(duì)的第三側(cè)80和第四側(cè)90。
[0033]如圖1所不,第一電極160包括第一電極焊盤160a以及從第一電極焊盤160a延伸的三個(gè)分支電極160b、160c和160d。在本不例性實(shí)施例中將第一電極焊盤160a以及分支電極160b、160c和160d看作η電極元件。具體地,第一電極焊盤160a布置在第一側(cè)60的中央部分。第一分支電極160b從第一電極焊盤160a朝向第二側(cè)70線性地延伸，并且特別地平行于第三側(cè)80和第四側(cè)90。第一分支電極160b可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)的中央部分。第二分支電極160c從第一電極焊盤160a朝向第三側(cè)80延伸，并且彎曲以朝向第二側(cè)70線性地延伸，使得第二分支電極160c平行于第一分支電極160b。第三分支電極160d基于第一分支電極160b布置在第二分支電極160c的相對(duì)側(cè),并從第一電極焊盤160a朝向第四側(cè)90延伸，并且彎曲以朝向第二側(cè)70線性地延伸，使得第三分支電極160d平行于第一分支電極160b。
[0034]第二分支電極160c和第三分支電極160d布置在第一分支電極160b兩側(cè)，并且第一至第三分支電極160b、160c和160d在第一電極焊盤160a處交匯,使得第一電極160具有包括了三個(gè)分支的整體上的叉子形狀結(jié)構(gòu)。具體而言，在本示例性實(shí)施例中，第二分支電極160c和第三分支電極160d從第一電極焊盤160a以圓形的方式(即，引出曲線)分別朝向第三側(cè)80和第四側(cè)90延伸，并且彎曲以朝向第二側(cè)70線性地延伸。在此情況下，從第一電極焊盤160a延伸的第二分支電極160c和第三分支電極160d的圓形部分形成以第一電極焊盤160a為中點(diǎn)的圓弧。
[0035]如圖1所示，第二電極170和170’包括分開布置的(沒有直接連接的)第一子電極170和第二子電極170’。第二電極170和170’對(duì)應(yīng)于本示例性實(shí)施例中的ρ電極。第二電極170和170’以第一分支電極160b為中心整體上左右對(duì)稱地布置。
[0036]具有ρ電極極性的第一子電極170包括第二電極焊盤170a、第四分支電極170b和第五分支電極170c。具體地，第二電極焊盤170a布置在第二側(cè)70與第三側(cè)80之間的角中。(當(dāng)從上方觀看時(shí))第四分支電極170b從第二電極焊盤170a向內(nèi)延伸，并且彎曲以便在第一分支電極160b與第二分支電極160c之間朝向第一側(cè)60線性地延伸。具體地，第四分支電極170b的線性部分平行于第一分支電極160b和第二分支電極160c延伸。第五分支電極170c從第二電極焊盤170a沿著第三側(cè)80線性地延伸，并且布置在第一電極160的第二分支電極160c的外側(cè)上。具體地，第五分支電極170c的線性部分平行于第二分支電極160c延伸。如圖1所不，具有P電極極性的第一子電極170的兩個(gè)分支電極170b和170c布置為與第一電極160的第一分支電極160b和第二分支電極160c相互交錯(cuò)。
[0037]具有ρ電極極性的第二子電極170’與第一子電極170對(duì)稱，并且包括第三電極焊盤170a’以及從第三電極焊盤170a’延伸的第六分支電極170b’和第七分支電極170c’。具體地，具有P電極極性的第三電極焊盤170a’布置在第二側(cè)70與第四側(cè)90之間的角中。第六分支電極170b’從第三電極焊盤170a’向內(nèi)延伸，并且彎曲以便在第一分支電極160b與第三分支電極160d之間朝向第一側(cè)60線性地延伸。第七分支電極170c’從第三電極焊盤170a’沿著第四側(cè)90線性地延伸，并且布置在第三分支電極160d的外側(cè)上。具有ρ電極極性的第二子電極170’的兩個(gè)分支電極170b’和170c’布置為與具有η電極極性的第一電極160的第一分支電極160b和第三分支電極160d相互交錯(cuò)。此外，如圖2所示，可以在其上形成有第一電極160和第二電極170和170’的半導(dǎo)體發(fā)光器件的上表面上形成由諸如SiO2等的絕緣體形成的鈍化層78?？梢孕纬赦g化層78以覆蓋器件的整體，僅排除用于電連接(引線接合等)的電極焊盤160a、170a和170a’。
[0038]如圖1所示，以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)的上表面的中央部分中的第一分支電極160b為中心，左右對(duì)稱地布置第一電極160和第二電極170和170’。此外，具有ρ電極極性的第二電極170和170’的第四至第七分支電極170b、170c、170b’和170c’以基本上相等的間隔布置為與具有η電極極性的第一電極160的第一至第三分支電極160b、160c和160d相互交錯(cuò)。此外，第一電極160的分支電極160b、160c和160d與第二電極170和170’的分支電極170b、170c、170b’和170c’布置為在其相互交錯(cuò)區(qū)域(交疊區(qū)域)中是平行的。具有等間隔地相互交錯(cuò)的形式的分支電極布置呈現(xiàn)出均勻散布的電流，從而對(duì)均勻的發(fā)光特性作出貢獻(xiàn)。此外，由于第二電極焊盤170a和第三電極焊盤170a’布置在與第一電極焊盤160相對(duì)側(cè)(第二側(cè)70)的兩個(gè)角處，所以可以減少兩個(gè)電極焊盤170a和170a’中的電流擁擠。
