專利名稱：超薄型片式陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明為一種片式陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻，尤其是一種節(jié)省裝配空間，提高產(chǎn)量且不影響電性能的超薄型片式陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻及其制造方法。
背景技術(shù)：
如今電子行業(yè)發(fā)展迅速，電子產(chǎn)品五花八門層出不窮，對(duì)產(chǎn)品的要求也越來(lái)越高， 小型化是電子產(chǎn)品發(fā)展的一個(gè)趨勢(shì)，因此陶瓷PTC也需要順應(yīng)潮流朝著小型化，薄型化的方向發(fā)展。但陶瓷PTC由于其本身生產(chǎn)工藝，傳統(tǒng)的壓片成型的工藝在模具和設(shè)備的精度方面很難做到小型化，薄型化，目前尚無(wú)超薄陶瓷PTC電阻面市。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供一種超薄型片式陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻，以滿足目前產(chǎn)品小型化的需求。本發(fā)明再一目的在于提供所述超薄型片式陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻的制造方法。本發(fā)明目的通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種超薄型陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻，以傳統(tǒng)鈦酸鋇陶瓷PTC薄膜為中間基體，兩端或者兩面涂覆電極，電阻率和居里溫度里與傳統(tǒng) PTC熱敏電阻相同，其中尺寸以mm計(jì)，為(3. 10 3. 13) * (1. 58 1. 61)*0· 50 士 0. 01。 滿足了片式陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻小型化，薄型化的市場(chǎng)需求。本發(fā)明還提供所述超薄型陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻的制備方法，傳統(tǒng)鈦酸鋇陶瓷 PTC薄膜為中間基體進(jìn)行配料、制成PTC粉料，其中將所述PTC粉料制成有成膜性的漿料， 將漿料流延成膜、燒結(jié)制成芯材，芯材二面涂覆電極，其中，該漿料由PTC粉料40 50%、溶劑30 40%、粘合劑13 23%、余量為其他助劑組成。在上述方案基礎(chǔ)上，所述的常規(guī)？1^粉料為徹、1^11、51~、1^或01金屬氧化物中的一種或多種的混合物。在上述方案基礎(chǔ)上，所述的有機(jī)溶劑材料為乙醇、正丁醇、異丁醇、松油醇、醋酸乙酯、醋酸丙酯、丙酮、醋酸中的一種或多種的混合物。在上述方案基礎(chǔ)上，所述的有成膜性的漿料是按配方稱取各組分球磨混合制漿， 球料比控制在2:1，以180轉(zhuǎn)/分鐘的速率球磨M個(gè)小時(shí)后出料。具體超薄型陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻的制備方法依序按下述步驟
第一，將所述的有成膜性的漿料在流延設(shè)備上流延至不大于Imm的生膜、烘干，將膜切割成不小于單個(gè)PCT芯片長(zhǎng)寬尺寸的單片薄膜； 第二，單片薄膜經(jīng)排膠、燒結(jié)制成芯片；
第三，在芯片表面涂覆銀漿并燒結(jié)得超薄型陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻?；蛘撸唧w超薄型陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻的制備方法也可依序按下述步驟 第一，將所述的有成膜性的漿料在平板上多次涂覆后成不大于Imm厚度的生膜并烘
3干，將膜切割成不小于單個(gè)PCT芯片長(zhǎng)寬尺寸的單片薄膜； 第二，單片薄膜經(jīng)排膠、燒結(jié)制成芯片；
第三，在芯片表面涂覆銀漿并燒結(jié)得超薄型片式陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻。為保證尺寸穩(wěn)定并符合設(shè)計(jì)的小型化、超簿化需要，所述生膜厚度0.58 0. 62mm0本發(fā)明的有益效果是提供了一種超薄型片式陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻，以滿足市場(chǎng)需求，另外，本發(fā)明提供了新的片式陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻生產(chǎn)工藝，采用該工藝采用流延成膜或涂覆成膜工藝，可有效控制膜片的厚度，成型后膜片厚度很薄，燒結(jié)后芯片尺寸能做到0603型產(chǎn)品甚至更小，適用于更小的裝配空間。


圖1為本發(fā)明生膜片的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明的超薄型陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻的側(cè)剖結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本發(fā)明的另一種形式超薄陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻的側(cè)剖結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中標(biāo)號(hào)說(shuō)明
100 - PTC生膜片；101 —標(biāo)記點(diǎn)；
102,102' 一片式PTC; 103—表面電極； 104—?dú)W姆電極。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合具體實(shí)施方式
和附圖，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)解決方案做進(jìn)一步說(shuō)明。實(shí)施例1
