線內處理系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本實用新型的實施例涉及一種線內處理系統(tǒng)。向硅基板涂覆摻雜劑材料。之后使用激光來驅使來自摻雜劑材料的摻雜劑原子深入基板，從而形成高度摻雜的區(qū)域。隨后對基板進行熱處理，以在基板的剩余場區(qū)形成輕摻雜發(fā)射極區(qū)與淺p-n結。之后將導電觸點沉積在高摻雜區(qū)上。所得場區(qū)具有高阻抗發(fā)射極區(qū)，所述高阻抗發(fā)射極區(qū)可吸收最少的光，使得有增量的光到達p-n結以轉化成為電流。所得太陽能電池的高摻雜區(qū)具有非常低的電阻，以在發(fā)射極區(qū)與導電觸點之間提供高傳導路徑。
【專利說明】線內處理系統(tǒng)
[0001]實用新型背景【技術領域】
[0002]本實用新型的實施例大致涉及一種用于形成選擇性發(fā)射極太陽能電池(selective emitter solar cell)的系統(tǒng)與工藝。
【背景技術】
[0003]太陽能電池是將太陽光轉變成為電功率的光伏(PV)裝置。典型的太陽能電池包括厚度小于約0.3mm、且內部形成有一個或多個p-n結的硅基板(或晶圓)，每一個p-η結具有一個P型區(qū)和一個η型區(qū)。當p-n結曝露于太陽光時，太陽光經(jīng)由PV效應而被轉變成電。太陽能電池產生特定量的電功率，并且被鋪排成大小可傳送所需系統(tǒng)功率量的模塊。
[0004]圖1A和圖1B示意性地描繪制造在硅基板11上的太陽能電池10?；?1包括p型基區(qū)21、n型發(fā)射極區(qū)22、以及位于前二者之間的p-n結23。η型發(fā)射極區(qū)22藉由將某些類型的元素(如磷(P)、砷(As)、或銻(Sb))摻雜于基板11所形成，以增加負電荷載流子(即電子)的數(shù)量。同樣地，P型基區(qū)21藉由將三價摻雜劑原子加入晶格中而形成，使得硅晶格正常的四個共價鍵中的一個少了一個電子。摻雜劑原子接受一個電子，導致鄰近的原子少了半個鍵，結果形成了“空穴”。
[0005]當太陽能電池10曝露于光時，來自入射光子的能量在p-n結區(qū)23的兩側產生電子-空穴對。電子和空穴以相反方向擴散，從而在η型發(fā)射極區(qū)22產生負電荷，并在P型基區(qū)21產生對應的正電荷。當在η型發(fā)射極區(qū)22和P型基區(qū)21之間制作了電路時，由于P-n結曝露于某種波長的光，因此電流流動。產生的電流流經(jīng)位于太陽能電池10前側18(8卩，光接收側)的導電觸點(或指狀物)14、以及背側19上的背面觸點25。指狀物14將電流供應給較大的總線條15。太陽能電池10通常覆蓋有一層薄的介電材料作為抗反射涂層16，以使從太陽能電池10的頂表面50反射的光減到最少。
[0006]為加強與太陽能電池10的接觸，將指狀物14放置在形成于基板表面內的重摻雜區(qū)17上，以使指狀物14與η型發(fā)射極區(qū)22的接觸能有低阻抗。由于重摻雜區(qū)17的電性質，重摻雜區(qū)17有阻隔或使可穿過重摻雜區(qū)17的光量最少化的傾向。因此，期望將重摻雜區(qū)17的尺寸最小化，同時確保這些區(qū)大到足以在這些區(qū)上可靠地形成指狀物14。
