專利名稱：立式擴(kuò)散爐電器控制系統(tǒng)及控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種立式擴(kuò)散爐電器控制系統(tǒng)及控制方法。
背景技術(shù)：
由于集成電路行業(yè)的飛速發(fā)展，12寸硅片的集成電路生產(chǎn)線成為市場(chǎng)發(fā)展的主流，因此帶動(dòng)國(guó)內(nèi)集成電路設(shè)備行業(yè)的發(fā)展，8寸硅片的及以下的設(shè)備無(wú)法滿足生產(chǎn)線的需求，研制12寸硅片的半導(dǎo)體設(shè)備勢(shì)在必行。目前，立式擴(kuò)散爐的電氣控制系統(tǒng)存在很多的系統(tǒng)框架，比如工控機(jī)與現(xiàn)場(chǎng)總線組成的控制系統(tǒng)，工控機(jī)與各種單元控制器組成的控制系統(tǒng)等，自動(dòng)化程度低，實(shí)時(shí)性差，系統(tǒng)控制集中于上位機(jī)完成，可靠性低。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是如何提高設(shè)備自動(dòng)化程度，同時(shí)提高設(shè)備運(yùn)行的可靠性。( 二 )技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種立式擴(kuò)散爐電器控制系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括中心控制模塊、傳輸模塊和工藝模塊，所述中心控制模塊，用于根據(jù)所述傳輸模塊和工藝模塊發(fā)送來(lái)的狀態(tài)信息，對(duì)所述傳輸模塊和工藝模塊進(jìn)行控制；所述傳輸模塊，用于控制硅片的傳輸，記錄硅片的狀態(tài)信息，并將所述硅片的狀態(tài)信息發(fā)送至所述中心控制模塊；所述工藝模塊，用于根據(jù)工藝需求，控制硅片在工藝過(guò)程中所需要的溫度、氣體和壓力，并將工藝過(guò)程中的當(dāng)前溫度、氣體和壓力作為工藝過(guò)程的狀態(tài)信息發(fā)送至所述中心控制模塊。優(yōu)選地，所述工藝模塊包括硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊、溫度控制子模塊、氣路控制子模塊和微環(huán)境控制子模塊，所述硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊，用于將硅片運(yùn)送至工藝腔室中；所述溫度控制子模塊，用于控制所述工藝腔室內(nèi)的溫度；所述氣路控制子模塊，用于控制所述工藝腔室內(nèi)所需工藝氣體的傳輸和控制；所述微環(huán)境控制子模塊，用于控制硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊的微環(huán)境，所述微環(huán)境包括氧氣含量和氣壓。優(yōu)選地，所述工藝模塊還包括報(bào)警信息采集及處理子模塊，用于負(fù)責(zé)監(jiān)控所述工藝模塊中其它子模塊的運(yùn)行情況，若發(fā)現(xiàn)運(yùn)行異常的情況，則進(jìn)行報(bào)警提示。優(yōu)選地，所述傳輸模塊包括裝載盒傳輸子模塊和硅片傳輸子模塊，所述裝載盒傳輸子模塊，用于對(duì)硅片進(jìn)行批量的儲(chǔ)存和傳輸，記錄裝載盒的編號(hào)及裝載盒內(nèi)硅片的狀態(tài)信息、并發(fā)送至所述中心控制模塊，所述狀態(tài)信息包括裝載盒內(nèi)裝載的硅片類型、硅片所經(jīng)過(guò)的工藝處理，以及裝載盒內(nèi)裝載的硅片數(shù)量；所述硅片傳輸子模塊，用于將硅片從裝載盒傳輸至所述硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊。優(yōu)選地，所述裝載盒傳輸子模塊包括第一控制單元、串口通訊單元、設(shè)備網(wǎng)單元、 直線電機(jī)和傳輸裝載盒機(jī)械手，所述第一控制單元通過(guò)所述串行通訊單元和/設(shè)備網(wǎng)單元控制直線電機(jī)和傳輸裝載盒機(jī)械手。優(yōu)選地，所述硅片傳輸子模塊包括傳片機(jī)械手和傳片機(jī)械手控制器，所述傳片機(jī)械手控制器根據(jù)所述中心控制模塊的控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述傳片機(jī)械手，將硅片傳送至所述硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊上。