專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
通常，作為一種半導(dǎo)體光源的發(fā)光二極管(LED)是這樣一種半導(dǎo)體裝置，即，當(dāng)對 LED施加電流時，LED能夠由于電子和電子空穴在P型半導(dǎo)體和η型半導(dǎo)體之間的結(jié)節(jié)處的復(fù)合產(chǎn)生各種顏色的光。由于與燈絲類光源相比，發(fā)光二極管具有諸如長壽命、低功耗、優(yōu)良的初始驅(qū)動特性和高抗震性等各種優(yōu)點，所以對這類發(fā)光二極管的需求已經(jīng)持續(xù)增加。 具體地講，近來能夠發(fā)射具有短波長的藍(lán)光的第III族氮化物半導(dǎo)體受到關(guān)注。然而，具體地講，這種發(fā)光二極管的局限性在于它的發(fā)光效率由于電流在發(fā)光層的某一區(qū)域中的聚集而劣化。因此，需要一種將半導(dǎo)體發(fā)光裝置設(shè)計成具有高的透光率和導(dǎo)電率的同時具有優(yōu)良的電流分布效應(yīng)的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面提供了一種具有高的透光率和導(dǎo)電率的同時具有良好的電流分布效應(yīng)的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括導(dǎo)電基底；Ρ型半導(dǎo)體層，設(shè)置在導(dǎo)電基底上；活性層，設(shè)置在P型半導(dǎo)體層上；η型半導(dǎo)體層， 設(shè)置在活性層上；η側(cè)電極，設(shè)置在η型半導(dǎo)體層上并包括摻雜有η型雜質(zhì)的碳納米管層。η側(cè)電極還可包括與摻雜有η型雜質(zhì)的碳納米管層電連接的歐姆金屬層。歐姆金屬層可形成在碳納米管層的上表面的中心區(qū)域中。歐姆金屬層可形成在η型半導(dǎo)體層的上表面的部分區(qū)域中，并且碳納米管層可形成在η型半導(dǎo)體層的上表面的除了形成有歐姆金屬層的部分區(qū)域之外的區(qū)域上。碳納米管層的η型雜質(zhì)包括氧氣(O2)和堿金屬中的至少一種。所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置還可包括設(shè)置在η型半導(dǎo)體層和η側(cè)電極之間的透光導(dǎo)電層。所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置還可包括設(shè)置在碳納米管層上的鈍化層。鈍化層可形成為完全覆蓋碳納米管層的上表面。η側(cè)電極還可包括設(shè)置在碳納米管層上的熒光層。碳納米管層可形成為完全覆蓋η型半導(dǎo)體層的上表面。通過沉積在碳納米管層上的氧化物層，碳納米管層摻雜有η型雜質(zhì)。氧化物層可包括氮(N)、磷(P)、砷(As)、銻(Sb)和鉍(Bi)中的至少一種。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括η型半導(dǎo)體層；活性層和P型半導(dǎo)體層，順序形成在η型半導(dǎo)體層上；η側(cè)電極，形成在通過去除P型半導(dǎo)體層和活性層的部分而暴露的P型半導(dǎo)體層上；Ρ側(cè)電極，形成在P型半導(dǎo)體層上，其中，η側(cè)電極還包括摻雜有η型雜質(zhì)的碳納米管層。η側(cè)電極還可包括與摻雜有η型雜質(zhì)的碳納米管層電連接的歐姆金屬層。歐姆金屬層可形成在摻雜有η型雜質(zhì)的碳納米管層的上表面的中心區(qū)域中。歐姆金屬層可形成在η型半導(dǎo)體層的上表面的至少一部分區(qū)域中，并且碳納米管層形成在η型半導(dǎo)體層的上表面的除了形成有歐姆金屬層的所述至少一部分區(qū)域之外的至少一部分區(qū)域中。所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置還可包括設(shè)置在η型半導(dǎo)體層和η側(cè)電極之間的透光導(dǎo)電層。η側(cè)電極還可包括設(shè)置在碳納米管層上的熒光層。P側(cè)電極可包括摻雜有P型雜質(zhì)的碳納米管。P側(cè)電極還可包括與摻雜有P型雜質(zhì)的碳納米管層電連接的歐姆金屬層。歐姆金屬層可形成在摻雜有P型雜質(zhì)的碳納米管層的上表面的中心區(qū)域中。歐姆金屬層可形成在P型半導(dǎo)體層的上表面的至少一部分區(qū)域中，并且碳納米管層可形成在P型半導(dǎo)體層的上表面的除了形成有歐姆金屬層的所述至少一部分區(qū)域之外的至少一部分區(qū)域中。所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置還可包括設(shè)置在P型半導(dǎo)體層和P側(cè)電極之間的透光導(dǎo)電層。P側(cè)電極還可包括設(shè)置在碳納米管層上的熒光層。所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置還可包括設(shè)置在碳納米管層上的鈍化層。


