專利名稱：用于發(fā)光器件的粘合劑膜和使用該膜制造led封裝件的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于發(fā)光器件的粘合劑膜和使用該膜制造發(fā)光二極管(LED)封裝件的方法，具體而言，涉及用于發(fā)光器件的粘合劑膜，該膜用于在與電極的連結過程期間實質上減少從發(fā)光器件發(fā)射的光中的光損失，并且涉及使用這種膜制造LED封裝件的方法。
背景技術：
發(fā)光二極管(LED)( 一種半導體光源)是一種能夠發(fā)出具有各種顏色的光的半導體器件，這是通過當對P型半導體和η型半導體之間的結部分施加電流時電子與電子空穴在P型半導體和η型半導體之間的結部分中的再結合實現(xiàn)的。由于LED與使用燈絲的光源相比具有延長的壽命、低功耗、卓越的初始驅動特性、 高抗振性以及其他正面的特性，因此對于LED的需求不斷增加。具體而言，能夠發(fā)射短波長區(qū)域的藍色光的第III族氮化物半導體LED已被大量需要。在用于液晶顯示器(LCD)背光單元的發(fā)光模塊的情況下，已經(jīng)使用了根據(jù)相關技術的冷陰極熒光燈(CCFL)，但是由于CCFL使用汞氣體進行操作，所以這會導致環(huán)境污染。 此外，CCFL以低速響應時間進行操作、具有較低的顏色復現(xiàn)性并且不適合于供輕便的、薄的且緊湊的IXD面板使用。與根據(jù)相關技術的CCFL相比，LED是環(huán)境友好的并且能夠以幾個納秒的高速響應時間進行操作，從而對于視頻信號流是有效的，LED還能夠被脈沖地驅動。另外，LED具有100%的顏色復現(xiàn)性，并且不僅能夠對通過紅色、綠色和藍色LED 發(fā)射的光量進行調節(jié)以選擇性地改變亮度、色溫等，還可以適合于供輕便的、薄的且緊湊的 LCD面板使用。因此，當前的趨勢是積極地采用LED作為用于背光單元的發(fā)光模塊。根據(jù)相關技術，為了將LED作為上述發(fā)光器件粘接至諸如引線框架之類的電極的頂部，在引線框架上點上樹脂，然后按壓LED并將其粘接至引線框架。例如，在通過使用諸如階狀銷(stepping pin)之類的器件利用攪拌器粘合樹脂涂覆引線框架的頂部之后，將LED芯片粘接至引線框架。然而，上述根據(jù)相關技術的LED粘接方法依賴于粘合樹脂的性質經(jīng)常會引起拖尾效應或滴效應(dripping effect)等,并且在制造LED封裝件時在單個產品中點上的粘合樹脂的量不是恒定的。此外，在制造LED封裝件時，通常執(zhí)行晶片接合(die bonding)工藝并隨后完成熱固工藝。由于在熱固工藝期間，根據(jù)傳送至點在引線框架上的樹脂的熱分布水平，LED各個部分上的樹脂均勻性會變得不同，因此會產生LED的所點部分的體積改變以部分地降低 LED的亮度。為了使用LED封裝件作為藍色發(fā)光模塊等，可以制造實質上陣列形式的LED封裝件。此時，應當將多個LED芯片晶片接合至襯底，但該方法會使得工作效率被顯著地降低。

發(fā)明內容
本發(fā)明的一個方面提供一種用于發(fā)光器件的粘合劑膜和使用該膜制造LED封裝件的方法，其中所述發(fā)光器件被粘接至電極以保持樹脂均勻性，從而在保持相對最大亮度值的同時顯著地減少光損失。本發(fā)明的另一個方面提供一種制造LED封裝件的方法，其能夠通過縮短的工藝過程來改進工作效率，其中當制造陣列形式的LED封裝件時，在無需晶片接合工藝的情況下將多個LED芯片簡單地粘接至襯底的頂部。