優(yōu)選地，所述硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊包括伺服電機(jī)、伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、步進(jìn)電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、以及傳送帶，所述伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)所述伺服電機(jī)，所述步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)所述步進(jìn)電機(jī)，所述伺服電機(jī)和所述步進(jìn)電機(jī)分別帶動(dòng)傳送帶進(jìn)行硅片的運(yùn)送。優(yōu)選地，所述溫度控制子模塊包括溫度采集單元、爐體加熱單元、可控硅調(diào)壓器件和第二控制單元，所述第二控制單元通過(guò)所述溫度采集單元采集溫度數(shù)據(jù)，并進(jìn)行運(yùn)算， 將運(yùn)算結(jié)果輸出給所述可控硅調(diào)壓器件，通過(guò)所述可控硅調(diào)壓器件控制所述爐體加熱單元，以實(shí)現(xiàn)控制所述工藝腔室內(nèi)的溫度。優(yōu)選地，所述氣路控制子模塊包括工藝過(guò)程中各種所需氣體的質(zhì)量流量計(jì)、氣體壓力控制器和電磁閥。本發(fā)明還公開(kāi)了一種基于所述的立式擴(kuò)散爐電器控制系統(tǒng)的控制方法，包括以下步驟Sl 根據(jù)裝載盒傳輸子模塊記錄裝載盒的編號(hào)及裝載盒內(nèi)硅片的狀態(tài)信息，并發(fā)送至中心控制模塊；S2:所述裝載盒傳輸子模塊根據(jù)所述中心控制模塊發(fā)來(lái)的控制信號(hào)，將裝載盒放置于硅片傳輸子模塊的入口處；S3 所述硅片傳輸子模塊將裝載盒內(nèi)的硅片傳送至硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊；S4 所述硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊將硅片傳輸至工藝腔室；S5:根據(jù)不同的工藝需求，溫度控制子模塊和氣路控制子模塊對(duì)所述工藝腔室內(nèi)的溫度和氣體進(jìn)行控制；S6 硅片在所述工藝腔室內(nèi)經(jīng)過(guò)預(yù)設(shè)的工藝時(shí)間；S7:將硅片按照原路返回至所述裝載盒內(nèi)，所述裝載盒傳輸子模塊更新裝載盒內(nèi)硅片的狀態(tài)信息。(三)有益效果本發(fā)明通過(guò)提出一種新型的立式擴(kuò)散爐電器控制系統(tǒng)內(nèi)部的構(gòu)架，提高了設(shè)備自動(dòng)化程度，同時(shí)提高設(shè)備運(yùn)行的可靠性。


圖1是按照本發(fā)明一種實(shí)施方式的立式擴(kuò)散爐電器控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。圖1是按照本發(fā)明一種實(shí)施方式的立式擴(kuò)散爐電器控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖，參照?qǐng)D 1，本實(shí)施方式的系統(tǒng)包括中心控制模塊、傳輸模塊和工藝模塊，所述中心控制模塊，用于根據(jù)所述傳輸模塊和工藝模塊發(fā)送來(lái)的狀態(tài)信息，對(duì)所述傳輸模塊和工藝模塊進(jìn)行控制；所述傳輸模塊，用于控制硅片的傳輸，記錄硅片的狀態(tài)信息，并將所述硅片的狀態(tài)信息發(fā)送至所述中心控制模塊；所述工藝模塊，用于根據(jù)工藝需求，控制硅片在工藝過(guò)程中所需要的溫度、氣體和壓力(所述壓力包括氣路壓力和工藝反應(yīng)的壓力)等條件參數(shù)。