從下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述中，本發(fā)明的以上和其它方面、特征和其它優(yōu)點將被更清楚地理解，在附圖中圖IA是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖；圖IB是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的平面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實施例。然而，本發(fā)明可以以很多不同的形式實施，并不應(yīng)該被解釋為局限于在此提出的實施例。相反，提供這些實施例使得本公開將是徹底的和完整的，并將把本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在附圖中， 為了清晰起見，夸大了組件的形狀和尺寸。盡管本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠通過添加、修改或刪除元件將包含本發(fā)明的教導(dǎo)的實施例容易地設(shè)計成很多各種其它的實施例，但是這些實施例會落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。在整個說明書中，用相同的標(biāo)號表示相同或等價的元件。圖IA和圖IB分別示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。這里，圖 IA是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖，圖IB是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的平面圖。參照圖IA和圖1B，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置可被構(gòu)造為包括通過在基底11上順序堆疊P型半導(dǎo)體層12、活性層13和η型半導(dǎo)體層14而形成的發(fā)光結(jié)構(gòu)、形成在η型半導(dǎo)體層14上的碳納米管層15以及設(shè)置在碳納米管層15上的歐姆金屬層 16,其中,碳納米管層15摻雜有η型雜質(zhì)。在這種情況下，作為在基底上堆疊發(fā)光結(jié)構(gòu)的工藝，可以使用本領(lǐng)域公知的工藝。 例如，可在用于使氮化物單晶(未示出)生長的基底(例如，藍(lán)寶石基底)上順序生長η型半導(dǎo)體層14、活性層13和P型半導(dǎo)體層12，然后可在P型半導(dǎo)體層12上形成與支撐基底對應(yīng)的具有導(dǎo)電性的基底11(在下文中，稱作“導(dǎo)電基底”)，并可去除藍(lán)寶石基底。通過這樣做，從活性層13產(chǎn)生的光可大致沿η型半導(dǎo)體層14的方向發(fā)射。之后，可提供形成摻雜有η型雜質(zhì)的碳納米管層15的工藝。在下文中，將參照圖IA和圖IB來詳細(xì)解釋構(gòu)成半導(dǎo)體發(fā)光裝置的組件。在諸如去除使單晶生長的基底(在下文中，稱作“生長基底”)等的工藝過程中， 導(dǎo)電基底11可支撐具有相對薄的厚度的發(fā)光結(jié)構(gòu)。此外，根據(jù)本發(fā)明的實施例，導(dǎo)電基底 11可被設(shè)置為通過利用導(dǎo)電粘合層(未示出)與印刷電路板(PCB)等結(jié)合的結(jié)合部件，從而用作P側(cè)電極。此外，導(dǎo)電基底11可形成為通過利用鍍覆或晶圓結(jié)合方法與發(fā)光結(jié)構(gòu)結(jié)合，并且可具有良好的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性。高的導(dǎo)熱性可使得容易散發(fā)在操作過程中產(chǎn)生的熱，從而可提高裝置的可靠性并延長裝置的壽命。導(dǎo)電基底11可具有將電信號傳輸給P型半導(dǎo)體層12的作用，也可以在去除生長基底的工藝(諸如激光剝離工藝等)中作為支撐發(fā)光結(jié)構(gòu)的支撐件。為此，導(dǎo)電基底11可由包括金(Au)、鎳(Ni)、鋁(Al)、銅(Cu)、鎢(W)、娃(Si)、硒(Se)和砷化鎵(GaAs)中的任意一種的材料制成，例如，可為摻雜有Al的Si基底。在本發(fā)明的示例性實施例中，可利用導(dǎo)電粘合層(未示出)將導(dǎo)電基底11與發(fā)光結(jié)構(gòu)結(jié)合，并且導(dǎo)電基底11可被鍍覆。η型氮化物半導(dǎo)體層14和ρ型氮化物半導(dǎo)體層12可由具有組成式AlxInyGa(1_x_y) N(這里,0 ^ χ ^ 1,0 ^ y ^ 1,0^ x+y ( I)的摻雜有η型雜質(zhì)和ρ型雜質(zhì)的半導(dǎo)體材料制成。例如，作為半導(dǎo)體材料，可使用氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)或氮化銦鎵(InGaN)。 作為η型雜質(zhì)，可使用硅(Si)、鍺(Ge)、硒(Se)、碲(Te)或碳(C)，作為ρ型雜質(zhì)，可使用鎂 (Mg)、鋅(Zn)或鈹(Be)?；钚詫?3可被構(gòu)造為具有單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu)的未摻雜的氮化物半導(dǎo)體層，并且可通過電子和空穴的復(fù)合發(fā)射具有預(yù)定能級的光。在這種情況下，可利用諸如金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、分子束外延(MBE)或氫化物氣相外延(HVPE)等各種方法來生長η型氮化物半導(dǎo)體層14、Ρ型氮化物半導(dǎo)體層12 和活性層13。η側(cè)電極15和16可包括摻雜有η型雜質(zhì)的碳納米管層15和設(shè)置在碳納米管層 15上的η側(cè)歐姆金屬層16。這里，碳納米管具有管形，在該管形中，一個碳原子與另一碳原子結(jié)合從而具有六
