專利名稱：基板處理方法以及基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對半導(dǎo)體基板、光掩模用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、等離子顯示用玻璃基板、FED (Field Emission Display :場致發(fā)射顯示器)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板等各種基板(以下，僅記載為“基板”)進(jìn)行清洗處理的基板處理方法以及基板處理裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置、液晶顯示裝置等電子部件等的制造工序中，包括對基板的表面反復(fù)進(jìn)行成膜和蝕刻等處理來形成微細(xì)圖案的工序。在此，為了良好地進(jìn)行微細(xì)加工需要將基板表面保持為清潔的狀態(tài)，從而需要按照需要對基板表面進(jìn)行清洗處理。例如，在JP特開2008-71875號公報(bào)記載的裝置中，向基板表面供給去離子水(De Ionized Water，以下記載為“DIW”)等液體，在使去離子水凍結(jié)之后，通過沖洗液進(jìn)行解凍并除去去離子水，由此對基板表面進(jìn)行清洗。S卩，在JP特開2008-71875號公報(bào)記載的裝置中，執(zhí)行以下的工序。首先，向基板的表面供給DIW，在整個(gè)基板表面形成DIW的液膜。接著，停止供給DIW，向基板表面供給低溫的氮?dú)?，使DIW凍結(jié)。由此，進(jìn)入顆粒等污染物質(zhì)與基板表面之間的DIW變?yōu)楸捎谂蛎洠?顆粒等污染物質(zhì)從基板離開微小距離。另外，由于還在與基板的表面平行的方向上膨脹，所以能夠剝離粘固在基板上的顆粒等。結(jié)果，基板表面與顆粒等污染物質(zhì)之間的附著力降低， 而且，變?yōu)轭w粒等污染物質(zhì)能夠從基板表面脫離的狀態(tài)。此后，通過作為沖洗液的DIW解凍除去基板表面的冰，由此能夠聞效地從基板表面除去顆粒等污染物質(zhì)。另外，為了生成低溫的氮?dú)猓鏙P特開2010-123835號公報(bào)記載的裝置那樣，在儲存于容器的液態(tài)氮中浸潰配管，在配管中流通氮?dú)?，通過熱交換使氮?dú)饫鋮s。在上述現(xiàn)有技術(shù)的使基板上的DIW凍結(jié)來除去顆粒等的凍結(jié)清洗方法中，如圖I所示，凍結(jié)后的DIW的溫度為了提高除去顆粒等的能力(在圖I中用“PRE”表示。 數(shù)值越大除去顆粒的能力越高。以下記載為“清洗能力”)，需要使凍結(jié)后的DIW降低至-(負(fù))20°C (攝氏)左右。在上述現(xiàn)有技術(shù)中，為了冷卻基板上的DIW而使用氮?dú)?，但是由于是通過氣體使液體冷卻的方法，所以冷卻效率不高，然而為了在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行冷卻，需要使氮?dú)獾臏囟葹?(負(fù))100°C (攝氏)以下。因此，為了得到冷卻基板所需的溫度以及流量的清潔的氮?dú)?，采用了通過液態(tài)氮使氮?dú)饫鋮s的方法。此時(shí)，為了防止從環(huán)境氣體吸熱，需要提高用于進(jìn)行熱交換而儲存液態(tài)氮的容器、 輸送被冷卻后的氮?dú)獾呐涔艿母魺嵝裕@樣會使裝置大型化、成本增加。另外，由于使用液態(tài)氮還增大了運(yùn)轉(zhuǎn)成本。另外，由于通過氣體進(jìn)行冷卻，所以熱傳遞效率低，從而使基板上的所有的DIW凍結(jié)，并且將凍結(jié)的DIW冷卻至需要的溫度，需要花費(fèi)時(shí)間。相對于此，為了使基板上的液態(tài)的DIW凍結(jié)，考慮直接供給液體的冷媒。但是，如果向液體的DIW供給液體的冷媒，則變得不能夠通過液體的冷媒從基板表面除去DIW來進(jìn)行清洗，或者由于一部分的DIW被推動(dòng)而流動(dòng)，所以凍結(jié)后的冰膜在基板上不均勻，產(chǎn)生基板的面內(nèi)的清洗能力不均勻等問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的，其目的在于提供一種不使成本增大、不使處理時(shí)間增加且不使用氣體的冷媒就能夠清洗基板的基板處理方法以及基板處理裝置。為了解決上述問題，本發(fā)明為一種基板處理方法，其特征在于，包括準(zhǔn)備工序，以液體狀態(tài)準(zhǔn)備要向基板供給的凝固對象液體，凝固體形成工序，將準(zhǔn)備工序中準(zhǔn)備的凝固對象液體經(jīng)由空間供給至基板，在基板上形成凝固對象液體的凝固體，除去工序，除去基板上的凝固對象液體的凝固體；凝固對象液體借助從準(zhǔn)備工序到凝固體形成工序?yàn)橹顾艿降耐獠看碳ざ?。另外，本發(fā)明為一種基板處理裝置，其特征在于，具有凝固體形成裝置，其從嘴噴出液體狀態(tài)的凝固對象液體來將該凝固對象液體供給至基板，在基板上形成凝固對象液體的凝固體，除去裝置，其除去基板上的凝固對象液體的凝固體；凝固對象液體，借助從嘴噴出起落在基板上為止的過程以及置于基板上的過程中的至少一個(gè)過程中所受到的外部刺激而凝固。在這樣構(gòu)成的發(fā)明(基板處理方法以及基板處理裝置)中，由于通過外部刺激使以液體狀態(tài)準(zhǔn)備的凝固對象液體凝固，所以不需要供給用于使凝固對象液體凝固的氣體。 由此，能夠防止裝置的大規(guī)模化、成本增大，而且能夠防止因使用液態(tài)氮等而造成運(yùn)轉(zhuǎn)成本增大的情況。另外，優(yōu)選在凝固體形成工序中供給至基板的凝固對象液體處于過冷卻狀態(tài)。同樣，優(yōu)選凝固體形成裝置使凝固對象液體成為過冷卻狀態(tài)并供給至基板。在這樣構(gòu)成的發(fā)明中，借助過冷卻狀態(tài)的凝固對象液體落在基板上而產(chǎn)生的沖擊使過冷卻狀態(tài)的凝固對象液體凝固，來在基板上形成凝固對象液體的凝固體。因此，不需要供給用于使凝固對象液體凝固的氣體。此外，只要構(gòu)成為凝固對象液體在基板上形成凝固體即可，不限于在基板上使過冷卻狀態(tài)的凝固對象液體開始結(jié)晶，可以在到達(dá)基板之前的過程中開始結(jié)晶。根據(jù)本發(fā)明，由于僅向基板上供給過冷卻狀態(tài)的凝固對象液體就形成凝固體，所以不需要供給用于形成凝固體的低溫的氣體的工序，從而能夠縮短處理時(shí)間。另外，能夠還具有凝固體冷卻工序，在凝固體冷卻工序中，向基板上的凝固對象液體的凝固體供給溫度比凝固對象液體的凝固點(diǎn)低的流體，來對基板上的凝固對象液體的凝固體進(jìn)行冷卻。在這樣構(gòu)成的發(fā)明中，由于通過溫度比凝固對象液體的凝固點(diǎn)低的流體降低形成在基板上的凝固對象液體的凝固體的溫度，所以能夠提高除去基板表面的顆粒等的能力。另外，在凝固體冷卻工序中供給的流體為具有比凝固對象液體的凝固點(diǎn)低的凝固點(diǎn)的冷卻液。在這樣構(gòu)成的發(fā)明中，對基板上的凝固對象液體的凝固體供給具有比凝固對象液體的凝固點(diǎn)低的凝固點(diǎn)的冷卻液，使凝固對象液體的凝固體的溫度降低。由于液體比氣體的熱傳遞效率高，另外不會如氣體那樣向環(huán)境氣體中擴(kuò)散，所以能夠在更短的時(shí)間內(nèi)使凝固對象液體的凝固體的溫度降低。另外，能夠易于使冷卻液在整個(gè)基板上蔓延，均勻冷卻基板上的凝固對象液體的凝固體。由此，能夠使基板上的清洗能力的分布偏差變小。另外，凝固體形成工序還具有用于冷卻基板的基板冷卻工序，在基板冷卻工序中， 能夠在凝固體形成工序之前向基板的背面噴出冷媒，或者向基板的表面噴出冷媒。在這樣構(gòu)成的發(fā)明中，由于向基板的表面、背面噴出冷媒來使基板冷卻，所以能夠高效地使過冷卻狀態(tài)的凝固對象液體凝固。即，通過預(yù)先使基板冷卻，不需要通過凝固對象液體冷卻基板，能夠在剛供給凝固對象液體之后就在基板表面上形成凝固對象液體的凝固體。另外，可以在凝固體形成工序中，使基板上的凝固對象液體的凝固體的厚度在基板的面內(nèi)改變。如圖2所示，就凍結(jié)清洗而言，由于清洗能力也與形成在基板上的凝固體的厚度相關(guān)，所以在這樣構(gòu)成的發(fā)明中，通過使基板上的凝固對象液體的凝固體在基板的面內(nèi)具有不同的厚度，能夠使清洗能力在面內(nèi)具有相應(yīng)的分布。即，在基板上的凝固體厚度均勻的情況下，若清洗能力在基板的面內(nèi)具有分布偏差，則通過使清洗能力低的部分的凝固體厚度變大，能夠使清洗能力的面內(nèi)分布偏差變小。另外，在凝固體形成工序中，通過使供給至基板上的凝固對象液體的量在基板的面內(nèi)改變，來改變基板上的凝固體的厚度。在這樣構(gòu)成的發(fā)明中，通過使供給至基板上的過冷卻狀態(tài)的凝固對象液體的量在某些部分減少而某些部分增多，能夠簡單地改變基板上的凝固體的厚度，從而能夠容易地使清洗能力的面內(nèi)分布偏差變小。另外，在凝固體形成工序中，可以使基板的面內(nèi)的凝固對象液體的凝固體的厚度從基板的中心部向周緣部逐漸變厚。在這樣構(gòu)成的發(fā)明中，通過使基板的面內(nèi)的凝固對象液體的厚度從基板的中心部向周緣部逐漸變厚，能夠使在基板的周緣部的清洗能力比在基板的中心部的清洗能力更高。由此，能夠提高因從環(huán)境氣體吸收的熱等而凝固對象液體的凝固體的溫度易于上升的基板周緣部的清洗能力，從而能夠使在基板的面內(nèi)的清洗能力的分布變差變小。另外，優(yōu)選在凝固體形成工序中向基板供給具有比常溫高的凝固點(diǎn)的凝固對象液體。同樣，優(yōu)選凝固體形成裝置向基板的表面供給具有比常溫高的凝固點(diǎn)的凝固對象液體。在這樣構(gòu)成的發(fā)明(基板處理裝置以及基板處理方法)中，代替在現(xiàn)有的凍結(jié)清洗技術(shù)中使用的DIW，利用具有比常溫高的凝固點(diǎn)的凝固對象液體來進(jìn)行凍結(jié)清洗。因此， 由于供給至基板的上表面的凝固對象液體放置在常溫環(huán)境氣體中就能凝固，所以不需要使用在現(xiàn)有的凍結(jié)清洗技術(shù)必須具有的用于凝固的極低溫氣體，能夠降低用于進(jìn)行凍結(jié)清洗的運(yùn)轉(zhuǎn)成本。另外，由于不需要極低溫氣體，所以不需要現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行的對供給線的隔熱，從而還能夠抑制裝置以及周邊設(shè)備的成本。此外，本說明書所述的“極低溫氣體”是指利用液態(tài)氮等極低溫材料強(qiáng)制地使溫度降低后的氣體。在此，凝固體形成裝置可以將凝固對象液體加熱至凝固對象液體的凝固點(diǎn)以上的溫度，并供給至基板的表面，通過這樣加熱凝固對象液體能夠提高凝固對象液體的流動(dòng)性， 從而易于向基板表面進(jìn)行供給。另外，由于向基板表面均勻地供給凝固對象液體，所以能夠提高顆粒等的除去率在面內(nèi)的均勻性。另外，可以設(shè)置向基板供給溫度比凝固對象液體的凝固點(diǎn)低的冷卻流體的凝固促
7進(jìn)裝置來促進(jìn)凝固對象液體的凝固，這樣能夠縮短處理時(shí)間。作為凝固促進(jìn)裝置，例如可以設(shè)置向供給了凝固對象液體的基板的表面供給冷卻流體的第一凝固促進(jìn)部，或者可以設(shè)置向供給了凝固對象液體的基板的背面供給冷卻流體的第二凝固促進(jìn)部。另外，在這種基板處理裝置中，由于被基板保持裝置保持的基板的周邊溫度通常為常溫，所以凝固對象液體的溫度隨著時(shí)間的經(jīng)過逐漸接近常溫，從而凝固對象液體凝固。 因此，可以在凝固對象液體供給至基板的表面之后，在經(jīng)過規(guī)定時(shí)間使凝固對象液體凝固之后，通過除去裝置除去凝固體。另外，除去裝置用于除去凝固體，但是可以如下那樣除去凝固體。例如，可以對形成有凝固體的基板的表面供給溫度比凝固對象液體的凝固點(diǎn)高的高溫除去液，來融化并除去凝固體。另外，可以對形成有凝固體的基板的表面供給用于溶解凝固對象液體的除去液， 來溶解除去凝固體。另外，如后所如，隨著凝固體的到達(dá)溫度的降低，除去附著在基板的表面上的顆粒等的效率提高。因此，可以設(shè)置在形成凝固體之后且在除去凝固體之前冷卻凝固體來降低凝固體的溫度的冷卻裝置。作為該冷卻裝置，例如，可以設(shè)置第一冷卻部，所述第一冷卻部向形成有凝固體的基板的表面供給溫度比凝固對象液體的凝固點(diǎn)低的冷卻流體，還可以設(shè)置第二冷卻部，所述第二冷卻部向形成有凝固體的基板的背面供給溫度比凝固對象液體的凝固點(diǎn)低的冷卻流體。另外，在通過凝固促進(jìn)裝置的冷卻流體促進(jìn)凝固的情況下，可以在形成了凝固體之后，直到通過除去裝置除去凝固體之前，持續(xù)供給冷卻流體，來冷卻凝固體。即，能夠通過凝固促進(jìn)裝置連續(xù)地進(jìn)行凝固促進(jìn)處理和冷卻處理，從而能夠提高處理效率。另外，還可以設(shè)置沖洗裝置，所述沖洗裝置在通過除去裝置除去凝固體之后，向基板的表面供給沖洗液，來沖洗基板的表面。另外，可以使除去裝置發(fā)揮沖洗裝置的功能。即， 在向基板的表面供給除去液來除去凝固體之后，除去裝置能夠繼續(xù)供給該除去液，來沖洗基板的表面。通過這樣連續(xù)進(jìn)行除去處理和沖洗處理，能夠提高處理效率。另外，凝固體形成裝置具有用于供給凝固對象液體的凝固對象液體供給部和配管，其中，配管的一端與凝固對象液體供給部連接，另一端與嘴連接，該配管使從凝固對象液體供給部供給來的凝固對象液體流到嘴，在這種情況下，在嘴以及配管內(nèi)的凝固對象液體凝固時(shí)，不能夠供給凝固對象液體。因此，在利用上述凝固對象液體進(jìn)行凍結(jié)清洗時(shí)，優(yōu)選設(shè)置用于防止嘴以及配管內(nèi)的凝固對象液體凝固的凝固防止裝置，凝固防止裝置能夠采用各種方式。例如，凝固防止裝置可以構(gòu)成為將嘴以及配管內(nèi)的凝固對象液體的溫度保溫在凝固對象液體的凝固點(diǎn)以上。另外，在上述配管采用雙重管結(jié)構(gòu)(內(nèi)管+外管)時(shí)，作為凝固防止裝置可以設(shè)置保溫流體供給部，所述保溫流體供給部向內(nèi)管和外管之間供給溫度比凝固對象液體的溫度高的保溫流體。另外，作為凝固防止裝置可以設(shè)置清除部，所述清除部在通過凝固體形成裝置形成凝固體之后，向配管的一端供給溫度比凝固對象液體的溫度高的清除用流體，而使嘴以及配管內(nèi)的凝固對象液體從嘴的噴出口排出。而且，作為凝固防止裝置可以設(shè)置吸引排出部，所述吸引排出部在通過凝固體形成裝置形成凝固體之后，對配管的一端施加負(fù)壓，來從配管的一端排出嘴以及配管內(nèi)的凝固對象液體。


圖I是表示凍結(jié)清洗技術(shù)中的凍結(jié)后的液膜的溫度與顆粒除去率之間的關(guān)系的曲線圖。圖2是表示凍結(jié)清洗技術(shù)中的液膜的厚度與顆粒除去率之間的關(guān)系的曲線圖。圖3是表示本發(fā)明的基板處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的主視圖。圖4是表示圖3的Bl-Bl線的剖視圖。圖5是表示圖3的從箭頭B2觀察的側(cè)視圖。圖6是表示第一實(shí)施方式的處理單元的整體結(jié)構(gòu)的圖。圖7是表示圖6的處理單元中的基板保持裝置、排液捕捉裝置以及環(huán)境氣體遮擋裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖8是表示圖6的處理單元中的凝固體形成裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖9是表示圖8的凝固體形成裝置中的第一 DIW供給部的結(jié)構(gòu)的圖。圖10是表示圖6的處理單元中的表面冷卻裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖11是表示圖10的表面冷卻裝置中的HFE供給部的結(jié)構(gòu)的圖。圖12是表示圖6的處理單元中的融化裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖13是表示圖12的融化裝置中的第二 DIW供給部的結(jié)構(gòu)的圖。圖14是表示圖6的處理單元中的沖洗裝置、干燥用氣體供給裝置以及背面冷卻裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖15是表示第一實(shí)施方式的基板處理裝置的動(dòng)作的流程圖。圖16是表示第二實(shí)施方式的基板處理裝置的動(dòng)作的流程圖。圖17是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第四實(shí)施方式的圖。圖18是表示圖17的基板處理裝置中的氮?dú)庖约癉IW的供給方式的圖。圖19是表示圖17的基板處理裝置中的臂部的動(dòng)作方式的圖。圖20A、圖20B、圖20C是示意地表示圖17的基板處理裝置的動(dòng)作的圖。圖21A、圖21B、圖21C是示意地表示圖17的基板處理裝置的動(dòng)作的圖。圖22是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第五實(shí)施方式的動(dòng)作的圖。圖23是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第六實(shí)施方式的動(dòng)作的圖。圖24是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第七實(shí)施方式的動(dòng)作的圖。圖25是表示凍結(jié)清洗技術(shù)中的液膜的溫度與顆粒除去效率之間的關(guān)系的曲線圖。圖26是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第八實(shí)施方式的動(dòng)作的圖。圖27是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第九實(shí)施方式的動(dòng)作的圖。圖28是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第十實(shí)施方式的動(dòng)作的圖。圖29是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第十一實(shí)施方式的動(dòng)作的圖。圖30是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第十二實(shí)施方式的動(dòng)作的圖。圖31是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第十三實(shí)施方式的圖。圖32是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第十四實(shí)施方式的圖。圖33是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第十五實(shí)施方式的圖。
具體實(shí)施方式