[0007]可使用各種圖案化技術在基板表面上形成重摻雜區(qū)17，以產生較重的摻雜區(qū)。形成重摻雜區(qū)17的一個實例包括使用批處理系統(tǒng)來使氮氣冒泡經(jīng)過液體三氯氧化磷(POCl3)源，這些液體三氯氧化磷源被注入封閉的石英火爐，所述石英火爐內裝載有分批型石英舟，這些石英舟包含基板，這些基板有被掩模的區(qū)域。然而，這種批處理需要大量的基板傳送與處理步驟，這些步驟導致基板毀壞或破損的機會增加。形成重摻雜區(qū)17的另一個實例包括使用線內系統(tǒng)來將磷硅酸鹽玻璃化合物涂覆至基板表面上，并進行擴散退火，以驅使摻雜劑原子進入基板內。之后將基板離線以驅使摻雜劑原子深入硅內，從而形成重摻雜區(qū)。然而，將基板從線內系統(tǒng)移出來以進行激光工藝也需要額外的處理步驟，此導致基板毀壞或破損的機會增加。另外，激光處理針對已經(jīng)擴散進入基板的原子進行，這會導致在重摻雜區(qū)中的低效且低質量的擴散。
[0008]因此，需要用于形成選擇性發(fā)射極太陽能電池的改善的設備與工藝。
實用新型內容
[0009]在一個實施例中，一種形成太陽能電池的方法包括:將摻雜劑材料層涂覆(apply)到基板上；在所述摻雜劑材料層上激光掃描圖案，以使摻雜劑原子擴散進入所述基板內，從而在所述基板內產生重摻雜區(qū)圖案；以及在激光掃描所述圖案之后，對所述基板進行熱處理，以在所述基板內形成發(fā)射極場區(qū)。
[0010]在另一個實施例中，一種形成太陽能電池的方法包含:在硅基板的一個或多個表面上涂覆摻雜劑材料層；在所述摻雜劑材料層上激光掃描圖案，以使摻雜劑原子擴散進入所述基板內，從而在所述基板內產生重摻雜區(qū)圖案；在激光掃描所述圖案之后，對所述基板進行熱處理，以在所述基板內形成發(fā)射極場區(qū)；以及將一個或多個導電觸點沉積到所述重摻雜區(qū)上。所述重摻雜區(qū)具有小于約50歐姆/平方的薄層電阻。
[0011]在又一個實施例中，一種用于形成太陽能電池的線內系統(tǒng)包含:摻雜模塊，裝配所述摻雜模塊以將摻雜劑材料層涂覆至基板的一個或多個表面；激光掃描模塊，將所述激光掃描模塊放置在所述摻雜模塊的下游，并且所述激光掃描模塊具有激光，裝配所述激光以將圖案掃描在所述摻雜劑材料上，從而使原子擴散進入所述基板，以在所述基板內產生重摻雜區(qū)圖案；以及熱處理模塊，將所述熱處理模塊放置在所述激光掃描模塊的下游，并裝配所述熱處理模塊以使所述基板加熱至大于800攝氏度，從而在所述基板內形成發(fā)射極場區(qū)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]為詳細了解本實用新型的上述特征，可參照實施例對以上簡單概述的本實用新型作更特定的描述，一些實施例在附圖中示出。然而，應注意，附圖只示出本實用新型的典型實施例，并且因而不應被視為是對本實用新型范圍作限制，因為本實用新型可認可其它等效的實施例。
[0013]圖1A為現(xiàn)有選擇性發(fā)射極太陽能電池的立體圖。
[0014]圖1B為圖1A所圖示的現(xiàn)有太陽能電池沿著線B-B所作的截面?zhèn)纫晥D。
[0015]圖2A為依據(jù)一個實施例的線內處理系統(tǒng)的平面示意圖。
[0016]圖2B為依據(jù)另一實施例的線內處理系統(tǒng)的截面示意圖。
[0017]圖3A-3G為太陽能電池基板在處理順序的不同階段的截面示意圖，所述處理順序用于使用依據(jù)一個實施例的線內系統(tǒng)來形成選擇性發(fā)射極太陽能電池。
[0018]圖4A為用以在依據(jù)一個實施例的線內系統(tǒng)中形成選擇性發(fā)射極太陽能電池的處理順序的方塊圖。
[0019]圖4B為用以在依據(jù)另一個實施例的線內系統(tǒng)中形成選擇性發(fā)射極太陽能電池的處理順序的方塊圖。