6邊形蜂窩圖案。管的直徑可達(dá)幾至幾十納米。另外，由于碳納米管具有高導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性并且可具有比鉆石的剛度高的剛度，所以除了用作傳統(tǒng)材料之外，碳納米管可廣泛地用作高科技電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域中的材料。同時，碳納米管可具有這樣的結(jié)構(gòu)，即，在該結(jié)構(gòu)中形成由單管制成的單壁碳納米管(SWNT)、具有相互疊置的兩個管的雙壁碳納米管(DWNT)或多壁碳納米管(MWNT)。另外， 作為碳納米管，可使用金屬碳納米管、聚合物碳納米管和液態(tài)碳納米管中的任意一種?？赏ㄟ^利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)來合成這種碳納米管。通過PECVD工藝，可在相對低的溫度下合成碳納米管，并且可選擇性地生長碳納米管。因此，PECVD可適用于直接在支撐件上生長碳納米管的情況。作為PECVD的具體方法，通過濺射法在室內(nèi)沉積諸如鐵(Fe)、鎳(Ni)或鈷(Co)等的金屬，從而形成催化劑金屬層(未示出)。然后，通過利用氨水、氫氣等蝕刻催化劑金屬層，從而作為具有納米級精細(xì)圖案的催化劑金屬層。在這種情況下，可通過控制蝕刻時間來控制催化劑金屬層的粒度和密度。之后，為了合成碳納米管， 通過在供應(yīng)反應(yīng)氣體的狀態(tài)下應(yīng)用高頻電源，碳納米管可垂直對齊地生長在具有精細(xì)圖案的催化劑金屬層上，其中，反應(yīng)氣體由乙炔(C2H2)、甲燒(CH4)、乙烯(C2H4)、丙烯(C3H6)、丙烷 (C3H8)和一氧化碳(CO)中的至少一種制成。在這種情況下，可通過控制蝕刻時間來控制由碳納米管形成的圖案的尺寸。此外，可通過利用除了 PECVD之外的各種方法(例如，利用膏的屏幕印刷法、噴射法等)來形成碳納米管層。噴射法的優(yōu)點可在于碳納米管可分散在諸如乙醇等的溶劑中， 從而制備分散溶液，并且分散溶液可被噴射在例如將在后續(xù)工藝中進(jìn)行熱處理(例如，在大約80°C進(jìn)行熱處理)的硅基底上，從而形成碳納米管層。如上所述形成的碳納米管層會自然具有P型半導(dǎo)體特性，而可以用氧(O2)或堿金屬(例如，鉀)摻雜碳納米管層，從而獲得η型碳納米管15。此外，可通過在具有P型半導(dǎo)體特性的碳納米管上沉積氧化層來獲得η型碳納米管15?？赏ㄟ^原子層沉積(ALD)工藝在300°C沉積鉍鈦硅氧化物(BTSO)來形成氧化層。在這種情況下，可使用水蒸汽作為氧源。按照這種方式，當(dāng)沉積BTSO時，用η型雜質(zhì)摻雜碳納米管32，而鉍層的電子粘附到碳納米管層的表面，。在這種情況下，可以簡化并有助于η型摻雜工藝。同時，如上所述，氧化物層可形成為氧化層；然而，本發(fā)明不限于此。氧化物層可由包括氮(N)、磷(P)、砷(As)、銻(Sb)和鉍(Bi)中的至少一種原子層的層形成。在這種情況下，碳納米管15可形成為全部覆蓋η型半導(dǎo)體層14的上表面，歐姆金屬層16可形成在碳納米管層15的中心部分中。通過按照這種方式沉積歐姆金屬層16，如圖IA所示，橫跨發(fā)光結(jié)構(gòu)的電流流C可相對于整個半導(dǎo)體發(fā)光裝置具有對稱性，這就是為什么會更有效地執(zhí)行電流分布的原因。盡管未示出，高反射歐姆接觸層可形成為導(dǎo)電基底11上的P側(cè)電極。高反射歐姆接觸層可與P型半導(dǎo)體層12形成歐姆接觸，并可形成為具有70%以上的反射率。另外，高反射歐姆接觸層可包括由從由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和它們的混合物組成的組中選擇的材料制成的至少一層。高反射歐姆接觸層可由Ni/Ag、Zn/Ag、Ni/Al、Ni/ Au、Zn/Al、Pd/Ag、Pd/Al、Ir/Ag、Ir/Au、Pt/Ag、Pt/Al 或 Ni/Ag/Pt 制成。然而，高反射歐姆接觸層不是本發(fā)明示例性實施例中的必需的元件，可以根據(jù)本發(fā)明示例性實施例選擇性地采用高反射歐姆接觸層并對其進(jìn)行各種變型。圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖。參照圖2，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置與圖I中的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的不同之處在于歐姆金屬層26直接形成在η型半導(dǎo)體層24上，而不是形成在碳納米管層25上。即，歐姆金屬層26形成在η型半導(dǎo)體層24的上表面的部分區(qū)域上，碳納米管層 25可形成在η型半導(dǎo)體層24的除了形成有歐姆金屬層26的部分區(qū)域的上表面上。按照這種方式，η側(cè)電極的形狀不是必需限于如圖IA和圖IB所示的形狀，并且可通過對歐姆金屬層26和碳納米管層25的形狀進(jìn)行各種改變來改變η側(cè)電極的形狀，以適用于本發(fā)明的各個示例性實施例。