在以下的說明中，基板為半導(dǎo)體基板、光掩模用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、 等離子顯示用玻璃基板、FED (Field Emission Display)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、 光磁盤用基板等各種基板。另外，在以下的說明中，以僅在一個(gè)主面上形成有電路圖案等的基板作為例子。在此，將形成有電路圖案等的主面這一側(cè)稱為“表面”，將相反側(cè)的沒有形成電路圖案等的主面稱為“背面”。另外，將基板的朝向下方的面稱為“下表面”，將基板的朝向上方的面稱為 “上表面”。此外，以下將上表面作為表面。另外，在以下的說明中，“過冷卻”是指，在物質(zhì)的相變中，即使降低至應(yīng)該變化的溫度以下，其狀態(tài)也未變化的狀態(tài)。即，表示即使液體被冷卻至凝固點(diǎn)(轉(zhuǎn)變點(diǎn))以下也不凝固而保持液相的情況。例如，是指水即使降低至攝氏零度以下也不凍結(jié)的狀態(tài)。在以下的第一實(shí)施方式至第三實(shí)施方式中，向基板供給這樣的過冷卻狀態(tài)的凝固對象液體，作為外部刺激利用液體落在基板上而產(chǎn)生的沖擊。以下，以對半導(dǎo)體基板進(jìn)行處理的基板處理裝置為例，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。此外，本發(fā)明不限于對半導(dǎo)體基板進(jìn)行的處理，還能夠用于對液晶顯示器用的玻璃基板等的各種基板進(jìn)行的處理。另外，能夠應(yīng)用本發(fā)明的基板處理裝置不限于在同一裝置內(nèi)連續(xù)進(jìn)行清洗處理以及干燥處理的裝置，還能夠應(yīng)用于僅進(jìn)行單一處理的裝置中。<第一實(shí)施方式>圖3、圖4以及圖5是表示本發(fā)明的基板處理裝置9的概略結(jié)構(gòu)的圖。圖3為基板處理裝置9的主視圖，圖4為圖3的基板處理裝置9的Bl-Bl線剖視圖。另外，圖5為從箭頭B2側(cè)觀察圖3的基板處理裝置9的側(cè)視圖。該裝置為在用于除去半導(dǎo)體基板等基板 W(以下，僅記載為“基板W”)上附著的顆粒等污染物質(zhì)(以下記載為“顆粒等”)的清洗處理中使用的單張式基板處理裝置。此外，為了在各圖中明確方向關(guān)系，制定將Z軸作為鉛垂方向，將XY平面作為水平面的坐標(biāo)系。另外，在各坐標(biāo)系中，將箭頭的前端所朝向的方向作為+(正)方向，將其反方向作為-(負(fù))方向?；逄幚硌b置9具有開箱機(jī)94，其載置有例如容置25張基板W的FOUP (Front Open Unified Pod :前開式標(biāo)準(zhǔn)箱)949 ;分度器單元93，其從開箱機(jī)94上的FOUP 949取出未處理的基板W，另外，將處理完了的基板W容納在FOUP 949內(nèi)；往復(fù)搬運(yùn)器(shuttle)95， 其用于在分度器單元93和中央機(jī)械手96之間交接基板W ;處理單元91，通過中央機(jī)械手96 將基板W容置在其內(nèi)部來進(jìn)行清洗；流體箱92，其容置有向處理單元91供給的液體和氣體的配管、開閉閥等。首先，利用圖4說明它們的平面配置關(guān)系。在基板處理裝置9的一端(圖4中的左端)，配置有多個(gè)(在本實(shí)施方式中為3臺)開箱機(jī)94。與開箱機(jī)94的圖4中的右側(cè)(+Y 側(cè))相鄰地配置分度器單元93。在分度器單元93的X方向上的中央附近，與分度器單元的圖4中的右側(cè)(+Y側(cè))相鄰地配置往復(fù)搬運(yùn)器95。在往復(fù)搬運(yùn)器95的圖4中的右側(cè)(+Y 側(cè))，以沿+Y方向與往復(fù)搬運(yùn)器95排列的方式，配置中央機(jī)械手96。這樣，分度器單元93 與往復(fù)搬運(yùn)器95、中央機(jī)械手96配置在垂直的兩條線上。在以沿+Y方向排列的方式配置的往復(fù)搬運(yùn)器95和中央機(jī)械手96的圖4中的上側(cè) (-X側(cè))和下側(cè)(+X側(cè))，配置處理單元91和流體箱92。即，在往復(fù)搬運(yùn)器95和中央機(jī)械手96的圖4中的上側(cè)(-X側(cè))或下側(cè)(+X側(cè))，與分度器單元93的圖4中的右側(cè)(+Y側(cè)) 相鄰地依次配置流體箱92、處理單元91、處理單元91、流體箱92。此外，在分度器單元93的+X側(cè)(圖4中的下側(cè))的側(cè)面，設(shè)置有后述的控制單元 97的操作部971 (參照圖3)。接著，說明開箱機(jī)94。開箱機(jī)94具有載置面941，在其上部載置F0UP949 ;開閉機(jī)構(gòu)943，其與FOU P949的正面(圖3以及圖4中的FOUP 949的右側(cè)(+Y側(cè))的面)相向配置，用于開關(guān)處于FOUP 949正面的蓋部(省略圖示)(參照圖5)。從基板處理裝置9的外部被自動(dòng)搬運(yùn)車等搬入的FOUP 949載置在開箱機(jī)94的載置面941上，通過開閉機(jī)構(gòu)943打開蓋部。由此，后述的分度器單元93的分度器機(jī)械手931 能夠搬出FOUP 949內(nèi)的基板W，相反能夠向FOUP 949內(nèi)搬入基板W。接著，說明分度器單元93。分度器單元93具有分度器機(jī)械手931，該分度器機(jī)械手931從FOUP 949逐張地取出處理工序前的基板W，并且將處理工序后的基板W逐張地容置在FOUP 949中，而且與往復(fù)搬運(yùn)器95交接基板W。該分度器機(jī)械手931具有沿Z軸方向上下配置的2組手部933。分度器機(jī)械手931能夠在X軸方向自由地水平移動(dòng)，另外能夠在 Z軸方向上自由地升降移動(dòng)，并且能夠圍繞Z軸旋轉(zhuǎn)。接著，說明往復(fù)搬運(yùn)器95。在往復(fù)搬運(yùn)器95上具有沿Z軸方向上下配置的2組手部951，所述手部951在基板W的圖4中的上側(cè)(-X側(cè))以及下側(cè)(十X側(cè))的周緣部附近，保持在不與分度器機(jī)械手931的手部933以及后述的中央機(jī)械手96的手部961干涉的位置上。另外，往復(fù)搬運(yùn)器95具有使2組手部951分別獨(dú)立地在Y軸方向上水平移動(dòng)的水平移動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)。往復(fù)搬運(yùn)器95能夠與分度器機(jī)械手931和中央機(jī)械手96雙方交接基板W。即，在通過未圖示的水平移動(dòng)機(jī)構(gòu)使手部951移動(dòng)至圖4中的左側(cè)(-Y側(cè))的情況下，能夠在分手部951與度器機(jī)械手931的手部933之間交接基板W。另外，在將手部951移動(dòng)至圖4中的右側(cè)(+Y側(cè))的情況下，能夠在手部951與中央機(jī)械手96的手部961之間交接基板W。接著，說明中央機(jī)械手96。中央機(jī)械手96具有沿Z軸方向上下配置的2組手部 961，所述手部961逐張地保持基板W，用于與往復(fù)搬運(yùn)器95或處理單元91交接基板W。另外，中央機(jī)械手96具有升降軸963，其在鉛垂方向(Z軸方向)上延伸設(shè)置，為使手部961 沿著鉛垂方向移動(dòng)的軸；升降機(jī)構(gòu)965，其使手部961升降移動(dòng)；旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)967，其使手部 961圍繞Z軸旋轉(zhuǎn)。中央機(jī)械手96構(gòu)成為能夠在Z軸方向上沿著升降軸963自由地升降移動(dòng)，并且通過旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)967使手部圍繞Z軸旋轉(zhuǎn)。此外，在處理單元91的后述的側(cè)壁的與中央機(jī)械手96相向的面上設(shè)置有開口，該開口用于使中央機(jī)械手96的手部961伸出來向處理單元91內(nèi)搬入基板W，或者從處理單元91內(nèi)搬出基板W。另外，設(shè)置有擋板911，在中央機(jī)械手96不與處理單元91交接基板W 時(shí)，所述擋板911關(guān)閉上述開口，來保持處理單元91內(nèi)部的環(huán)境氣體的潔凈度。此外，如圖3所示，處理單元91和流體箱92為上下雙層層疊結(jié)構(gòu)。因此，在本實(shí)施方式的基板處理裝置9中，處理單元91以及流體箱92各具有8個(gè)。接著，說明通過分度器機(jī)械手931、往復(fù)搬運(yùn)器95以及中央機(jī)械手96搬運(yùn)基板W 的順序。通過自動(dòng)搬運(yùn)車等從基板處理裝置9的外部搬入的FOUP 949載置在開箱機(jī)94的載置面941上，通過開閉機(jī)構(gòu)943打開蓋部。分度器機(jī)械手931通過下側(cè)的手部933從FOUP949的規(guī)定的位置取出I張基板W。之后，分度器機(jī)械手931向往復(fù)搬運(yùn)器95的前方(圖4 中的分度器單元93的X軸方向的中央附近)移動(dòng)。同時(shí)往復(fù)搬運(yùn)器95使下側(cè)的手部951 向分度器單元93側(cè)(圖4中的左側(cè)(-Y側(cè)))移動(dòng)。移動(dòng)至往復(fù)搬運(yùn)器95的前方的分度器機(jī)械手931將保持在下側(cè)的手部933上的基板W移載至往復(fù)搬運(yùn)器95的下側(cè)的手部951上。之后，往復(fù)搬運(yùn)器95使下側(cè)的手部951 向中央機(jī)械手96側(cè)(圖4中的右側(cè)(+Y側(cè)))移動(dòng)。另外，中央機(jī)械手96移動(dòng)至使手部 961朝向往復(fù)搬運(yùn)器95的位置。之后，中央機(jī)械手96通過下側(cè)的手部961取出保持在往復(fù)搬運(yùn)器95的下側(cè)的手部951上的基板W，并且移動(dòng)為使手部961朝向8個(gè)處理單元91中的任意一個(gè)擋板911的狀態(tài)。之后，打開擋板911，中央機(jī)械手96使下側(cè)的手部961伸出，向處理單元91內(nèi)搬入基板W，從而開始在處理單元91內(nèi)對基板W進(jìn)行清洗處理。在處理單元91內(nèi)處理完的基板W通過中央機(jī)械手96的上側(cè)的手部961被搬出。 之后，與搬運(yùn)上述未處理的基板W的情況相反，處理完的基板W依次移載至中央機(jī)械手96 的上側(cè)的手部961、往復(fù)搬運(yùn)器95的上側(cè)的手部951、分度器機(jī)械手931的上側(cè)的手部933， 最終容置在FOUP 949的規(guī)定的位置上。接著，利用圖6說明處理單元91的結(jié)構(gòu)。圖6是表示處理單元91的結(jié)構(gòu)的示意圖。在此，由于本實(shí)施方式的8個(gè)處理單元91分別具有相同的結(jié)構(gòu)，所以以下作為代表說明圖4中的箭頭B3所示的處理單元91 (圖3中的左下側(cè)的處理單元91)。處理單元91具有基板保持裝置11，其將基板W保持為大致水平，并且使基板W旋轉(zhuǎn)；排液捕捉裝置21，其內(nèi)側(cè)容置有基板保持裝置11，阻擋來自基板保持裝置11以及基板 W的飛散物等，并進(jìn)行排氣和排液；環(huán)境氣體遮擋裝置23，其與保持在基板保持裝置11上的基板W的表面Wf相向配置，使基板表面Wf的上方的空間與外部氣體隔絕。另外，處理單元91具有凝固體形成裝置31，其將能夠形成凝固體的凝固對象液體成為過冷卻狀態(tài)并供給至基板W，在基板W上形成凝固對象液體的凝固體；表面冷卻裝置 35，其向基板W上的凝固對象液體的凝固體供給凝固點(diǎn)比凝固對象液體的凝固點(diǎn)低且溫度比凝固對象液體的凝固點(diǎn)低的冷卻液，來進(jìn)行冷卻；作為除去裝置的融化裝置41，其融化并除去凝固了的凝固對象液體；沖洗裝置45，其向基板表面Wf以及基板背面Wb供給沖洗液；背面冷卻裝置47，其向基板背面Wb噴出溫度比凝固對象液體的凝固點(diǎn)低的冷媒，將基板W冷卻；干燥用氣體供給裝置51，其向基板表面Wf以及基板背面Wb供給干燥用氣體使基板表面Wf以及基板背面Wb與外部氣體隔絕；控制單元97，其基于后述的清洗程序?qū)逄幚硌b置9的各部分的動(dòng)作進(jìn)行控制。此外，在本實(shí)施方式中，凝固對象液體、融化液以及沖洗液使用去離子水(De Ionized Water,以下記載為“DIW”)，表面以及背面的冷卻用的冷媒使用HFE。另外，在本實(shí)施方式中，干燥用氣體使用氮?dú)?。在此，HFE是以氫氟醚(Hydrofluoroether)為主要成分的液體?！癏FE”能夠使用例如住友3M株式會社制造的商品名為Novec (注冊商標(biāo))系列的HFE。具體地說，HFE例如能夠使用 C4F9OCH3 (化學(xué)式)、C4F9OC2H5 (化學(xué)式)、C6F13OCH3 (化學(xué)式)、C3HF6-CH (CH3) O-C3HF6 (化學(xué)式)、C2HF40CH3(化學(xué)式)(凝固點(diǎn)-(負(fù))38°C (攝氏)以下)等。這些HFE可以被稀釋。
另外，處理單元91具有側(cè)壁901，其為中空的大致方柱形狀；上側(cè)基架構(gòu)件902 以及下側(cè)基架構(gòu)件903，其大致水平固定在側(cè)壁901上，用于劃分處理單元91內(nèi)的空間。另外，處理單元91具有上側(cè)空間905，其在側(cè)壁901的內(nèi)部且位于上側(cè)基架構(gòu)件902的上方；處理空間904，其在側(cè)壁901的內(nèi)部，位于上側(cè)基架構(gòu)件902的下方且位于下側(cè)基架構(gòu)件903的上方；下側(cè)空間906，其在側(cè)壁901的內(nèi)部且位于下側(cè)基架構(gòu)件903的下方。此外， 在本實(shí)施方式中，側(cè)壁901為大致方柱形狀，但是側(cè)壁的形狀不限于此，可以是大致圓柱形狀或其他形狀。此外，在側(cè)壁901中的與中央機(jī)械手96相向的那一側(cè)，設(shè)置有中央機(jī)械手能夠?qū)⒒錡搬入或搬出處理單元91的開口和用于關(guān)閉該開口來保持處理單元91內(nèi)部的環(huán)境氣體的潔凈度的擋板911。上側(cè)基架構(gòu)件902大致水平地固定設(shè)置在側(cè)壁901的上方(圖6中的上側(cè))，隔開作為處理單元91的內(nèi)部的空間的上側(cè)空間905和處理空間904。在上側(cè)基架構(gòu)件902的中央附近，設(shè)置有從上側(cè)基架構(gòu)件902的下表面連通至處理單元91的上端的環(huán)境氣體導(dǎo)入通路907。另外，在環(huán)境氣體導(dǎo)入通路907的上端附近設(shè)置有用于向處理空間904供給清潔的環(huán)境氣體的風(fēng)扇過濾器單元908。在上側(cè)空間905內(nèi)的環(huán)境氣體導(dǎo)入通路907中設(shè)置的風(fēng)扇過濾器單元908，從處理單元91上方吸入環(huán)境氣體，通過內(nèi)置的HEPA過濾器等，捕捉環(huán)境氣體中的微粒等，并向下方的處理空間904內(nèi)供給凈化后的環(huán)境氣體。下側(cè)基架構(gòu)件903大致水平固定設(shè)置在側(cè)壁901的中間(圖6中的下側(cè))，隔開作為處理單元91的內(nèi)部的空間的處理空間904和下側(cè)空間906。在下側(cè)基架構(gòu)件903上設(shè)置多個(gè)排氣口 909，各排氣口 909與未圖示的排氣系統(tǒng)連接，將處理空間904內(nèi)的環(huán)境氣體排出至外部。在此，處理空間904內(nèi)保持有清潔的環(huán)境氣體，為對基板W進(jìn)行清洗等的空間。另外，上側(cè)空間905以及下側(cè)空間906為配設(shè)用于驅(qū)動(dòng)在處理空間904內(nèi)設(shè)置的各構(gòu)件的驅(qū)動(dòng)源等的空間。通過風(fēng)扇過濾器單元908供給至處理空間904內(nèi)的環(huán)境氣體，成為從處理空間904 的上方向下方的氣流，最終從排氣口 909排出至處理空間904之外。由此，使在后述的處理基板W的各工序中產(chǎn)生的微細(xì)的液體的微粒等，隨著在處理空間904中從上向下流動(dòng)的氣流向下移動(dòng)，而從排氣口 909排出。由此，能夠防止這些微粒附著在基板W或處理空間904 內(nèi)的各構(gòu)件上。接著，利用圖7說明基板保持裝置11、排液捕捉裝置21以及環(huán)境氣體遮擋裝置23 的結(jié)構(gòu)。圖7是表示基板保持裝置11、排液捕捉裝置21以及環(huán)境氣體遮擋裝置23的結(jié)構(gòu)的示意圖。首先，說明基板保持裝置11?；灞３盅b置11的基座單元111固定設(shè)置在下側(cè)基架構(gòu)件903上，在基座單元111的上方大致水平地支撐有能夠旋轉(zhuǎn)的圓板狀的旋轉(zhuǎn)基座 113，該旋轉(zhuǎn)基座113的中心部具有開口。在旋轉(zhuǎn)基座113的下表面中心，通過螺桿等緊固部件固定中心軸117的上端。另外，在旋轉(zhuǎn)基座113的周緣附近立設(shè)有用于把持基板W的周緣部的多個(gè)基板保持構(gòu)件115。為了可靠地保持圓形的基板W，基板保持構(gòu)件115設(shè)置有 3個(gè)以上即可，且將基板保持構(gòu)件115沿著旋轉(zhuǎn)基座113的周緣等角度間隔地配置。各基板保持構(gòu)件115分別具有從下方支撐基板W的周緣部的基板支撐部和對被基板支撐部支撐的基板W的外周端面進(jìn)行按壓來保持基板W的基板保持部。各基板保持構(gòu)件115經(jīng)由公知的連桿機(jī)構(gòu)、滑動(dòng)構(gòu)件等與基板保持構(gòu)件驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu) 119內(nèi)的汽缸連接。此外，基板保持構(gòu)件驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)119即設(shè)置在旋轉(zhuǎn)基座113的下側(cè)，還設(shè)置在基座單元111的內(nèi)部。另外，基板保持構(gòu)件驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)119與控制單元97電連接。另外，基于從控制單元97向基板保持裝置11發(fā)送的動(dòng)作指令，使基板保持構(gòu)件驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)119 的汽缸伸縮，由此各基板保持構(gòu)件115能夠在其基板保持部按壓基板W的外周端面的“閉狀態(tài)”和其基板保持部從基板W的外周端面離開的“開狀態(tài)”之間進(jìn)行切換。此外，作為基板保持構(gòu)件115的驅(qū)動(dòng)源，除了汽缸以外可以使用馬達(dá)、電磁元件等公知的驅(qū)動(dòng)源。并且，在要向旋轉(zhuǎn)基座113交接基板W時(shí)，使各基板保持構(gòu)件115為開狀態(tài)，在對基板W進(jìn)行清洗處理等時(shí)，使各基板保持構(gòu)件115成為閉狀態(tài)。在使各基板保持構(gòu)件115 為閉狀態(tài)時(shí)，各基板保持構(gòu)件115把持基板W的周緣部，基板W與旋轉(zhuǎn)基座113隔開規(guī)定間隔，被保持為大致水平姿勢。由此，基板W被保持為其表面Wf朝向上方，背面Wb朝向下方的狀態(tài)。此外，在本實(shí)施方式中，在基板W的表面Wf上形成微細(xì)圖案，表面Wf為圖案形成面。另外，在基板保持裝置11的中心軸117上連接包括馬達(dá)的基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)121的旋轉(zhuǎn)軸。此外，基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)121位于下側(cè)基架構(gòu)件903上且設(shè)置在基座單元111的內(nèi)部。另外，基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)121與控制單元97電連接。另外，在基于從控制單元97向基板保持裝置 11發(fā)出的動(dòng)作指令而驅(qū)動(dòng)基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)121時(shí)，固定在中心軸117上的旋轉(zhuǎn)基座113以旋轉(zhuǎn)中心軸Al為中心旋轉(zhuǎn)。此外，從旋轉(zhuǎn)基座113的上表面通過中心軸117到下側(cè)空間906，以使后述的下側(cè)第一供給管以及下側(cè)第二供給管能夠穿過的方式，形成有連通的中空部。接著，說明排液捕捉裝置21。在基板保持裝置11的周圍且下側(cè)基架構(gòu)件903的上側(cè)，以包圍被基板保持裝置11保持的基板W的周圍的方式，設(shè)置大致圓環(huán)狀的杯部210。 杯部210具有相對于旋轉(zhuǎn)中心軸Al大致旋轉(zhuǎn)對稱的形狀，這樣能夠捕捉從基板保持裝置11 以及基板W飛散的液體等。此外，在圖中，為了進(jìn)行說明示出了杯部210的剖面形狀。杯部210具有能夠相互獨(dú)立升降的內(nèi)構(gòu)成構(gòu)件211、中間構(gòu)成構(gòu)件213以及外構(gòu)成構(gòu)件215。如圖7所示，具有在內(nèi)構(gòu)成構(gòu)件211上重疊中間構(gòu)成構(gòu)件213以及外構(gòu)成構(gòu)件 215的結(jié)構(gòu)。內(nèi)構(gòu)成構(gòu)件211、中間構(gòu)成構(gòu)件213以及外構(gòu)成構(gòu)件215分別與設(shè)置在下側(cè)空間906中的引導(dǎo)升降機(jī)構(gòu)217連接，該引導(dǎo)升降機(jī)構(gòu)217由馬達(dá)以及滾珠螺桿等公知的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)構(gòu)成。另外，引導(dǎo)升降機(jī)構(gòu)217與控制單元97電連接。另外，在基于從控制單元97 向排液捕捉裝置21發(fā)出的動(dòng)作指令驅(qū)動(dòng)弓I導(dǎo)升降機(jī)構(gòu)217時(shí)，內(nèi)構(gòu)成構(gòu)件211、中間構(gòu)成構(gòu)件213以及外構(gòu)成構(gòu)件215分別獨(dú)立地或者多個(gè)構(gòu)件同步地沿著旋轉(zhuǎn)中心軸Al在上下方向上移動(dòng)。在內(nèi)構(gòu)成構(gòu)件211上設(shè)置有3個(gè)收集槽，所述3個(gè)收集槽用于以各自分開的通路將內(nèi)構(gòu)成構(gòu)件211、中間構(gòu)成構(gòu)件213以及外構(gòu)成構(gòu)件215分別捕捉到的液體向排液處理系統(tǒng)引導(dǎo)。各個(gè)收集槽設(shè)置為以旋轉(zhuǎn)中心軸Al為中心的大致同心圓狀，在各收集槽上分別連接有與未圖示的排液處理系統(tǒng)連接的配管。杯部210是將內(nèi)構(gòu)成構(gòu)件211、中間構(gòu)成構(gòu)件213以及外構(gòu)成構(gòu)件215各自的上下方向的位置進(jìn)行組合來使用的。例如，包括原位置、外捕捉位置、中捕捉位置以及內(nèi)捕捉位置，其中，原位置為內(nèi)構(gòu)成構(gòu)件211、中間構(gòu)成構(gòu)件213以及外構(gòu)成構(gòu)件215全都處于下方位置的位置，外捕捉位置為內(nèi)構(gòu)成構(gòu)件211以及中間構(gòu)成構(gòu)件213處于下方位置而外構(gòu)成構(gòu)件215處于上方位置的位置，中捕捉位置為內(nèi)構(gòu)成構(gòu)件211處于下方位置而中間構(gòu)成構(gòu)件 213以及外構(gòu)成構(gòu)件215處于上方位置的位置，內(nèi)捕捉位置為內(nèi)構(gòu)成構(gòu)件211、中間構(gòu)成構(gòu)件213以及外構(gòu)成構(gòu)件215全都處于上方位置的位置。原位置是中央機(jī)械手96將基板W搬入搬出處理單元91等時(shí)而形成的位置。外捕捉位置為捕捉外構(gòu)成構(gòu)件215所阻擋的液體而將其引導(dǎo)至外側(cè)的收集槽的位置，中捕捉位置為將中間構(gòu)成構(gòu)件213所阻擋的液體引導(dǎo)至中間的收集槽的位置，另外，內(nèi)捕捉位置為將內(nèi)構(gòu)成構(gòu)件211所阻擋的液體引導(dǎo)至內(nèi)側(cè)的收集槽的位置。通過使用這樣的結(jié)構(gòu)的排液捕捉裝置21，能夠?qū)?yīng)于處理中所使用的液體改變內(nèi)構(gòu)成構(gòu)件211、中間構(gòu)成構(gòu)件213以及外構(gòu)成構(gòu)件215各自的位置來分類捕捉上述液體。