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種用于發(fā)光器件的粘合劑膜，所述粘合劑膜包括 雙面粘合劑層，使得所述發(fā)光器件被粘接至所述雙面粘合劑層的上部表面，并且使得電極被粘接至所述雙面粘合劑層的下部表面；紫外線(UV)固化層，其被粘接至所述雙面粘合劑層的一個表面；以及上部覆蓋層和下部覆蓋層，其分別被粘接至所述雙面粘合劑層和所述 UV固化層的暴露于外部的面。所述雙面粘合劑層可以由下列材料形成包含硅的熱固樹脂，或者基于橡膠的、基于丙稀酸酷的、基于娃的、基于環(huán)氧樹脂的和基于乙稀基的材料中的一種材料或它們的混合物，或者高透光性的基于礦物的材料。所述雙面粘合劑層還可以包括金屬、陶瓷和碳納米管中的一種。所述雙面粘合劑層還可以包括導電粒子。 所述雙面粘合劑層還可以包括高輻射填充物。所述雙面粘合劑層還可以被形成為包括多個單元粘合劑層，所述單元粘合劑層被切割為具有與所述發(fā)光器件的尺寸相對應的尺寸。所述雙面粘合劑層可以被提供有位置弓I導部件，所述位置弓I導部件形成在發(fā)光器件粘接表面的邊界部分上，以便將LED引導至所述雙面粘合劑層的上部表面上的發(fā)光器件粘接位置。在此，所述位置引導部件可以是下列中的一種在所述雙面粘合劑層的上部表面中形成的溝槽部件、在所述雙面粘合劑層的上部表面上形成的凸起部件、以及在所述雙面粘合劑層的上部表面上的標記。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種制造LED封裝件的方法，該方法包括通過順序地層疊下部覆蓋層、UV固化層、粘合劑層和上部覆蓋層來制備粘合劑膜；移除所述粘合劑膜的上部覆蓋層；將至少一個LED芯片粘接至所述粘合劑膜的粘合劑層的暴露的上部表面上；對被提供有所述LED芯片的所述粘合劑膜進行UV硬化，所述LED芯片被粘接至所述粘合劑膜；除去經(jīng)過UV固化的粘合劑膜的UV固化層和下部覆蓋層；布置具有暴露于芯片安裝區(qū)域的電極的封裝件體；以及將所述粘合劑膜的暴露的粘合劑層的下部表面粘接至暴露于所述芯片安裝區(qū)域的電極。在此，所述LED芯片可以按照倒裝芯片的方式被粘接至所述電極的頂部。
所述電極可以是一對引線框架，其被設置為部分地暴露于所述封裝件體的芯片安裝區(qū)域，并且所述粘合劑膜的暴露的粘合劑層的下部表面可以被粘接至所述引線框架中的一個的暴露區(qū)域。UV硬化溫度范圍可以為從160°C至180°C。制造LED封裝件的方法還可以包括在移除所述上部覆蓋層之后，將多個LED芯片粘接至所述粘合劑層的暴露的上部表面，使得所述多個LED芯片彼此間隔開，然后將所述粘合劑膜切割成與各個LED芯片相對應。制造LED封裝件的方法還可以包括在移除所述上部覆蓋層之后，將晶圓粘接至所述粘合劑層的暴露的上部表面，將所述粘合劑膜切割成多個單元粘合劑膜，以具有與所述 LED芯片的尺寸相對應的尺寸，然后通過使用單元粘合劑膜的晶圓制造LED芯片。可以執(zhí)行所述粘合劑膜的制備以包括首先將所述粘合劑層切割成與各個LED芯片相對應，然后將切割的粘合劑層彼此間隔開地層疊在所述UV固化層上。粘合劑膜的制備還可以包括在LED芯片粘接表面的邊界部分上形成位置引導部件，以便在所述UV固化層上層疊所述粘合劑層之后將LED引導至層疊的粘合劑層上的LED 芯片粘接位置。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種制造LED封裝件的方法，該方法包括通過順序地層疊下部覆蓋層、UV固化層、粘合劑層和上部覆蓋層來制備粘合劑膜；移除所述粘合劑膜的上部覆蓋層；將晶圓粘接至所述粘合劑膜的粘合劑層的暴露的上部表面上；將被提供有所述晶圓的粘合劑膜切割成多個單元粘合劑膜以具有與LED芯片的尺寸相對應的尺寸，所述晶圓被粘接至所述粘合劑膜；通過使用單元粘合劑膜的晶圓制造各個LED芯片；對被制造為各個LED芯片的所述粘合劑膜進行UV硬化；除去經(jīng)過UV固化的粘合劑膜的UV固化層和下部覆蓋層；布置具有暴露于芯片安裝區(qū)域的電極的封裝件體；以及將所述粘合劑膜的暴露的粘合劑層的下部表面粘接至暴露于所述芯片安裝區(qū)域的電極。