圖3是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖。參照圖3，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例，半導(dǎo)體發(fā)光裝置可以按下面的方式進(jìn)行設(shè)置，即，去除一部分發(fā)光結(jié)構(gòu)，使得η型半導(dǎo)體層34暴露于外部，η側(cè)歐姆金屬層36形成在暴露的η型半導(dǎo)體34上,最后使η側(cè)電極和ρ側(cè)電極指向同一方向。按照這種方式，η側(cè)電極和ρ側(cè)電極的形狀不是必需限于如圖IA和圖IB所示的形狀，并且η側(cè)電極和ρ側(cè)電極的形狀還可應(yīng)用于電流流沿水平方向而不是垂直方向的發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)。盡管未示出，但是η側(cè)電極和ρ側(cè)電極中的至少一個可設(shè)置為包括與摻雜有η型或P型雜質(zhì)的碳納米管層電連接的歐姆金屬層。在這種情況下，歐姆金屬層可形成在碳納米管層的上表面的中心區(qū)域中，或者可形成在η型和P型半導(dǎo)體層的上表面的部分區(qū)域中。 碳納米管層可形成在η型和ρ型半導(dǎo)體層的除了形成有歐姆金屬層的部分區(qū)域之外的上表面上。另外，透光導(dǎo)電層可設(shè)置在η型半導(dǎo)體層和η側(cè)電極之間及P型半導(dǎo)體層和P側(cè)電極之間，或者鈍化層可設(shè)置在碳納米管層上，熒光層可設(shè)置在碳納米管層上。在這種情況下，如上所述，由于碳納米管可自然具有P型特性，所以半導(dǎo)體發(fā)光裝置可使用P型碳納米管層形成。圖4是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖。參照圖4，透光導(dǎo)電層47可形成在η型半導(dǎo)體層44和碳納米管層45之間。在這種情況下，透光導(dǎo)電層47可由具有高透光率的氧化物形成，優(yōu)選地，由氧化銦錫(ITO)形成；然而，透光導(dǎo)電層47不是必需局限于此。圖5是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖，圖6是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖視圖。參照圖5和圖6，鈍化層57和熒光層67中的至少一個可設(shè)置在碳納米管層55、65 和η型歐姆金屬層56、66之間。具有保護(hù)發(fā)光結(jié)構(gòu)的功能的鈍化層57可通過化學(xué)表面處理而形成在碳納米管層 55上，并且鈍化層57可形成在碳納米管層55的整個上表面上。另外，例如，通過使用其中含有硒的水溶液，鈍化層57可形成在碳納米管層55上作為硒化合物層。鈍化層57可由諸如二氧化硅(SiO2)、SiOxNy的硅氧化物或者諸如SixNy等的硅氮化物制成，并且可以具有大約O. 1-2 μ m的厚度。此外，熒光層67可包括將分散在樹脂中的紅色熒光物質(zhì)、綠色熒光物質(zhì)和黃色熒光物質(zhì)中的至少一種，從而轉(zhuǎn)變從活性層63產(chǎn)生的光的色度，優(yōu)選地允許發(fā)射白光。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，可通過將電極形成為碳納米管層來獲得具有高的透射率和導(dǎo)電率的同時具有優(yōu)良的電流分布效應(yīng)的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。盡管已經(jīng)結(jié)合示例性實施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將清楚的是，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以做出變型和改變。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括導(dǎo)電基底；P型半導(dǎo)體層，設(shè)置在導(dǎo)電基底上；活性層，設(shè)置在P型半導(dǎo)體層上； η型半導(dǎo)體層，設(shè)置在活性層上；η側(cè)電極，設(shè)置在η型半導(dǎo)體層上并包括摻雜有η型雜質(zhì)的碳納米管層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，η側(cè)電極還包括與摻雜有η型雜質(zhì)的碳納米管層電連接的歐姆金屬層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，歐姆金屬層形成在碳納米管層的上表面的中心區(qū)域中。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，歐姆金屬層形成在η型半導(dǎo)體層的上表面的部分區(qū)域中，并且碳納米管層形成在η型半導(dǎo)體層的上表面的除了形成有歐姆金屬層的部分區(qū)域之外的區(qū)域上。