通過將各種液體分類，將它們排出至對應(yīng)的排液處理系統(tǒng)，能夠?qū)σ后w進(jìn)行再利用，或者能夠分類處理混合后變得很危險(xiǎn)的多種液體。接著，說明環(huán)境氣體遮擋裝置23。環(huán)境氣體遮擋裝置23的基板相向構(gòu)件即遮擋構(gòu)件231形成為中心部具有開口的圓板狀。遮擋構(gòu)件231的下表面為與基板W的表面Wf大致平行相向的基板相向面，形成為與基板W的直徑相等或以上的大小。遮擋構(gòu)件231能夠旋轉(zhuǎn)且大致水平地支撐于支撐軸233的下方，該支撐軸233內(nèi)部中空且為大致圓筒形狀。支撐軸233的上端部固定設(shè)置在用于使遮擋構(gòu)件231旋轉(zhuǎn)的遮擋構(gòu)件旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu) 235的下表面上。遮擋構(gòu)件旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)235例如由中空馬達(dá)237以及中空軸239構(gòu)成。中空軸239的一端(圖7中的上端)與中空馬達(dá)237的旋轉(zhuǎn)軸相連接，另一端(圖7中的下端) 貫通支撐軸233與遮擋構(gòu)件231的上表面相連接。另外，遮擋構(gòu)件旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)235與控制單元97電連接。另外，在基于從控制單元97向環(huán)境氣體遮擋裝置23發(fā)出的動(dòng)作指令來驅(qū)動(dòng)遮擋構(gòu)件旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)235時(shí)，遮擋構(gòu)件231圍繞通過支撐軸233的中心的鉛垂軸旋轉(zhuǎn)。遮擋構(gòu)件旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)235構(gòu)成為，按照被基板保持裝置11保持的基板W的旋轉(zhuǎn)，以與基板W相同的旋轉(zhuǎn)方向且大致相同的旋轉(zhuǎn)速度，使遮擋構(gòu)件231旋轉(zhuǎn)。此外，從遮擋構(gòu)件旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)235的上表面至遮擋構(gòu)件231的中心部的開口，以使后述的上側(cè)第一供給管以及上側(cè)第二供給管能夠穿過的方式，形成包括中空馬達(dá)237以及中空軸239的內(nèi)部空間的連通的中空部。在遮擋構(gòu)件旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)235的一個(gè)側(cè)面(圖7中的左側(cè)面)連接有臂部241的一端， 臂部241的另一端與上下軸243的圖7中的上端附近相連接。上下軸243在排液捕捉裝置 21的杯部210的周向外側(cè)，能夠升降地安裝在固定設(shè)置于下側(cè)基架構(gòu)件903的圓筒形狀的基架構(gòu)件245上。在上下軸243上連接有遮擋構(gòu)件升降機(jī)構(gòu)247，該遮擋構(gòu)件升降機(jī)構(gòu)247 在基架構(gòu)件245中穿過，由馬達(dá)以及滾珠螺桿等公知的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)構(gòu)成。此外，遮擋構(gòu)件升降機(jī)構(gòu)247設(shè)置在下側(cè)空間906中。另外，遮擋構(gòu)件升降機(jī)構(gòu) 247與控制單元97電連接。另外，在基于從控制單元97向環(huán)境氣體遮擋裝置23發(fā)出的動(dòng)作指令來驅(qū)動(dòng)遮擋構(gòu)件升降機(jī)構(gòu)247時(shí)，遮擋構(gòu)件231與旋轉(zhuǎn)基座113相接近或反向分離。S卩，控制單元97控制遮擋構(gòu)件升降機(jī)構(gòu)247的動(dòng)作，在將基板W搬入搬出處理單元91時(shí)，使遮擋構(gòu)件231上升至基板保持裝置11的上方的分離位置。另一方面，在對基板 W進(jìn)行后述的沖洗處理或?qū)錡進(jìn)行干燥等時(shí)，使遮擋構(gòu)件231下降至相向位置，該相向位置設(shè)定在與被基板保持裝置11保持的基板W的表面Wf極其接近的位置。接著，利用圖8說明凝固體形成裝置31的結(jié)構(gòu)。圖8是表示凝固體形成裝置31 的結(jié)構(gòu)的示意圖。向基板W供給凝固對象液體的嘴311被設(shè)置在上側(cè)基架構(gòu)件902的下表面的嘴驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)313支撐，并能夠升降以及轉(zhuǎn)動(dòng)。嘴驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)313的基架構(gòu)件315在環(huán)境氣體導(dǎo)入通路907的外側(cè)固定設(shè)置為從上側(cè)基架構(gòu)件902的下表面向下方延伸。在基架構(gòu)件315的下方能夠上下移動(dòng)以及自如旋轉(zhuǎn)地支撐有轉(zhuǎn)動(dòng)上下軸317。此外，為了連接轉(zhuǎn)動(dòng)上下軸317和后述的上下驅(qū)動(dòng)部321以及轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部319，基架構(gòu)件315 形成為中空的大致圓筒形狀。轉(zhuǎn)動(dòng)上下軸317的下表面結(jié)合有臂部323的一端，臂部323 的另一端安裝有嘴311。轉(zhuǎn)動(dòng)上下軸317與由馬達(dá)以及滾珠螺桿等公知的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)構(gòu)成的上下驅(qū)動(dòng)部321 以及由馬達(dá)以及齒輪等公知的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)構(gòu)成的轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部319相連接，其中，所述上下驅(qū)動(dòng)部321和轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部319在基架構(gòu)件315中穿過。另外，上下驅(qū)動(dòng)部321以及轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部319與控制單元97電連接。此外，上下驅(qū)動(dòng)部321以及轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部319配設(shè)在上側(cè)空間 905 中。在基于從控制單元97向凝固體形成裝置31發(fā)出的動(dòng)作指令驅(qū)動(dòng)上下驅(qū)動(dòng)部321 時(shí)，轉(zhuǎn)動(dòng)上下軸317上下移動(dòng)，使安裝在臂部323上的嘴311上下移動(dòng)。另外，在基于從控制單元97向凝固體形成裝置31發(fā)出的動(dòng)作指令驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部319時(shí),轉(zhuǎn)動(dòng)上下軸317 以旋轉(zhuǎn)中心軸A2為中心旋轉(zhuǎn)，使臂部323轉(zhuǎn)動(dòng)，由此使安裝在臂部323上的嘴311擺動(dòng)。嘴311經(jīng)由配管335與第一 DIW供給部333連接。另外，在配管335上具有開閉閥337，開閉閥337通常關(guān)閉。另外，開閉閥337與控制單元97電連接。另外，在基于從控制單元97向凝固體形成裝置31發(fā)出的動(dòng)作指令打開開閉閥337時(shí)，從第一 DIW供給部333 經(jīng)由配管335向嘴311壓送過冷卻狀態(tài)的DIW。此外，第一 DIW供給部333可以設(shè)置在基板處理裝置9的內(nèi)部，也可以設(shè)置在其外部。圖9表示第一 DIW供給部333的結(jié)構(gòu)。第一 DIW供給部333具有用于儲存DIW的 DIW貯存器341、用于壓送來自DIW貯存器341的DIW的泵343以及用于冷卻DIW的冷卻單元344。通過管路與DIW貯存器341連接的泵343對DIW加壓來向冷卻單元344送出DIW。 經(jīng)由泵343供給至冷卻單元344的DIW在冷卻單元344中成為過冷卻狀態(tài)，并經(jīng)由配管335 供給至嘴311。在本實(shí)施方式中，冷卻單元344使用利用氣體冷媒的制冷循環(huán)進(jìn)行冷卻的冷卻裝置。S卩，HCFC (hydrochlorofluorocarbon :氧氣氣經(jīng))>HFC (hydrofluorocarbon :氧氣經(jīng))、 二氧化碳、氨等氣體被壓縮機(jī)346壓縮，并經(jīng)由配管349壓送至冷凝器347。被壓縮機(jī)346 加壓的冷媒被冷凝器347冷卻，而成為高壓的液體，并經(jīng)由配管349被輸送至毛細(xì)管348而被減壓。被毛細(xì)管348減壓的液體經(jīng)由配管349被輸送至蒸發(fā)器345。蒸發(fā)器345為圍繞配管335螺旋狀地卷繞配管349而成的結(jié)構(gòu)。在圍繞配管335 卷繞的配管349中，冷媒汽化，而產(chǎn)生汽化熱，從而從配管335中的凝固對象液體帶走熱，來冷卻凝固對象液體。在蒸發(fā)器345中汽化的冷媒經(jīng)由配管349再次返回壓縮機(jī)346，反復(fù)進(jìn)行上述的循環(huán)。此外，在本實(shí)施方式中，冷卻單元344使用利用制冷循環(huán)的冷卻裝置，但是對凝固對象液體進(jìn)行冷卻的裝置不限于此。即，冷卻單元344能夠使用通過珀?duì)柼M(jìn)行電冷
16卻的裝置或使用將配管335直接浸潰在被冷卻的冷媒中進(jìn)行冷卻的方法等公知的冷卻裝置。另外，還能夠不在第一 DIW供給部333上設(shè)置DIW貯存器341，而從工廠設(shè)施側(cè)直接供給DIW。此外，第一 DIW供給部333的泵343從基板處理裝置9啟動(dòng)的時(shí)刻開始始終動(dòng)作。接著，利用圖10說明表面冷卻裝置35的結(jié)構(gòu)。圖10是表示表面冷卻裝置35的結(jié)構(gòu)的示意圖。向基板W供給液體冷媒的嘴351被設(shè)置在上側(cè)基架構(gòu)件902的下表面的嘴驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)353支撐，并能夠升降以及轉(zhuǎn)動(dòng)。嘴驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)353的基架構(gòu)件355在環(huán)境氣體導(dǎo)入通路907的外側(cè)固定設(shè)置為從上側(cè)基架構(gòu)件902的下表面向下方延伸。在基架構(gòu)件355的下方能夠上下移動(dòng)以及自如旋轉(zhuǎn)地支撐有轉(zhuǎn)動(dòng)上下軸357。此外，為了連接轉(zhuǎn)動(dòng)上下軸357和后述的上下驅(qū)動(dòng)部361、轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部359，基架構(gòu)件355形成為中空的大致圓筒形狀。轉(zhuǎn)動(dòng)上下軸357的下表面結(jié)合有臂部363的一端，臂部363的另一端安裝有嘴351。轉(zhuǎn)動(dòng)上下軸357與由馬達(dá)以及滾珠螺桿等公知的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)構(gòu)成的上下驅(qū)動(dòng)部361 以及由馬達(dá)以及齒輪等公知的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)構(gòu)成的轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部359連接，其中，所述上下驅(qū)動(dòng)部361和所述轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部359在基架構(gòu)件355中穿過。另外，上下驅(qū)動(dòng)部361以及轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部359與控制單元97電連接。此外，上下驅(qū)動(dòng)部361以及轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部359配設(shè)在上側(cè)空間905中。在基于從控制單元97向表面冷卻裝置35發(fā)出的動(dòng)作指令而驅(qū)動(dòng)上下驅(qū)動(dòng)部361 時(shí)，轉(zhuǎn)動(dòng)上下軸357上下移動(dòng)，使安裝在臂部363上的嘴351上下移動(dòng)。另外，在基于從控制單元97向表面冷卻裝置35發(fā)出的動(dòng)作指令而驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部359時(shí)，轉(zhuǎn)動(dòng)上下軸357 以旋轉(zhuǎn)中心軸A3為中心旋轉(zhuǎn)，使臂部363轉(zhuǎn)動(dòng)，由此使安裝在臂部363上的嘴351擺動(dòng)。嘴351經(jīng)由配管375與HFE供給部373連接。另外，在配管375上具有開閉閥377， 開閉閥377通常關(guān)閉。另外，開閉閥377與控制單元97電連接。另外，在基于從控制單元 97向表面冷卻裝置35發(fā)出的動(dòng)作指令而打開開閉閥377時(shí)，從HFE供給部373經(jīng)由配管 375向嘴351壓送低溫的HFE。此外，HFE供給部373可以設(shè)置在基板處理裝置9的內(nèi)部， 也可以設(shè)置在其外部。圖11表示HFE供給部373的結(jié)構(gòu)。HFE供給部373具有用于儲存HFE的HFE貯存器381、用于壓送來自HFE貯存器381的HFE的泵383以及用于調(diào)整HFE的溫度的溫度調(diào)整單元385。通過管路與HFE貯存器381連接的泵383對HFE加壓后送出至溫度調(diào)整單元 385。經(jīng)由泵383供給至溫度調(diào)整單元385的HFE在溫度調(diào)整單元385中被冷卻，并經(jīng)由配管375供給至嘴351。在此，溫度調(diào)整單元385能夠使用利用珀?duì)柼臏囟日{(diào)整裝置或利用冷媒的熱交換器等的公知的溫度調(diào)整裝置。另外，還能夠不在HFE供給部373上設(shè)置HFE貯存器 381，而從工廠設(shè)施側(cè)直接供給HFE。此外，HFE供給部373的泵383從基板處理裝置9啟動(dòng)的時(shí)刻開始始終動(dòng)作。接著，利用圖12說明融化裝置41的結(jié)構(gòu)。圖12是表示融化裝置41的結(jié)構(gòu)的示意圖。向基板W供給融化液的嘴411被設(shè)置在上側(cè)基架構(gòu)件902的下表面的嘴驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)413 支撐，并能夠升降以及轉(zhuǎn)動(dòng)。嘴驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)413的基架構(gòu)件415在環(huán)境氣體導(dǎo)入通路907的外側(cè)固定設(shè)置為從上側(cè)基架構(gòu)件902的下表面向下方延伸。在基架構(gòu)件415的下方能夠上下移動(dòng)以及自如旋轉(zhuǎn)地支撐有轉(zhuǎn)動(dòng)上下軸417。此外，為了連接轉(zhuǎn)動(dòng)上下軸417和后述的上下驅(qū)動(dòng)部421、轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部419，基架構(gòu)件415形成為中空的大致圓筒形狀。轉(zhuǎn)動(dòng)上下軸417的下表面結(jié)合有臂部423的一端，在臂部423的另一端安裝有嘴411。轉(zhuǎn)動(dòng)上下軸417與由馬達(dá)以及滾珠螺桿等公知的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)構(gòu)成的上下驅(qū)動(dòng)部421 以及由馬達(dá)以及齒輪等公知的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)構(gòu)成的轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部419連接，其中，所述上下驅(qū)動(dòng)部421和所述轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部419在基架構(gòu)件415中穿過。另外，上下驅(qū)動(dòng)部421以及轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部419與控制單元97電連接。此外，上下驅(qū)動(dòng)部421以及轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部419配設(shè)在上側(cè)空間905中。在基于從控制單元97向融化裝置41發(fā)送的動(dòng)作指令而驅(qū)動(dòng)上下驅(qū)動(dòng)部421時(shí)， 轉(zhuǎn)動(dòng)上下軸417上下移動(dòng)，使安裝在臂部423上的嘴411上下移動(dòng)。另外，在基于從控制單元97向融化裝置41發(fā)送的動(dòng)作指令而驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部419時(shí)，轉(zhuǎn)動(dòng)上下軸417以旋轉(zhuǎn)中心軸A4為中心旋轉(zhuǎn)，使臂部423轉(zhuǎn)動(dòng)，由此使安裝在臂部423上的嘴411擺動(dòng)。嘴411經(jīng)由配管435與第二 DIW供給部433連接。另外，在配管435上具有開閉閥437，開閉閥437通常關(guān)閉。另外，開閉閥437與控制單元97電連接。另外，在基于從控制單元97向融化裝置41發(fā)送的動(dòng)作指令而打開開閉閥437時(shí)，從第二 DIW供給部433經(jīng)由配管435向嘴411壓送DIW。此外，第二 DIW供給部433可以設(shè)置在基板處理裝置9的內(nèi)部，也可以設(shè)置在其外部。圖13表示第二 DIW供給部433的結(jié)構(gòu)。第二 DIW供給部433具有用于儲存DIW 的DIW貯存器441、用于壓送來自DIW貯存器441的DIW的泵443以及用于調(diào)整DIW的溫度的溫度調(diào)整單元445。通過管路與DIW貯存器441連接的泵443將DIW加壓后送出至溫度調(diào)整單元445。經(jīng)由泵443供給至溫度調(diào)整單元445的DIW在溫度調(diào)整單元445被調(diào)整溫度，并經(jīng)由配管435供給至嘴411。在此，溫度調(diào)整單元445能夠使用利用珀?duì)柼臏囟日{(diào)整裝置或利用冷媒的熱交換器等的公知的溫度調(diào)整裝置。另外，還能夠不在第二 DIW供給部433上設(shè)置DIW貯存器441，而從工廠設(shè)施側(cè)直接供給DIW。此外，第二 DIW供給部433的泵443從基板處理裝置9啟動(dòng)的時(shí)刻起始終動(dòng)作。接著，利用圖14說明沖洗裝置45、背面冷卻裝置47以及干燥用氣體供給裝置51 的結(jié)構(gòu)。圖14是表示沖洗裝置45、背面冷卻裝置47以及干燥用氣體供給裝置51的結(jié)構(gòu)的示意圖。沖洗裝置45向基板表面Wf以及基板背面Wb供給沖洗液，背面冷卻裝置47向基板背面Wb供給冷媒，干燥用氣體供給裝置51向基板表面Wf以及基板背面Wb供給干燥用氣體。首先，說明基板表面Wf側(cè)的管路結(jié)構(gòu)。在從上述的環(huán)境氣體遮擋裝置23的遮擋構(gòu)件旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)235的上表面到遮擋構(gòu)件231的中心部的開口為止連通的中空部的內(nèi)部穿過有上側(cè)第一供給管271。在該上側(cè)第一供給管271中穿過有上側(cè)第二供給管273，即成為所謂的雙重管結(jié)構(gòu)。該上側(cè)第一供給管271以及上側(cè)第二供給管273的下方端部延伸設(shè)置到遮擋構(gòu)件231的開口，在上側(cè)第二供給管273的前端設(shè)置嘴275。接著，說明基板背面Wb側(cè)的管路結(jié)構(gòu)。在從上述的基板保持裝置11的旋轉(zhuǎn)基座 113的上表面通過中心軸117至下側(cè)空間906的連通空間的內(nèi)部穿過有下側(cè)第一供給管 281。在該下側(cè)第一供給管281中穿過有下側(cè)第二供給管283,即成為所謂的雙重管結(jié)構(gòu)。該下側(cè)第一供給管281以及下側(cè)第二供給管283的上方端部延伸設(shè)置到旋轉(zhuǎn)基座113的開口，在下側(cè)第二供給管283的前端設(shè)置嘴291。接著，說明沖洗裝置45。沖洗裝置45從作為沖洗液的供給源的第三DIW供給部 453向基板表面Wf以及基板背面Wb分別供給沖洗液。