通過以下結合附圖的詳細說明，將更加清晰地理解本發(fā)明的上述和其他方面、特征以及其他優(yōu)點，其中圖I是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的粘合劑膜的側視圖；圖2是已經(jīng)移除了上部覆蓋層的圖I的粘合劑膜的側視圖；圖3是發(fā)光器件被粘接至圖2的粘合劑膜的粘合劑層的上部表面的粘合劑膜的側視圖；圖4是切割成各個發(fā)光器件的圖3的粘合劑膜的側視圖；圖5是使用根據(jù)本發(fā)明實施例的粘合劑膜彼此粘接的結合發(fā)光器件與電極的側視圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的粘合劑膜的側視圖；圖7是示出了在根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的粘合劑膜的粘合劑層中提供的位置引導部件的一個示例的側視圖；圖8是示出了在根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的粘合劑膜的粘合劑層中提供的位置引導部件的另一個示例的側視圖；以及
圖9是根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的粘合劑膜的側視圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將參考附圖對各實施例進行詳細說明，使得本發(fā)明所屬領域的技術人員能夠容易地實踐這些實施例。然而，在描述本發(fā)明的各實施例中，將省略已知的功能或結構的詳細描述，從而不會使得本發(fā)明的描述被不必要的細節(jié)模糊。另外,相同的附圖標記始終表示相同的元件。除非相反地明確描述，否則詞語“包括”及其變形(諸如“包含”或“包括有”)將被理解為意味著包括所陳述元件但沒有排除其他元件。參考圖I至圖5，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于發(fā)光器件的粘合劑膜可以包括 粘合劑層40，在其兩個面上都形成有粘合強度，以便將發(fā)光器件粘接至粘合劑層40的上部表面并且將電極60粘接至粘合劑層40的下部表面;UV固化層，其被粘接至粘合劑層40的下部表面；以及上部覆蓋層20和下部覆蓋層10，其分別被粘接至粘合劑層40的上部表面和UV固化層30的下部表面。在此，發(fā)光器件可以是當對其施加電信號時發(fā)出光的光電器件，并且在此情況下， 可以應用各種光電器件，例如，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例可以應用發(fā)光二極管(LED)芯片 50。在本實施例中，將LED芯片50描述為示例。可以將電極60形成為部分地暴露于封裝件體的外部以被用作端子，當將LED封裝件安裝在襯底上時，通過該端子施加外部電信號。電極60可以由具有卓越的熱導率的金屬材料形成，例如Au、Ag、Cu等，其能夠增加電導率并且能夠平穩(wěn)地輻射熱。在根據(jù)本實施例的結構的情況下，LED芯片50可以不采用導線而以倒裝芯片接合方式被安裝在電極60上，但是根據(jù)使用的芯片的類型這種連接方式可以是不同的，并且沒有將本發(fā)明特別限定于此。