【具體實施方式】[0020]本實用新型各實施例涉及一種用于形成選擇性發(fā)射極太陽能電池的線內系統(tǒng)與工藝。在一個實施例中，將液體摻雜劑材料涂覆至硅基板，并使所述液體摻雜劑材料干燥至至少半固體狀態(tài)。在另一個實施例中，使用化學氣相沉積工藝將摻雜劑材料沉積在硅基板上。之后使用激光來熱激發(fā)基板的某些區(qū)域，以驅使來自摻雜劑材料的摻雜劑原子深入基板內，從而形成高摻雜區(qū)。隨后對所述基板進行熱處理，以在基板的剩余場區(qū)內形成輕摻雜發(fā)射極區(qū)與淺P-n結。然后將導電觸點沉積在高摻雜區(qū)上。所得太陽能電池的場區(qū)具有吸收最少光的高度阻抗發(fā)射極區(qū)，使得增量的光到達P-n結以轉化成電流。所得太陽能電池的高摻雜區(qū)具有非常低的電阻，以在發(fā)射極區(qū)與導電觸點之間提供高傳導路徑。
[0021]圖2A為依據(jù)一個實施例的線內處理系統(tǒng)200A的平面示意圖。線內處理系統(tǒng)200A包括第一清潔室210、摻雜劑涂覆(application)室220、干燥室230、激光摻雜室240、熱處理室250、第二清潔室260、沉積室270、金屬形成室280、以及系統(tǒng)控制器290。
[0022]圖2B為依據(jù)另一實施例的線內處理系統(tǒng)200B的截面示意圖。線內處理系統(tǒng)200B大體上與處理系統(tǒng)200A相同，兩者不同之處在于以沉積室225取代摻雜劑涂覆室220與干燥室230。
[0023]在處理系統(tǒng)200A和200B中，基板101由一個或多個輸送機構205支撐并傳送經(jīng)過線內處理系統(tǒng)200A、200B。輸送機構205可包括由致動器(如一個或多個馬達)驅動的多個輸送帶。
[0024]系統(tǒng)控制器290便于系統(tǒng)200A、200B整體的控制與自動化，且可包括中央處理單元(CPU)(未圖標)、存儲器(未圖標)、以及支持電路(未圖標)。CPU可以是任何形式的計算機處理器中的一種，這些計算機處理器在工業(yè)設定中用以控制各種腔室工藝與硬件(如輸送器、馬達、流體輸送硬件、激光硬件、熱處理硬件、清潔硬件)并且監(jiān)控系統(tǒng)與腔室工藝(如基板定位、處理時間)。存儲器與CPU連接，并且所述存儲器可以是一個或多個容易買到的存儲器，例如隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、軟盤、硬盤、或者任何其它形式的本地或遠程的數(shù)字儲存器?？蓪浖噶钆c數(shù)據(jù)編碼并儲存在存儲器內，以指令CPU。支持電路也與CPU連接，用以以傳統(tǒng)方式支持處理器。支持電路可包括高速緩存、電源、時鐘電路、輸入/輸出電路、以及類似物。系統(tǒng)控制器290可讀的程序(或計算機指令)決定可對基板101進行哪些任務。優(yōu)選的是，程序是系統(tǒng)控制器290可讀的軟件，此軟件包括用以產生并至少儲存基板定位信息、各種受控組件的移動順序、激光處理信息、熱處理信息、以及以上任意組合的代碼。
[0025]圖3A-3G為太陽能電池基板101在處理順序的不同階段的截面示意圖，此處理順序用于使用線內系統(tǒng)200A或200B來形成太陽能電池300。圖4A為說明處理順序400A的方塊圖，處理順序400A用以使用系統(tǒng)200A形成太陽能電池300。