在具有未圖示的DIW貯存器、溫度調(diào)整單元以及泵的第三DIW供給部453上通過管路連接主配管455的一端。主配管455的另一端分支為上側(cè)分支配管457以及下側(cè)分支配管461，上側(cè)分支配管457通過管路與上側(cè)第二供給管273相連接，下側(cè)分支配管461通過管路與下側(cè)第二供給管283相連接。另外，第三DIW供給部453的泵從基板處理裝置9啟動(dòng)的時(shí)刻開始始終動(dòng)作。在上側(cè)分支配管457上具有開閉閥459。此外，開閉閥459通常關(guān)閉。另外，開閉閥459與控制單元97電連接。另外，在基于從控制單元97向沖洗裝置45發(fā)送的動(dòng)作指令而使開閉閥459打開時(shí)，DIW從第三DIW供給部453通過主配管455、上側(cè)分支配管457以及上側(cè)第二供給管273，而從嘴275供給至基板表面Wf。在下側(cè)分支配管461上具有開閉閥463。此外，開閉閥463通常關(guān)閉。另外，開閉閥463與控制單元97電連接。另外，在基于從控制單元97向沖洗裝置45發(fā)送的動(dòng)作指令而使開閉閥463打開時(shí)，DIW從第三DIW供給部453通過主配管455、下側(cè)分支配管461以及下側(cè)第二供給管283，而從嘴291供給至基板背面Wb。 這些第三DIW供給部453、主配管455、上側(cè)分支配管457、下側(cè)分支配管461、開閉閥459、開閉閥463、上側(cè)第二供給管273、下側(cè)第二供給管283、嘴275以及嘴291構(gòu)成沖洗裝置45。此外，第三DIW供給部453可以設(shè)置在基板處理裝置9的內(nèi)部，也可以設(shè)置在其外部。接著，說明背面冷卻裝置47。背面冷卻裝置從HFE供給部373向基板背面Wb供給作為冷卻液的HFE。一端通過管路與HFE供給部373連接的配管475，其另一端通過管路連接為與開閉閥463和下側(cè)第二供給管283之間的下側(cè)分支配管461合流。在配管475上具有開閉閥477。此外，開閉閥477通常關(guān)閉。另外，開閉閥477與控制單元97電連接。另外，在基于從控制單元97向背面冷卻裝置47發(fā)送的動(dòng)作指令使開閉閥477打開時(shí)，HFE從HFE供給部373通過配管475、下側(cè)分支配管461以及下側(cè)第二供給管283，而從嘴291供給至基板背面Wb。接著，說明干燥用氣體供給裝置51。干燥用氣體供給裝置51從作為干燥用氣體的供給源的干燥用氮?dú)夤┙o部513分別向基板表面Wf以及基板背面Wb供給干燥用氮?dú)?。在具有未圖示的氮?dú)庀湟约氨玫母稍镉玫獨(dú)夤┙o部513通過管路連接有主配管515的一端。 主配管515的另一端分支為上側(cè)分支配管517以及下側(cè)分支配管521，上側(cè)分支配管517通過管路與上側(cè)第一供給管271連接，下側(cè)分支配管521通過管路與下側(cè)第一供給管281連接。另外，干燥用氮?dú)夤┙o部513的泵從基板處理裝置9啟動(dòng)的時(shí)刻開始始終動(dòng)作。在上側(cè)分支配管517上具有質(zhì)量流量控制器519。質(zhì)量流量控制器519與控制單元97電連接。另外，在基于從控制單元97向干燥用氣體供給裝置51發(fā)送的動(dòng)作指令使質(zhì)量流量控制器519打開而形成規(guī)定流量時(shí)，常溫的氮?dú)饨?jīng)由主配管515、上側(cè)分支配管517、 上側(cè)第一供給管271供給至基板表面Wf。在下側(cè)分支配管521上具有質(zhì)量流量控制器523。質(zhì)量流量控制器523與控制單元97電連接。另外，在基于從控制單元97向干燥用氣體供給裝置51發(fā)送的動(dòng)作指令使質(zhì)量流量控制器523打開而形成規(guī)定流量時(shí)，常溫的氮?dú)饨?jīng)由主配管515、下側(cè)分支配管521、 下側(cè)第一供給管281供給至基板背面Wb。這些干燥用氮?dú)夤┙o部513、主配管515、上側(cè)分支配管517、下側(cè)分支配管521、質(zhì)量流量控制器519、質(zhì)量流量控制器523、上側(cè)第一供給管271以及下側(cè)第一供給管281構(gòu)成干燥用氣體供給裝置51。此外，干燥用氮?dú)夤┙o部513可以設(shè)置在基板處理裝置9的內(nèi)部，也可以設(shè)置在其外部?？刂茊卧?7具有用于進(jìn)行各種運(yùn)算處理的CPU、用于存儲基本程序的只讀存儲器即ROM、用于存儲各種信息的讀寫存儲器即RAM以及用于存儲控制用軟件、數(shù)據(jù)等的磁盤。 在磁盤中作為清洗程序(還稱為方法(recipe))預(yù)先存儲有根據(jù)基板W設(shè)定的清洗條件。 另外，CPU從RAM讀取該內(nèi)容，按照從RAM讀取的清洗程序的內(nèi)容控制基板處理裝置9的各部分。此外，在控制單元97上連接有操作部971 (參照圖3)，所述操作部971用于制作或變更清洗程序，或者從多個(gè)清洗程序中選擇出所希望的程序。接著，參照圖15說明上述那樣構(gòu)成的基板處理裝置9的清洗處理動(dòng)作。圖15是表示基板處理裝置9的整體動(dòng)作的流程圖。此外，在以下的說明中只要沒有預(yù)先聲明，環(huán)境氣體遮擋裝置23在遮擋構(gòu)件231處于相向位置時(shí)，遮擋構(gòu)件231向基板保持裝置11的基板旋轉(zhuǎn)裝置13使旋轉(zhuǎn)基座113旋轉(zhuǎn)的方向以大致相同的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。首先，通過操作部971選擇與規(guī)定的基板W對應(yīng)的清洗程序，并指示執(zhí)行該清洗程序。之后，基于來自控制單元97的動(dòng)作指令進(jìn)行以下的動(dòng)作，來為將基板W搬入處理單元 91的動(dòng)作做準(zhǔn)備。S卩，環(huán)境氣體遮擋裝置23使遮擋構(gòu)件231停止旋轉(zhuǎn)，基板保持裝置11使旋轉(zhuǎn)基座 113停止旋轉(zhuǎn)。環(huán)境氣體遮擋裝置23使遮擋構(gòu)件231向分離位置移動(dòng)，基板保持裝置11將旋轉(zhuǎn)基座113定位在適于交接基板W的位置。另外，排液捕捉裝置21將杯部210定位在原位置。在旋轉(zhuǎn)基座113定位在適于交接基板W的位置后，基板保持裝置11使基板保持構(gòu)件 115形成開狀態(tài)。另外，凝固體形成裝置31使嘴311向退避位置(嘴311退出到杯部210的周向外側(cè)的位置)移動(dòng)。另外，表面冷卻裝置35使嘴351向退避位置(嘴351退出到杯部210的周向外側(cè)的位置)移動(dòng)。另外，融化裝置41使嘴411向退避位置(嘴411退出到杯部210 的周向外側(cè)的位置)移動(dòng)。另外，開閉閥337、377、437、459、463以及477關(guān)閉。另外，質(zhì)量流量控制器519、523將流量設(shè)定為0 (零)。在將基板W搬入處理單元91的準(zhǔn)備工作完成之后，進(jìn)行將未處理的基板W搬入處理單元91的基板搬入工序(步驟S101)。即，分度器機(jī)械手931通過下側(cè)的手部933取出開箱機(jī)94上的FOUP 949中的規(guī)定位置的基板W，并將基板載置在往復(fù)搬運(yùn)器95的下側(cè)的手部951上。之后，往復(fù)搬運(yùn)器95的下側(cè)的手部951向中央機(jī)械手96側(cè)移動(dòng)，中央機(jī)械手 96通過下側(cè)的手部961取下往復(fù)搬運(yùn)器95的下側(cè)的手部951上的基板W。之后，打開處理單元91的擋板911，中央機(jī)械手96將下側(cè)的手部961伸出至處理單元91中，將基板W載置在基板保持裝置11的基板保持構(gòu)件115的基板支撐部上。在將基板W向處理單元91搬入的動(dòng)作結(jié)束時(shí)，中央機(jī)械手96使下側(cè)的手部961縮回而退出到處理單元91之外，并關(guān)閉擋板911。在未處理的基板W搬入至處理單元91內(nèi)，并載置在基板保持構(gòu)件115的基板支撐部上時(shí)，基于從控制單元97向基板保持裝置11發(fā)出的動(dòng)作指令，基板保持構(gòu)件驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu) 119使基板保持構(gòu)件115成為閉狀態(tài)。接著，進(jìn)行準(zhǔn)備過冷卻狀態(tài)的作為凝固對象液體的DIW的準(zhǔn)備工序(步驟S102)。 此外，該準(zhǔn)備工序不必在基板搬入工序結(jié)束之后進(jìn)行，可以與基板搬入工序并行執(zhí)行，也可以在基板搬入工序之如進(jìn)行。接著，對基板表面Wf進(jìn)行用于使凝固對象液體成為凝固體的凝固體形成工序(步驟S103)。首先，基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)121基于從控制單元97向基板保持裝置11發(fā)出的動(dòng)作指令，改變旋轉(zhuǎn)基座113的轉(zhuǎn)速，并且在凝固體形成工序期間維持。另外，基于從控制單元97 向排液捕捉裝置21發(fā)出的動(dòng)作指令，杯部210被定位在內(nèi)捕捉位置。此外，環(huán)境氣體遮擋裝置23的遮擋構(gòu)件231處于分離位置不變。優(yōu)選凝固體形成工序中的基板W的轉(zhuǎn)速為50 300rpm,這樣能夠使供給至基板表面Wf上的作為凝固對象液體的DIW穩(wěn)定地成為凝固體。以下，說明凝固體形成工序中的基板W的轉(zhuǎn)速為80rpm的情況。另外，嘴驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)313基于從控制單元97向凝固體形成裝置31發(fā)出的動(dòng)作指令， 將嘴311定位在基板表面Wf的中心附近的上空。在嘴311的定位動(dòng)作結(jié)束之后，基于從控制單元97向凝固體形成裝置31發(fā)出的動(dòng)作指令，打開開閉閥337。由此，凝固對象液體從第一 DIW供給部333經(jīng)由配管335，而從嘴311供給至基板表面Wf的中心附近。此外，優(yōu)選作為凝固對象液體的DIW的溫度調(diào)節(jié)為_(負(fù))5°C (攝氏) 0°C (攝氏)，這樣能夠在過冷卻狀態(tài)下將凝固對象液體供給至基板表面Wf來形成凝固體，而且能夠使凝固對象液體在供給至基板表面Wf之前的管路內(nèi)不凝固。以下，說明凝固對象液體的溫度為-(負(fù))5°c (攝氏)的情況。為了使構(gòu)成液體的分子向結(jié)晶過程(第一類相變(phase transition of thefirst kind))轉(zhuǎn)變,需要成為核的微小的相(在液體的情況下為種晶等)，但是在過冷卻中微小的相不充分地發(fā)育，這樣就不進(jìn)行相變。然而，如果對過冷卻狀態(tài)下的液體施加某種物理刺激(振動(dòng)等)，則液體內(nèi)的溫度分布發(fā)生變化，局部變?yōu)榈蜏兀瑥亩N晶生成，由此以該種晶為核快速地結(jié)晶(接種凍結(jié))。例如，將過冷卻狀態(tài)的水放入瓶中僅通過敲打就快速凍結(jié)的現(xiàn)象、在想要向其他容器移動(dòng)時(shí)一邊注入一邊凍結(jié)而成為柱狀的冰的現(xiàn)象就屬于接種凍結(jié)。在本實(shí)施方式的情況下，從嘴311噴出的凝固對象液體借助落到基板表面Wf上而產(chǎn)生的沖擊而凝固，從而在基板表面Wf形成凝固對象液體的凝固體。此外，只要凝固對象液體能夠在基板表面Wf上形成凝固體即可，不限于在基板表面Wf上開始使過冷卻狀態(tài)的凝固對象液體結(jié)晶，可以在到達(dá)基板W的過程中開始結(jié)晶。在嘴311靜止于基板表面Wf的中心附近上空的的狀態(tài)下，凝固對象液體的凝固體會集中在嘴311正下方附近。因此，優(yōu)選在凝固體形成工序中，在旋轉(zhuǎn)的基板W的上空，使嘴311 —邊移動(dòng)一邊噴出凝固對象液體。S卩，在從嘴311開始噴出凝固對象液體之后，嘴驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)313基于從控制單元97 向凝固體形成裝置31發(fā)出的動(dòng)作指令，使嘴311從基板表面Wf的中心附近上空向周緣附近上空移動(dòng)。通過這樣在旋轉(zhuǎn)的基板W上空使嘴311 —邊從中心附近上空移動(dòng)至周緣附近上空一邊噴出凝固對象液體，能夠向整個(gè)基板表面Wf噴出凝固對象液體，結(jié)果，能夠在整個(gè)基板表面Wf形成凝固對象液體的凝固體。
另外，由于凝固對象液體的凝固體會集中形成在嘴311的正下方附近，所以通過改變從嘴311向基板表面Wf供給的凝固對象液體的量，能夠改變形成在基板表面Wf的各個(gè)部分上的凝固對象液體即凝固對象液體的凝固體的厚度。S卩，如上所述，在一邊噴出凝固對象液體一邊使嘴311從基板表面Wf的中心附近上空移動(dòng)至外緣附近上空的期間，通過使嘴311的移動(dòng)速度恒定而改變從嘴311噴出的凝固對象液體的量，或者使從嘴311噴出的凝固對象液體的量恒定而改變嘴311的移動(dòng)速度， 能夠改變凝固對象液體的凝固體的厚度。這樣，通過改變形成在基板表面Wf上的凝固對象液體的凝固體的厚度，如上所述，能夠改變清洗能力(參照圖2)?；宓闹芫壐浇c在上述基板冷卻工序中向基板背面Wb噴出冷卻液的嘴291之間存在距離，另外，由于基板的周緣附近的應(yīng)該被冷卻的面積比中心部附近的面積大，所以與基板W的中心附近相比，基板的周緣附近的冷卻效率低。而且，基板W的周緣附近受到在處理單元91內(nèi)部從上向下流動(dòng)的環(huán)境氣體的影響，溫度易于上升。因此，與基板W的中心部附近相比，周緣部附近的形成在基板表面Wf上的凝固對象液體的凝固體的溫度易于上升， 從而清洗能力有可能降低(參照圖I)。因此，優(yōu)選使基板W的外緣部附近的凝固對象液體的凝固體的厚度比中心部附近厚來防止清洗能力降低。此外，由于凝固對象液體的凝固體越厚，熱容量越大，溫度越難于上升，因此能夠抑制由于從環(huán)境氣體等吸熱而使溫度上升的情況，在這一點(diǎn)上也能夠防止清洗能力降低。作為凝固對象液體的DIW由于凝固成冰而體積增加(在0°C (攝氏)的水變?yōu)?(TC (攝氏)度的冰時(shí)，其體積增加為大約1.1倍)。因此，由于進(jìn)入基板表面Wf和顆粒等之間的DIW凝固而膨脹，所以顆粒等從基板表面Wf離開微小的距離。結(jié)果，基板表面Wf與顆粒等之間的附著力降低，而且顆粒等能夠從基板W脫離。另外，DIW的凝固體在與基板表面Wf平行的方向上膨脹，來剝離附著在基板上顆粒等。由此，通過后述的除去工序，能夠除去作為DIW的凝固體的冰，并且一并除去顆粒等。在整個(gè)基板表面Wf上形成凝固對象液體的凝固體之后，基于從控制單元97向凝固體形成裝置31發(fā)出的動(dòng)作指令，打開開閉閥337。另外，嘴驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)313基于從控制單元97向凝固體形成裝置31發(fā)出的動(dòng)作指令，將嘴311定位在退避位置(嘴311退出到杯部210的周向外側(cè)的位置)上。接著，進(jìn)行對基板表面Wf 供給冷卻液的凝固體冷卻工序(步驟S104)。首先，基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)121基于從控制單元97向基板保持裝置11發(fā)出的動(dòng)作指令，改變旋轉(zhuǎn)基座113 的轉(zhuǎn)速，并且在凝固體冷卻工序期間維持。另外，基于從控制單元97向排液捕捉裝置21發(fā)出的動(dòng)作指令，杯部210被定位在中捕捉位置上。此外，環(huán)境氣體遮擋裝置23的遮擋構(gòu)件 231處于分離位置不變。優(yōu)選凝固體冷卻工序中的基板W的轉(zhuǎn)速為300 900rpm,這樣能夠使供給至基板表面Wf的冷卻液蔓延到整個(gè)基板表面Wf。以下，說明凝固體冷卻工序中的基板W的轉(zhuǎn)速為 400rpm的情況。另外，嘴驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)353基于從控制單元97向表面冷卻裝置35發(fā)出的動(dòng)作指令，將嘴351定位在基板表面Wf的中心附近上空。在嘴351的定位動(dòng)作結(jié)束之后，基于從控制單元97向表面冷卻裝置35發(fā)出的動(dòng)作指令，打開開閉閥377。由此，冷卻液從HFE供給部373經(jīng)由配管375，而從嘴351供給至基板表面Wf的中心附近。此夕卜，優(yōu)選將作為冷卻液的HFE的溫度調(diào)節(jié)為_(負(fù))40 V (攝氏) -(負(fù))10°C (攝氏)，這樣能夠使基板表面Wf上的凝固對象液體的凝固體的溫度降低，來提高清洗能力。以下，說明作為冷卻液的HFE的溫度為-(負(fù))20°C (攝氏)的情況。供給至基板表面Wf 的中心附近的冷卻液通過基板W旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的離心力，而從基板W的中心向基板W的周緣部流動(dòng)，從而蔓延至整個(gè)基板表面Wf。由此，能夠使形成在基板表面Wf上的所有的凝固對象液體的凝固體的溫度降低。此外，在凝固體冷卻工序中供給至基板表面Wf上的冷卻液借助基板W的旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的離心力，從基板表面Wf的中心向基板表面Wf的周緣部流動(dòng)，從而向基板外飛散，被排液捕捉裝置21捕捉并排出。在被捕捉的冷卻液中也包含殘留在基板上的液體的凝固對象液體，但是由于作為冷卻液的HFE具有不溶于作為凝固對象液體的DIW的性質(zhì)，從而能夠僅分離出冷卻液，來回收再利用。這一點(diǎn)與在上述的基板冷卻工序中使用的冷卻液相同。另外，在本實(shí)施方式中，使嘴351靜止在基板表面Wf的中心附近上空來供給冷卻液，但是對基板表面Wf進(jìn)行冷卻的冷卻方法不限于此。即，可以在開始從嘴351向基板表面Wf供給冷卻液之后，嘴驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)353基于從控制單元97向表面冷卻裝置35發(fā)出的動(dòng)作指令，使嘴351從基板表面Wf的中心附近上空向周緣附近上空移動(dòng)。由此，能夠均勻地向整個(gè)基板表面Wf供給冷卻液。此外，如上所述，由于與中心附近相比，基板W的周緣部附近的溫度易于上升，所以在使嘴351從基板表面Wf的中心附近上空移動(dòng)到周緣附近上空之后，使嘴351在周緣部附近上空停止規(guī)定時(shí)間，持續(xù)噴出冷卻液，來進(jìn)一步加強(qiáng)冷卻基板W的周緣部附近。由此， 能夠使清洗能力均一化。在冷卻液蔓延至整個(gè)基板表面Wf 之后，基于從控制單元97向表面冷卻裝置35發(fā)出的動(dòng)作指令，關(guān)閉開閉閥377。另外，嘴驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)353基于從控制單元97向表面冷卻裝置35發(fā)出的動(dòng)作指令，將嘴351定位在退避位置(嘴351退出到杯部210的周向外側(cè)的位置)上。接著，進(jìn)行作為除去工序的融化工序，將形成在基板表面Wf上的作為凝固對象液體的DIW的凝固體融化并除去(步驟S105)。首先，基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)121基于從控制單元97 向基板保持裝置11發(fā)出的動(dòng)作指令，改變旋轉(zhuǎn)基座113的轉(zhuǎn)速，并且在融化工序期間維持。 另外，基于從控制單元97向排液捕捉裝置21發(fā)出的動(dòng)作指令，杯部210被定位在內(nèi)捕捉位置。此外，環(huán)境氣體遮擋裝置23的遮擋構(gòu)件231處于分離位置不變。優(yōu)選融化工序中的基板W的轉(zhuǎn)速為1500 2500rpm，這樣能夠?qū)⒐┙o至基板表面 Wf的作為融化液的DIW蔓延至整個(gè)基板表面Wf，并且能夠通過在基板表面Wf蔓延的液流， 沖洗殘留在基板表面Wf上的冷卻液以及從基板表面Wf脫離的顆粒等。以下，說明融化工序中的基板W的轉(zhuǎn)速為2000rpm的情況。另外，嘴驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)413基于從控制單元97向融化裝置41發(fā)出的動(dòng)作指令，將嘴 411定位在基板表面Wf的中心附近上空。在嘴411的定位動(dòng)作結(jié)束之后，基于從控制單元 97向融化裝置41發(fā)出的動(dòng)作指令，打開開閉閥437。由此，融化液從第二 DIW供給部433 經(jīng)由配管435，而從嘴411供給至基板表面Wf的中心附近。優(yōu)選將供給至基板表面Wf的作為融化液的DIW調(diào)節(jié)為50°C (攝氏)至90°C (攝
