專利名稱：一種超高頻rfid蝕刻天線及其制造工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及物聯(lián)網(wǎng)RFID領(lǐng)域，更具體的說涉及一種超高頻電子標(biāo)簽中蝕刻天線及該蝕刻天線的制造工藝。
背景技術(shù)：
在射頻識(shí)別(Radio Frequency Identification, RFID)技術(shù)中，電子標(biāo)簽可分為兩部分，即電子標(biāo)簽的芯片和電子標(biāo)簽的天線，其中天線是一種具有將導(dǎo)行波與自由空間波相互轉(zhuǎn)功能的結(jié)構(gòu)，它存在于一個(gè)由波束范圍、立體弧度和立體角構(gòu)成的三維世界中。無線電設(shè)計(jì)輸出的射頻信號(hào)功率，先通過饋線輸送到天線，再由天線以電磁波形式輻射出去；當(dāng)電磁波到達(dá)接收地點(diǎn)后，再次由天線接收下來，并通過饋線發(fā)送到無線電接收機(jī)。 在超高頻電子標(biāo)簽中，天線面積占主導(dǎo)地位，即標(biāo)簽面積主要取決于其天線面積，然而天線的物理尺寸受到其工作頻率電磁波波長的限制，在超高頻下電磁波波長為30cm，相對(duì)于電子標(biāo)簽的應(yīng)用來說，這個(gè)尺寸不是太大，因此實(shí)際電子標(biāo)簽天線設(shè)計(jì)的尺寸都會(huì)小于這個(gè)尺寸，一般尺寸設(shè)計(jì)到5-lOcm，這種天線一般稱為小天線。一般在超高頻應(yīng)用頻段中，最常用的是偶極子天線(又稱為對(duì)稱振子天線)。其中，偶極子天線由兩端同樣粗細(xì)和等長的直導(dǎo)線排成一條直線構(gòu)成，信號(hào)從中間的兩個(gè)端點(diǎn)饋入，在偶極子的兩臂上產(chǎn)生一定的電流分布，種種電流分布就在天線周圍空間激發(fā)起電磁場；天線導(dǎo)線粗細(xì)的均勻性及端點(diǎn)間距的大小對(duì)標(biāo)簽性能的提高和標(biāo)簽的成本降低起到至關(guān)重要的作用。天線的制作目前主要包括兩種成型方式，一種是蝕刻工藝，另一種絲網(wǎng)印刷(導(dǎo)電油墨或?qū)щ娿y漿)工藝來實(shí)現(xiàn)。其中，傳統(tǒng)的天線蝕刻工藝是將鋁箔和薄膜加工成鋁復(fù)合材料，再通過凸版印刷或網(wǎng)印的方法將彩色防腐蝕劑涂在鋁基材表面形成新的復(fù)合材料，通過蝕刻生產(chǎn)設(shè)備，加工成天線形狀的復(fù)合材料基板。而絲網(wǎng)印刷工藝則是將導(dǎo)電物質(zhì)通過絲網(wǎng)印刷在各種紙質(zhì)材料及PET基材上面。但是，由于現(xiàn)在越來越苛刻的應(yīng)用環(huán)境以及標(biāo)簽芯片引腳間距的微小化，采用傳統(tǒng)的蝕刻工藝以及絲網(wǎng)印刷工藝均達(dá)到不要求，具體是因?yàn)樯鲜鰞煞N工藝都包括印刷步驟，從而會(huì)造成比如蝕刻導(dǎo)線的精度不夠、粗細(xì)不均以及有明顯的鋸齒狀等缺陷，從而直接影響到超高頻電子標(biāo)簽的性能。有鑒于此，本發(fā)明人針對(duì)現(xiàn)有超高頻RFID蝕刻天線在成型時(shí)的上述缺陷深入研究，遂有本案產(chǎn)生。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一目的在于提供一種超高頻RFID蝕刻天線，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在精度不夠、粗細(xì)不均以及具有明顯鋸齒狀的缺陷。為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的解決方案是