[0026]在方塊402且如圖2A、圖3A及圖4A所示，首先可在第一清潔室210中清潔基板101的表面，以移除任何不要的材料或粗糙物。可使用濕法清潔工藝清潔基板101，在濕法清潔工藝中用清潔溶液噴灑基板101。清潔溶液可以是傳統(tǒng)的SCl清潔溶液、SC2清潔溶液、HF維持型清潔溶液、臭氧水清潔溶液、氫氟酸(HF)以及過氧化氫(H2O2)溶液、或者其它適合的清潔溶液。可對基板101進行介于約5秒至約600秒之間的清潔工藝，例如約120秒?；蛘?，清潔工藝可包括二步驟的工藝，在所述二步驟的工藝中，首先對基板101進行切割損傷移除步驟，然后進行第二清潔步驟。切割損傷移除步驟可包括將基板101曝露于具有氫氧化鉀(KOH)的水溶液中,將具有氫氧化鉀的水溶液維持在約70攝氏度。
[0027]在方塊404，在摻雜劑涂覆室220內將摻雜劑材料310涂覆至基板101的一個或多個表面上。可將摻雜劑材料310涂覆至基板101的一側或兩側。圖2B繪示只將摻雜劑材料涂覆至基板101的上表面302。在一個實施例中，基板101是P型基板，而摻雜劑材料310是η型摻雜劑材料，例如磷基酸(HPOx)(如H3P04、H3PO3、H3PO2)。在另一個實施例中，基板101是η型基板，而摻雜劑材料310是P型摻雜劑材料，例如硼酸(H3BO3)。在任一個實施例中，摻雜劑材料310為可使用一個或多個噴嘴噴灑或者使用一個或多個海綿滾輪或類似物滾動的液體材料。
[0028]在方塊406，在干燥室230內處理基板101。在干燥室230中，以介于約50攝氏度至約350攝氏度之間的溫度處理基板101，以將摻雜劑材料310干燥成均勻且更固體的狀態(tài)。將干燥室230的溫度控制為足夠高，以使摻雜劑材料310至少干燥成“發(fā)黏的”狀態(tài)，但是溫度也要足夠低，以使摻雜劑材料中的摻雜劑原子不會擴散進入硅基板101。
[0029]在方塊408，如圖3C和圖4Α所圖標，使用激光摻雜室240內的掃描激光315在基板101內形成重摻雜區(qū)317。在一個實施例中，掃描激光315在干燥的摻雜劑材料310上熱激發(fā)出格子圖案。由掃描激光315所激發(fā)的格子圖案包括約6%至10%的摻雜劑材料310的總表面區(qū)域(從而也是基板表面302的總表面區(qū)域)。在激光激發(fā)摻雜劑材料310與基板101表面的區(qū)域中，在摻雜劑材料310中的摻雜劑原子被快速深驅進入硅基板101。結果產生格子圖案的重摻雜區(qū)317，所述重摻雜區(qū)317具有非常低的薄層電阻(Rs)。在一個實施例中，重摻雜區(qū)317具有大于約IO18原子/ cm3的摻雜程度。重摻雜區(qū)317的薄層電阻通常小于約每平方50歐姆(Ω / □)。在一個實例中，重摻雜區(qū)317的薄層電阻介于約10 Ω / □至約30Ω / □之間。因此，重摻雜區(qū)317提供了介于隨后在基板101中形成的P-n結與隨后在重摻雜區(qū)317上形成的導電觸點之間的極低阻抗路徑。在一個實例中，掃描激光315也熱激發(fā)基板101的一個或多個區(qū)域，以在所述一個或多個區(qū)域上產生基準標記，以供在用于將導電觸點沉積在基板101的重摻雜區(qū)317上的后續(xù)對準中使用。
[0030]掃描激光315可以是能夠提供足夠功率來加熱摻雜劑材料310與基板101而不會損害基板101的任何激光。可完成此目標的激光的一些實例為摻雜釹的YAG激光、摻雜釹的YBO4固態(tài)激光、或摻雜Yb的玻璃纖維激光，這些激光可在脈沖模式中以所需的光束參數(shù)操作。