23氏)的溫度，這是為了縮短使形成在基板W的表面Wf上的凝固對象液體的凝固體融化的時(shí)間，來防止沒有完全融化的凝固對象液體的凝固體浮游在作為融化液的DIW中而沖擊圖案使圖案損傷。以下，說明作為融化液供給80°C (攝氏)的DIW的情況。供給至基板表面Wf的中心附近的融化液借助基板W的旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的離心力，從基板表面Wf的中心向基板表面Wf的周緣部流動(dòng)，蔓延至整個(gè)基板表面Wf，并向基板外飛散， 被排液捕捉裝置21捕捉并排出。在基板表面Wf上蔓延的融化液快速地使形成在基板表面 Wf上的凝固對象液體的凝固體解凍，并且該融化液的液流沖洗從基板表面Wf脫離的顆粒等，使其向基板W外排出。另外，該融化液的液流還沖洗殘留在基板表面Wf上的冷卻液，使其向基板W外排出。在基板表面Wf上的凝固對象液體的凝固體融化之后，基于從控制單元97向融化裝置41發(fā)出的動(dòng)作指令，關(guān)閉開閉閥437。另外，嘴驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)413基于從控制單元97向融化裝置41發(fā)出的動(dòng)作指令，將嘴411定位在退避位置(嘴411退出到杯部210的周向外側(cè)的位置)上。接著，進(jìn)行沖洗工序(步驟S106)。遮擋構(gòu)件升降機(jī)構(gòu)247基于從控制單元97向環(huán)境氣體遮擋裝置23發(fā)出的動(dòng)作指示，將遮擋構(gòu)件231移動(dòng)至相向位置。另外，基板旋轉(zhuǎn)裝置13基于從控制單元97向基板保持裝置11發(fā)出的動(dòng)作指令，改變旋轉(zhuǎn)基座113的轉(zhuǎn)速， 并在沖洗工序期間維持。此外，杯部210處于內(nèi)捕捉位置不變。優(yōu)選沖洗工序中的基板W的轉(zhuǎn)速為300 lOOOrpm，這樣能夠使供給至基板表面 Wf以及基板背面Wb的沖洗液蔓延至整個(gè)基板表面Wf以及整個(gè)基板背面Wb。以下，說明沖洗工序的基板W的轉(zhuǎn)速為800rpm的情況。在遮擋構(gòu)件231定位在相向位置之后，基于從控制單元97向沖洗裝置45發(fā)出的動(dòng)作指示，打開開閉閥459以及開閉閥463。由此，沖洗液從第三DIW供給部453經(jīng)由主配管455、上側(cè)分支配管457、上側(cè)第二供給管273，而從嘴275供給至基板表面Wf，另外，經(jīng)由主配管455、下側(cè)分支配管461、下側(cè)第二供給管283，而從嘴291供給至基板背面Wb。分別供給至基板表面Wf以及基板背面Wb 的中心附近的沖洗液借助基板W旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的離心力，向基板周緣方向流動(dòng)，最終從基板周緣部向基板W外飛散，被排液捕捉裝置21捕捉并排出。此外，沖洗液發(fā)揮除去在之前的各工序中飛散到基板W的背面Wb的DIW等、環(huán)境氣體中的附著在基板W上的顆粒等的作用。在沖洗工序結(jié)束之后，基于從控制單元97向沖洗裝置45發(fā)出的動(dòng)作指令，關(guān)閉開閉閥459以及開閉閥463。接著，進(jìn)行用于干燥基板W的干燥工序(步驟S107)。質(zhì)量流量控制器519以及 523基于從控制單元97向干燥用氣體供給裝置51發(fā)出的動(dòng)作指令，開放為規(guī)定流量。此外，環(huán)境氣體遮擋裝置23的遮擋構(gòu)件231處于相向位置不變，杯部210處于內(nèi)捕捉位置不變。由此，來自干燥用氮?dú)夤┙o部513的常溫的干燥用氮?dú)?，?jīng)由主配管515、上側(cè)分支配管517、上側(cè)第一供給管271供給至基板表面Wf，另外，經(jīng)由主配管515、下側(cè)分支配管 521、下側(cè)第一供給管281供給至基板背面Wb。干燥用氮?dú)獬錆M定位在相向位置的遮擋構(gòu)件 231的下表面與基板表面Wf之間的空間，另外，充滿旋轉(zhuǎn)基座113的上表面與基板背面Wb之間的空間，由此防止基板表面Wf以及基板背面Wb與外部氣體接觸。在將基板W與外部氣體隔離之后，基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)121基于從控制單元97向基板保持裝置11發(fā)出的動(dòng)作指令，改變旋轉(zhuǎn)基座113的轉(zhuǎn)速，并且在干燥工序期間維持轉(zhuǎn)速。優(yōu)選干燥工序中的基板W的轉(zhuǎn)速為1500 3000rpm,這樣能夠通過離心力將殘留在基板表面 Wf以及基板背面Wb上的沖洗液甩出至基板W之外。以下，說明干燥工序中的基板W的轉(zhuǎn)速為2000rpm的情況。在基板W的干燥工序結(jié)束之后，質(zhì)量流量控制器519以及523基于從控制單元97 向干燥用氣體供給裝置51發(fā)出的動(dòng)作指令，將流量設(shè)定為0 (零)。另外，基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)121 基于來自控制單元97的動(dòng)作指令使旋轉(zhuǎn)基座113停止旋轉(zhuǎn)。另外，遮擋構(gòu)件旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)235 基于從控制單元97向環(huán)境氣體遮擋裝置23發(fā)出的動(dòng)作指令，使遮擋構(gòu)件231停止旋轉(zhuǎn)。另外，基于從控制單元97向排液捕捉裝置21發(fā)出的動(dòng)作指令，杯部210被定位在原位置上。在旋轉(zhuǎn)基座113的旋轉(zhuǎn)停止之后，基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)121基于來自控制單元97的動(dòng)作指令，將旋轉(zhuǎn)基座113定位在適于交接基板W的位置上。另外，遮擋構(gòu)件升降機(jī)構(gòu)247基于從控制單元97向環(huán)境氣體遮擋裝置23發(fā)出的動(dòng)作指令，使遮擋構(gòu)件231向分離位置移動(dòng)。最后，進(jìn)行從處理單元91搬出基板W的基板搬出工序(步驟S108)。在基板保持裝置11定位在適于交接基板W的位置上之后，基板保持構(gòu)件驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)119基于從控制單元 97向基板保持裝置11發(fā)出的動(dòng)作指令，使基板保持構(gòu)件115成為開狀態(tài)，將基板W載置在各基板保持構(gòu)件115的基板支撐部上。之后，打開擋板911，中央機(jī)械手96的上側(cè)的手部961伸出至處理單元91中，將基板W搬出處理單元91，然后將基板W移載至往復(fù)搬運(yùn)器95的上側(cè)的手部951上。之后，往復(fù)搬運(yùn)器95的上側(cè)的手部951向分度器單元93側(cè)移動(dòng)。然后，分度器機(jī)械手931通過上側(cè)的手部933取出在往復(fù)搬運(yùn)器95的上側(cè)的手部保持的基板W，將基板W搬入FOUP 949的規(guī)定的位置，由此結(jié)束一系列的處理。如上所述，在本實(shí)施方式中，向基板表面Wf噴出過冷卻狀態(tài)的凝固對象液體，借助凝固對象液體落在基板表面Wf上的沖擊，使凝固對象液體凝固。因此，不需要現(xiàn)有技術(shù)那樣的用于使基板表面Wf上的凝固對象液體的液膜凝固的冷卻裝置，即將氮?dú)馔ㄟ^液態(tài)氮冷卻后供給的裝置等，從而能夠防止由于追加這些裝置而引起的整個(gè)裝置的大型化以及成本上升，并且能夠防止由于使用液態(tài)氮等而引起的運(yùn)轉(zhuǎn)成本的增加。另外，為了使基板表面Wf上的凝固對象液體的液膜凝固，不使用熱傳遞效率低的氣體的冷媒，而僅通過使凝固對象液體自身成為過冷卻狀態(tài)并供給至基板表面Wf上，就能夠形成凝固對象液體的凝固體，因此能夠縮短形成凝固體所需要的時(shí)間。另外，為了使形成在基板表面Wf上的凝固對象液體的凝固體的溫度降低，直接向凝固對象液體的凝固體噴出液體的冷卻液來進(jìn)行冷卻。由于液體比氣體的熱傳遞效率高， 所以能夠在短時(shí)間內(nèi)降低凝固對象液體的凝固體的溫度，能夠縮短處理所需要的時(shí)間。另外，由于向基板表面Wf噴出過冷卻狀態(tài)的凝固對象液體來形成凝固體，所以即使之后向基板表面Wf上噴出冷卻液，由于基板表面Wf上的凝固對象液體凝固，所以不會被排出。因此，不會由于供給冷卻液而使基板表面Wf上的凝固對象液體的凝固體的厚度變動(dòng)，從而能夠正確地控制清洗能力。
〈第二實(shí)施方式〉接著，說明本發(fā)明的基板處理裝置的第二實(shí)施方式。該第二實(shí)施方式與第一實(shí)施方式最大的不同點(diǎn)在于在凝固體形成工序之前進(jìn)行使基板W冷卻的基板冷卻工序。此外，第二實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)基本與圖3至圖14所示的基板處理裝置9以及處理單元91相同，因此在以下的說明中標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略對結(jié)構(gòu)的說明。在該第二實(shí)施方式中與第一實(shí)施方式相同，也進(jìn)行將基板W搬入處理單元91的基板搬入工序(S201)以及準(zhǔn)備過冷卻狀態(tài)的作為凝固對象液體的DIW的準(zhǔn)備工序(S202)。接著，對基板背面Wb進(jìn)行用于使基板W冷卻的基板冷卻工序(步驟S203)。首先， 基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)121基于從控制單元97向基板保持裝置11發(fā)出的動(dòng)作指令，開始使旋轉(zhuǎn)基座113旋轉(zhuǎn)，并且在基板冷卻工序期間維持該旋轉(zhuǎn)。另外，基于從控制單元97向排液捕捉裝置21發(fā)出的動(dòng)作指令，杯部210被定位在中捕捉位置。此外，環(huán)境氣體遮擋裝置23的遮擋構(gòu)件231處于分離位置不變。優(yōu)選基板冷卻工序中的基板W的轉(zhuǎn)速為300 900rpm，這樣能夠使供給至基板背面Wb的冷卻液蔓延至整個(gè)基板背面Wb。以下，說明基板冷卻工序中的基板W的轉(zhuǎn)速為 400rpm的情況。另外，基于從控制單元97向背面冷卻裝置47發(fā)出的動(dòng)作指令，打開開閉閥477。 由此，冷卻液從HFE供給部373經(jīng)由配管475、下側(cè)分支配管461、下側(cè)第二供給管283，而從嘴291供給至基板背面Wb。此夕卜，優(yōu)選將作為冷卻液的HFE的溫度調(diào)整為_(負(fù))40 °C (攝氏) -(負(fù))10°C (攝氏)，這樣能夠在后述的凝固體形成工序中，使落在基板W上的凝固對象液體迅速地凝固。以下，說明冷卻液的溫度為-(負(fù))20°c (攝氏)的情況。供給至基板背面Wb的中心附近的冷卻液借助基板W旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的離心力，從基板背面Wb的中心附近向基板背面Wb的周緣部蔓延。由此，冷卻液向整個(gè)基板背面Wb擴(kuò)展， 使整個(gè)基板背面Wb與冷卻液接觸，通過冷卻液的冷能冷卻基板W。接著，與第一實(shí)施方式相同，進(jìn)行向基板表面Wf供給過冷卻狀態(tài)的凝固對象液體來形成凝固對象液體的凝固體的凝固體形成工序(步驟S204)。在本實(shí)施方式中，與第一實(shí)施方式相同，從嘴311噴出的凝固對象液體借助落在基板表面Wf上而產(chǎn)生的沖擊凝固。另外，在此之上，通過使凝固對象液體與被冷卻至凝固對象液體的凝固點(diǎn)以下的基板W接觸來更快速地進(jìn)行冷卻，由此使凝固對象液體凝固。另外，由于預(yù)先通過冷卻液冷卻基板W，所以在凝固體形成工序中，供給至基板表面Wf的凝固對象液體不會因基板W所具有的熱而溫度上升，因此能夠使凝固對象液體落在基板表面Wf上的時(shí)刻快速地凝固。另外，在凝固對象液體凝固時(shí)，產(chǎn)生凝固熱，使周邊的凝固對象液體的溫度上升， 從而使整體凝固所需要的時(shí)間變長，但是，在本實(shí)施方式中，由于所產(chǎn)生的凝固熱被已冷卻了的基板W吸收，所以不會使周邊的凝固對象液體的溫度上升，從而能夠快速地形成凝固體。在整個(gè)基板表面Wf上形成凝固對象液體的凝固體之后，基于從控制單元97向凝固體形成裝置31發(fā)出的動(dòng)作指令，關(guān)閉開閉閥337。另外，嘴驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)313基于從控制單元97向凝固體形成裝置31發(fā)出的動(dòng)作指令，將嘴311定位在退避位置(嘴311退出到杯部210的周向外側(cè)的位置)上。另外，基于從控制單元97向背面冷卻裝置47發(fā)出的動(dòng)作指令，關(guān)閉開閉閥477。此外，從背面冷卻裝置47噴出冷卻液的噴出動(dòng)作，只要能夠通過冷卻基板W而使形成凝固對象液體的凝固體所需要的時(shí)間縮短即可，因此可以不進(jìn)行到凝固體形成工序結(jié)束為止。即，上述噴出動(dòng)作可以在凝固體形成工序開始時(shí)刻停止，也可以在凝固體形成工序的途中停止。另外，可以直到后述的凝固體冷卻工序結(jié)束為止都進(jìn)行噴出動(dòng)作。之后，與第一實(shí)施方式相同，進(jìn)行凝固體冷卻工序(步驟S205)、融化工序(步驟 S206)、沖洗工序(步驟S207)、干燥工序(步驟S208)以及基板搬出工序(步驟S209)，然后一系列的處理結(jié)束。如上所述，在本實(shí)施方式中，向基板表面Wf噴出過冷卻狀態(tài)的凝固對象液體，借助凝固對象液體落在基板表面Wf上產(chǎn)生的沖擊以及通過被冷卻的基板W的冷能快速被冷卻的刺激，來使凝固對象液體凝固。因此，不需要現(xiàn)有技術(shù)那樣的用于使基板表面Wf上的凝固對象液體的液膜凝固的冷卻裝置，即利用液態(tài)氮冷卻氮?dú)獠⒐┙o的裝置等，從而能夠防止由于追加這些裝置而引起的整個(gè)裝置的大型化以及成本上升，并且能夠防止由于液態(tài)氮等而引起的運(yùn)轉(zhuǎn)成本的增加。另外，為了使基板表面Wf上的凝固對象液體的液膜凝固，不使用熱傳遞效率低的氣體的冷媒，而僅通過使凝固對象液體自身成為過冷卻狀態(tài)來供給至基板表面Wf上，就能夠形成凝固對象液體的凝固體，因此能夠縮短形成凝固體所需要的時(shí)間。另外，由于預(yù)先通過冷卻液冷卻基板W，所以在凝固體形成工序中，供給至基板表面Wf的凝固對象液體不會由于基板W所具有的熱而溫度上升，能夠使凝固對象液體在落在基板表面Wf上的時(shí)刻快速地進(jìn)行凝固。另外，在凝固對象液體凝固時(shí)，產(chǎn)生凝固熱，使周邊的凝固對象液體的溫度上升， 從而使整體凝固所需要的時(shí)間變長，但是，在本實(shí)施方式中，由于所產(chǎn)生的凝固熱被已冷卻了的基板W吸收，所以不會使周邊的凝固對象液體的溫度上升，從而能夠快速地形成凝固體。另外，為了使形成在基板表面Wf上的凝固對象液體的凝固體的溫度降低，直接向凝固對象液體的凝固體噴出液體的冷卻液來進(jìn)行冷卻。由于液體比氣體的熱傳遞效率高， 所以能夠在短時(shí)間內(nèi)降低凝固對象液體的凝固體的溫度，能夠縮短處理所需要的時(shí)間。另外，由于向基板表面Wf噴出過冷卻狀態(tài)的凝固對象液體來形成凝固體，所以即使之后向基板表面Wf上噴出冷卻液，由于基板表面Wf上的凝固對象液體已凝固，所以不會被排出。因此，不會由于供給冷卻液而使基板表面Wf上的凝固對象液體的凝固體的厚度變動(dòng)，能夠正確地控制清洗能力。另外，在上述實(shí)施方式中，在噴出凝固對象液體之前，從基板W的背面Wb噴出冷卻液來冷卻基板，但是用于冷卻基板的方法不限于此。即，可以在供給凝固對象液體之前，向基板表面Wf供給冷卻液來冷卻基板W。另外，可以在凝固體形成工序中，在開始對基板表面 Wf噴出凝固對象液體之后，在使嘴311轉(zhuǎn)動(dòng)移動(dòng)之前的規(guī)定的時(shí)間內(nèi)，向基板表面Wf的中心附近噴出凝固對象液體，來冷卻整個(gè)基板W。<第三實(shí)施方式>接著，說明本發(fā)明的基板處理裝置的第三實(shí)施方式。該第三實(shí)施方式與第二實(shí)施
27方式最大的不同點(diǎn)在于，在凝固體形成工序的期間持續(xù)進(jìn)行基板冷卻工序，對冷卻液賦予振動(dòng)。此外，第三實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)基本上與圖3至圖14以及圖16所示的基板處理裝置 9以及處理單元91相同，因此在以下的說明中，標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略對結(jié)構(gòu)的說明。在該第三實(shí)施方式中，也與第二實(shí)施方式相同，進(jìn)行將基板W搬入處理單元91的基板搬入工序(S201)以及準(zhǔn)備過冷卻狀態(tài)的作為凝固對象液體的DIW的準(zhǔn)備工序(S202)。接著，對基板背面Wb進(jìn)行用于使基板W冷卻的基板冷卻工序(步驟S203)。首先， 基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)121基于從控制單元97向基板保持裝置11發(fā)出的動(dòng)作指令，開始使旋轉(zhuǎn)基座113旋轉(zhuǎn)，并且在基板冷卻工序期間維持旋轉(zhuǎn)。另外，基于從控制單元97向排液捕捉裝置21發(fā)出的動(dòng)作指令，杯部210被定位在中捕捉位置。此外，環(huán)境氣體遮擋裝置23的遮擋構(gòu)件231處于分離位置不變。優(yōu)選基板冷卻工序中的基板W的轉(zhuǎn)速為300 900rpm，這樣能夠使供給至基板背面Wb的冷卻液蔓延至整個(gè)基板背面Wb。以下，說明基板冷卻工序中的基板W的轉(zhuǎn)速為 400rpm的情況。另外，基于從控制單元97向背面冷卻裝置47發(fā)出的動(dòng)作指令，打開開閉閥477。 由此，冷卻液從HFE供給部373經(jīng)由配管475、下側(cè)分支配管461、下側(cè)第二供給管283，而從嘴291供給至基板背面Wb。此夕卜，優(yōu)選將作為冷卻液的HFE的溫度調(diào)整為_(負(fù))40 V (攝氏) -(負(fù))10°C (攝氏)，這樣能夠在后述的凝固體形成工序中，使落在基板W上的凝固對象液體迅速地凝固。以下，說明冷卻液的溫度為-(負(fù))20°c (攝氏)的情況。另外，在下側(cè)分支配管461上具有超聲波振蕩器，通過冷卻液使基板W振動(dòng)。此外， 超聲波振蕩器的動(dòng)作與開閉閥477同步。即，在打開開閉閥477的時(shí)刻超聲波開始振蕩，在關(guān)閉開閉閥477的時(shí)刻超聲波停止振蕩。供給至基板背面Wb的中心附近的冷卻液借助基板W旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的離心力，從基板背面Wb的中心附近向基板背面Wb的周緣部蔓延。由此，冷卻液向整個(gè)基板背面Wb蔓延， 使整個(gè)基板背面Wb與冷卻液接觸，通過冷卻液的冷能冷卻基板W。另外，賦予冷卻液的超聲波振動(dòng)也傳遞至基板W，使基板W振動(dòng)。接著，與第二實(shí)施方式相同，進(jìn)行向基板表面Wf供給過冷卻狀態(tài)的凝固對象液體來形成凝固對象液體的凝固體的凝固體形成工序(步驟S204)。在本實(shí)施方式中，也與第二實(shí)施方式相同，從嘴311噴出的凝固對象液體通過落在基板表面Wf上而產(chǎn)生的沖擊而凝固。另外，在此之上，凝固對象液體與被冷卻至凝固對象液體的凝固點(diǎn)以下的基板W接觸來更快速地進(jìn)行冷卻，由此使凝固對象液體凝固。而且，供給至基板背面Wb的冷卻液被賦予超聲波，使基板W進(jìn)行超聲波振動(dòng)。該超聲波振動(dòng)也成為對凝固對象液體的外部刺激，促進(jìn)凝固對象液體的凝固。另外，由于預(yù)先通過冷卻液冷卻基板W，所以在后述的凝固體形成工序中，供給至基板表面Wf的凝固對象液體不會由于基板W所具有的熱而溫度上升，能夠在凝固對象液體落在基板表面Wf上的時(shí)刻快速地凝固。另外，在凝固對象液體凝固時(shí)，產(chǎn)生凝固熱，使周邊的凝固對象液體的溫度上升， 從而使整體凝固所需要的時(shí)間變長，但是，在本實(shí)施方式中，由于所產(chǎn)生的凝固熱被已冷卻了的基板W吸收，所以不會使周邊的凝固對象液體的溫度上升，從而能夠快速地形成凝固體。在整個(gè)基板表面Wf上形成凝固對象液體的凝固體之后，基于從控制單元97向凝固體形成裝置31發(fā)出的動(dòng)作指令，關(guān)閉開閉閥337。另外，嘴驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)313基于從控制單元97向凝固體形成裝置31發(fā)出的動(dòng)作指令，將嘴311定位在退避位置(嘴311退出到杯部210的周向外側(cè)的位置)上。另外，基于從控制單元97向背面冷卻裝置47發(fā)出的動(dòng)作指令，關(guān)閉開閉閥477。之后，與第二實(shí)施方式相同，進(jìn)行凝固體冷卻工序(步驟S205)、融化工序(步驟 S206)、沖洗工序(步驟S207)、干燥工序(步驟S208)以及基板搬出工序(步驟S209)，然后一系列的處理結(jié)束。如上所述，在本實(shí)施方式中，向基板表面Wf噴出過冷卻狀態(tài)的凝固對象液體，利用凝固對象液體落在基板表面Wf上產(chǎn)生的沖擊以及通過被冷卻了的基板W的冷能快速地冷卻這樣的刺激，還有賦予基板的超聲波振動(dòng)，來使凝固對象液體凝固。因此，不需要現(xiàn)有技術(shù)那樣的用于使基板表面Wf上的凝固對象液體的液膜凝固的冷卻裝置，即通過液態(tài)氮冷卻氮?dú)獠⑦M(jìn)行供給的裝置等，從而能夠防止由于追加這些裝置而引起的整個(gè)裝置的大型化以及成本上升，并且能夠防止由于液態(tài)氮等而引起的運(yùn)轉(zhuǎn)成本的增加的問題。另外，為了使基板表面Wf上的凝固對象液體的液膜凝固，不使用熱傳遞效率低的氣體的冷媒，而僅通過使凝固對象液體自身成為過冷卻狀態(tài)來供給至基板表面Wf上，就能夠形成凝固對象液體的凝固體，因此能夠縮短形成凝固體所需要的時(shí)間。另外，由于預(yù)先通過冷卻液冷卻基板W，所以在后述的凝固體形成工序中，供給至基板表面Wf的凝固對象液體不會由于基板W所具有的熱而溫度上升，能夠在凝固對象液體落在基板表面Wf上的時(shí)刻快速地凝固。另外，在凝固對象液體凝固時(shí)，產(chǎn)生凝固熱，使周邊的凝固對象液體的溫度上升， 從而使整體凝固所需要的時(shí)間變長，但是，在本實(shí)施方式中，由于所產(chǎn)生的凝固熱被已冷卻了的基板W吸收，所以不會使周邊的凝固對象液體的溫度上升，從而能夠快速地形成凝固體。