優(yōu)選地，所述工藝模塊包括硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊、溫度控制子模塊、氣路控制子模塊和微環(huán)境控制子模塊，所述硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊，用于將硅片運(yùn)送至工藝腔室中；所述溫度控制子模塊，用于控制所述工藝腔室內(nèi)的溫度；所述氣路控制子模塊，用于控制所述工藝腔室內(nèi)所需工藝氣體的傳輸和控制；所述微環(huán)境控制子模塊，用于控制硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊的微環(huán)境，所述微環(huán)境包括氧氣含量和氣壓；本實(shí)施方式中，所述微環(huán)境控制子模塊主要是對(duì)所述硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊的氧氣含量和壓力進(jìn)行控制，主要控制目標(biāo)是在保證氧氣含量的前提下對(duì)氣壓進(jìn)行控制，使所述硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊內(nèi)部氣壓穩(wěn)定在略大于外部氣壓2 3Τοπ·， 進(jìn)而保證形成的氧化物薄膜的均勻性。對(duì)氣壓精確控制的實(shí)現(xiàn)是通過(guò)PID控制實(shí)現(xiàn)的。本實(shí)施方式中，在工藝控制過(guò)程中，工作人員通過(guò)所述中心控制模塊發(fā)送控制信號(hào)，采用可編程邏輯控制器(Programmable Logic Controller, PLC)根據(jù)內(nèi)部控制邏輯，以及氧氣分析儀的獲得的實(shí)際值，來(lái)對(duì)各種排放閥、充氣閥的開(kāi)關(guān)以及氣體質(zhì)量流量計(jì)的流量來(lái)進(jìn)行控制，從而實(shí)現(xiàn)內(nèi)部壓力的穩(wěn)定。優(yōu)選地，所述工藝模塊還包括報(bào)警信息采集及處理子模塊，用于負(fù)責(zé)監(jiān)控所述工藝模塊中其它子模塊的運(yùn)行情況，若發(fā)現(xiàn)運(yùn)行異常的情況，則進(jìn)行報(bào)警提示，優(yōu)選地，所述報(bào)警信息采集及處理子模塊在進(jìn)行報(bào)警提示時(shí)，還會(huì)根據(jù)具體的情況進(jìn)行相應(yīng)處理；所述報(bào)警信息采集及處理子模塊主要是出于設(shè)備安全和人身安全考慮，結(jié)合具體工藝需求而設(shè)計(jì)的。在具體的工藝過(guò)程中，通過(guò)各傳感器和檢測(cè)裝置采集信號(hào)發(fā)送到PLC，PLC發(fā)送到所述中心控制模塊給操作人員進(jìn)行監(jiān)控，PLC根據(jù)采集到的報(bào)警信息，根據(jù)內(nèi)部處理邏輯發(fā)出控制信號(hào)進(jìn)行相應(yīng)處理。優(yōu)選地，所述傳輸模塊包括裝載盒傳輸子模塊和硅片傳輸子模塊，所述裝載盒傳輸子模塊，用于對(duì)硅片進(jìn)行批量的儲(chǔ)存和傳輸，記錄裝載盒的編號(hào)及裝載盒內(nèi)硅片的狀態(tài)信息、并發(fā)送至所述中心控制模塊，所述狀態(tài)信息包括裝載盒內(nèi)裝載的硅片類型、硅片所經(jīng)過(guò)的工藝處理，以及裝載盒內(nèi)裝載的硅片數(shù)量；所述硅片傳輸子模塊，用于將硅片從裝載盒傳輸至所述硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊。
優(yōu)選地，所述裝載盒傳輸子模塊包括第一控制單元、串口通訊單元、設(shè)備網(wǎng)單元、 直線電機(jī)和傳輸裝載盒機(jī)械手，所述第一控制單元通過(guò)所述串行通訊單元和/設(shè)備網(wǎng)單元控制直線電機(jī)和傳輸裝載盒機(jī)械手。優(yōu)選地，所述硅片傳輸子模塊包括傳片機(jī)械手和傳片機(jī)械手控制器，所述傳片機(jī)械手控制器根據(jù)所述中心控制模塊的控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述傳片機(jī)械手，將硅片傳送至所述硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊上。