[0039]參考圖1，通過連接第二電極焊盤170a的中心到第二分支電極160c的端部Q形成的線(請(qǐng)參考虛線)與從第二分支電極160c的端部Q延伸的線(即，從第二分支電極160c的線性部分延伸的線)(請(qǐng)參考虛線)之間的角度(Θ )可以在40度到60度之間的范圍。通過將第二電極焊盤170a布置在相對(duì)于第二分支電極160c的端部Q的上述角度范圍之內(nèi)，具有相異極性的分支電極之間的電流散布距離c與第二電極焊盤170a中的電流散布距離的變化可以顯著減低。此外，在將第二電極焊盤170a布置在上述角度范圍之內(nèi)的情況下，第四分支電極170b連接至第二電極焊盤170a的部分被設(shè)計(jì)為曲線而不是直線，從而第二電極焊盤170a與第二分支電極160c之間的電流散布距離可以保持為基本上等于各分支電極之間的電流散布距離C。其結(jié)果是，即使在第二電極焊盤及其相鄰區(qū)域中，以及在各分支電極之間的交疊區(qū)域中，仍可以確保均勻的電流散布特性。
[0040]類似地，關(guān)于第二電極焊盤170a對(duì)稱布置的第三電極焊盤170a’也布置在上述角度范圍之中的位置處。具體地，通過將第三電極焊盤170a’的中心連接到第三分支電極160d的端部形成的線(虛線)與從第三分支電極160d的端部延伸的線(虛線)之間的角度(Θ )可以在40度到60度之間的范圍。因此，可以在各分支電極之間的交疊區(qū)域中并且在第二和第三電極焊盤及其相鄰區(qū)域中整體上確保均勻的電流散布，從而增加有效的發(fā)光面積，以便提聞売度和效率。
[0041]參考圖1，在通過連接第二分支電極160c的端部Q與第一分支電極160b的端部R而形成的線段的中點(diǎn)P處，第四分支電極170b可以彎曲以從直線變彎，從而會(huì)聚到第二電極焊盤170a。類似地,在通過連接第三分支電極160d的端部與第一分支電極160b的端部而形成的線段的中點(diǎn)P處，第六分支電極170b’可以彎曲以從直線變彎，從而會(huì)聚到第三電極焊盤170a’。以此方式，通過設(shè)計(jì)彎曲的和線性的結(jié)構(gòu)，可以在第四分支電極170b和第六分支電極170b’的線性部分或彎曲部分中確保均勻的電流散布特性。
[0042]此外，參考圖1，從第二電極焊盤170a引導(dǎo)出第四分支電極170b的部分與從第二電極焊盤170a引導(dǎo)出第五分支電極170c的部分之間的角度a在100度到180度之間的范圍。通過將該角度保持為大于或等于100度，可以減小或防止連接至第二電極焊盤170a的兩個(gè)分支電極170b和170c之間的電流干擾。此外，當(dāng)該角度超過180度時(shí)，在第二電極焊盤170a與第四分支電極170b的連接部分中不能確保電流散布的均勻性。類似地，從第三電極焊盤170a’引導(dǎo)出第六分支電極170b’的部分與從第三電極焊盤170a’引導(dǎo)出第七分支電極170c’的部分之間的角度a在100度到180度之間的范圍。
[0043]此外，參考圖1，第五分支電極170c和與之相鄰的發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)部外邊緣之間的距離b可以處在具有不同極性的相互相鄰的第一至第七分支電極之間的電流散布距離c的30%到50%之間的范圍。類似地，第七分支電極170c’和與之相鄰的發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)部外邊緣之間的距離b可以處在具有不同極性的相互相鄰的第一至第七分支電極之間的電流散布距離c的30%到50%之間的范圍。以此方式，由于將距離b保持為在各個(gè)分支電極之間的電流散布距離c的30%到50%的范圍之內(nèi)，因此可以適當(dāng)?shù)卮_保芯片的外邊緣和與之相鄰的分支電極之間的電流密度，并且可以有效地利用發(fā)光器件的外邊緣(芯片的外邊緣)和與之相鄰的分支電極之間的面積，從而進(jìn)一步提高照明效率。[0044]圖3是示出了根據(jù)比較示例的發(fā)光器件的電極結(jié)構(gòu)的平面圖。在圖3的發(fā)光器件中，類似于前述實(shí)施例，形成在透明電極層15上并且連接至ρ型半導(dǎo)體層的ρ電極包括第一電極焊盤16a以及第一至第三分支電極16b、16c和16d。連接至η型半導(dǎo)體層12的η電極包括第二電極焊盤17a和第三電極焊盤17a’以及第四至第七分支電極17b、17c、17b’和17c’。然而，與前述實(shí)施例不同的是，第二電極焊盤17a和第三電極焊盤17a’布置在第三側(cè)和第四側(cè)，而不是第二側(cè)的兩個(gè)角中。因此，在第二電極焊盤17a和第三電極焊盤17a’中的電流散布距離K相對(duì)于其他區(qū)域中的電流散布距離L是非常短的，從而在第二電極焊盤17a和第三電極焊盤17a’附近導(dǎo)致了明顯的電流擁擠現(xiàn)象。此外，沒有將第五分支電極17c和與之相鄰的芯片的外邊緣(臺(tái)面的外邊緣)之間的區(qū)域以及第七分支電極17c’和與之相鄰的芯片的外邊緣之間的區(qū)域有效地利用為發(fā)光面積。