另外，為了使形成在基板表面Wf上的凝固對象液體的凝固體的溫度降低，直接向凝固對象液體的凝固體噴出液體的冷卻液來進(jìn)行冷卻。由于液體比氣體的熱傳遞效率高， 所以能夠在短時(shí)間內(nèi)降低凝固對象液體的凝固體的溫度，能夠縮短處理所需要的時(shí)間。另外，由于向基板表面Wf噴出過冷卻狀態(tài)的凝固對象液體來形成凝固體，所以即使之后向基板表面Wf上噴出冷卻液，由于基板表面Wf上的凝固對象液體已凝固，所以不會被排出。因此，不會由于供給冷卻液而使基板表面Wf上的凝固對象液體的凝固體的厚度變動(dòng)，能夠正確地控制清洗能力。另外，對背面冷卻裝置47供給的冷卻液賦予振動(dòng)的裝置不限于上述的超聲波振蕩器。例如，可以通過以短的間隔使開閉閥477開閉的裝置、HFE供給部373的泵383為波紋管泵那樣微小地進(jìn)行搏動(dòng)的裝置或者在下側(cè)分支配管461上安裝流量調(diào)整閥使流量變動(dòng)那樣的裝置，來對冷卻液賦予振動(dòng)。< 其他 >此外，本發(fā)明不限于上述的實(shí)施方式，在不脫離其宗旨的范圍內(nèi)，能夠進(jìn)行上述以外的各種變更。例如，作為凝固體形成工序能夠采用其他方法。即，在凝固體形成工序中， 還能夠不利用凝固對象液體落在基板表面Wf上而產(chǎn)生的沖擊，而通過其他的外部刺激進(jìn)行凝固。例如，能夠在凝固體形成工序中，使嘴311接近基板表面來供給凝固對象液體，在不產(chǎn)生凝固對象液體落在基板表面Wf上而產(chǎn)生的沖擊的情況下，在基板表面Wf上形成凝固對象液體的液膜，之后，通過下面的方法等賦予外部的刺激，來使凝固對象液體凝固，該方法為利用使嘴311上升滴下液滴；向基板背面Wb噴出冷卻液急劇地冷卻；向基板背面 Wb噴出賦予了超聲波的冷卻液；使基板保持裝置11振動(dòng)。另外，在上述各實(shí)施方式中，向基板W供給DIW作為凝固對象液體，但是凝固對象液體不限于DIW，能夠使用純水、超純水、含氫水、碳酸水等，而且還能夠使用SCl等液體。另外，在上述各實(shí)施方式中，向基板W供給DIW作為融化液，但是融化液不限于 DIW,能夠使用純水、超純水、含氫水、碳酸水等,而且還能夠使用SCl等液體。另外，在上述各實(shí)施方式中，凝固對象液體和融化液相同，使用DIW，但是能夠使用不同的液體。另外，在上述各實(shí)施方式中，冷卻液使用HFE，但是只要是凝固點(diǎn)比凝固對象液體的凝固點(diǎn)低的液體即可，能夠使用其他的液體。例如為O-二甲苯(1，2_ 二甲基苯)(化學(xué)式=C8Hltl，凝固點(diǎn)-(負(fù))25. 2°C (攝氏))、m-二甲苯(1，3-二甲基苯)(化學(xué)式C8H1(I，凝固點(diǎn)-(負(fù))48.9°C (攝氏))、三氯甲烷(化學(xué)式CHC13，凝固點(diǎn)-(負(fù))63.5°C (攝氏))、四氯乙烯(化學(xué)式CC12 = CC1，凝固點(diǎn)-(負(fù))22. 20C (攝氏))、己烷(化學(xué)式C6H14，凝固點(diǎn)-(負(fù))100°C (攝氏))、庚烷(化學(xué)式C7H16，凝固點(diǎn)-(負(fù))91°C (攝氏))、異丙醇(化學(xué)式C3H80)、乙醇(化學(xué)式C2H50H，凝固點(diǎn)-(負(fù))114°C (攝氏))、甲醇(化學(xué)式CH30H， 凝固點(diǎn)-(負(fù))98°C (攝氏))、辛烷(化學(xué)式C8H18，凝固點(diǎn)-(負(fù))56.8°C (攝氏))等。此外，可以將這些液體稀釋。另外，在這些液體中，異丙醇、乙醇等具有能夠溶于作為凝固對象液體的DIW的性質(zhì)，在凝固體冷卻工序中所回收的液體為凝固對象液體和冷卻液混合的溶液。但是，由于在凝固對象液體中混合有冷卻液，該溶液具有比凝固對象液體的凝固點(diǎn)低的凝固點(diǎn)(例如， 在DIW中混合了異丙醇時(shí)，基于異丙醇的濃度的變化，凝固點(diǎn)也變動(dòng)，但是在大多數(shù)的濃度下，具有_(負(fù))20°C (攝氏)以下的凝固點(diǎn))。因此，不是如HFE那樣僅分離回收冷卻液， 而能夠?qū)⒒旌系娜芤夯厥赵倮?。另外，在上述各?shí)施方式中，在凝固體冷卻工序中使用作為液體的HFE，但是用于冷卻凝固體的裝置不限于此。即，能夠?qū)⒌獨(dú)狻⒊粞鯕怏w、氬氣等氣體冷卻至比凝固對象液體的凝固點(diǎn)低的溫度，并供給至形成有凝固體的基板，來冷卻凝固體。例如，在凝固體冷卻工序中，從嘴351向基板表面Wf噴出被冷卻了的氣體，通過嘴驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)353使嘴351在基板W上空轉(zhuǎn)動(dòng)并移動(dòng)，來向整個(gè)基板表面Wf供給被冷卻的氣體。此時(shí)，由于凝固對象液體已經(jīng)在基板W上凝固，即使加大冷卻用的氣體的流量而使冷卻能力變大，也不會出現(xiàn)吹起基板上的凝固對象液體而使凝固對象液體的凝固體的厚度不均勻的情況，而且也不會出現(xiàn)從基板表面Wf除去凝固對象液體而不形成凝固對象液體的凝固體的情況。另外，在凝固體形成裝置31中，能夠在第一 DIW供給部333的DIW貯存器341或從DIW貯存器341至嘴311的配管通路，對凝固對象液體施加磁場、電場或超聲波，來穩(wěn)定地將低溫的過冷卻水供給至基板表面Wf。另外，在上述各實(shí)施方式中，從一個(gè)HFE供給部373向表面冷卻裝置35以及背面冷卻裝置47供給同樣的HFE作為冷卻液，但是能夠從分別不同的供給源向表面冷卻裝置35 以及背面冷卻裝置47供給冷卻液。此時(shí)，能夠使用分別不同的液體，另外，能夠分別供給不同溫度的冷卻液。至此，說明了向基板供給過冷卻狀態(tài)的凝固對象液體，利用液體落在基板上而產(chǎn)生的沖擊作為外部刺激的實(shí)施方式。但是，作為本發(fā)明的其他的實(shí)施方式，能夠向基板供給具有比常溫高的凝固點(diǎn)的凝固對象液體，利用常溫環(huán)境氣體作為外部刺激，來使凝固對象液體凝固。以下的第四實(shí)施方式至第十五實(shí)施方式用于說明這樣的實(shí)施方式?！吹谒膶?shí)施方式〉圖17是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第四實(shí)施方式的圖。另外，圖18是表示圖 17的基板處理裝置中的氮?dú)庖约癉IW的供給方式的圖。另外，圖19是表示圖17的基板處理裝置中的臂部的動(dòng)作方式的圖。該裝置為能夠執(zhí)行用于除去在半導(dǎo)體晶片等基板W的表面Wf所附著的顆粒等污染物質(zhì)的凍結(jié)清洗處理的單張式的基板處理裝置。更具體地說，為執(zhí)行如下的凍結(jié)清洗處理的基板處理裝置，即，在凍結(jié)清洗處理中，對于形成有微細(xì)圖案的基板表面Wf，在其表面Wf上形成液膜并使該液膜凍結(jié)，來形成凝固膜(凝固體)，之后，除去該凝固膜，與凝固膜一起從基板表面除去顆粒等。該基板處理裝置具有處理腔室1001。該處理腔室1001的內(nèi)部為常溫環(huán)境氣體，在該處理腔室1001內(nèi)部，旋轉(zhuǎn)卡盤1002以使基板W的表面Wf朝向上方并被保持為大致水平姿勢的狀態(tài)使基板W旋轉(zhuǎn)。具體地說，如圖18所示，在該旋轉(zhuǎn)卡盤1002的中心軸1021的上端部，通過螺桿等緊固部件固定有圓板狀的旋轉(zhuǎn)基座1023。該旋轉(zhuǎn)卡盤1002的中心軸 1021與包括有馬達(dá)的卡盤旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)1022的旋轉(zhuǎn)軸連接。另外，在按照用于控制整個(gè)裝置的控制單元1004發(fā)出的動(dòng)作指令驅(qū)動(dòng)卡盤旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)1022時(shí)，固定在中心軸1021上的旋轉(zhuǎn)基座1023以旋轉(zhuǎn)中心軸AO為中心旋轉(zhuǎn)。另外，在旋轉(zhuǎn)基座1023的周緣部附近立設(shè)有用于保持基板W的周緣部的多個(gè)卡盤銷1024。為了可靠地保持圓形的基板W，卡盤銷1024設(shè)置有3個(gè)以上即可，并且卡盤銷1024 沿著旋轉(zhuǎn)基座1023的周緣部等角度間隔地配置。各卡盤銷1024分別具有從下方支撐基板 W的周緣部的基板支撐部和對被基板支撐部支撐的基板W的外周端面進(jìn)行按壓來保持基板 W的基板保持部。另外，各卡盤銷1024能夠在基板保持部按壓基板W的外周端面的按壓狀態(tài)和基板保持部從基板W的外周端面離開的開放狀態(tài)之間進(jìn)行切換。并且，在與旋轉(zhuǎn)基座1023交接基板W時(shí)，各卡盤銷1024成為開放狀態(tài)，在對基板 W進(jìn)行清洗處理時(shí)，各卡盤銷1024成為按壓狀態(tài)。在使各卡盤銷1024成為按壓狀態(tài)時(shí)，各卡盤銷1024把持基板W的周緣部，基板W與旋轉(zhuǎn)基座1023隔開規(guī)定間隔，并被保持為大致水平姿勢。由此，基板W被保持為其表面Wf朝向上方，背面Wb朝向下方的狀態(tài)。另外，在上述那樣構(gòu)成的旋轉(zhuǎn)卡盤1002的上方配置有遮擋構(gòu)件1009。該遮擋構(gòu)件1009形成為中心部具有開口的圓板狀。另外，遮擋構(gòu)件1009的下表面為與基板W的表面Wf大致平行相向的基板相向面，形成為與基板W的直徑相等或其以上的大小。該遮擋構(gòu)件1009大致水平地安裝在支撐軸1091的下端部。該支撐軸1091通過沿水平方向延伸的臂部1092被保持為能夠圍繞通過基板W中心的鉛垂軸旋轉(zhuǎn)。另外，在臂部1092上連接有遮擋構(gòu)件旋轉(zhuǎn)及升降機(jī)構(gòu)1093。遮擋構(gòu)件旋轉(zhuǎn)及升降機(jī)構(gòu)1093按照來自控制單元1004的動(dòng)作指令，使支撐軸 1091圍繞通過基板W中心的鉛垂軸旋轉(zhuǎn)。另外，控制單元1004控制遮擋構(gòu)件旋轉(zhuǎn)及升降機(jī)構(gòu)1093的動(dòng)作，使遮擋構(gòu)件1009按照被旋轉(zhuǎn)卡盤1002保持的基板W的旋轉(zhuǎn)，以與基板 W相同的旋轉(zhuǎn)方向和大致相同的旋轉(zhuǎn)速度進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。另外，遮擋構(gòu)件旋轉(zhuǎn)及升降機(jī)構(gòu)1093 按照來自控制單元1004的動(dòng)作指令，使遮擋構(gòu)件1009與旋轉(zhuǎn)基座1023相接近或相分離。 具體地說，控制單元1004控制遮擋構(gòu)件旋轉(zhuǎn)及升降機(jī)構(gòu)1093的動(dòng)作，在將基板W搬入搬出基板處理裝置時(shí)，使遮擋構(gòu)件1009上升至旋轉(zhuǎn)卡盤1002的上方的分離位置(圖17所示的位置)。另一方面，在對基板W實(shí)施規(guī)定的處理時(shí)，使遮擋構(gòu)件1009下降至相向位置，該相向位置設(shè)定在與被旋轉(zhuǎn)卡盤1002保持的基板W的表面Wf極接近的位置。如圖18所示，遮擋構(gòu)件1009的支撐軸1091為中空結(jié)構(gòu)，在其內(nèi)部穿過有在遮擋構(gòu)件1009的下表面(基板相向面)開口的氣體供給管1095。該氣體供給管1095與常溫氮?dú)夤┙o單元1061連接。該常溫氮?dú)夤┙o單元1061將從氮?dú)夤┙o源(省略圖示)供給來的常溫氮?dú)夤┙o至基板W，具有干燥用通路和凝固促進(jìn)用通路這2個(gè)系統(tǒng)。在這2個(gè)系統(tǒng)中的干燥用通路上，設(shè)置有質(zhì)量流量控制器(MFC) 1611和開閉閥 1612。該質(zhì)量流量控制器1611能夠按照來自控制單元1004的流量指令，高精度地調(diào)整常溫氮?dú)獾牧髁?。另外，開閉閥1612能夠按照來自控制單元1004的開閉指令進(jìn)行開閉，來對通過質(zhì)量流量控制器1611進(jìn)行了流量調(diào)整的氮?dú)獾墓┙o狀態(tài)和停止供給狀態(tài)進(jìn)行切換。 因此，通過控制單元1004控制常溫氮?dú)夤┙o單元1061，能夠在恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻，從氣體供給管 1095向形成在遮擋構(gòu)件1009和基板W的表面Wf之間的空間供給進(jìn)行了流量調(diào)整的氮?dú)鈦碜鳛橛糜诟稍锘錡的干燥氣體。另外，凝固促進(jìn)用通路與干燥用通路相同，設(shè)置有質(zhì)量流量控制器(MFC) 1613和開閉閥1614。并且，通過控制單元1004控制常溫氮?dú)夤┙o單元1061，將進(jìn)行了流量調(diào)整的常溫氮?dú)鈮核椭梁笫龅臍怏w噴出嘴1007，并將該常溫氮?dú)庾鳛槟檀龠M(jìn)氣體供給至形成在基板表面Wf上的凝固對象液體的液膜。此外，在本實(shí)施方式中，作為來自常溫氮?dú)夤┙o單元1061的干燥氣體以及凝固促進(jìn)氣體供給氮?dú)猓强梢怨┙o空氣、其他非活性氣體等常溫氣體。在氣體供給管1095的內(nèi)部穿過有液體供給管1096。該液體供給管1096的下方端部在遮擋構(gòu)件1009的下表面形成開口，在其前端設(shè)置有上方側(cè)液體噴出嘴1097。另一方面，液體供給管1096的上方端部與DIW供給單元1062連接。該DIW供給單元1062向基板W供給來自DIW供給源(省略圖示)的常溫的DIW來作為沖洗液，另外，向基板W供給升高至80°C左右的高溫DIW來作為融化除去處理用的液體，其結(jié)構(gòu)如下。在此，在DIW供給源上設(shè)置有2個(gè)系統(tǒng)的配管通路。在其中之一的沖洗處理用的配管通路上具有流量調(diào)整閥 1621和開閉閥1622。該流量調(diào)整閥1621能夠按照來自控制單元1004的流量指令高精度地調(diào)整常溫DIW的流量。另外，開閉閥1622能夠按照來自控制單元1004的開閉指令進(jìn)行開閉，來對通過流量調(diào)整閥1621進(jìn)行了流量調(diào)整的常溫DIW的供給狀態(tài)和停止供給狀態(tài)進(jìn)行切換。另外，在另一個(gè)的融化除去處理用配管通路上具有流量調(diào)整閥1623、加熱器1624以及開閉閥1625。該流量調(diào)整閥1623按照來自控制單元1004的流量指令高精度地調(diào)整常溫DIW的流量，并將其送入加熱器1624。然后，加熱器1624將被送入的常溫DIW加熱至 80°C左右，經(jīng)由開閉閥1625送出該被加熱的DIW(以下稱為“高溫DIW”)。此外，開閉閥1625 按照來自控制單元1004的開閉指令進(jìn)行開閉，來對高溫DIW的供給狀態(tài)和停止供給狀態(tài)進(jìn)行切換。這樣，從DIW供給單元1062送出的常溫DIW、高溫DIW在恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻從上方側(cè)液體噴出嘴1097向基板W的表面Wf噴出。另外，旋轉(zhuǎn)卡盤1002的中心軸1021為具有圓筒狀的空洞的中空狀，在中心軸1021 的內(nèi)部，穿過用于向基板W的背面Wb供給沖洗液的圓筒狀的液供給管1025。液供給管1025 延伸至與被旋轉(zhuǎn)卡盤1002保持的基板W的下表面?zhèn)燃幢趁鎃b接近的位置，在液供給管 1025的前端設(shè)置有向基板W的下表面的中央部噴出沖洗液的下方側(cè)液體噴出嘴1027。液供給管1025與上述的DIW供給單元1062連接，向基板W的背面Wb供給高溫DIW來作為融化除去液，另外供給常溫DIW作為沖洗液。另外，中心軸1021的內(nèi)壁面和液供給管1025的外壁面之間的間隙成為剖面為環(huán)狀的氣體供給通路1029。該氣體供給通路1029與常溫氮?dú)夤┙o單元1061連接，從常溫氮?dú)夤┙o單元1061經(jīng)由氣體供給通路1029向在旋轉(zhuǎn)基座1023和基板W的背面Wb之間所形成的空間供給干燥用的氮?dú)?。另外，如圖17所示，在本實(shí)施方式中，在旋轉(zhuǎn)卡盤1002的周圍，以包圍被旋轉(zhuǎn)卡盤 1002保持為水平姿勢的基板W的周圍的方式，設(shè)置有擋板1051，且該擋板1051相對于旋轉(zhuǎn)卡盤1002的旋轉(zhuǎn)軸升降自如。該擋板1051具有相對于旋轉(zhuǎn)軸大致旋轉(zhuǎn)對稱的形狀。另外， 通過引導(dǎo)升降機(jī)構(gòu)1052的驅(qū)動(dòng)使擋板1051階梯時(shí)地升降，能夠?qū)恼谛D(zhuǎn)的基板W飛散的液膜形成用的凝固對象液體、DIW、沖洗液或用于其他用途而向基板W供給的處理液等分類，然后從處理腔室1001內(nèi)排出至省略圖示的排液處理單元。另外，在該處理腔室1001的底面部設(shè)置有多個(gè)排氣口 1011，處理腔室1001的內(nèi)部空間經(jīng)由這些排氣口 1011與排氣單元1063連接。該排氣單元1063具有排氣阻尼器和排氣泵，通過控制排氣阻尼器的開閉程度，能夠調(diào)整通過排氣單元1063排氣的排氣量。另外，控制單元1004向排氣單元1063輸入與排氣阻尼器的開閉量相關(guān)的指令，調(diào)整處理腔室 1001的排氣量，來控制內(nèi)部空間的溫度、濕度等。在本基板處理裝置中，氣體噴出嘴1007與上述那樣構(gòu)成的常溫氮?dú)夤┙o單元 1061的凝固促進(jìn)用通路(質(zhì)量流量控制器1613+開閉閥1614)連接。并且，在向氣體噴出嘴1007壓送常溫氮?dú)鈺r(shí)，從嘴1007向被旋轉(zhuǎn)卡盤1002保持的基板W的表面Wf噴出常溫氮?dú)庾鳛槟檀龠M(jìn)氣體。另外，如圖17所示，該氣體噴出嘴1007安裝在水平延伸設(shè)置的第一臂部1071的前端部。該第一臂部1071的后端部被從處理腔室1001的頂部垂下的旋轉(zhuǎn)軸1072支撐，并且被支撐為能夠圍繞旋轉(zhuǎn)中心軸Jl旋轉(zhuǎn)自如。另外，在旋轉(zhuǎn)軸1072上連接有第一臂部升降及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)1073，按照來自控制單元1004的動(dòng)作指令驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)軸1072 圍繞旋轉(zhuǎn)中心軸Jl旋轉(zhuǎn)，并且使旋轉(zhuǎn)軸1072在上下方向上升降。結(jié)果，如圖19所示，安裝在第一臂部1071的前端部上的氣體噴出嘴1007在基板表面Wf的上方側(cè)移動(dòng)。另外，在本實(shí)施方式中，與氣體噴出嘴1007相同，凝固對象液體噴出嘴1008能夠在基板表面Wf的上方側(cè)移動(dòng)。該凝固對象液體噴出嘴1008向被旋轉(zhuǎn)卡盤1002保持的基板W的表面Wf供給用于形成液膜的凝固對象液體。在本發(fā)明中，凝固對象液體使用具有比常溫高的凝固點(diǎn)的叔丁醇(tert-Butanol)、碳酸次乙酯(Ethylene carbonate)。例如叔丁醇的凝固點(diǎn)比常溫略高，為25. 69°C，碳酸次乙酯的凝固點(diǎn)稍高于叔丁醇，為36. 4°C，稍微加熱就成為液體狀態(tài)，而在常溫環(huán)境下凝固。因此，在本實(shí)施方式中，設(shè)置如下構(gòu)成的凝固對象液體供給單元1064，通過具有二重配管結(jié)構(gòu)的配管1065連接凝固對象液體供給單元 1064和凝固對象液體噴出嘴1008。如圖18所示,該凝固對象液體供給單元1064具有用于儲存凝固對象液體的忙存器1641。在該貯存器1641的內(nèi)部配置有加熱器1642，該加熱器1642按照來自控制單元 1004的動(dòng)作指令進(jìn)行動(dòng)作。并且，儲存在貯存器1641內(nèi)的凝固對象液體的溫度上升至凝固點(diǎn)以上，例如，在凝固對象液體使用叔丁醇時(shí)上升至30°C左右，在使用碳酸次乙酯時(shí)上升至 50°C左右，由此將凝固對象液體維持為液體狀態(tài)。此外，雖然在圖18中省略了圖示，但是在貯存器1641上設(shè)置有用于補(bǔ)給凝固對象液體的開口部，能夠通過操作人員適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行補(bǔ)給。當(dāng)然，可以設(shè)置自動(dòng)補(bǔ)給機(jī)構(gòu)，在貯存器1641內(nèi)的凝固對象液體的存儲量為規(guī)定以下時(shí)，自動(dòng)進(jìn)行補(bǔ)給。另外，在貯存器1641的內(nèi)部，向貯存器底面部延伸設(shè)置有用于取出凝固對象液體的管1643，該管1643的前端部浸潰在貯存器1641所存儲的凝固對象液體中。另外，管1643 的后端部經(jīng)由開閉閥1644與配管1065連接。如上所述，該配管1065連接凝固對象液體供給單元1064和凝固對象液體噴出嘴1008，具有在外管1651的內(nèi)部穿過有內(nèi)管1652的雙重管結(jié)構(gòu)。另外，在內(nèi)管1652的一端連接有上述管1643，其另一端與嘴1008連接。另外，在貯存器1641的上表面插入有用于向貯存器內(nèi)部導(dǎo)入氮?dú)鈦磉M(jìn)行加壓的加壓用管1645，該加壓用管1645經(jīng)由開閉閥1646以及質(zhì)量流量控制器(MFC) 1647與氮?dú)夤┙o源(省略圖示)連接。因此，在按照來自控制單元1004的指令使開閉閥1646打開時(shí)， 被質(zhì)量流量控制器1647調(diào)整后的流量的氮?dú)饨?jīng)由加壓用管1645送入至貯存器1641內(nèi)。由此壓出儲存在貯存器1641內(nèi)的凝固對象液體，并使所述凝固對象液體經(jīng)由開閉閥1644以及內(nèi)管1652送出至凝固對象液體噴出嘴1008。