優(yōu)選地，所述硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊包括伺服電機(jī)、伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、步進(jìn)電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、以及傳送帶，所述伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)所述伺服電機(jī)，所述步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)所述步進(jìn)電機(jī)，所述伺服電機(jī)和所述步進(jìn)電機(jī)分別帶動(dòng)傳送帶進(jìn)行硅片的運(yùn)送；本實(shí)施方式中，采用PLC的位控模塊控制電機(jī)驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)電機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)運(yùn)動(dòng)控制部分的功能；PLC的位控模塊使用編碼器反饋的半閉回路控制方式，根據(jù)其CPU模塊命令生成位置控制軌跡，利用外部位置檢測(cè)器(遞增式編碼器或絕對(duì)值編碼器)反饋執(zhí)行位置回路計(jì)算， 并將速度指令作為模擬電壓輸出；位控模塊可順暢執(zhí)行多種位置控制模式，包括多軸線性插值、速度控制、以及速度控制模式與位置控制模式之間的切換。運(yùn)動(dòng)控制部分主要包括三個(gè)步進(jìn)電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及一個(gè)伺服電機(jī)和伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。優(yōu)選地，所述溫度控制子模塊包括溫度采集單元、爐體加熱單元、可控硅調(diào)壓器件和第二控制單元，所述第二控制單元通過(guò)所述溫度采集單元采集溫度數(shù)據(jù)，并進(jìn)行運(yùn)算， 將運(yùn)算結(jié)果輸出給所述可控硅調(diào)壓器件，通過(guò)所述可控硅調(diào)壓器件控制所述爐體加熱單元，以實(shí)現(xiàn)控制所述工藝腔室內(nèi)的溫度；第二控制單元利用所述溫度采集單元(熱電偶)采集的實(shí)際溫度與預(yù)設(shè)的溫度進(jìn)行比較，利用變速積分PID算法，控制所述可控硅調(diào)壓器件相角的導(dǎo)通，控制所述爐體加熱單元的功率，實(shí)現(xiàn)對(duì)溫度的控制。優(yōu)選地，所述氣路控制子模塊包括工藝過(guò)程中各種所需氣體(例如氮?dú)?、氧氣、氫氣、氬氣等，但不限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，根據(jù)不同的工藝需求，也可以為其他的氣體)的質(zhì)量流量計(jì)、氣體壓力控制器和電磁閥；所述氣路控制子模塊主要是為在工藝過(guò)程中在硅片表面形成一層薄膜而專門(mén)設(shè)計(jì)的，其內(nèi)部包括氣體質(zhì)量流量計(jì)、氣體壓力控制器、 調(diào)壓閥以及電磁閥等，此外還設(shè)置氣體檢測(cè)和泄漏報(bào)警裝置。所述氣體質(zhì)量流量計(jì)通過(guò) Devicenet模塊連接到PLC上，PLC通過(guò)所述氣體質(zhì)量流量計(jì)的反饋來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)流量的精確控制。所述氣路控制子模塊的主要作用是在工藝過(guò)程中根據(jù)工藝的需要由操作者通過(guò)上位機(jī)給PLC—個(gè)信號(hào)打開(kāi)相應(yīng)電磁閥，再通過(guò)設(shè)置流量使所需流量的氣體進(jìn)入反應(yīng)室，各氣路之間的互鎖根據(jù)工藝過(guò)程的需要以及對(duì)安全因素的考慮由PLC來(lái)實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明還公開(kāi)了一種基于所述的立式擴(kuò)散爐電器控制系統(tǒng)的控制方法，包括以下步驟Sl 根據(jù)裝載盒傳輸子模塊記錄裝載盒的編號(hào)及裝載盒內(nèi)硅片的狀態(tài)信息，并發(fā)送至中心控制模塊；S2:所述裝載盒傳輸子模塊根據(jù)所述中心控制模塊發(fā)來(lái)的控制信號(hào)，將裝載盒放置于硅片傳輸子模塊的入口處；S3 所述硅片傳輸子模塊將裝載盒內(nèi)的硅片傳送至硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊；S4 所述硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊將硅片傳輸至工藝腔室；S5:根據(jù)不同的工藝需求，溫度控制子模塊和氣路控制子模塊對(duì)所述工藝腔室內(nèi)的溫度和氣體進(jìn)行控制；S6 硅片在所述工藝腔室內(nèi)經(jīng)過(guò)預(yù)設(shè)的工藝時(shí)間；S7:將硅片按照原路返回至所述裝載盒內(nèi)，所述裝載盒傳輸子模塊更新裝載盒內(nèi)硅片的狀態(tài)信息。