一種超高頻RFID蝕刻天線，其中，包括承載基材、膠層以及蝕刻層，該膠層位于承載基材與蝕刻層之間，該蝕刻層為鋁箔或銅箔經(jīng)蝕刻工藝而成型，該蝕刻層上線路的蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或線路端點(diǎn)最小間距彡O. 12mm。進(jìn)一步，該承載基材選自PI膜或PET膜。進(jìn)一步，該膠層選自聚胺酯改性環(huán)氧樹脂膠、聚醚改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸改性環(huán)氧樹酯膠、二聚酸環(huán)氧樹酯膠的一種或多種。本發(fā)明的第二目的在于提供一種超高頻RFID蝕刻天線的制造工藝，其中，包括如下步驟 ①、選擇鋁箔或銅箔，并在其上涂布膠層后與承載基材進(jìn)行復(fù)合，而形成復(fù)合基材；
②、在復(fù)合基材的鋁箔或銅箔上面形成感光型復(fù)合材料；
③、將需要蝕刻的天線圖形制成菲林底片，采用曝光方法，將導(dǎo)線部線路轉(zhuǎn)移至感光型復(fù)合材料上面；
④、將曝光好并貼有感光型復(fù)合材料的復(fù)合基材進(jìn)行顯影、蝕刻和剝膜,如此形成蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或端點(diǎn)最小間距< O. 12mm蝕刻天線。進(jìn)一步，該鋁箔或銅箔的厚度選擇9 38um，該承載基材的厚度則選擇為12 200umo進(jìn)一步，該感光型復(fù)合材料為感光型干膜材料、感光型濕膜材料或者感光型絕緣油墨材料。進(jìn)一步，該承載基材選自PI膜或PET膜。進(jìn)一步，該膠層選用聚胺酯改性環(huán)氧樹脂膠、聚醚改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸改性環(huán)氧樹酯膠、二聚酸環(huán)氧樹酯膠的一種或多種。進(jìn)一步,該步驟②中感光型復(fù)合材料與招箔或銅箔之間的形成采用卷對(duì)卷貼合，該步驟③中曝光則是采用卷對(duì)卷曝光機(jī)進(jìn)行曝光。進(jìn)一步，該步驟④的蝕刻步驟中蝕刻液為30% 35%的鹽酸和雙氧水的水混合液，其中鹽酸和雙氧水的體積比為3:1。采用上述結(jié)構(gòu)后，本發(fā)明涉及的一種超高頻RFID蝕刻天線及其制造工藝，由于其在制造成型過程中采用了承載基材、膠層以及鋁箔或銅箔，從而確保了蝕刻工藝的實(shí)施條件；同時(shí)由于采用了形成感光型復(fù)合材料以及曝光的方式而實(shí)現(xiàn)線路轉(zhuǎn)移，接著再通過蝕刻的工藝，如此使得形成在承載基材和膠層上的蝕刻層上線路的蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或線路端點(diǎn)最小間距< O. 12mm。由此本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其線路精度大大提聞，進(jìn)而提高了整個(gè)蝕刻天線的性能。


圖I為本發(fā)明涉及的一種超高頻RFID蝕刻天線的剖視 圖2為本發(fā)明涉及的一種超高頻RFID蝕刻天線一種具體實(shí)施例的俯視圖。圖中
蝕刻天線100承載基材I
膠層2蝕刻層3。
具體實(shí)施方式
為了進(jìn)一步解釋本發(fā)明的技術(shù)方案，下面通過具體實(shí)施例來對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)闡述。如圖I所示，本發(fā)明涉及的一種超高頻RFID蝕刻天線100，包括承載基材I、膠層2以及蝕刻層3，該膠層2位于承載基材I與蝕刻層3之間，從而起到將兩者粘結(jié)在一起的功效。該蝕 刻層3為鋁箔或銅箔經(jīng)蝕刻工藝而成型，并且該蝕刻層3上線路的蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或線路端點(diǎn)最小間距彡O. 12mm。優(yōu)選地，該承載基材I可以選自PI膜或PET膜；該膠層2則可以選自聚胺酯改性環(huán)氧樹脂膠、聚醚改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸改性環(huán)氧樹酯膠、二聚酸環(huán)氧樹酯膠中的一種或多種。如圖2所示，其為該蝕刻天線中蝕刻層一種實(shí)施例的不意圖。為了讓本發(fā)明涉及的高性能超高頻RFID蝕刻天線100能被充分公開，本發(fā)明還提供一種超高頻RFID蝕刻天線100的制造工藝，下面先對(duì)其第一較佳實(shí)施方案進(jìn)行詳細(xì)闡述