在這樣經(jīng)由配管1065的內(nèi)管1652將凝固對象液體送入凝固對象液體噴出嘴1008 的期間，如果凝固對象液體的溫度降低，則凝固對象液體的流動(dòng)性降低，向基板表面Wf供給凝固對象液體的供給量變動(dòng)，另外有時(shí)在內(nèi)管1652、嘴1008的內(nèi)部，凝固對象液體凝固。 因此，在本實(shí)施方式中，設(shè)置有保溫及調(diào)溫用氣體供給單元1066。該保溫及調(diào)溫用氣體供給單元1066將常溫氮?dú)庹{(diào)整為與儲存在貯存器1641中的凝固對象液體同等程度的溫度，并供給至形成在外管1651和內(nèi)管1652之間的氣體供給通路。在該保溫及調(diào)溫用氣體供給單元1066中，質(zhì)量流量控制器1661按照來自控制單元1004的流量指令高精度地調(diào)整常溫氮?dú)獾牧髁浚⑵涔┙o至加熱器1662。該加熱器1662經(jīng)由開閉閥1663與氣體供給通路連接，在使氮?dú)馍仙僚c凝固對象液體的設(shè)定溫度對應(yīng)的溫度(按照凝固對象液體的種類， 在30-50°C之間)之后，使氮?dú)饨?jīng)由開閉閥1663供給至氣體供給通路。通過供給該升溫氮?dú)舛纬傻谋匾约罢{(diào)溫作用，將在內(nèi)管1652以及嘴1008的內(nèi)部存在的凝固對象液體的溫度維持在凝固點(diǎn)以上并且維持為恒定。為了使被供給這樣被保溫及調(diào)溫后的凝固對象液體的嘴1008圍繞旋轉(zhuǎn)中心軸J2 旋轉(zhuǎn)，而且在上下方向上升降移動(dòng)，通過旋轉(zhuǎn)軸1082支撐水平延伸設(shè)置的第二臂部1081的后端部，并且，第二臂部1081的后端部圍繞旋轉(zhuǎn)中心軸J2旋轉(zhuǎn)自如。另一方面，在第二臂部1081的前端部，以噴出口(省略圖示)朝向下方的狀態(tài)安裝有凝固對象液體噴出嘴1008。 另外，在旋轉(zhuǎn)軸1082上連接有第二臂部升降及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)1083，按照來自控制單元1004的動(dòng)作指令驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)軸1082使其圍繞旋轉(zhuǎn)中心軸J2旋轉(zhuǎn)，另外驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)軸1082使其在上下方向上升降。結(jié)果，安裝在第二臂部1081的前端部上的凝固對象液體噴出嘴1008能夠如下那樣在基板表面Wf的上方側(cè)移動(dòng)。氣體噴出嘴1007以及凝固對象液體噴出嘴1008能夠分別獨(dú)立地相對于基板W移動(dòng)。即，如圖19所示，在基于來自控制單元1004的動(dòng)作指令驅(qū)動(dòng)第一臂部升降及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu) 1073，使第一臂部1071圍繞旋轉(zhuǎn)中心軸Jl擺動(dòng)時(shí)，安裝在第一臂部1071上的氣體噴出嘴 1007，在與旋轉(zhuǎn)基座1023的旋轉(zhuǎn)中心上相當(dāng)?shù)男D(zhuǎn)中心位置Pc和待機(jī)位置Psl之間沿著移動(dòng)軌跡Tl水平移動(dòng)，其中，待機(jī)位置Psl指從基板W的相向位置退避至側(cè)方的位置。即， 第一臂部升降及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)1073使氣體噴出嘴1007沿著基板W的表面Wf相對于基板W移動(dòng)。另外，在基于來自控制單元1004的動(dòng)作指令驅(qū)動(dòng)第二臂部升降及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)1083， 使第二臂部1081圍繞旋轉(zhuǎn)中心軸J2擺動(dòng)時(shí)，安裝在第二臂部1081上的凝固對象液體噴出嘴1008在與第一臂部1071的待機(jī)位置Psl不同的另一個(gè)待機(jī)位置Ps2和旋轉(zhuǎn)中心位置Pc 之間沿著移動(dòng)軌跡T2水平移動(dòng)。即，第二臂部升降及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)1083使凝固對象液體噴出嘴1008沿著基板W的表面Wf相對于基板W移動(dòng)。接著，參照圖20A 圖20C以及圖21A 圖21C說明上述那樣構(gòu)成的基板處理裝置的動(dòng)作。這些附圖是示意地表示圖17的基板處理裝置的動(dòng)作的圖。在本裝置中，在將未處理的基板W搬入裝置內(nèi)時(shí)，控制單元1004控制裝置各部分，對該基板W進(jìn)行一系列的清洗處理。在此，預(yù)先以基板W的表面Wf朝向上方的狀態(tài)將基板W搬入處理腔室1001，并保持在旋轉(zhuǎn)卡盤1002上。另一方面，如圖17所示，使遮擋構(gòu)件1009的下表面與基板W相向，并且使遮擋構(gòu)件1009退避至與臂部1071、1081不干涉的分離位置。另外，在正在使裝置運(yùn)轉(zhuǎn)的期間，作為準(zhǔn)備工序，從保溫及調(diào)溫用氣體供給單元1066使升溫氮?dú)夤┙o至在外管1651 與內(nèi)管1652之間形成的氣體供給通路，從而防止內(nèi)管1652內(nèi)的凝固對象液體凝固并且將凝固對象液體的溫度維持為恒定溫度。在搬入基板W之后，控制單元1004驅(qū)動(dòng)卡盤旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)1022使旋轉(zhuǎn)卡盤1002旋轉(zhuǎn)， 并且驅(qū)動(dòng)第二臂部升降及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)1083使第二臂部1081移動(dòng)并定位在旋轉(zhuǎn)中心位置Pc。 由此，凝固對象液體噴出嘴1008如圖20A所示位于基板表面Wf的旋轉(zhuǎn)中的上方，即位于旋轉(zhuǎn)中心位置Pc。然后，控制單元1004控制凝固對象液體供給單元1064的各部分，使凝固對象液體從凝固對象液體供給單元1064流過配管1065的內(nèi)管1652送出至凝固對象液體噴出嘴1008。此時(shí)，由于內(nèi)管1652的外周部如上所述被填充了升溫氮?dú)猓阅虒ο笠后w被保持為比常溫高的規(guī)定溫度而被壓送至嘴1008。接著，凝固對象液體從凝固對象液體噴出嘴1008供給至基板表面Wf，借助基板W的旋轉(zhuǎn)所引起的離心力，向基板W的徑向外側(cè)均勻地蔓延，凝固對象液體的一部分被甩出至基板外。由此，在整個(gè)基板表面Wf使凝固對象液體的液膜的厚度均勻，在整個(gè)基板表面Wf形成具有規(guī)定的厚度的液膜LF (液膜形成處理步驟SI)。另外，在液膜形成的時(shí)刻，液膜LF的溫度為比常溫高的值。此外，在液膜形成時(shí)，如上述那樣甩出供給至基板表面Wf的凝固對象液體的一部分不是必要條件。例如， 可以在使基板W的旋轉(zhuǎn)停止的狀態(tài)或者使基板W以比較低的速度旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，不使凝固對象液體從基板W甩出的情況下，在基板表面Wf形成液膜。這樣，在液膜形成結(jié)束時(shí)，控制單元1004驅(qū)動(dòng)第二臂部升降及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)1083使第二臂部1081移動(dòng)至待機(jī)位置Ps2，使其待機(jī)。另外，在第二臂部1081移動(dòng)之后或者與第二臂部1081的移動(dòng)連動(dòng)，控制單元1004驅(qū)動(dòng)第一臂部升降及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)1073。然后，使第一臂部1071朝向基板W的旋轉(zhuǎn)中心的上方位置即旋轉(zhuǎn)中心位置Pc移動(dòng)，將氣體噴出嘴1007定位在基板W的旋轉(zhuǎn)中心的上方位置(圖20B)?？刂茊卧?004控制常溫氮?dú)夤┙o單元1061， 來將流量調(diào)整后的常溫氮?dú)鈮核椭翚怏w噴出嘴1007，由此從該嘴1007向旋轉(zhuǎn)的基板W的表面Wf噴出該常溫氮?dú)庾鳛槟檀龠M(jìn)氣體，來縮短到凝固對象液體所形成的液膜LF凝固為止的時(shí)間(凝固促進(jìn)處理步驟S2)。 在本實(shí)施方式中，由于基板W的周邊溫度處于常溫附近，所以由于基板W的周邊環(huán)境氣體而使液膜LF的溫度緩緩降低。另外，伴隨基板W的旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的汽化熱也使液膜LF 冷卻而促進(jìn)溫度降低。但是，考慮到能夠縮短凍結(jié)清洗處理所需要的時(shí)間而提高生產(chǎn)率的情況，希望向液膜LF吹拂常溫氮?dú)鈦硖岣呃鋮s速度。因此，在本實(shí)施方式中，一邊從氣體噴出嘴1007向旋轉(zhuǎn)的基板W的表面Wf噴出常溫氮?dú)?凝固促進(jìn)氣體)，一邊使氣體噴出嘴 1007緩緩向基板W的端緣位置移動(dòng)。由此，在基板表面Wf的表面區(qū)域形成的液膜LF被部分強(qiáng)制冷卻，使液膜LF的溫度低于凝固對象液體的凝固點(diǎn)(>常溫)，而部分凝固。結(jié)果， 凝固體FR(凝固膜FF的一部分)形成在基板表面Wf的中央部。此外，在這樣使液膜LF凍結(jié)時(shí)，控制單元1004控制常溫氮?dú)夤┙o單元1061的質(zhì)量流量控制器1613，將常溫氮?dú)獾牧髁?即單位時(shí)間的常溫氮?dú)饬?抑制為適于液膜LF凝固的值。通過這樣抑制常溫氮?dú)獾牧髁?，能夠防止出現(xiàn)基板表面Wf部分干燥而露出的問題或者由于風(fēng)的壓力使膜厚分布不均勻而不能夠保證處理的均勻性的問題。另外，通過使嘴1007向方向Dnl掃描，能夠使凍結(jié)區(qū)域即凝固體FR從基板表面Wf 的中央部向周緣部蔓延，如圖20C所示，在掃描的過程中，使基板表面Wf的整個(gè)液膜凍結(jié)， 而在短時(shí)間內(nèi)形成凝固膜FF。在凝固結(jié)束之后，控制單元1004使常溫氮?dú)?凝固促進(jìn)氣體)停止從嘴1007噴出，使第一臂部1071向待機(jī)位置Psl移動(dòng)，使嘴1007從基板表面Wf退避。之后，如圖21A 所示，使遮擋構(gòu)件1009與基板表面Wf接近配置，另外，從設(shè)置在遮擋構(gòu)件1009上的嘴1097 向基板表面Wf上的凍結(jié)了的液膜即凝固膜(凝固體)FF供給升溫至80°C左右的高溫DIW， 來融化并除去凝固膜(凝固體)FF(融化除去處理步驟S3)。接著，如圖21B所示，向基板表面Wf供給常溫的DIW作為沖洗液，對基板W進(jìn)行沖洗處理(步驟S4)。在執(zhí)行了到此為止的處理的時(shí)刻，在基板W夾在遮擋構(gòu)件1009與旋轉(zhuǎn)基座1023 之間并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，向基板W的表面供給DIW。在此，可以使向基板表面Wf供給高溫DIW以及供給常溫DIW的工序并行進(jìn)行，從嘴1027供給高溫DIW以及常溫DIW (圖21A、 圖21B)。接著，停止向基板W供給DIW，如圖21C所示，進(jìn)行通過高速旋轉(zhuǎn)使基板W干燥的旋轉(zhuǎn)干燥處理(步驟S5)。即，一邊從設(shè)置在遮擋構(gòu)件1009上的嘴1097以及設(shè)置在旋轉(zhuǎn)基座1023上的氣體供給通路1029噴出由常溫氮?dú)夤┙o單元1061所供給的干燥用的氮?dú)庖贿吺够錡高速旋轉(zhuǎn)，由此，甩出殘留在基板W上的DIW，使基板W干燥。在這樣的干燥處理結(jié)束時(shí)，搬出處理完的基板W，從而對I張基板的處理結(jié)束。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，由于向基板W的表面Wf供給具有比常溫高的凝固點(diǎn)的凝固對象液體來形成液膜LF，并使該液膜LF凝固，在基板表面Wf形成凝固體FF，所以不需要使用在現(xiàn)有技術(shù)中用于凝固所必須的極低溫氣體。因此，能夠抑制運(yùn)轉(zhuǎn)成本。另外，由于不需要對供給線進(jìn)行隔熱，所以能夠防止裝置、周邊設(shè)備大規(guī)模化，能夠降低占用空間， 并且還能夠抑制裝置、周邊設(shè)備的成本。另外，在上述第四實(shí)施方式中，在使液膜LF凝固時(shí)供給常溫氮?dú)庾鳛槟檀龠M(jìn)氣體。該常溫氮?dú)饩哂斜饶虒ο笠后w的凝固點(diǎn)低的溫度，從而能夠縮短液膜LF凝固所需要的時(shí)間，能夠提聞生廣率。這樣，在第四實(shí)施方式中，凝固對象液體噴出嘴1008相當(dāng)于本發(fā)明的“嘴”，凝固對象液體供給單元1064相當(dāng)于本發(fā)明“凝固對象液體供給部”，通過凝固對象液體供給單元1064、凝固對象液體噴出嘴1008以及配管1065構(gòu)成本發(fā)明的“凝固體形成裝置”。另外， 高溫DIW相當(dāng)于本發(fā)明的“高溫除去液”，由DIW供給單元1062以及上方側(cè)液體噴出嘴1097 構(gòu)成本發(fā)明的“除去裝置”。另外，從常溫氮?dú)夤┙o單元1061供給的常溫氮?dú)庀喈?dāng)于本發(fā)明的“溫度比凝固對象液體的凝固點(diǎn)低的冷卻流體”，常溫氮?dú)夤┙o單元1061以及氣體噴出嘴1007發(fā)揮本發(fā)明的“凝固促進(jìn)裝置”以及“第一凝固促進(jìn)部”的功能。另外，保溫及調(diào)溫用氣體供給單元1066發(fā)揮本發(fā)明的“凝固防止裝置”的功能。<第五實(shí)施方式>圖22是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第五實(shí)施方式的動(dòng)作的圖。該第五實(shí)施方式與第四實(shí)施方式最大的不同點(diǎn)在于凝固促進(jìn)處理的內(nèi)容，其他結(jié)構(gòu)基本與第四實(shí)施方式相同。即，在第五實(shí)施方式中，常溫氮?dú)夤┙o單元1061的凝固促進(jìn)用通路(質(zhì)量流量控制器1613+開閉閥1614)不僅與氣體噴出嘴1007連接，還與氣體供給通路1029連接。另外， 控制單元1004控制常溫氮?dú)夤┙o單元1061，將流量調(diào)整后的常溫氮?dú)鈮核椭翚怏w噴出嘴 1007和氣體供給通路1029，常溫氮?dú)庾鳛槟檀龠M(jìn)氣體不僅供給至基板W的表面Wf還供給至背面Wb (步驟S2A)。由此，能夠進(jìn)一步縮短液膜LF凝固所需要的時(shí)間。這樣，在第五實(shí)施方式中，常溫氮?dú)夤┙o單元1061以及氣體供給通路1029發(fā)揮本發(fā)明的“凝固促進(jìn)裝置”以及“第二凝固促進(jìn)部”的功能。〈第六實(shí)施方式〉圖23是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第六實(shí)施方式的動(dòng)作的圖。該第六實(shí)施方式與第四實(shí)施方式、第五實(shí)施方式最大的不同點(diǎn)在于，在將凝固對象液體供給至基板W的表面Wf而形成液膜LF之后，放置規(guī)定時(shí)間來形成凝固膜FF (步驟SlA)，省略凝固促進(jìn)處理 (步驟S2、S2A)。此外，其他結(jié)構(gòu)基本與第四實(shí)施方式、第五實(shí)施方式相同。即，在本發(fā)明中， 由于使用叔丁醇、碳酸次乙酯等具有比常溫高的凝固點(diǎn)的凝固對象液體來代替在以往的凍結(jié)清洗技術(shù)中使用的DIW，所以將供給至基板W的表面Wf的凝固對象液體放置在處理腔室 1001的常溫環(huán)境氣體中來緩緩變冷而凝固。另外，使基板W旋轉(zhuǎn)時(shí)產(chǎn)生的汽化熱作用在使凝固對象液體凝固的方向上。因此，在第六實(shí)施方式中，不設(shè)置氣體噴出嘴1007以及凝固促進(jìn)用通路(質(zhì)量流量控制器1613+開閉閥1614)，能夠簡化裝置結(jié)構(gòu)?！吹谄邔?shí)施方式〉圖24是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第七實(shí)施方式的動(dòng)作的圖。該第七實(shí)施方式與第四實(shí)施方式最大的不同點(diǎn)在于凝固膜(凝固體)FF的除去方式，以及用于除去凝固膜(凝固體)FF的DIW的溫度，其他結(jié)構(gòu)基本與第四實(shí)施方式相同。即，在第四實(shí)施方式中，使用溫度比凝固對象液體的凝固點(diǎn)高的高溫DIW除去凝固膜(凝固體)FF，而在第七實(shí)施方式中使用常溫DIW。這是利用叔丁醇、碳酸次乙酯溶于常溫DIW中的溶解度比較的高的特點(diǎn)，通過供給常溫DIW來溶解除去凝固膜FF (步驟S3A)。在這樣不使用高溫DIW的第七實(shí)施方式中，不需要設(shè)置融化除去處理用配管通路(流量調(diào)整閥1623+加熱器1624+開閉閥 1622)，能夠簡化裝置結(jié)構(gòu)，并且不需要加熱DIW能夠降低運(yùn)轉(zhuǎn)成本。另外，能夠連續(xù)且一體地進(jìn)行除去處理和沖洗處理，從而能夠提高處理效率?！吹诎藢?shí)施方式〉如上所述，凍結(jié)清洗是在使供給至基板W的表面Wf的凝固對象液體凝固后，從基板表面除去該凝固體，來除去附著在基板表面上的顆粒等的工序，但是，除去效率與凝固體的到達(dá)溫度緊密相關(guān)。這是本申請的發(fā)明人們基于將DIW用作凝固對象液體的實(shí)驗(yàn)而得知的見解，該見解的內(nèi)容為，不僅要使DIW的液膜凍結(jié)，而且凍結(jié)后的液膜的到達(dá)溫度越低則顆粒除去效率越高。易于推測出將該見解應(yīng)用于以叔丁醇、碳酸次乙酯等作為凝固對象液體時(shí)能夠得到相同的作用效果。因此，以下，在詳細(xì)說明上述實(shí)驗(yàn)內(nèi)容以及見解內(nèi)容之后， 說明應(yīng)用該見解的實(shí)施方式。圖25是表示所謂凍結(jié)清洗技術(shù)中的液膜的溫度與顆粒除去效率之間的關(guān)系的曲線圖，具體地說，通過如下的實(shí)驗(yàn)得到該曲線圖。在本實(shí)驗(yàn)中，作為基板的具有代表性的例子選擇裸態(tài)(完全沒有形成圖案的狀態(tài))的Si晶片(晶片直徑300mm)。另外，對作為顆粒就Si屑(粒徑0. 08 y m以上)污染基板表面的情況進(jìn)行評價(jià)。首先，使用單張式的基板處理裝置(大日本網(wǎng)屏版制造公司制造，旋轉(zhuǎn)處理器 SS-3000)強(qiáng)制地將晶片(基板)污染。具體地說，一邊使晶片旋轉(zhuǎn)，一邊從與晶片相向配置的嘴向晶片供給分布有顆粒(Si屑)的分布液。在此，以使附著在晶片表面上的顆粒的數(shù)量為大約10000個(gè)的方式，適當(dāng)?shù)卣{(diào)整分布液的液量、晶片轉(zhuǎn)速以及處理時(shí)間。之后，測定附著在晶片表面上的顆粒的數(shù)量(初始值)。此外，使用KLA-Tencor公司制造的晶片檢查裝置SPl測定顆粒數(shù)量，對從晶片外周起3mm的周緣區(qū)域以外(除去邊緣)的區(qū)域進(jìn)行評價(jià)。接著，對各晶片進(jìn)行以下的清洗處理。首先，持續(xù)6秒鐘向以150rpm旋轉(zhuǎn)的晶片噴出溫度被調(diào)整為0. 5°C的DIW，來冷卻晶片。之后，停止噴出DIW，維持該轉(zhuǎn)速2秒鐘，甩出多余的DIW，來形成液膜。在形成液膜之后，將晶片轉(zhuǎn)速降低為50rpm，一邊維持該轉(zhuǎn)速一邊通過嘴的掃描以90[L/min]的流量將溫度為_190°C的氮?dú)庀蚓砻鎳姵?。在利用嘴的掃描時(shí)，使嘴利用20秒在晶片的中心和晶片的端部之間往復(fù)。圖25的黑方塊對應(yīng)于掃描次數(shù)，在圖25中，從左以依次掃描I次、2次的順序表示直到掃描5次的結(jié)果。這樣，通過改變掃描次數(shù)來改變液膜的凍結(jié)后的溫度。在上述的冷卻結(jié)束之后，使晶片的轉(zhuǎn)速為2000rpm，并以4. 0[L/min]的流量持續(xù)2 秒鐘向晶片噴出溫度被調(diào)整為80°C的DIW，之后，使晶片的轉(zhuǎn)速變?yōu)?00rpm，以I. 5[L/min] 的流量持續(xù)30秒鐘供給常溫的DIW作為沖洗液，來對晶片進(jìn)行沖洗處理。之后，使晶片高速旋轉(zhuǎn)來進(jìn)行旋轉(zhuǎn)干燥。然后，測定附著在實(shí)施了一系列的清洗處理后的晶片的表面上顆粒數(shù)量。然后，將凍結(jié)清洗后的顆粒數(shù)量與之前測定出的初始(凍結(jié)清洗處理前)的顆粒數(shù)進(jìn)行對比，來算出除去率。將這樣得出的數(shù)據(jù)描繪為曲線而成為圖25所示的曲線圖。