[0031]在方塊410，如圖3D和圖4A所圖示，在熱處理室250中將基板101加熱至大于約800攝氏度的溫度。在一個實例中，在氮氣(N2)、氧氣(O2)、氫氣(H2)、空氣、或以上的組合存在時，將基板101加熱至介于約800攝氏度至約1300攝氏度之間的溫度，持續(xù)約I分鐘至約120分鐘。在快速熱退火(RTA)室中，在富含氮氣(N2)的環(huán)境中可將基板101加熱至溫度約1000攝氏度持續(xù)約5分鐘?？杀恍薷膩硗瓿蔁崽幚聿襟E的線內系統(tǒng)的一個實例是由加利福尼亞州圣克拉拉市的應用材料公司所制造的ATON系統(tǒng)。熱處理基板101致使在摻雜劑材料310未擴散區(qū)中的摻雜原子擴散進入基板101的表面，從而在前述基板101表面的未擴散區(qū)或場區(qū)330中形成輕摻雜發(fā)射極區(qū)322與淺p-n結323。在一個實例中，場區(qū)330包括介于約90%至約94%之間的基板101的表面區(qū)域。在熱處理室250中的擴散之后，基板101的場區(qū)330具有大于約50 Ω / □的薄層電阻，例如介于約50 Ω / □至約100 Ω / 口。因此，在熱處理室250中的擴散之后，基板101具有格子圖案的重摻雜區(qū)317與場區(qū)330，重摻雜區(qū)317的薄層電阻非常低，且場區(qū)330含有高阻抗發(fā)射極區(qū)322。高阻抗發(fā)射極區(qū)322吸收最少量的光，使得最大量的光穿透p-n結323。同時，低阻抗的重摻雜區(qū)317提供低阻抗接觸區(qū)域，用于后續(xù)沉積的導電觸點。
[0032]在方塊412，在方塊410進行的工藝完成之后，在第二清潔室260中對基板101進行選擇性的清潔工藝，以移除任何不需要的殘余物和/或在基板101上形成鈍化表面。在一個實例中，可以用清潔溶液潤濕基板101的表面來進行清潔工藝?？梢杂们鍧嵢芤?如SCl清潔溶液、SC2清潔溶液、HF維持型清潔溶液、臭氧水溶液、氫氟酸(HF)與過氧化氫(H2O2)溶液、或其它適合的清潔溶液)來潤濕基板進行清潔工藝?？蓪?01進行清潔工藝，時間介于約5秒至約600秒，如約30秒至約240秒。
[0033]在方塊414，如圖3E和圖4A所圖示，在沉積室270中將抗反射層316形成在基板101的表面302上。例如，抗反射層316可以是薄的鈍化/抗反射層，諸如氧化硅或氮化硅。在一個實例中，抗反射層316也可包括透明導電氧化物(TCO)層。可以使用物理氣相沉積(PVD)工藝或化學氣相沉積(CVD)工藝在沉積室270中沉積抗反射層316。
[0034]在方塊416，如圖3F和圖4A所圖示，選擇性地蝕刻抗反射層316的各部分，以露出重摻雜區(qū)317的區(qū)361，使得后續(xù)沉積的導電觸點可與重摻雜區(qū)317緊密接觸。因此，蝕刻出的圖案與用以形成重摻雜區(qū)317的圖案相符。可用于圖案化抗反射層316的典型蝕刻工藝可包括圖案化與干法蝕刻技術、激光消融技術、圖案化與濕法蝕刻技術、或其它類似的工藝。
[0035]在方塊418，如圖3G和圖4A所圖示，在沉積室270中將導電觸點314沉積在基板101上的重摻雜區(qū)317上的圖案中。導電觸點314可介于約500埃至約50000埃厚，約10 μ m至約200 μ m寬，并含有金屬，如鋁(Al)、銀(Ag) ,? (Sn)、鈷(Co)、錸(Rh)、鎳(Ni)、鋅(Zn)、鉛(Pb)、鈀(Pd)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、釩(V)、鎢(W)、或鉻(Cr)。在一個實例中，導電觸點314是含有銀或 錫的金屬膏，并且使用網(wǎng)印工藝將導電觸點314沉積成與用來形成重摻雜區(qū)317的圖案相符的圖案，所述網(wǎng)印工藝是藉由可從加利福尼亞州圣克拉拉市的應用材料公司的Baccini S.p.A部門購得的Softline?工具來進行。