以上實(shí)施方式僅用于說(shuō)明本發(fā)明，而并非對(duì)本發(fā)明的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種立式擴(kuò)散爐電器控制系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括中心控制模塊、傳輸模塊和工藝模塊，所述中心控制模塊，用于根據(jù)所述傳輸模塊和工藝模塊發(fā)送來(lái)的狀態(tài)信息，對(duì)所述傳輸模塊和工藝模塊進(jìn)行控制；所述傳輸模塊，用于控制硅片的傳輸，記錄硅片的狀態(tài)信息，并將所述硅片的狀態(tài)信息發(fā)送至所述中心控制模塊；所述工藝模塊，用于根據(jù)工藝需求，控制硅片在工藝過(guò)程中所需要的溫度、氣體和壓力，并將工藝過(guò)程中的當(dāng)前溫度、氣體和壓力作為工藝過(guò)程的狀態(tài)信息發(fā)送至所述中心控制模塊。
2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述工藝模塊包括硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊、溫度控制子模塊、氣路控制子模塊和微環(huán)境控制子模塊，所述硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊，用于將硅片運(yùn)送至工藝腔室中；所述溫度控制子模塊，用于控制所述工藝腔室內(nèi)的溫度；所述氣路控制子模塊，用于控制所述工藝腔室內(nèi)所需工藝氣體的傳輸和控制；所述微環(huán)境控制子模塊，用于控制硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊的微環(huán)境，所述微環(huán)境包括氧氣含量和氣壓。
3.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述工藝模塊還包括報(bào)警信息采集及處理子模塊，用于負(fù)責(zé)監(jiān)控所述工藝模塊中其它子模塊的運(yùn)行情況，若發(fā)現(xiàn)運(yùn)行異常的情況，則進(jìn)行報(bào)警提示。
4.如權(quán)利要求2或3所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述傳輸模塊包括裝載盒傳輸子模塊和硅片傳輸子模塊，所述裝載盒傳輸子模塊，用于對(duì)硅片進(jìn)行批量的儲(chǔ)存和傳輸，記錄裝載盒的編號(hào)及裝載盒內(nèi)硅片的狀態(tài)信息、并發(fā)送至所述中心控制模塊，所述狀態(tài)信息包括裝載盒內(nèi)裝載的硅片類型、硅片所經(jīng)過(guò)的工藝處理，以及裝載盒內(nèi)裝載的硅片數(shù)量；所述硅片傳輸子模塊，用于將硅片從裝載盒傳輸至所述硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊。
5.如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述裝載盒傳輸子模塊包括第一控制單元、串口通訊單元、設(shè)備網(wǎng)單元、直線電機(jī)和傳輸裝載盒機(jī)械手，所述第一控制單元通過(guò)所述串行通訊單元和/設(shè)備網(wǎng)單元控制直線電機(jī)和傳輸裝載盒機(jī)械手。
6.如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述硅片傳輸子模塊包括傳片機(jī)械手和傳片機(jī)械手控制器，所述傳片機(jī)械手控制器根據(jù)所述中心控制模塊的控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述傳片機(jī)械手，將硅片傳送至所述硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊上。