根據(jù)該圖可知，不僅使液膜凍結(jié)，而且使凍結(jié)后的液膜的到達(dá)溫度越低，則顆粒除去效率越高，從而能夠提高清洗效果。因此，在以下說明的第八實(shí)施方式中，對凝固體FF進(jìn)行使用常溫氮?dú)獾睦鋮s處理，來提高顆粒除去效率。圖26是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第八實(shí)施方式的動(dòng)作的圖。該第八實(shí)施方式與第四實(shí)施方式最大的不同點(diǎn)在于，在通過凝固促進(jìn)處理(步驟S2)形成凝固膜(凝固體)FF之后且在除去凝固膜FF(步驟S3)之前，進(jìn)行冷卻處理(步驟S6)，其他結(jié)構(gòu)與第四實(shí)施方式基本相同。在該冷卻處理中，氣體噴出嘴1007在凝固促進(jìn)處理之后繼續(xù)持續(xù)向基板表面Wf噴出常溫氮?dú)?，以該噴出狀態(tài)在基板表面Wf的上方進(jìn)行掃描移動(dòng)，使凝固膜FF 冷卻。由此，由于可靠地將凝固膜FF的到達(dá)溫度降低至常溫，所以能夠提高顆粒除去效率。此外，在不進(jìn)行凝固促進(jìn)處理(步驟S2)而形成凝固膜FF的情況下(例如圖23 所示的第六實(shí)施方式)，可以在凝固對象液體已經(jīng)凝固的時(shí)刻，從氣體噴出嘴1007噴出常溫氮?dú)夤┙o單元1061所供給的常溫氮?dú)?，在此情況下，使該嘴1007在基板表面Wf的上方進(jìn)行掃描移動(dòng)，來使凝固膜FF冷卻。在這樣的第八實(shí)施方式及其變形例中，常溫氮?dú)夤┙o單元1061以及氣體噴出嘴1007發(fā)揮本發(fā)明的“冷卻裝置”以及“第一冷卻部”的功能。<第九實(shí)施方式>圖27是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第九實(shí)施方式的動(dòng)作的圖。該第九實(shí)施方式與第五實(shí)施方式(圖22)最大的不同點(diǎn)在于，在通過凝固促進(jìn)處理(步驟S2A)形成凝固膜(凝固體)FF后且除去凝固膜FF (步驟S3)前，進(jìn)行冷卻處理(步驟S6A)，其他結(jié)構(gòu)與第五實(shí)施方式基本相同。在該冷卻處理中，從氣體供給通路1029向基板W的背面Wb供給常溫氮?dú)?，并且氣體噴出嘴1007與上述的第八實(shí)施方式相同一邊向基板表面Wf噴出常溫氮?dú)庖贿呍诨灞砻鎃f的上方掃描移動(dòng)。由于這樣從基板W的表面Wf以及背面Wb雙方供給常溫氮?dú)鈦砝鋮s凝固膜(凝固體)FF，所以能夠提高顆粒除去效率。而且，能夠以比第八實(shí)施方式更短的時(shí)間，將凝固膜FF的到達(dá)溫度降低至常溫，因此能夠縮短處理時(shí)間。此外，在不進(jìn)行凝固促進(jìn)處理(步驟S2A)來形成凝固膜FF的情況下(例如圖23 所示的第六實(shí)施方式)，可以在凝固對象液體已經(jīng)凝固的時(shí)刻，從氣體噴出嘴1007噴出常溫氮?dú)夤┙o單元1061所供給的常溫氮?dú)?，在該狀態(tài)下，使該嘴1007在基板表面Wf的上方掃描移動(dòng)，并且從氣體供袷路1029向基板W的背面Wb供給常溫氮?dú)?。在這樣的第九實(shí)施方式及其變形例中，常溫氮?dú)夤┙o單元1061、氣體噴出嘴1007以及氣體供給通路1029發(fā)揮本發(fā)明的“冷卻裝置”的功能，其中，常溫氮?dú)夤┙o單元1061以及氣體噴出嘴1007的組合相當(dāng)于本發(fā)明的“第一冷卻部”，常溫氮?dú)夤┙o單元1061以及氣體供給通路1029的組合相當(dāng)于本發(fā)明的“第二冷卻部”。<第十實(shí)施方式>在上述第八實(shí)施方式(圖26)以及第九實(shí)施方式(圖27)中，使用常溫氮?dú)庾鳛橛糜诶鋮s凝固膜(凝固體)FF來降低到達(dá)溫度的冷卻流體，但是可以利用常溫DIW代替常
溫氮?dú)狻D28是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第十實(shí)施方式的動(dòng)作的圖。在該第十實(shí)施方式中，在通過凝固促進(jìn)處理(步驟S2)形成凝固膜(凝固體)FF時(shí)，停止從嘴1007噴出常溫氮?dú)?凝固促進(jìn)氣體)，使第一臂部1071移動(dòng)至待機(jī)位置Psl，使嘴1007從基板表面 Wf退避。之后，使遮擋構(gòu)件1009與基板表面Wf接近配置，而且，從設(shè)置在遮擋構(gòu)件1009上
39的嘴1097向凝固膜(凝固體)FF供給常溫DIW(步驟S6B)。此外，在本實(shí)施方式中，冷卻處理的目的在于使凝固膜FF的到達(dá)溫度降低至常溫附近，在通過常溫DIW溶解并除去凝固膜 FF之前，停止供給常溫DIW。然后，在這樣降低了凝固膜FF的溫度之后，進(jìn)行利用高溫DIW 的融化除去處理(步驟S3)、利用利用常溫DIW的沖洗處理(步驟S4)以及利用常溫氮?dú)獾母稍锾幚?步驟S5)。在這樣的第十實(shí)施方式中，能夠利用常溫DIW提高顆粒除去效率，DIW供給單元 1062以及上方側(cè)液體噴出嘴1097發(fā)揮本發(fā)明的“冷卻裝置”以及“第一冷卻部”的功能?！吹赹^一實(shí)施方式〉圖29是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第十一實(shí)施方式的動(dòng)作的圖。在本第十一實(shí)施方式中，在通過凝固促進(jìn)處理(步驟S2A)形成凝固膜(凝固體)FF時(shí)，停止從嘴1007、 1027噴出常溫氮?dú)?凝固促進(jìn)氣體)，使第一臂部1071移動(dòng)至待機(jī)位置Psl，使嘴1007從基板表面Wf退避。之后，使遮擋構(gòu)件1009與基板表面Wf 接近配置，而且從設(shè)置在遮擋構(gòu)件1009上的嘴1097向凝固膜(凝固體)FF供給常溫DIW，并且從嘴1027向基板W的背面 Wb供給常溫DIW (步驟S6C)。此外，在本實(shí)施方式中，也與第十實(shí)施方式相同，在通過常溫 DIff溶解并除去凝固膜FF之前，停止從嘴1007供給常溫DIW。然后，在這樣降低凝固膜FF 的溫度之后，進(jìn)行利用高溫DIW的融化除去處理(步驟S3)、利用常溫DIW的沖洗處理(步驟S4)以及利用常溫氮?dú)獾母稍锾幚?步驟S5)。在這樣的第i^一實(shí)施方式中，能夠利用常溫DIW提高顆粒除去效率，DIW供給單元 1062、上方側(cè)液體噴出嘴1097以及下方側(cè)液體噴出嘴1027發(fā)揮本發(fā)明的“冷卻裝置”的功能。其中，DIW供給單元1062以及上方側(cè)液體噴出嘴1097的組合相當(dāng)于本發(fā)明的“第一冷卻部”，DIW供給單元1062以及下方側(cè)液體噴出嘴1027的組合相當(dāng)于本發(fā)明的“第二冷卻部”。<第十二實(shí)施方式>在上述第十實(shí)施方式以及第十一實(shí)施方式中，以不會通過常溫DIW溶解而除去凝固膜FF的程度，從嘴1007向凝固膜(凝固體)FF供給常溫DIW，但是，能夠如上述那樣持續(xù)向基板W的表面Wf供給常溫DIW來溶解并除去凝固膜FF。另外，即使除去凝固膜FF之后，也能夠進(jìn)一步持續(xù)供給常溫DIW對基板W進(jìn)行沖洗處理。因此，在第十二實(shí)施方式中， 如圖30所示，利用常溫DIW進(jìn)行冷卻處理(步驟S6B)、除去處理(步驟S3A)以及沖洗處理 (步驟S4)。在這樣不使用高溫DIW的第十二實(shí)施方式中，不需要設(shè)置融化除去處理用配管通路(流量調(diào)整閥1623+加熱器1624+開閉閥1622)，能夠簡化裝置結(jié)構(gòu)，并且不需要加熱 DIW，能夠降低運(yùn)轉(zhuǎn)成本。另外，能夠連續(xù)且一體地進(jìn)行冷卻處理、除去處理以及沖洗處理， 提聞處理的效率。此外，本發(fā)明不限于上述的實(shí)施方式，只要不脫離其宗旨，能夠進(jìn)行上述之外的各種變更。例如，在上述實(shí)施方式中，利用保溫及調(diào)溫用氣體供給單元1066的加熱器1662，使常溫氮?dú)獾臏囟壬仙瑏淼玫奖丶罢{(diào)溫用的氮?dú)?，但是保溫及調(diào)溫用氮?dú)獾纳裳b置不限于此，如圖31所示，可以使用渦流管(Vortex Tube)。另外，能夠通過使用渦流管不僅能夠生成高溫的氮?dú)?，還能夠同時(shí)生成低溫的氮?dú)猓軌驅(qū)⒌蜏氐牡獨(dú)庥米骼鋮s氣體。以下， 參照圖31說明本發(fā)明的第十三實(shí)施方式。<第十三實(shí)施方式>
圖31是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第十三實(shí)施方式的圖。在該第十三實(shí)施方式中，設(shè)置有高溫及低溫氮?dú)夤┙o單元1067。該高溫及低溫氮?dú)夤┙o單元1067具有質(zhì)量流量控制器(MFC) 1671、渦流管1672、2個(gè)開閉閥1673、1674。該質(zhì)量流量控制器1671能夠按照來自控制單元1004的流量指令高精度地調(diào)整常溫氮?dú)獾牧髁?。另外，渦流管1672具有供給口、暖氣噴出口以及冷氣噴出口，在經(jīng)由供給口向管內(nèi)流入質(zhì)量流量控制器1671調(diào)整后的氮?dú)鈺r(shí)，在暖氣噴出口和冷氣噴出口之間進(jìn)行熱分離。然后，從暖氣噴出口噴出溫度比常溫高的高溫氮?dú)?，從冷氣噴出口噴出溫度比常溫低的低溫氮?dú)?。此外，由于渦流管1672 本身為公知技術(shù)，在此省略詳細(xì)說明。渦流管1672的冷氣噴出口經(jīng)由開閉閥1673與氣體噴出嘴1007連接，在按照來自控制單元1004的開閉指令打開開閉閥1673時(shí)，低溫氮?dú)庾鳛槟檀龠M(jìn)氣體供給至氣體噴出嘴1007。另外，渦流管1672的暖氣噴出口經(jīng)由開閉閥1674與配管1065的氣體供給通路連接，在按照來自控制單元1004的開閉指令打開開閉閥1674時(shí)，高溫氮?dú)庾鳛楸丶罢{(diào)溫用氮?dú)夤┙o至配管1065。在這樣的本實(shí)施方式中，能夠使用常溫氮?dú)馍筛邷氐獨(dú)庖约暗蜏氐獨(dú)?，通過使用這些氣體，促進(jìn)凝固以及對凝固對象液體進(jìn)行保溫等，能夠高效地進(jìn)行凍結(jié)清洗。在這樣的第十三實(shí)施方式中，高溫及低溫氮?dú)夤┙o單元1067發(fā)揮本發(fā)明的“凝固促進(jìn)裝置”以及 “凝固防止裝置”的功能。另外，在上述實(shí)施方式中，為了將配管1065以及嘴1007內(nèi)的凝固對象液體的溫度保持為恒定溫度并且防止凝固，使配管1065形成為雙重管結(jié)構(gòu)，并且向配管1065的氣體供給通路中供給保溫及調(diào)溫用氮?dú)?，但是可以沿著配管設(shè)置線狀的加熱器來代替保溫及調(diào)溫用氮?dú)?，對配管以及嘴?nèi)的凝固對象液體進(jìn)行調(diào)溫。此時(shí)，加熱器發(fā)揮本發(fā)明的“凝固防止裝置”的功能?！吹谑膶?shí)施方式〉另外，可以在從嘴1007噴出凝固對象液體的動(dòng)作結(jié)束之后，除去殘留在配管以及嘴中的凝固對象液體，來代替對配管以及嘴內(nèi)的凝固對象液體進(jìn)行調(diào)溫。如圖32所示，可以使用單管結(jié)構(gòu)的配管并且設(shè)置清除用氣體供給單元1068。此外，清除用氣體供給單元1068的基本結(jié)構(gòu)與保溫及調(diào)溫用氣體供給單元1066相同，具有質(zhì)量流量控制器 (MFC) 1681、加熱器 1682、開閉閥 1683。另外能夠構(gòu)成為如下結(jié)構(gòu)在從嘴1007噴出凝固對象液體的動(dòng)作結(jié)束之后，按照來自控制單元1004的動(dòng)作指令，打開開閉閥1683，使通過加熱器1682溫度上升至比凝固對象液體的凝固點(diǎn)高的溫度的高溫氮?dú)鈮核椭僚涔?，而殘留在配管以及?007中的凝固對象液體從嘴1007的噴出口(省略圖示)被清除。這樣，在圖32所示的第十四實(shí)施方式中，由于在適當(dāng)?shù)臅r(shí)刻清除殘留在配管以及嘴1007中的凝固對象液體，所以能夠可靠地防止在配管以及嘴1007中凝固對象液體發(fā)生凝固的情況。這樣，在第十四實(shí)施方式中，清除用氣體供給單元1068發(fā)揮本發(fā)明的“凝固防止裝置”以及“清除部”的功能。<第十五實(shí)施方式>另外，如圖33所示，可以設(shè)置“convum(注冊商標(biāo))”等真空形成部1069，來代替從嘴1007的噴出口清除殘留凝固對象液體。該真空形成部1069經(jīng)由開閉閥1648與配管連接。而且，在從嘴1007噴出凝固對象液體的動(dòng)作結(jié)束之后，按照來自控制單元1004的動(dòng)作指令，關(guān)閉開閉閥1644并且打開開閉閥1648，由此通過真空形成部1069吸引并排出殘留在配管以及嘴1007內(nèi)的凝固對象液體。這樣，在圖33所示的第十五實(shí)施方式中，由于在適當(dāng)?shù)臅r(shí)刻吸引并排出殘留在配管以及嘴1007中的凝固對象液體，所以能夠可靠地防止凝固對象液體在配管以及嘴1007中凝固。這樣，在第十五實(shí)施方式中，真空形成部1069發(fā)揮本發(fā)明的“凝固防止裝置”以及“吸引排出部”的功能。另外，上述實(shí)施方式的基板處理裝置將氮?dú)夤┙o源以及DIW供給源設(shè)置在裝置內(nèi)部，但是這些供給源可以設(shè)置在裝置的外部，例如還可以利用工廠內(nèi)已設(shè)的供給源。另外，上述實(shí)施方式的基板處理裝置具有與基板W的上方接近配置的遮擋構(gòu)件 1009，但是本發(fā)明也能夠用于不具有遮擋構(gòu)件的裝置。另外，本實(shí)施方式的裝置通過與基板 W的周緣部抵接的卡盤銷1024保持基板W，但是基板的保持方法不限于此，本發(fā)明能夠適用于通過其他方法保持基板的裝置。本發(fā)明適用于對半導(dǎo)體基板、光掩模用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、等離子顯示用玻璃基板、FED(Fiela Emission Display)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板等各種基板進(jìn)行清洗處理的基板處理方法以及基板處理裝置。
權(quán)利要求
1.一種基板處理方法，其特征在于，包括準(zhǔn)備工序，以液體狀態(tài)準(zhǔn)備要向基板供給的凝固對象液體，凝固體形成工序，將所述準(zhǔn)備工序中準(zhǔn)備的所述凝固對象液體經(jīng)由空間供給至所述基板，在所述基板上形成所述凝固對象液體的凝固體，除去工序，除去所述基板上的所述凝固對象液體的凝固體；所述凝固對象液體借助從所述準(zhǔn)備工序到所述凝固體形成工序?yàn)橹顾艿降耐獠看碳ざ獭?br> 2.如權(quán)利要求I所述的基板處理方法，其特征在于，在所述凝固體形成工序中，供給至所述基板的所述凝固對象液體處于過冷卻狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求I或2所述的基板處理方法，其特征在于，還包括凝固體冷卻工序，在所述凝固體冷卻工序中，向所述基板上的所述凝固對象液體的凝固體供給溫度比所述凝固對象液體的凝固點(diǎn)低的流體，來對所述基板上的所述凝固對象液體的凝固體進(jìn)行冷卻。
4.如權(quán)利要求3所述的基板處理方法，其特征在于，在所述凝固體冷卻工序中所供給的流體為具有比所述凝固對象液體的凝固點(diǎn)低的凝固點(diǎn)的冷卻液。
5.如權(quán)利要求4所述的基板處理方法，其特征在于，所述凝固體形成工序還包括用于冷卻所述基板的基板冷卻工序。
6.如權(quán)利要求5所述的基板處理方法，其特征在于，所述基板冷卻工序是向所述基板的背面噴出冷媒的工序。
7.如權(quán)利要求5所述的基板處理方法，其特征在于，所述基板冷卻工序，是在所述凝固體形成工序之前向所述基板的表面噴出冷媒的工序。
8.如權(quán)利要求I或2所述的基板處理方法，其特征在于，在所述凝固體形成工序中，使所述基板上的所述凝固對象液體的凝固體的厚度在所述基板的面內(nèi)改變。
9.如權(quán)利要求8所述的基板處理方法，其特征在于，在所述凝固體形成工序中，通過在所述基板的面內(nèi)改變供給至所述基板上的所述凝固對象液體的量，來改變所述基板上的所述凝固體的厚度。
10.如權(quán)利要求8所述的基板處理方法，其特征在于，在所述凝固體形成工序中，使所述基板的面內(nèi)的所述凝固對象液體的凝固體的厚度，從所述基板的中心部向周緣部逐漸變厚。
11.如權(quán)利要求I所述的基板處理方法，其特征在于，在所述凝固體形成工序中，向所述基板供給具有比常溫高的凝固點(diǎn)的凝固對象液體。
12.—種基板處理裝置，其特征在于，具有凝固體形成裝置，其從嘴噴出液體狀態(tài)的凝固對象液體來將該凝固對象液體供給至基板，在所述基板上形成所述凝固對象液體的凝固體，除去裝置，其除去所述基板上的所述凝固對象液體的凝固體；所述凝固對象液體，借助從所述嘴噴出起落在所述基板上為止的過程以及置于所述基板上的過程中的至少一個(gè)過程中所受到的外部刺激而凝固。
13.如權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于，所述凝固體形成裝置向所述基板的表面供給具有比常溫高的凝固點(diǎn)的凝固對象液體。
14.如權(quán)利要求13所述的基板處理裝置，其特征在于，所述凝固體形成裝置將所述凝固對象液體加熱至所述凝固對象液體的凝固點(diǎn)以上的溫度，并供給至所述基板的表面。
15.如權(quán)利要求13或14所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有凝固促進(jìn)裝置，所述凝固促進(jìn)裝置向所述基板供給溫度比所述凝固對象液體的凝固點(diǎn)低的冷卻流體，來促進(jìn)所述凝固對象液體的凝固。
16.如權(quán)利要求15所述的基板處理裝置，其特征在于，所述凝固促進(jìn)裝置具有第一凝固促進(jìn)部，所述第一凝固促進(jìn)部向已供給了所述凝固對象液體的所述基板的表面供給所述冷卻流體。
17.如權(quán)利要求15所述的基板處理裝置，其特征在于，所述凝固促進(jìn)裝置具有第二凝固促進(jìn)部，所述第二凝固促進(jìn)部向已供給了所述凝固對象液體的所述基板的背面供給所述冷卻流體。
18.如權(quán)利要求13或14所述的基板處理裝置，其特征在于，在將所述凝固對象液體供給至所述基板的表面之后，使所述凝固對象液體隨著規(guī)定時(shí)間的經(jīng)過而凝固，然后由所述除去裝置除去凝固體。
19.如權(quán)利要求13或14所述的基板處理裝置，其特征在于，所述除去裝置向形成有所述凝固體的所述基板的表面供給溫度比所述凝固對象液體的凝固點(diǎn)高的高溫除去液，來除去所述凝固體。
20.如權(quán)利要求13或14所述的基板處理裝置，其特征在于，所述除去裝置向形成有所述凝固體的所述基板的表面供給能夠使所述凝固對象液體溶解的除去液，來除去所述凝固體。
21.如權(quán)利要求13或14所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有冷卻裝置，所述冷卻裝置在形成所述凝固體之后且除去所述凝固體之前，冷卻所述凝固體以使所述凝固體的溫度降低。
22.如權(quán)利要求21所述的基板處理裝置，其特征在于，所述冷卻裝置具有第一冷卻部， 所述第一冷卻部向形成有所述凝固體的所述基板的表面供給溫度比所述凝固對象液體的凝固點(diǎn)低的冷卻流體。
23.如權(quán)利要求21所述的基板處理裝置，其特征在于，所述冷卻裝置具有第二冷卻部， 所述第二冷卻部向形成有所述凝固體的所述基板的背面供給溫度比所述凝固對象液體的凝固點(diǎn)低的冷卻流體。
24.如權(quán)利要求15所述的基板處理裝置，其特征在于，所述凝固促進(jìn)裝置，在形成了所述凝固體之后也持續(xù)供給所述冷卻流體，直到通過所述除去裝置除去所述凝固體為止，由此冷卻所述凝固體。
25.如權(quán)利要求13或14所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有沖洗裝置，在通過所述除去裝置除去所述凝固體之后，所述沖洗裝置向所述基板的表面供給沖洗液，來沖洗所述基板的表面。
26.如權(quán)利要求20所述的基板處理裝置，其特征在于，所述除去裝置在除去了所述凝固體之后也繼續(xù)供給所述除去液，來沖洗所述基板的表面。
27.如權(quán)利要求13或14所述的基板處理裝置，其特征在于，所述凝固體形成裝置具有凝固對象液體供給部，其用于供給所述凝固對象液體，配管，其一端與所述凝固對象液體供給部相連接，其另一端與所述嘴相連接，用于使從所述凝固對象液體供給部供給來的所述凝固對象液體流到所述嘴；所述基板處理裝置還具有用于防止所述嘴以及所述配管內(nèi)的所述凝固對象液體凝固的凝固防止裝置。
28.如權(quán)利要求27所述的基板處理裝置，其特征在于，所述凝固防止裝置將所述嘴以及所述配管內(nèi)的所述凝固對象液體的溫度保溫在所述凝固對象液體的凝固點(diǎn)以上。
29.如權(quán)利要求28所述的基板處理裝置，其特征在于，所述配管具有內(nèi)管，其一端與所述凝固對象液體供給部相連接，其另一端與所述嘴相連接，外管，其內(nèi)部有所述內(nèi)管穿過；所述凝固防止裝置具有保溫流體供給部，所述保溫流體供給部向所述內(nèi)管和所述外管之間供給溫度比所述凝固對象液體的溫度高的保溫流體。
30.如權(quán)利要求27所述的基板處理裝置，其特征在于，所述凝固防止裝置具有清除部， 在通過所述凝固體形成裝置形成了所述凝固體之后，所述清除部向所述配管的一端供給溫度比所述凝固對象液體的溫度高的清除用流體，來從所述嘴的噴出口排出所述嘴以及所述配管內(nèi)的所述凝固對象液體。
31.如權(quán)利要求27所述基板處理裝置，其特征在于，所述凝固防止裝置具有吸引排出部，在通過所述凝固體形成裝置形成了所述凝固體之后，所述吸引排出部對所述配管的一端施加負(fù)壓，來從所述配管的一端排出所述嘴以及所述配管內(nèi)的所述凝固對象液體。
32.如權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于，所述凝固體形成裝置使所述凝固對象液體變?yōu)檫^冷卻狀態(tài)并供給至所述基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種不使用用于形成凝固體的冷卻氣體，就能夠良好地對基板進(jìn)行清洗處理的基板處理方法以及基板處理裝置。向基板(W)供給作為凝固對象液體的過冷卻狀態(tài)的DIW，借助落在基板(W)而產(chǎn)生的沖擊來形成DIW的凝固體。由此，無需使用形成凝固體所需要的氣體的冷媒，不需要用于生成氣體的冷媒的設(shè)備，從而能夠縮短處理時(shí)間，還能夠抑制運(yùn)轉(zhuǎn)成本等。
文檔編號H01L21/02GK102592970SQ20121000546
公開日2012年7月18日 申請日期2012年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月6日
發(fā)明者宮勝彥, 藤原直澄 申請人:大日本網(wǎng)屏制造株式會社