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，碳納米管層的η型雜質(zhì)包括氧氣和堿金屬中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括設(shè)置在η型半導(dǎo)體層和η側(cè)電極之間的透光導(dǎo)電層。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括設(shè)置在碳納米管層上的鈍化層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，鈍化層形成為完全覆蓋碳納米管層的上表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，η側(cè)電極還包括設(shè)置在碳納米管層上的突光層。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，碳納米管層形成為完全覆蓋η型半導(dǎo)體層的上表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，通過沉積在碳納米管層上的氧化物層，碳納米管層摻雜有η型雜質(zhì)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，氧化物層包括N、P、As、Sb和Bi中的至少一種。
13.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括 η型半導(dǎo)體層；活性層和P型半導(dǎo)體層，順序形成在η型半導(dǎo)體層上；η側(cè)電極，形成在通過去除P型半導(dǎo)體層和活性層的部分而暴露的η型半導(dǎo)體層上；P側(cè)電極，形成在P型半導(dǎo)體層上，其中，η側(cè)電極還包括摻雜有η型雜質(zhì)的碳納米管層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，η側(cè)電極還包括與摻雜有η型雜質(zhì)的碳納米管層電連接的歐姆金屬層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，歐姆金屬層形成在摻雜有η型雜質(zhì)的碳納米管層的上表面的中心區(qū)域中。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，歐姆金屬層形成在η型半導(dǎo)體層的上表面的至少一部分區(qū)域中，并且碳納米管層形成在η型半導(dǎo)體層的上表面的除了形成有歐姆金屬層的所述至少一部分區(qū)域之外的至少一部分區(qū)域中。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括設(shè)置在η型半導(dǎo)體層和η側(cè)電極之間的透光導(dǎo)電層。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述η側(cè)電極還包括設(shè)置在碳納米管層上的突光層。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，P側(cè)電極包括摻雜有P型雜質(zhì)的碳納米管。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，P側(cè)電極還包括與摻雜有P型雜質(zhì)的碳納米管層電連接的歐姆金屬層。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，歐姆金屬層形成在摻雜有P型雜質(zhì)的碳納米管層的上表面的中心區(qū)域中。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，歐姆金屬層形成在P型半導(dǎo)體層的上表面的至少一部分區(qū)域中，并且碳納米管層形成在P型半導(dǎo)體層的上表面的除了形成有歐姆金屬層的所述至少一部分區(qū)域之外的至少一部分區(qū)域中。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括設(shè)置在P型半導(dǎo)體層和P側(cè)電極之間的透光導(dǎo)電層。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，P側(cè)電極還包括設(shè)置在碳納米管層上的突光層。
25.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括設(shè)置在碳納米管層上的鈍化層。
全文摘要
在此公開了一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置。所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括導(dǎo)電基底；p型半導(dǎo)體層，設(shè)置在導(dǎo)電基底上；活性層，設(shè)置在p型半導(dǎo)體層上；n型半導(dǎo)體層，設(shè)置在活性層上；n側(cè)電極，設(shè)置在n型半導(dǎo)體層上并包括摻雜有n型雜質(zhì)的碳納米管層。
文檔編號H01L33/42GK102593296SQ20121000835
公開日2012年7月18日 申請日期2012年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月12日
發(fā)明者崔丞佑, 張?zhí)┦? 金臺勛 申請人:三星Led株式會社