例如，可以由一對引線框架構成電極，其被設置以部分地暴露于封裝件體的芯片安裝區(qū)域上。在此，可以將粘合劑膜(LED芯片被粘接至該粘合劑膜)中的暴露的粘合劑層的下部表面粘接至引線框架中的一個中的暴露區(qū)域的上部表面，以便與其直接電連接。可以將LED芯片構造為通過導線被連接至設置在相反的方向處的引線框架。此外，將導線提供為布線結構的示例，但是可以利用其中能夠實現(xiàn)電信號傳輸功能的不同形式的布線結構來適當?shù)厝〈?，例如金屬線等?？梢詫⒄澈蟿?0形成為保持具有最小限度的厚度，以便顯著地增加從LED芯片 50發(fā)出的光中的光效率，并且可以將粘合劑層40形成為具有50 μ M或更小的厚度。為了顯著地增加從LED芯片50發(fā)出的光中的光效率，該膜應當是透明的以增加折射和透光率，即可以由具有相對較高的折射率和卓越的透光率的材料來形成粘合劑層40， 例如，包含娃的熱固樹脂，或者基于橡I父的材料、基于丙稀酸酷的材料、基于娃的材料、基于環(huán)氧樹脂的材料和基于乙烯基的材料中的一種材料或它們的混合物，并且在一些情況下還可以由高透光性的基于礦物的材料來形成粘合劑層40。另外，在粘合劑層40的情況下，可以將例如金屬、陶瓷和碳納米管之類的高熱傳導材料添加至粘合劑層40，以便保證平穩(wěn)的熱輻射。在根據(jù)本實施例的倒裝芯片型LED封裝件的情況下，可以添加導電粒子作為LED芯片50與電極之間的電路徑，并從而改進電連接性能。在將LED封裝件用于對其施加高電平電流的高功率產品的情況下，相對較高的熱不僅會流向LED封裝件還會流向連接至該LED封裝件的粘合劑膜。由于上述熱固樹脂，或者基于橡I父的、基于丙稀酸酷的、基于娃的、基于環(huán)氧樹脂的和基于乙稀基的材料中的一種材料或它們的混合物，或者基于礦物的材料等，在高溫環(huán)境下會具有惡化的熱特性，因此可以將具有卓越的輻射特性的A1203、B2O3等填充物添加至粘合劑層40。與此同時，在將LED芯片50粘接至粘合劑膜之后，可以在制造單個產品時垂直地切割粘合劑膜以與LED芯片50的尺寸相對應。在一些情況下，如圖6所示，可以將粘合劑層首先構造為與LED芯片50的數(shù)量一致的多個切割的單元粘合劑層40’，然后可以在單元粘合劑層40’的兩個面上將UV固化層30和上部覆蓋層20構造為被粘接至單元粘合劑層 40，。在粘合劑層40的上部表面上，可以在其中與LED芯片50的粘接表面的邊界部分相對應的位置上形成位置引導部件，以便將LED引導至LED芯片50的粘接位置?？梢詫⑽恢靡龑Р考纬蔀槿鐖D7所示的在粘合劑層40的上部表面中向下凹陷形成的溝槽部件61，或者可以將位置引導部件形成為如圖8所示的從粘合劑層40的上部表面向上凸起形成的凸起部件62。除此之外，可以不同地形成能夠被工人的肉眼識別的簡單標記等?？梢杂删哂凶吭降哪蜔釋傩缘牟牧蟻硇纬缮喜扛采w層20和下部覆蓋層10，該材料能夠經(jīng)受160°C至180°C、或170°C或更高的晶片接合UV硬化溫度。在此，上部覆蓋層20 可以防止在要粘接LED芯片50的粘合劑層40的上部表面上發(fā)生刮擦、可以保護粘合劑層不受外部物質影響、還可以在將LED芯片50粘接至粘合劑層40的上部表面時被移除?？梢蕴峁┫虏扛采w層10以保護要粘接電極60的粘合劑層40的下部表面，并且可以在被粘接至電極60時移除下部覆蓋層10?？梢孕纬蒛V固化層30以防止在不使用UV固化層30的情況下發(fā)生這樣的缺陷， 其中下部覆蓋層10被牢固地粘貼至粘合劑層40的下部表面，從而不容易從粘合劑層40的下部表面分開。即，在UV硬化時，UV固化層30可以與下部覆蓋層10 —起從粘合劑層40的下部表面分離?？