實(shí)施例一
該制造工藝，包括如下步驟
①、選擇厚度為9 38um的鋁箔，并在其上涂布膠層后與厚度為12 200um的承載基材進(jìn)行復(fù)合，而形成復(fù)合基材；
②、在復(fù)合基材的鋁箔上面形成感光型復(fù)合材料；在本實(shí)施例中，該感光型復(fù)合材料采用感光型干膜材料，當(dāng)然其還可以被感光型濕膜材料或者感光型絕緣油墨材料所替代；
③、將需要蝕刻的天線圖形制成菲林底片，采用曝光方法，將導(dǎo)線部線路轉(zhuǎn)移至感光型復(fù)合材料上面；
④、將曝光好并貼有感光型復(fù)合材料的復(fù)合基材進(jìn)行顯影、蝕刻和剝膜,如此形成蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或端點(diǎn)最小間距彡O. 12mm蝕刻天線。優(yōu)選的，該蝕刻步驟中蝕刻液為30% 35%的鹽酸和雙氧水的水混合液,其中鹽酸和雙氧水的體積比為3 :1，從而為較佳的蝕刻精度提供保障。需要說明的是，在本實(shí)施例中，該承載基材可以選自PI膜或PET膜；該膠層則可以選用聚胺酯改性環(huán)氧樹脂膠、聚醚改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸改性環(huán)氧樹酯膠、二聚酸環(huán)氧樹酯膠的一種或多種，從而確保具有足夠的粘結(jié)強(qiáng)度。實(shí)施例二
在本實(shí)施例中，其與第一實(shí)施例的步驟基本相同，其不同之處在于將鋁箔用銅箔來替代。實(shí)施例三
在本實(shí)施例中，其可以采用第一實(shí)施例和第二實(shí)施例的全部方案，但是其為了達(dá)到提高生產(chǎn)效率的目的，其對(duì)前述步驟②和前述步驟③均進(jìn)行了改進(jìn)，具體的，該步驟②中感光型復(fù)合材料與鋁箔或銅箔之間的形成采用卷對(duì)卷貼合，該步驟③中曝光則是采用卷對(duì)卷曝光機(jī)進(jìn)行曝光。由上可知，本發(fā)明涉及的一種超高頻RFID蝕刻天線及其制造工藝，由于其在制造成型過程中采用了承載基材、膠層以及鋁箔或銅箔，從而確保了蝕刻工藝的實(shí)施條件；同時(shí)由于采用了形成感光型復(fù)合材料以及曝光的方式而實(shí)現(xiàn)線路轉(zhuǎn)移，接著再通過蝕刻的工藝，如此使得形成在承載基材和膠層上的蝕刻層上線路的蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或線路端點(diǎn)最小間距< O. 12mm。由此本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其線路精度大大提聞，進(jìn)而提聞了整個(gè)蝕刻天線的性能。 上述實(shí)施例和圖式并非限定本發(fā)明的產(chǎn)品形態(tài)和式樣，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員對(duì)其所做的適當(dāng)變化或修飾，皆應(yīng)視為不脫離本發(fā)明的專利范疇。
權(quán)利要求
1.一種超高頻RFID蝕刻天線，其特征在于，包括承載基材、膠層以及蝕刻層，該膠層位于承載基材與蝕刻層之間，該蝕刻層為鋁箔或銅箔經(jīng)蝕刻工藝而成型，該蝕刻層上線路的蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或線路端點(diǎn)最小間距彡O. 12mm。