[0045]圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的平面圖。在圖4的示例性實(shí)施例中，類似于前述示例性實(shí)施例(請(qǐng)參見圖1)，角度(Θ )在40度到60度之間的范圍。角度a可以在100度到180度之間的范圍。此外，距離b在各分支電極之間的電流散布距離c的30%到50%之間的范圍。整體電極結(jié)構(gòu)可以基于第一分支電極160b左右對(duì)稱。
[0046]在圖4的示例性實(shí)施例中，從第一電極焊盤160a延伸并同時(shí)畫出曲線的第二分支電極160c和第三分支電極160d形成了由第一電極焊盤160a連接的兩個(gè)不同的圓弧。具體而言，這種電極結(jié)構(gòu)在第一電極焊盤160a中呈現(xiàn)出均勻的電流散布距離。
[0047]在圖1和圖4的示例性實(shí)施例中，第一分支電極160b的端部R朝向第二側(cè)70延伸，使得第一分支電極160b的端部R比第二分支電極的端部Q和第三分支電極的端部更靠近第二側(cè)70。這可以有利于確保較大的有效發(fā)光面積。此外，如圖1和圖4所示，第五分支電極170c和第七分支電極170c’在其端部附近是向內(nèi)彎曲的，從而獲得了在各分支電極170c和170c’的端部中呈現(xiàn)的電流散布特性更加均勻的優(yōu)點(diǎn)。
[0048]在上述示例性實(shí)施例中，第一電極160是η電極，第二電極170和170’是ρ電極，但是第一電極160和第二電極170和170’的極性可以互換。在第一電極160是ρ電極并且第二電極170和170’是η電極的情況下，第一電極160可以在ρ型半導(dǎo)體層上電連接至P型半導(dǎo)體層，并且第二電極170和170’可以在η型半導(dǎo)體層上電連接至由于臺(tái)面蝕刻而暴露的η型半導(dǎo)體層。
[0049]雖然上述已經(jīng)示出并描述了示例性實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員清楚的是，在不背離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行修改和變化。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件,包括: 發(fā)光結(jié)構(gòu)，其包括η型半導(dǎo)體層、P型半導(dǎo)體層和布置在所述η型半導(dǎo)體層與所述P型半導(dǎo)體層之間的有源層，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)具有由彼此相對(duì)的第一側(cè)和第二側(cè)以及彼此相對(duì)的第三側(cè)和第四側(cè)形成的矩形上表面； 第一電極，其形成在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的上表面上，并且連接至所述η型半導(dǎo)體層和所述P型半導(dǎo)體層中的一個(gè)；以及 第二電極，其形成在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的上表面上，并且連接至所述η型半導(dǎo)體層和所述P型半導(dǎo)體層中的另一個(gè)， 其中，所述第一電極包括: 第一電極焊盤，其布置在所述第一側(cè)的中央部分； 第一分支電極，其從所述第一電極焊盤朝向所述第二側(cè)線性地延伸，使得所述第一分支電極平行于所述第三側(cè)；以及 第二分支電極和第三分支電極，其從所述第一電極焊盤延伸，朝向所述第三側(cè)和所述第四側(cè)彎曲，并且朝向所述第二側(cè)延伸，使得所述第二分支電極和第三分支電極平行于所述第一分支電極并且布置在所述第一分支電極的兩側(cè)，并且所述第二電極包括: 第二電極焊盤，其布置在所述 第二側(cè)與所述第三側(cè)之間的角處； 第三電極焊盤，其布置在所述第二側(cè)與所述第四側(cè)之間的角處； 第四分支電極，其從所述第二電極焊盤以彎曲的方式向內(nèi)延伸，并且在所述第一分支電極與所述第二分支電極之間朝向所述第一側(cè)線性地延伸； 第五分支電極，其從所述第二電極焊盤沿著所述第三側(cè)延伸，并且布置在所述第二分支電極的外側(cè)； 