梢园凑諢峁谭桨竵碇圃霼V固化層30，使得在晶片接合期間UV固化層30 不會發(fā)生反應，但是也可以按照其他方案來制造UV固化層30，并沒有限定于此。將描述根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的、使用如上所述的粘合劑膜配置來制造LED封裝件的方法。首先，制備粘合劑膜，其包括順序層疊的下部覆蓋層10、UV固化層30、粘合劑層40 以及上部覆蓋層20。在制備粘合劑膜中，可以在層疊在UV固化層30之上的粘合劑層40的上部表面上形成位置引導部件61或62，即，在其中與LED芯片50的粘接表面邊界部分相對應的位置上形成位置引導部件61或62，以便將LED引導至LED芯片50的粘接位置，使得工人可以確認 LED芯片50的粘接位置以進行工作?？梢詫⑽恢靡龑Р考?1或62形成為向下凹陷或向上凸起，并且還可以通過其他各種方案來形成位置引導部件61或62，例如，印制能夠被工人的肉眼識別的簡單標記等。隨后，可以從粘合劑膜移除上部覆蓋層20，并且可以將LED芯片50粘接至粘合劑膜的暴露的粘合劑層40的上部表面。在本實施例中描述了將多個LED芯片50彼此間隔開地以倒裝芯片的方式粘接至粘合劑層40，但是這些發(fā)光器件的種類、形式或數(shù)量并沒有限定于此。例如，參考圖9，作為LED芯片的材料的晶圓50’可以被粘接至粘合劑層40的上部表面，并且可以沿著虛擬切割線將粘合劑膜切割為具有與LED芯片的尺寸相對應的尺寸以產生單元粘合劑膜，然后，可以將單元粘合劑膜的晶圓50’制造為各個LED芯片。與此同時，根據(jù)本實施例，可以按照條狀形狀的陣列形式來制造LED封裝件，但是在生產只將LED芯片50中的每一個粘接至單個產品封裝件的情況下，可以執(zhí)行關于各個 LED芯片沿著切割線41切割粘合劑膜的另外的操作。另外，在粘合劑膜制造操作中，可以首先將粘合劑層切割成單元粘合劑層40’以便具有包括封裝件與LED芯片50之間的間隔的布置，并且可以將單元粘合劑層40’彼此間隔開地粘接至UV固化層30的頂部，然后可以在單元粘合劑層40’上粘接上部覆蓋層20以制造粘合劑膜。此時，當UV固化層30和下部覆蓋層10對于單個產品封裝件來說是多余的時， 可以省略上述對粘合劑膜的切割操作。此外，在制造單元粘合劑層40’時，可以一起切割粘合劑層，使得將UV固化層30 和下部覆蓋層10粘接至各個單元粘合劑層40’的下部表面。然后，粘接了 LED芯片50的粘合劑膜可以在160°C至180°C、或170°C或更高的溫度下進行UV固化，隨后可以順序地移除下部覆蓋層10和UV固化層30。UV硬化是通過使用紫外線將液體粘合劑硬化成為固化的固體狀態(tài)。在紫外線硬化的情況下，從紫外線燈產生的強烈的紫外線光能被提供至光引發(fā)劑(light initiator)作為引發(fā)元素之間的化學反應的能量，使得單體和低聚物(紫外線硬化涂料的主要成分)被即刻改變?yōu)榫酆衔?。此時，在一個大氣壓力和25°C的標準狀態(tài)下單體和低聚物是液體，但是當該液體成為聚合物時，單體和低聚物被改變?yōu)楣腆w狀態(tài)?？梢栽跊]有稀釋劑或溶劑的情況下執(zhí)行UV硬化工藝，從而在硬化或印制之后減少環(huán)境污染因素并且特別提供了幾項卓越的物理屬性(通常在熱固樹脂中很少見)，例如， 在硬化之后的改進的拋光、抗磨損性、表面硬度和粘附強度等。接下來，可以制備封裝件體，其中形成要暴露于芯片安裝區(qū)域的電極，然后可以將粘合劑層40的下部表面粘接至暴露于芯片安裝區(qū)域的電極的頂部以制造LED封裝件。在此，在LED芯片50的情況下，可以不使用導線而按照倒裝芯片接合的方式將粘合劑層40直接粘接至電極60的頂部。