以某款用于成熟產(chǎn)品的PTC粉料為原料，加入分析純有機(jī)溶劑M8C添加劑，按PTC粉料40 %，溶劑40%,粘合劑18%，分散劑0. 5%，增塑劑1. 45%，消泡劑0. 05%的比例，共稱取 IOOg放入球磨罐中，球料比控制在2:1，以180轉(zhuǎn)/分鐘的速率球磨M個(gè)小時(shí)后出料。將流延料用流延設(shè)備涂覆在平板上，單層膜面厚度測(cè)得20-30um，流延至 0. 58-0. 62mm并烘干后成PTC生膜片100，如圖1為本發(fā)明生膜片的俯視結(jié)構(gòu)示意圖所示， 在PTC生膜片100上注標(biāo)記點(diǎn)101，將PTC生膜片100切割成3. 76*1. 88mm的片式PTC102， 剝離后以510°C排膠8小時(shí)，然后在1350°C燒結(jié)，形成片式PTC102陶瓷，最后在片式PTC102 陶瓷表面涂覆銀漿并燒結(jié)得歐姆電極104和表面電極103，如2為本發(fā)明的超薄型陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻的側(cè)剖結(jié)構(gòu)示意圖所示。其尺寸收縮率和電性能與傳統(tǒng)工藝制備的 PTC對(duì)比如下
權(quán)利要求
1.一種超薄型陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻，以傳統(tǒng)鈦酸鋇陶瓷PTC薄膜為中間基體，兩端或者兩面涂覆電極，電阻率和居里溫度里與傳統(tǒng)PTC熱敏電阻相同，其特征在于尺寸以 mm 計(jì)，為(3.10 3. 13) * (1. 58 1. 61) *0· 50 士 0. 01。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄型陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻的制備方法，傳統(tǒng)鈦酸鋇陶瓷PTC薄膜為中間基體進(jìn)行配料、制成PTC粉料，其特征在于將所述PTC粉料制成有成膜性的漿料，將漿料流延成膜、燒結(jié)制成芯材，芯材二面涂覆電極，其中，該漿料由PTC粉料40 50%、溶劑30 40%、粘合劑13 23%、余量為其他助劑組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超薄型陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻的制備方法，其特征在于所述的常規(guī)PTC粉料為Ba、TLMrKSrJb或Ca金屬氧化物中的一種或多種的混合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超薄型陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻的制備方法，其特征在于 所述的有機(jī)溶劑材料為乙醇、正丁醇、異丁醇、松油醇、醋酸乙酯、醋酸丙酯、丙酮、醋酸中的一種或多種的混合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4之一所述的超薄型陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻的制備方法，其特征在于所述的有成膜性的漿料是按配方稱取各組分球磨混合制漿，球料比控制在2:1，以 180轉(zhuǎn)/分鐘的速率球磨M個(gè)小時(shí)后出料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的超薄型陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻的制備方法，其特征在于， 依序按下述步驟將所述的有成膜性的漿料在流延設(shè)備上流延至不大于Imm的生膜并烘干，將膜切割成不小于單個(gè)PCT芯片長(zhǎng)寬尺寸的單片薄膜；單片薄膜經(jīng)排膠、燒結(jié)制成芯片；在芯片表面涂覆銀漿并燒結(jié)得超薄型陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的超薄型陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻的制備方法，其特征在于， 依序按下述步驟將所述的有成膜性的漿料在平板上多次涂覆后成不大于Imm厚度的生膜并烘干，將膜切割成不小于單個(gè)PCT芯片長(zhǎng)寬尺寸的單片薄膜；單片薄膜經(jīng)排膠、燒結(jié)制成芯片；在芯片表面涂覆銀漿并燒結(jié)得超薄型陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的超薄型陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻的制備方法，其特征在于，所述生膜厚度0. 58 0. 62mm。
全文摘要
本發(fā)明為一種片式陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻，尤其是一種節(jié)省裝配空間，提高產(chǎn)量且不影響電性能的超薄型片式陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻及其制造方法。一種超薄型陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻，以傳統(tǒng)鈦酸鋇陶瓷PTC薄膜為中間基體，兩端或者兩面涂覆電極，電阻率和居里溫度里與傳統(tǒng)PTC熱敏電阻相同，其尺寸以mm計(jì)，為(3.10～3.13)×(1.58～1.61)×0.50±0.01。本發(fā)明還提供了所述的超薄型片式陶瓷正溫度系數(shù)熱敏電阻的制造方法，采用流延成膜或涂覆成膜工藝，可有效控制膜片的厚度，成型后膜片厚度很薄，燒結(jié)后芯片尺寸能做到0603型產(chǎn)品甚至更小，適用于更小的裝配空間。
文檔編號(hào)H01C7/02GK102426889SQ20121000846
公開日2012年4月25日 申請(qǐng)日期2012年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月12日
發(fā)明者張子川, 楊彬, 錢朝勇 申請(qǐng)人:上海長(zhǎng)園維安電子線路保護(hù)有限公司