2.如權(quán)利要求I所述的一種超高頻RFID蝕刻天線，其特征在于，該承載基材選自PI膜或PET膜。
3.如權(quán)利要求I所述的一種超高頻RFID蝕刻天線，其特征在于，該膠層選自聚胺酯改性環(huán)氧樹脂膠、聚醚改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸改性環(huán)氧樹酯膠、二聚酸環(huán)氧樹酯膠的一種或多種。
4.一種超高頻RFID蝕刻天線的制造工藝，其特征在于，包括如下步驟①、選擇鋁箔或銅箔，并在其上涂布膠層后與承載基材進(jìn)行復(fù)合，而形成復(fù)合基材；②、在復(fù)合基材的鋁箔或銅箔上面形成感光型復(fù)合材料；③、將需要蝕刻的天線圖形制成菲林底片，采用曝光方法，將導(dǎo)線部線路轉(zhuǎn)移至感光型復(fù)合材料上面；④、將曝光好并貼有感光型復(fù)合材料的復(fù)合基材進(jìn)行顯影、蝕刻和剝膜,如此形成蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或端點(diǎn)最小間距< O. 12mm蝕刻天線。
5.如權(quán)利要求4所述的一種超高頻RFID蝕刻天線的制造工藝，其特征在于，該鋁箔或銅箔的厚度選擇9 38um，該承載基材的厚度則選擇為12 200um。
6.如權(quán)利要求4所述的一種超高頻RFID蝕刻天線的制造工藝,其特征在于,該感光型復(fù)合材料為感光型干膜材料、感光型濕膜材料或者感光型絕緣油墨材料。
7.如權(quán)利要求4所述的一種超高頻RFID蝕刻天線的制造工藝，其特征在于，該承載基材選自PI膜或PET膜。
8.如權(quán)利要求4所述的一種超高頻RFID蝕刻天線的制造工藝，其特征在于，該膠層選用聚胺酯改性環(huán)氧樹脂膠、聚醚改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸改性環(huán)氧樹酯膠、二聚酸環(huán)氧樹酯膠的一種或多種。
9.如權(quán)利要求4所述的一種超高頻RFID蝕刻天線的制造工藝，其特征在于，該步驟② 中感光型復(fù)合材料與鋁箔或銅箔之間的形成采用卷對(duì)卷貼合，該步驟③中曝光則是采用卷對(duì)卷曝光機(jī)進(jìn)行曝光。
10.如權(quán)利要求4所述的一種超高頻RFID蝕刻天線的制造工藝，其特征在于，該步驟④ 的蝕刻步驟中蝕刻液為30% 35%的鹽酸和雙氧水的水混合液，其中鹽酸和雙氧水的體積比為3:1。
全文摘要
本發(fā)明公開一種超高頻RFID蝕刻天線及其制造工藝，屬于物聯(lián)網(wǎng)RFID領(lǐng)域，蝕刻天線包括承載基材、膠層及蝕刻層，膠層位于承載基材與蝕刻層之間，該蝕刻層為鋁箔或銅箔經(jīng)蝕刻工藝而成型。制造工藝包括如下步驟①選擇鋁箔或銅箔，并在其上涂布膠層后與承載基材進(jìn)行復(fù)合，而形成復(fù)合基材；②在復(fù)合基材的鋁箔或銅箔上面形成感光型復(fù)合材料；③將需要蝕刻的天線圖形制成菲林底片，采用曝光方法，將導(dǎo)線部線路轉(zhuǎn)移至感光型復(fù)合材料上面；④將曝光好并貼有感光型復(fù)合材料的復(fù)合基材進(jìn)行顯影、蝕刻和剝膜，如此形成蝕刻精度公差在±0.02mm和/或端點(diǎn)最小間距≤0.12mm蝕刻天線。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其線路精度大大提高，進(jìn)而提高了整個(gè)蝕刻天線的性能。
文檔編號(hào)H01Q1/38GK102938499SQ20121000796
公開日2013年2月20日 申請(qǐng)日期2012年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月12日
發(fā)明者李金華 申請(qǐng)人:廈門英諾爾電子科技股份有限公司