在電極由一對引線框架構成的情況下，粘合劑膜的暴露的粘合劑層的下部表面可以被粘接，以便直接電連接至引線框架中的一個的暴露區(qū)域的頂部，并且LED芯片可以被構造為通過導線連接至相對的引線框架。在本實施例中，在以卷狀物(roll)形式在長度方向上提供粘合劑膜并且制造工藝不是針對單個產品的情況下，可以將多個LED芯片50沿著粘合劑膜的長度方向成一直線地設置在粘合劑膜上，從而本實施例可以應用于電視機的背光單元、照明設備、臺燈的全部長度、用于移動電話的照明設備等，從而在提高附加價值的同時簡化組件的制造和組裝工藝。如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于發(fā)光器件的粘合劑膜中，可以將多個發(fā)光器件裝配在電極上以保持樹脂均勻性，從而顯著地減少從發(fā)光器件發(fā)出的光中的光損失，該光損失是由于根據(jù)現(xiàn)有技術的發(fā)光器件或各個發(fā)光器件的粘接位置的不均勻的晶片接合造成的。具體而言，使用根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于發(fā)光器件的粘合劑膜來制造LED封裝件的方法對于這樣的情況會相對更加有用，其中以晶圓狀態(tài)來粘接LED芯片或者以不使用導線而通過將LED芯片直接電連接至電極的倒裝芯片的方式來制造封裝件。此外，當制造陣列形式的LED封裝件時，可以將各個LED芯片在沒有晶片接合工藝時粘接至以卷狀物形式形成的粘合劑膜，然后可以根據(jù)需要切割粘合劑膜以將封裝件制造為單個產品，從而簡化工作過程并改進可加工性。雖然已經(jīng)結合本發(fā)明中的各實施例示出并描述了本發(fā)明，但是對于本領域技術人員來說應當清楚的是，在不背離由所附權利要求書定義的本發(fā)明的精神和范圍的情況下， 可以進行修改和改變。
權利要求
1.一種用于發(fā)光器件的粘合劑膜，包括雙面粘合劑層，使得所述發(fā)光器件被粘接至所述雙面粘合劑層的上部表面，并且使得電極被粘接至所述雙面粘合劑層的下部表面；紫外線固化層，其被粘接至所述雙面粘合劑層的一個表面；以及上部覆蓋層和下部覆蓋層，其分別被粘接至所述雙面粘合劑層和所述紫外線固化層的暴露于外部的面。
2.權利要求I的粘合劑膜，其中所述發(fā)光器件是LED芯片。
3.權利要求I的粘合劑膜，其中所述雙面粘合劑層由下列材料形成包含硅的熱固樹脂，或者基于橡I父的、基于丙稀酸酷的、基于娃的、基于環(huán)氧樹脂的和基于乙稀基的材料中的一種材料或它們的混合物，或者高透光性的基于礦物的材料。
4.權利要求I的粘合劑膜，其中所述雙面粘合劑層還包括金屬、陶瓷和碳納米管中的一種。
5.權利要求I的粘合劑膜，其中所述雙面粘合劑層還包括導電粒子。
6.權利要求I的粘合劑膜，其中所述雙面粘合劑層還包括高輻射填充物。
7.權利要求I的粘合劑膜，其中所述雙面粘合劑層被形成為包括多個單元粘合劑層， 所述單元粘合劑層被切割為具有與所述發(fā)光器件的尺寸相對應的尺寸。
8.權利要求I的粘合劑膜，其中所述雙面粘合劑層被提供有位置引導部件，所述位置引導部件形成在發(fā)光器件粘接表面的邊界部分上，以便將LED引導至所述雙面粘合劑層的上部表面上的發(fā)光器件粘接位置。
9.權利要求8的粘合劑膜，其中所述位置引導部件是在所述雙面粘合劑層的上部表面中形成的溝槽部件。
10.權利要求8的粘合劑膜，其中所述位置引導部件是在所述雙面粘合劑層的上部表面上形成的凸起部件。
11.權利要求8的粘合劑膜，其中所述位置引導部件是在所述雙面粘合劑層的上部表面上的標記。