[0036]在方塊416，將熱傳送至導電觸點314，以使導電觸點314中的金屬與重摻雜區(qū)317形成電連接。可在沉積室270中的加熱爐內進行熱處理。
[0037]圖4B為說明工藝順序400B的方塊圖，工藝順序400B用以使用系統(tǒng)200B形成太陽能電池300。一般來說，以上結合圖4A所述的工藝與工藝順序400B中的相同，兩者不同之處在于如以下所述方塊405中的沉積工藝取代工藝順序400A的方塊404與406。
[0038]在進行與方塊402相關的清潔工藝之后，在圖2B所圖示的沉積室225中使用沉積工藝(例如等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)工藝)，將摻雜劑材料310沉積在基板101上。在方塊405中，將前驅物的混合物(包括一種或多種含硅前驅物與一種或多種摻雜劑前驅物)傳送至沉積室225中。在一個實例中，含硅前驅物可包括硅烷(SiH4)、乙硅烷(Si2H6)、四氟化硅(SiF4)、或者用于將一層非晶硅沉積至基板101上的其它含硅化合物。在一個實例中，以約IOsccm或更高的流速傳送含娃化合物,所述流速例如介于約50sccm至約500sccmo
[0039]在一個實施例中，基板101為P型硅基板，而摻雜劑前驅物為η型前驅物。η型前驅物可以是含磷化合物，如磷化氫(PH3)。可以約30sccm或更高的流速傳送在氫氣中濃度為0.5%的含磷化合物,所述流速例如介于約150sccm至約1500sccm。結果,沉積在基板101上的摻雜劑材料310為η型摻雜劑材料包層。
[0040]在另一個實施例中，基板101為η型硅基板，而摻雜劑前驅物為P型前驅物。P型前驅物可以是含硼化合物。結果，沉積在基板101上的摻雜劑材料310為P型摻雜劑材料包層。
[0041]圖4Β的方塊408-418中的剩余工藝與在圖4Α中所描繪與敘述的剩余工藝大體上相同。
[0042]因此，本文所述的實施例涉及用于形成選擇性發(fā)射極太陽能電池的線內系統(tǒng)與工藝。在一個實施例中，將液體摻雜劑材料涂覆至硅基板，并將所述液體摻雜劑材料至少干燥至半固體狀態(tài)。在另一個實施例中，使用化學氣相沉積工藝將摻雜劑材料沉積在硅基板上。隨后使用激光來熱激發(fā)基板的多個區(qū)域，以驅使來自摻雜劑材料的摻雜劑原子深入基板，從而形成高摻雜區(qū)。之后對基板做熱處理，以在基板的剩余場區(qū)中形成輕摻雜發(fā)射極區(qū)與淺P-n結。然后將導電觸點沉積在高摻雜區(qū)上。所得太陽能電池的場區(qū)具有高阻抗發(fā)射極區(qū)，所述高阻抗發(fā)射極區(qū)吸收最少的光，使得增量的光到達P-n結，從而轉化成電流。所得太陽能電池的高摻雜區(qū)具有非常低的電阻，以在發(fā)射極區(qū)與導電觸點之間提供高傳導路徑。
[0043]本文所述的實施例具有優(yōu)于現(xiàn)有系統(tǒng)與工藝的多個優(yōu)點。作為一個實例，本實用新型的線內系統(tǒng)提供與現(xiàn)有分批系統(tǒng)相比有最少操作的生產工藝，而現(xiàn)有分批系統(tǒng)需要選取、放置及緩沖基板。因此，本實用新型的系統(tǒng)與工藝與現(xiàn)有批處理系統(tǒng)相比，顯著地降低了基板毀壞或破損的機會。作為另一個實例，本實用新型的線內系統(tǒng)提供了在任何擴散摻雜劑原子進入硅基板材料之前即形成高摻雜區(qū)。相反，現(xiàn)有系統(tǒng)首先使摻雜劑材料擴散進入基板，以產生P-n結，之后才驅使已經(jīng)擴散的原子深入基板以形成高摻雜區(qū)。相信，如在本實用新型中使用未經(jīng)加工處理且未擴散的摻雜劑源，產生比現(xiàn)有系統(tǒng)可達成的較好的擴散質量與最終的較低阻抗的高摻雜區(qū)，從而得到與導電觸點的較好的導電接觸。