7.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊包括伺服電機(jī)、伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、步進(jìn)電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、以及傳送帶，所述伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)所述伺服電機(jī)，所述步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)所述步進(jìn)電機(jī)，所述伺服電機(jī)和所述步進(jìn)電機(jī)分別帶動(dòng)傳送帶進(jìn)行硅片的運(yùn)送。
8.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述溫度控制子模塊包括溫度采集單元、 爐體加熱單元、可控硅調(diào)壓器件和第二控制單元，所述第二控制單元通過(guò)所述溫度采集單元采集溫度數(shù)據(jù)，并進(jìn)行運(yùn)算，將運(yùn)算結(jié)果輸出給所述可控硅調(diào)壓器件，通過(guò)所述可控硅調(diào)壓器件控制所述爐體加熱單元，以實(shí)現(xiàn)控制所述工藝腔室內(nèi)的溫度。
9.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述氣路控制子模塊包括工藝過(guò)程中各種所需氣體的質(zhì)量流量計(jì)、氣體壓力控制器和電磁閥。
10.一種基于權(quán)利要求2 9任一項(xiàng)所述的立式擴(kuò)散爐電器控制系統(tǒng)的控制方法，其特征在于，包括以下步驟51根據(jù)裝載盒傳輸子模塊記錄裝載盒的編號(hào)及裝載盒內(nèi)硅片的狀態(tài)信息，并發(fā)送至中心控制模塊；52所述裝載盒傳輸子模塊根據(jù)所述中心控制模塊發(fā)來(lái)的控制信號(hào)，將裝載盒放置于硅片傳輸子模塊的入口處；53所述硅片傳輸子模塊將裝載盒內(nèi)的硅片傳送至硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊；54所述硅片承載運(yùn)動(dòng)控制子模塊將硅片傳輸至工藝腔室；S5:根據(jù)不同的工藝需求，溫度控制子模塊和氣路控制子模塊對(duì)所述工藝腔室內(nèi)的溫度和氣體進(jìn)行控制；S6 硅片在所述工藝腔室內(nèi)經(jīng)過(guò)預(yù)設(shè)的工藝時(shí)間；S7:將硅片按照原路返回至所述裝載盒內(nèi)，所述裝載盒傳輸子模塊更新裝載盒內(nèi)硅片的狀態(tài)信息。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種立式擴(kuò)散爐電器控制系統(tǒng)及控制方法，涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，所述系統(tǒng)包括中心控制模塊，用于根據(jù)傳輸模塊和工藝模塊發(fā)送來(lái)的狀態(tài)信息，對(duì)所述傳輸模塊和工藝模塊進(jìn)行控制；所述傳輸模塊，用于控制硅片的傳輸，記錄硅片的狀態(tài)信息，并將所述硅片的狀態(tài)信息發(fā)送至所述中心控制模塊；所述工藝模塊，用于根據(jù)工藝需求，控制硅片在工藝過(guò)程中所需要的溫度、氣體和氣壓。本發(fā)明通過(guò)提出一種新型的立式擴(kuò)散爐電器控制系統(tǒng)內(nèi)部的構(gòu)架，提高了設(shè)備自動(dòng)化程度，同時(shí)提高設(shè)備運(yùn)行的可靠性。
文檔編號(hào)H01L31/18GK102534803SQ20121000118
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2012年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月4日
發(fā)明者張海輪, 張芳, 慕曉航, 程朝陽(yáng) 申請(qǐng)人:北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司