12.一種制造LED封裝件的方法，該方法包括步驟通過順序地層疊下部覆蓋層、紫外線固化層、粘合劑層和上部覆蓋層來制備粘合劑移除所述粘合劑膜的上部覆蓋層；將至少一個LED芯片粘接至所述粘合劑膜的粘合劑層的暴露的上部表面上；對被提供有所述LED芯片的所述粘合劑膜進行紫外線硬化，所述LED芯片被粘接至所述粘合劑膜；除去經(jīng)過紫外線固化的粘合劑膜的紫外線固化層和下部覆蓋層；布置具有暴露于芯片安裝區(qū)域的電極的封裝件體；以及將所述粘合劑膜的暴露的粘合劑層的下部表面粘接至暴露于所述芯片安裝區(qū)域的電極。
13.權利要求12的方法，其中所述LED芯片按照倒裝芯片的方式被粘接至所述電極的頂部。
14.權利要求12的方法，其中所述電極是一對引線框架，其被設置為部分地暴露于所述封裝件體的芯片安裝區(qū)域，并且所述粘合劑膜的暴露的粘合劑層的下部表面被粘接至所述引線框架中的一個的暴露區(qū)域。
15.權利要求12的方法，其中紫外線硬化溫度范圍為從160°C至180°C。
16.權利要求12的方法，還包括在移除所述上部覆蓋層之后，將多個LED芯片粘接至所述粘合劑層的暴露的上部表面，使得所述多個LED芯片彼此間隔開，然后將所述粘合劑膜切割成與各個LED芯片相對應。
17.權利要求12的方法，其中所述粘合劑膜的制備包括首先將所述粘合劑層切割成與各個LED芯片相對應，然后將切割的粘合劑層彼此間隔開地層疊在所述紫外線固化層上。
18.權利要求12的方法，其中所述粘合劑膜的制備還包括在LED芯片粘接表面的邊界部分上形成位置引導部件，以便在所述紫外線固化層上層疊所述粘合劑層之后將LED引導至層疊的粘合劑層上的LED芯片粘接位置。
19.權利要求18的方法，其中形成所述位置引導部件包括形成溝槽部件，所述溝槽部件被形成為從所述粘合劑層的上部表面向內凹陷。
20.權利要求18的方法，其中形成所述位置引導部件包括形成凸起部件，所述凸起部件被形成為從所述粘合劑層的上部表面向上凸出。
21.權利要求18的方法，其中形成所述位置引導部件包括在所述粘合劑層的上部表面上呈現(xiàn)標記。
22.—種制造LED封裝件的方法，該方法包括步驟通過順序地層疊下部覆蓋層、紫外線固化層、粘合劑層和上部覆蓋層來制備粘合劑移除所述粘合劑膜的上部覆蓋層；將晶圓粘接至所述粘合劑膜的粘合劑層的暴露的上部表面上；將被提供有所述晶圓的粘合劑膜切割成多個單元粘合劑膜以具有與LED芯片的尺寸相對應的尺寸，所述晶圓被粘接至所述粘合劑膜；通過使用單元粘合劑膜的晶圓制造各個LED芯片；對被制造為各個LED芯片的所述粘合劑膜進行紫外線硬化；除去經(jīng)過紫外線固化的粘合劑膜的紫外線固化層和下部覆蓋層；布置具有暴露于芯片安裝區(qū)域的電極的封裝件體；以及將所述粘合劑膜的暴露的粘合劑層的下部表面粘接至暴露于所述芯片安裝區(qū)域的電極。
23.權利要求22的方法，其中所述電極是一對引線框架，其被設置為部分地暴露于所述封裝件體的芯片安裝區(qū)域，并且所述粘合劑膜的暴露的粘合劑層的下部表面被粘接至所述引線框架中的一個的暴露區(qū)域。
24.權利要求22的方法，其中紫外線硬化溫度范圍為從160°C至180°C。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于LED芯片的粘合劑膜，包括雙面粘合劑層，使得LED芯片被粘接至其上部表面，并且使得引線框架被粘接至其下部表面；紫外線固化層，其被粘接至雙面粘合劑層的一個表面；以及上部覆蓋層和下部覆蓋層，其分別被粘接至雙面粘合劑層和紫外線固化層的暴露于外部的面。
文檔編號H01L33/00GK102585721SQ20121001033
公開日2012年7月18日 申請日期2012年1月13日 優(yōu)先權日2011年1月14日
發(fā)明者樸一雨, 樸娜娜, 李圭珍 申請人:三星Led株式會社