第六分支電極，其從所述第三電極焊盤以彎曲的方式向內(nèi)延伸，并且在所述第一分支電極與所述第三分支電極之間朝向所述第一側(cè)線性地延伸；以及 第七分支電極，其從所述第三電極焊盤沿著所述第四側(cè)延伸，并且布置在所述第三分支電極的外側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，將所述第二電極的所述第四至第七分支電極布置為與所述第一電極的所述第一至第三分支電極相互交錯(cuò)，各個(gè)分支電極之間具有實(shí)質(zhì)上相同的間隔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，將所述第一電極和第二電極均布置為基于所述第一分支電極是對(duì)稱的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，通過連接所述第二電極焊盤的中心與所述第二分支電極的端部而形成的線與從所述第二分支電極的端部延伸的線所呈的角度在40度到60度之間的范圍，并且 通過連接所述第三電極焊盤的中心與所述第三分支電極的端部而形成的線與從所述第三分支電極的端部延伸的線所呈的角度在40度到60度之間的范圍。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，以這樣的方式使所述第四分支電極彎曲，即，在通過連接所述第二分支電極的端部與所述第一分支電極的端部而形成的線段的中點(diǎn)處所述第四分支電極從直線變彎，并且以這樣的方式使所述第六分支電極彎曲，即，在通過連接所述第三分支電極的端部與所述第一分支電極的端部而形成的線段的中點(diǎn)處所述第六分支電極從直線變彎。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，從所述第二電極焊盤引導(dǎo)出所述第四分支電極的部分與從所述第二電極焊盤引導(dǎo)出所述第五分支電極的部分所呈的角度在100度到180度之間的范圍，并且 從所述第三電極焊盤引導(dǎo)出所述第六分支電極的部分與從所述第三電極焊盤引導(dǎo)出所述第七分支電極的部分所呈的角度在100度到180度之間的范圍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第五分支電極與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)部外邊緣之間的距離為具有不同極性的所述第一至第七分支電極相互之間的電流散布距離的30%到50%，并且 所述第七分支電極與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)部外邊緣之間的距離為具有不同極性的所述第一至第七分支電極相互之間的電流散布距離的30%到50%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第二分支電極和第三分支電極在分別從所述第一電極焊盤向所述第三側(cè)和第四側(cè)延伸的同時(shí)畫出曲線，發(fā)生彎曲，并且朝向所述第二側(cè)延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，從所述第一電極焊盤延伸的所述第二分支電極和所述第三分支電極的圓形部分形成基于所述第一電極焊盤的圓弧。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，從所述第一電極焊盤延伸的所述第二分支電極和所述第三分支電極的圓形部分形成由所述第一電極焊盤連接的兩個(gè)不同的圓弧。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第一分支電極的端部朝向所述第二側(cè)延伸，使得所述第一分支電極的端部比所述第二分支電極的端部和所述第三分支電極的端部更靠近所述第二側(cè)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第五分支電極和所述第七分支電極在其端部附近是向內(nèi)彎曲的。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第一電極是η電極，所述第二電極是P電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述半導(dǎo)體發(fā)光器件是氮化物基半導(dǎo)體發(fā)光器件。
【文檔編號(hào)】H01L33/36GK103765614SQ201180073034
【公開日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2011年8月1日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月1日
【發(fā)明者】金載潤, 黃碩珉, 李守烈, 蔡昇完, 韓在鎬, 李進(jìn)馥 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社