[0044]雖然上述內容涉及本實用新型的實施例，但在不偏離本實用新型的基本范圍的情況下，可設計出本實用新型的其它與進一步的實施例，且本實用新型的范圍由以下權利要求所決定。
【權利要求】
1.一種線內處理系統(tǒng)，其特征在于，所述線內處理系統(tǒng)包含: 摻雜模塊，所述摻雜模塊被裝配成將摻雜劑材料層涂覆至基板的一個或多個表面； 激光掃描模塊，將所述激光掃描模塊放置在所述摻雜模塊的下游，并且所述激光掃描模塊具有激光，所述激光被裝配成將圖案掃描在所述摻雜劑材料上，從而使原子擴散進入所述基板，以在所述基板內產生重摻雜區(qū)圖案；以及 熱處理模塊，將所述熱處理模塊放置在所述激光掃描模塊的下游，所述熱處理模塊被裝配成使所述基板加熱至大于800攝氏度，從而在所述基板內形成發(fā)射極場區(qū)。
2.如權利要求1所述的線內處理系統(tǒng)，其特征在于，所述摻雜模塊被裝配成向所述基板涂覆液體摻雜劑。
3.如權利要求2所述的線內處理系統(tǒng)，其特征在于，所述線內處理系統(tǒng)進一步包含干燥模塊，所述干燥模塊位于所述摻雜模塊的下游，所述干燥模塊被裝配成干燥所述液體摻雜劑。
4.如權利要求1所述的線內處理系統(tǒng)，其特征在于，所述摻雜模塊為化學氣相沉積模塊，所述化學氣相沉積模塊被裝配成向所述基板涂覆摻雜劑包層。
5.如權利要求1所述的線內處理系統(tǒng)，其特征在于，所述摻雜模塊被裝配成用于涂覆所述摻雜劑，包含將液體摻雜劑涂覆至所述基板的至少一個表面。
6.如權利要求3所述的線內處理系統(tǒng)，其特征在于，所述干燥模塊被裝配成使所述摻雜劑在介于50攝氏度至350攝氏度之間的溫度下干燥。
7.如權利要求1所述的線內處理系統(tǒng)，其特征在于，所述摻雜模塊被裝配成將摻雜劑材料包層沉積在所述基板的一個或多個表面上。
8.如權利要求1所述的線內處理系統(tǒng)，其特征在于，所述重摻雜區(qū)的圖案包含介于6%至10%的所述基板表面。
9.如權利要求8所述的線內處理系統(tǒng)，其特征在于，所述重摻雜區(qū)具有介于10歐姆/平方至30歐姆/平方的薄層電阻。
10.如權利要求9所述的線內處理系統(tǒng)，其特征在于，所述發(fā)射極場區(qū)具有介于50歐姆/平方至100歐姆/平方的薄層電阻。
11.如權利要求1所述的線內處理系統(tǒng)，其特征在于，所述熱處理模塊被裝配成在800攝氏度至1300攝氏度之間的溫度下加熱所述基板。
12.如權利要求1所述的線內處理系統(tǒng)，其特征在于: 所述摻雜模塊被裝配成在硅基板的一個或多個表面上涂覆摻雜劑材料層； 其中所述激光掃描模塊被裝配成產生重摻雜區(qū)的圖案，所述重摻雜區(qū)具有小于50歐姆/平方的薄層電阻；以及 其中所述線內處理系統(tǒng)進一步被裝配成將一個或多個導電觸點沉積到所述重摻雜區(qū)上。
13.如權利要求12所述的線內處理系統(tǒng)，其特征在于，所述摻雜模塊被裝配成沉積摻雜劑包層。
【文檔編號】H01L21/67GK203631496SQ201190000982
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2011年10月17日 優(yōu)先權日:2011年1月10日
【發(fā)明者】M·P·斯圖爾特 申請人:應用材料公司